版2023高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)逐題對(duì)點(diǎn)特訓(xùn)14

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1．有A、B、C、D、E五種原子序數(shù)依次增大的元素(原子序數(shù)均小于30)。A的基態(tài)原子2p能級(jí)有3個(gè)單電子；C的基態(tài)原子2p能級(jí)有1個(gè)單電子；E的內(nèi)部各能層均排滿，且有成單電子；D與E同周期，價(jià)電子數(shù)為2。則：

(1)寫出基態(tài)E原子的價(jià)電子排布式：3d4s。(2)A的單質(zhì)分子中π鍵的個(gè)數(shù)為2。

(3)A、B、C三種元素第一電離能由大到小的順序?yàn)?，F(xiàn)>N>O(用元素符號(hào)表示)(4)B元素的氫化物的沸點(diǎn)是同族元素中最高的，原因是H2O分子間存在氫鍵。(5)A的最簡(jiǎn)單氫化物分子的空間構(gòu)型為三角錐形，其中A原子的雜化類型是sp。(6)C和D形成的化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如下圖，已知晶體的密度為ρg·cm，阿伏加

3

德羅常數(shù)為NA，求晶胞邊長(zhǎng)a＝312

(用ρ、NA的計(jì)算式表示)cm。ρ·NA

－3

3

10

1

解析：(1)根據(jù)提供信息，A的電子排布式為1s2s2p，為N，C的電子排布式為1s2s2p，為F，則B為O。E的電子排布式為1s2s2p3s3p3d4s，為Cu，D為Ca。

(2)NN中含有1個(gè)σ鍵、2個(gè)π鍵。

(3)同周期元素從左到右第一電離能逐漸增大，但N、O反常，則第一電離能：F>N>O。(5)NH3中N有一對(duì)孤對(duì)電子，空間構(gòu)型為三角錐形，N的雜化類型為sp雜化。782＋－3

(6)該晶胞中黑球?yàn)镃a，白球?yàn)镕，含有4個(gè)Ca、8個(gè)F，則ρ×a＝×4，a＝

NA

3

312

。ρ·NA

2．(2023·江西上饒模擬)元素周期表中，金屬和非金屬分界限附近的元素性質(zhì)特別，其單質(zhì)及化合物應(yīng)用廣泛，成為科學(xué)研究的熱點(diǎn)。

(1)鍺(Ge)可以作半導(dǎo)體材料，寫出基態(tài)鍺原子的電子排布式：1s2s2p3s3p3d4s4p或([Ar]3d4s4p)。

(2)環(huán)硼氮六烷的結(jié)構(gòu)和物理性質(zhì)與苯很相像，故稱為無(wú)機(jī)苯，其結(jié)構(gòu)為

10

2

2

2

2

6

2

6

10

2

2

3

2

2

6

2

6

10

1

2

2

3

2

2

5

1

①第一電離能介于B、N之間的其次周期元素有3種。

②無(wú)機(jī)苯分子中1個(gè)氮原子給有空軌道的硼原子提供1個(gè)孤電子對(duì)，形成1個(gè)配位鍵。③硼、氮原子的雜化方式是sp。

(3)硅烷的通式為SinH2n＋2，隨著硅原子數(shù)增多，硅烷的沸點(diǎn)逐漸升高，其主要原因是相對(duì)分子質(zhì)量增大，分子間作用力增大。最簡(jiǎn)單的硅烷是SiH4，其中的氫元素顯－1價(jià)，其原由于氫原子的電負(fù)性比硅原子電負(fù)性大。

(4)根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論(VSEPR)推測(cè)：AsCl3的VSEPR模型名稱：周邊體形；AsO4

的立體構(gòu)型：正周邊體形。

(5)釙(Po)是一種放射性金屬，它的晶胞堆積模型為簡(jiǎn)單立方堆積，釙的摩爾質(zhì)量為209g·mol，晶胞的密度為ρg·cm，則它的晶胞邊長(zhǎng)(a)為伏加德羅常數(shù)，用代數(shù)式表示晶胞邊長(zhǎng))]

