傳感器原理與應(yīng)用智慧樹知到答案章節(jié)測試2023年山東大學（威海）

第一章測試閉環(huán)測量系統(tǒng)信息變換只沿一個方向進行。（）

A:對

B:錯

答案:B工業(yè)檢測儀器（系統(tǒng)）常以最大引用誤差作為判斷精度等級的尺度。（）

A:錯

B:對

答案:B國家標準規(guī)定，測量指示儀表的精度等級G分為0.1、0.2、0.5、1.0、1.5、2.5、5.0七個等級。（）

A:對

B:錯

答案:A第二章測試利用高一等級精度的儀表或裝置的測量結(jié)果作為真值，屬于（）

A:理論真值

B:基準真值

C:相對真值

答案:C（）各環(huán)節(jié)的測量誤差逐級傳輸，系統(tǒng)累計誤差比較大。

A:閉環(huán)測量系統(tǒng)

B:開環(huán)測量系統(tǒng)

答案:B天平測量屬于（）測量方法。

A:零位式測量

B:偏差式測量

C:微差式測量

答案:A以下哪個屬于偏差式測量的特點（）。

A:測量過程復(fù)雜

B:測量過程緩慢

C:測量精度較低

D:測量精度準確

答案:C用電壓表測量電壓，示值為156V，電壓表沒有輸入電壓時，顯示電壓為0.5V，問測得的電壓為多少（）。

A:156V

B:156.5V

C:0.5V

D:155.5V

答案:D發(fā)現(xiàn)系統(tǒng)誤差的方法（）。

A:理論分析及計算

B:殘余誤差觀察法

C:準則檢查法

D:實驗對比法

答案:ABCD根據(jù)測量誤差所呈現(xiàn)的規(guī)律，誤差的可分為（）。

A:隨機誤差

B:機械誤差

C:粗大誤差

D:系統(tǒng)誤差

答案:ACD第三章測試若將計算機比喻成人的大腦，那么傳感器則可以比喻為（）。

A:皮膚

B:手

C:感覺器官

D:眼睛

答案:C傳感器的組成部分為（）。

A:敏感元件

B:測量電路

C:轉(zhuǎn)換器件

D:顯示裝置

答案:ABC傳感器的輸出——輸入曲線與理論擬合直線之間的最大偏差與傳感器滿量程輸出之比，稱為該傳感器的“非線性誤差”。（）

A:錯

B:對

答案:B表示傳感器對被測量變化的反應(yīng)能力的量為（）。

A:線性度

B:靈敏度

C:穩(wěn)定性

D:重復(fù)性

答案:B用一階系統(tǒng)描述的傳感器，其動態(tài)響應(yīng)特征的優(yōu)劣也主要取決于時間常數(shù)τ，τ越大越好。（）

A:錯

B:對

答案:A對于線性傳感器，其靈敏度就是它的靜態(tài)特性的斜率。（）

A:錯

B:對

答案:B閾值是傳感器的分辨率。（）

A:對

B:錯

答案:B輸入阻抗的概念能使我們確定什么時候會出現(xiàn)加載誤差。（）

A:對

B:錯

答案:A傳感器實際中輸出信號與輸入信號時間函數(shù)不同，這種輸出與輸入間的差異就是所謂的動態(tài)誤差。（）

A:錯

B:對

答案:B上升時間是指傳感器輸出達到穩(wěn)態(tài)值所需時間。（）

A:錯

B:對

答案:A第四章測試應(yīng)變電阻式傳感器可用來測量（）。

A:壓力

B:加速度

C:溫度

D:重力

答案:ABD常見電阻應(yīng)變片的種類有（）。

A:絲式應(yīng)變片

B:光學應(yīng)變片

C:薄膜應(yīng)變片

D:半導體應(yīng)變片

答案:ACD對于不同應(yīng)變片類型，工作原理描述正確的是（）。

A:金屬應(yīng)變片受力后，材料電阻率的變化量遠大于材料的幾何尺寸變化，后者忽略不計

B:金屬應(yīng)變片受力后，材料幾何尺寸的變化量遠大于材料的電阻率變化，后者忽略不計

C:半導體應(yīng)變片受力后，材料幾何尺寸的變化量遠大于材料的電阻率變化，后者忽略不計

D:半導體應(yīng)變片受力后，材料電阻率的變化量遠大于材料的幾何尺寸變化，后者忽略不計

答案:BD橫向效應(yīng)在圓弧段產(chǎn)生，消除圓弧段即可消除橫向效應(yīng)。（）

A:錯

B:對

答案:B電阻應(yīng)變片在電流和電壓允許范圍內(nèi)，形變量是可以無限大的。（）

A:錯

B:對

答案:A電阻應(yīng)變片引起蠕變的原因有（）。

A:工作中溫度產(chǎn)生了變化

B:制作應(yīng)變計時內(nèi)部產(chǎn)生了內(nèi)應(yīng)力

C:工作中出現(xiàn)了剪應(yīng)力

D:膠層之間產(chǎn)生的“滑移”

答案:BCD對于電阻應(yīng)變片，無論正弦應(yīng)變的響應(yīng)還是階躍應(yīng)變的響應(yīng)，其測量誤差在一定范圍內(nèi)均可通過篩選柵長調(diào)節(jié)。（）