解析：(2)①根據(jù)電離能的變化規(guī)律，具有半充滿和全充滿的電子排布構(gòu)型的元素的穩(wěn)定性較高，所以第一電離能介于B、N之間的其次周期元素有Be、C、O三種元素。②無(wú)機(jī)苯類似苯結(jié)構(gòu)，分子存在大π鍵。由單方原子提供孤電子對(duì)與含空軌道的原子形成配位鍵。③類比苯的結(jié)構(gòu)可知，由硼氮原子形成平面六元環(huán)結(jié)構(gòu)，所有原子共面，B、N都是sp雜化。

(3)硅烷相對(duì)分子質(zhì)量隨著硅原子數(shù)的增多而增大，硅烷分子間作用力增大，硅烷沸點(diǎn)升高；氫原子的電負(fù)性大，吸引電子能力比硅強(qiáng)。

(4)三氯化砷分子中價(jià)層電子有4對(duì)，其中3個(gè)成鍵電子對(duì)、1個(gè)孤電子對(duì)，VSEPR模型包括孤電子對(duì)和成鍵電子對(duì)，故VSEPR模型為周邊體形；AsO4中價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4(4＋5＋3－4×2

＝4)，4個(gè)電子對(duì)都是成鍵電子對(duì)，它的立體構(gòu)型為正周邊體形。2

20910

(5)釙晶胞模型如下圖：1個(gè)晶胞含1個(gè)釙原子。1cm＝1×10pm，m(Po)＝g；

NA

32093209mm?Po?209－33310

ρ＝＝g·cm，a＝cm，a＝cm＝×10pm。3

VaNA×ρρNAρNA

3－

2

－1

－3

3－

2

3

20910

×10pm。[(NA表示阿ρNA

3．(2023·河南重點(diǎn)中學(xué)聯(lián)考)金屬鎳及其化合物在合金材料以及催化劑等方面應(yīng)用廣泛。

(1)基態(tài)Ni原子的核外電子排布式為1s2s2p3s3p3d4s(或[Ar]3d4s)。

(2)金屬鎳能與CO形成協(xié)同物Ni(CO)4，寫出與CO互為等電子體的一種分子和一種離子的化學(xué)式：N2、CN(或O2、C2、NO)。

(3)好多不飽和有機(jī)物在Ni催化下可與H2發(fā)生加成反應(yīng)，如①CH2＝CH2、②HC≡CH、

2

－

2＋

2－

＋

2

2

6

2

6

8

2

8

2

③、④HCHO，其中碳原子采取sp雜化的分子有①③④(填物質(zhì)序號(hào))，HCHO分子的立體

2

結(jié)構(gòu)為平面三角形。

(4)金屬鎳與鑭(La)形成的合金是一種良好的儲(chǔ)氫材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示。該合金的化學(xué)式為L(zhǎng)aNi5或Ni5La。

圖1圖2

2＋

2＋

(5)丁二酮肟常用于檢驗(yàn)Ni。在稀氨水中，丁二酮肟與Ni反應(yīng)生成鮮紅色沉淀，其結(jié)構(gòu)如圖2所示。該結(jié)構(gòu)中，除共價(jià)鍵外還存在配位鍵和氫鍵，請(qǐng)?jiān)趫D中用箭頭和“?〞表示出配位鍵和氫鍵。

4．周期表前四周期的元素X、Y、Z、M、W、Q的原子序數(shù)依次增大。基態(tài)X原子的最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的2倍；X與Z同周期，M與Z同主族，基態(tài)Z原子有2個(gè)未成對(duì)電子；基態(tài)W原子的最外層電子數(shù)與其d能級(jí)電子數(shù)相等；基態(tài)Q的d能級(jí)的所有軌道均排布自旋方向一致的電子。請(qǐng)回復(fù)：

(1)基態(tài)Q的電子排布式為1s2s2p3s3p3d。

(2)X、Y、Z的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)镺>N>C(填元素符號(hào))。