A:錯

B:對

答案:B在帶補償片的溫度誤差橋路補償中，電橋的輸出電壓僅與被測試件的應(yīng)變有關(guān)，與環(huán)境溫度無關(guān)。（）

A:對

B:錯

答案:A電阻應(yīng)變式傳感器測量電路采用不平衡電橋法時，電壓靈敏度正比于電橋的供電電壓，因此，電橋的供電電壓愈高越好。（）

A:錯

B:對

答案:A對于電阻應(yīng)變式傳感器交流電橋，需滿足的平衡條件是（）

A:電感平衡

B:電阻平衡

C:電容平衡

D:電流平衡

答案:BC第五章測試電感式傳感器把輸入物理量（如位移、振動等）轉(zhuǎn)為為（），進而通過測量電路輸出電壓或電流變化量，實現(xiàn)對非電量的測量。

A:磁路磁阻的變化

B:線圈長度的變化

C:鐵芯的移動量

D:自感系數(shù)L或互感系數(shù)M的變化

答案:D差動變氣隙電感式傳感器與單線圈變氣隙厚度電感式傳感器的優(yōu)勢體現(xiàn)在（）

A:差動式比單線圈式線性度得到明顯改善

B:差動式比單線圈式結(jié)構(gòu)更簡單

C:差動式比單線圈式自感系數(shù)L更大

D:差動式比單線圈式靈敏度提高一倍

答案:AD變氣隙厚度電感式傳感器測量電路輸入電壓來自直流電壓源。（）

A:對

B:錯

答案:B下列關(guān)于變磁阻電感式傳感器，交流電橋和變壓器式交流電橋測量電路描述正確的是（）

A:銜鐵上、下移動時，輸出電壓能指示移動方向

B:銜鐵上、下移動時，輸出電壓隨銜鐵的位移而變化

C:銜鐵上、下移動時，輸出電壓相位相反

D:銜鐵上、下移動時，輸出電壓為交流電壓

答案:BCD對于變磁阻式傳感器，諧振調(diào)頻電路當電感L發(fā)生變化時，輸出頻率f隨之線性變化，根據(jù)頻率大小即可確定被測量的值。（）

A:對

B:錯

答案:B差動變壓器電感式傳感器產(chǎn)生零點殘余電壓的原因有（）

A:輸出負載的影響

B:傳感器兩個二次繞組的電氣參數(shù)與幾何尺寸不對稱，構(gòu)成零點殘余電壓基波

C:磁性材料磁化曲線的非線性（磁飽和、磁滯），產(chǎn)生了零點殘余電壓高次諧波

D:勵磁電壓本身含高次諧波

答案:BCD不考慮零點殘余電壓情況下，螺線管差動變壓器電感式傳感器的基本特性（）

A:活動銜鐵位于中間位置以下時，即位移小于0，輸出電壓與輸入電壓同頻反相

B:活動銜鐵位于中間位置以上時，即位移大于0，輸出電壓與輸入電壓同頻同相

C:活動銜鐵位于中間位置以下時，即位移小于0，輸出電壓與輸入電壓不同頻且不同相

D:活動銜鐵位于中間位置時，即無位移，輸出電壓為0

答案:ABD關(guān)于差動變壓器電感式傳感器測量電路之相敏檢波電路（）

A:能反映銜鐵位移大小

B:能反映銜鐵移動的方向

C:能對差動變壓器的電感式傳感器的輸出電壓進行幅度解調(diào)

D:能消除零點殘余電壓

答案:ABCD下列對電渦流電感式傳感器描述正確的是（）

A:是一種互感式傳感器

B:是一種自感式傳感器

C:是一種只能感應(yīng)金屬導體的傳感器

D:是根據(jù)電渦流效應(yīng)制成的傳感器

答案:ACD電渦流電感式傳感器受電渦流效應(yīng)的影響（）

A:線圈復(fù)阻抗實部（等效電阻）減小，抗虛部（等效電感）增大

B:線圈的等效機械品質(zhì)因數(shù)增大

C:線圈的等效機械品質(zhì)因數(shù)減小

D:線圈復(fù)阻抗實部（等效電阻）增大，抗虛部（等效電感）減小

答案:CD第六章測試電容式傳感器測量固體或液體物位時，應(yīng)該選用（）。

A:變極距式

B:變介質(zhì)式

C:空氣介質(zhì)變極距式

D:變面積式

答案:B電容式傳感器在板極間放置云母、塑料等介電常數(shù)高的物質(zhì)的目的是（）。

A:減小非線性

B:增加加工精度

C:防止擊穿

D:提高靈敏度

答案:ACD電容式傳感器可以進行大的物理量的測量，且不易受到外界的干擾。（）

A:對

B:錯

答案:B當變極距式電容式傳感器兩極板間的初始距離d增加時，將引起傳感器的（）。

A:靈敏度減小

B:非線性誤差增加

C:非線性誤差不變

D:靈敏度增加

答案:A變極距型電容傳感器在微位移檢測中應(yīng)用最廣，變面積型電容傳感器適合測量較大的直線位移和角位移；變介質(zhì)型電容式傳感器可用來測量紙張、絕緣薄膜等的厚度。（）

A:錯

B:對

答案:B變面積型電容式傳感器的量程不受線性范圍的限制，適合于測量較大的直線位移和角位移。（）

A:對

B:錯

答案:A電容式傳感器可以實現(xiàn)非接觸測量，具有平均效應(yīng)。（）

A:對

B:錯

答案:A電容式傳感器性能穩(wěn)定，不易受到寄生電容的影響。（）

A:對

B:錯

答案:A電容式傳感器性能穩(wěn)定，在高頻與低頻條件下性能相同。（）

A:對

B:錯

答案:B運算放大器電路解決了單個變極板間距離式電容式傳感器的非線性問題。（）

A:對

B:錯

答案:A第七章測試以下屬于壓電材料的是（）。

A:高分子壓電材料

B:壓電陶瓷

C:晶體

D:塑料

答案:ABC在壓電材料的主要參數(shù)中，（）是衡量材料壓電效應(yīng)強弱的參數(shù)，它直接關(guān)系到壓電輸出的靈敏度。

A:居里點

B:彈性常數(shù)

C:介電常數(shù)

D:壓電常數(shù)

答案:D壓電效應(yīng)是不可逆的，即晶體在外加電場的作用下不能發(fā)生形變。（）

A:對

B:錯

答案:B將壓力轉(zhuǎn)換成電信號是利用壓電材料的（）。

A:正壓電效應(yīng)

B:應(yīng)變效應(yīng)

C:電渦流效應(yīng)

D:逆壓電效應(yīng)

答案:D一般壓電材料都有一定的溫度系數(shù)，溫度變化引起的頻偏往往超過壓力變化引起的頻偏，不必對溫度變化引起的頻偏進行補償。（）

A:錯

B:對

答案:A壓電陶瓷的壓電系數(shù)比石英晶體的大得多，所以采用壓電陶瓷制作的壓電式傳感器的靈敏度較低。（）

A:錯

B:對

答案:A壓電式傳感器具有體積小，重量輕，工作頻帶寬、靈敏度高、工作可靠、測量范圍廣等特點。（）

A:錯

B:對

答案:B高分子材料屬于有機分子半結(jié)晶或結(jié)晶的聚合物，其壓電效應(yīng)比較復(fù)雜。（）

A:錯

B:對

答案:B壓電傳感器在使用時與測量儀器或測量電路相連接時，不需要考慮連接電纜的等效電容和放大器的輸入電阻。（）

A:對

B:錯

答案:B電壓放大器的應(yīng)用具有一定的應(yīng)用限制。（）

A:對

B:錯

答案:A第八章測試霍爾元件及霍爾傳感器可用于測量（）。

A:轉(zhuǎn)速

B:電阻

C:濕度

D:溫度

答案:A制作霍爾元件最合適的材料是（）。

A:鎳

B:半導體

C:石英晶體

D:銅

答案:B霍爾靈敏度與霍爾常數(shù)RH成正比而與霍爾片厚度d成反比。（）

A:對

B:錯

答案:A4關(guān)于霍爾片的靈敏度KH值描述正確的是（）。

A:由霍爾片的靈敏度可以求出半導體材料的霍爾系數(shù)

B:靈敏度是反映霍爾材料的霍爾效應(yīng)強弱的重要參數(shù)

C:自由電子濃度n越高，霍爾片厚度d越小

D:金屬材料的自由電子濃度很高，故常用來制作霍爾元件

答案:AB霍爾片的靈敏度大小與霍爾片的材料無關(guān)。（）

A:對

B:錯

答案:B霍爾傳感器是基于霍爾效應(yīng)原理而將被測物理量（如電流、磁場、位移、壓力等）轉(zhuǎn)換成電動勢輸出的一種傳感器。（）

A:對

B:錯

答案:A霍爾傳感器廣泛用于電磁測量、壓力、加速度、振動等方面的測量。（）

A:錯

B:對

答案:B置于磁場中的靜止載流導體,當它的電流方向與磁場方向一致時,載流導體上平行于電流和磁場方向上的兩個面之間產(chǎn)生電動勢,這種現(xiàn)象稱霍爾效應(yīng)。（）

A:對

B:錯

答案:B一般金屬材料載流子遷移率很高,但電阻率很小;而絕緣材料電阻率極高,但載流子遷移率極低。(）

A:對

B:錯

答案:A霍爾電動勢溫度系數(shù)指在一定磁感應(yīng)強度和控制電流下溫度每改變1°C時，霍爾電動勢值變化的百分率。(）

A:錯

B:對

答案:A第九章測試挑選或研制光電傳感器時，需考慮的光源特性有（）。

A:光譜特性

B:環(huán)境特性

C:光電轉(zhuǎn)換特性

D:輻射特性

答案:ABCD關(guān)于光電效應(yīng)描述正確的是（）。

A:根據(jù)內(nèi)光電效應(yīng)和外光電效應(yīng)制作的光電器件均為半導體器件

B:在光線作用下，光電子逸出物體表面的現(xiàn)象稱外光電效應(yīng)

C:一個光子的能量只給一個電子，光子能量必須大于電子逸出功

D:在光線作用下，光電子只在物體內(nèi)部運動，不會逸出物體表面的現(xiàn)象稱內(nèi)光電效應(yīng)

答案:BCD光電倍增管的特性有（）。

A:光譜特性與相同材料光電管相似，皆取決于光陰極材料

B:相較普通光電管，不存在暗電流

C:不可受強光照射，否則易被損壞

D:通常放于暗室內(nèi)避光使用，使其只對入射光起作用

答案:ACD內(nèi)光電效應(yīng)包含（）。

A:因光照在金屬-半導體接觸面產(chǎn)生電動勢的光生伏特效應(yīng)

B:因光照引起金屬電阻率變化的光電導效應(yīng)

C:因光照在PN結(jié)產(chǎn)生電動勢的光生伏特效應(yīng)

D:因光照引起半導體電阻率變化的光電導效應(yīng)

答案:ACD下列是基于光生伏特效應(yīng)的器件有（）。

A:光敏電阻

B:光敏二極管

C:光電池

D:光敏晶體管

答案:BCD光敏電阻常用做開關(guān)式電信號轉(zhuǎn)換器而不宜用做線性測量元件的原因有（）。

A:在一定光照強度下，電壓-電流為直線關(guān)系

B:暗電阻與亮電阻之比一般在100-1000000之間，靈敏度高

C:絕大多數(shù)光敏電阻光照曲線（光電流-光照強度）為非線性

D:光電流不能隨著光照量的改變立即改變，存在一定的延時

答案:BC硅光電池的光照特性有（）。

A:短路電流在很大范圍內(nèi)與光照度成線性關(guān)系

B:光電池在作為測量元件時，應(yīng)將其作為電壓源使用，以利用與光照度的線性關(guān)系

C:在不同光照度下，光電流和光生電動勢是不同的

D:開路電壓與光照度的關(guān)系是非線性的

答案:ACD脈沖盤式（增量）編碼器測角的原理（）。

A:計數(shù)器記錄脈沖數(shù)，就能反映碼盤轉(zhuǎn)過的角度

B:當碼盤隨著工作軸轉(zhuǎn)動時，每轉(zhuǎn)過一個縫隙就發(fā)生一次光線明暗變化，光敏元件產(chǎn)生一次電信號變化

C:每圈碼道上的縫隙數(shù)等于光敏元件每一轉(zhuǎn)輸出的脈沖數(shù)

D:碼盤上有兩圈相等角矩的縫隙，內(nèi)外圈縫隙錯開半條縫寬，導致輸出兩路信號相位差90度

答案:ABCD光柵對位移的放大作用的原理（）。

A:莫爾條紋間距相當于把柵距放大了光柵夾角倍

B:兩塊光柵夾角越小，條紋間距越大

C:莫爾條紋間距相當于把柵距放大了光柵夾角倒數(shù)分之一倍

D:調(diào)節(jié)兩塊光柵間的夾角，莫爾條紋間距隨之獲得調(diào)整

答案:BCDCCD圖像傳感器的工作原理（）。

A:通過實現(xiàn)信號電荷的產(chǎn)生、存儲、傳輸和輸出來實現(xiàn)圖像感知功能

B:一個MOS電容器就是一個光敏單元，可以感應(yīng)一個像素點

C:以電荷量作為電信號量

D:本質(zhì)上是排列起來的MOS電容陣列

答案:ABCD第十章測試鉑熱電阻的特點是精度高、穩(wěn)定性好、性能可靠,所以在溫度傳感器中得到了廣泛應(yīng)用。按IEC標準,鉑熱電阻的使用溫度范圍為()。

A:-1000~+1000℃

B:-50~+750℃

C:-200~+850℃

D:-100~+500℃

答案:C半導體熱敏電阻率隨著溫度上升，電阻率()。

A:迅速上升

B:迅速下降

C:保持不變

答案:B熱電阻和熱敏電阻是將溫度變化轉(zhuǎn)換為（）變化的測溫元件。

A:電抗

B:電流

C:電阻

D:電勢

答案:C理想條件下，AD590在25°C時，輸出的電流為（）

A:330.2

B:298.2

C:250.2

D:275.2

答案:B超聲波流量計和電磁式流量計測量的是（）。

A:質(zhì)量流量

B:體積流量