(3)HYO3比HYO2酸性強(qiáng)的原由于HNO3的非羥基O原子數(shù)目大于HNO2的非羥基氧原子數(shù)目，HNO3中N元素的正電性更高，羥基中O原子的電子偏向N原子程度大，更易電離出H，HNO3的酸性更強(qiáng)。

(4)與MXY互為等電子體的一種分子的結(jié)構(gòu)式為OCO；MXY中σ鍵和π鍵的個(gè)數(shù)比為1︰1。

(5)單質(zhì)W的晶體堆積模型為六方最密堆積，晶體中W原子的配位數(shù)為12。(6)Z、W與Ba形成的一種晶體廣泛用于電子工業(yè)中，其晶胞結(jié)構(gòu)如下圖：

－

－

＋

2＋

2

2

6

2

6

6

3＋

①該晶體的化學(xué)式為BaTiO3。

②若晶胞中兩個(gè)最近的Z原子核間距離為apm，用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則該2.33×10－3

晶體的密度可以表示為g·cm。3

22aNA

解析：(1)由題意可知X為C元素，Z為O元素，Y為N元素，M為S元素，W元素的電

3

32

子排布式為[Ar]3d4s，為Ti元素，Q元素的電子排布式為[Ar]3d4s，為Fe元素。

(2)元素非金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越大。

(3)可通過(guò)含氧酸中非羥基O原子的數(shù)目越多酸性越強(qiáng)來(lái)解釋。

(4)SCN的價(jià)電子數(shù)為16個(gè)，其等電子體為CO2，其結(jié)構(gòu)式為OCO，每個(gè)雙鍵中含有一個(gè)σ鍵，一個(gè)π鍵。

(5)六方最密堆積中原子緊鄰的其他原子為12個(gè)。

11

(6)①由頂點(diǎn)原子平均，棱上原子平均，中心原子為1可求得；②立方體的邊長(zhǎng)為2

84a×10

－10

－

2262

cm，晶胞體積V＝x＝22a×10

33－30

233m3

cm，一個(gè)晶胞的質(zhì)量m＝g，由ρ＝可求NAV晶胞密度。

5．氟是電負(fù)性最大的非金屬元素，又因其半徑較小，極易和金屬元素反應(yīng)，并將它們氧化到最高價(jià)態(tài)，生成MnF7、VF5、CaF2等。氟還可以和氧形成一系列的氟化物，如OF2、O2F2、O4F2等。請(qǐng)回復(fù)以下問(wèn)題：

(1)V原子的核外電子排布式為1s2s2p3s3p3d4s(或[Ar]3d4s)。

如下圖為一個(gè)完整的CaF2晶胞，則圖中空心球表示Ca(填“F〞或“Ca〞)。設(shè)晶胞邊長(zhǎng)為a，則Ca與F之間的最近距離為

2＋

－

2＋

－

2＋

2

2

6

2

6

3

2

3

2

3a

。4

(2)OF2分子中氧原子的雜化軌道類型為sp，OF2被稱為氟化物而不被稱為氧化物的原因是由于OF2中F的電負(fù)性比O的大，所以O(shè)的化合價(jià)為正價(jià)，氧化物中氧元素的化合價(jià)為負(fù)價(jià)。

(3)O2F2是一種強(qiáng)氧化劑，由O2和F2在低溫下合成，運(yùn)用VSEPR模型給出O2F2分子的結(jié)

3

構(gòu)式：，O2F2是極性(填“極性〞或“非極性〞)分子。

2

解析：(1)根據(jù)晶胞特點(diǎn)和CaF2中陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)之比為2︰1可知圖中空心球表示Ca

＋

。晶胞邊長(zhǎng)即立方體的邊長(zhǎng)為a，體對(duì)角線為3a，則陰、陽(yáng)離子間最近距離為

3

a。4

(3)根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論可知O2F2的結(jié)構(gòu)式為極性分子。

，為不對(duì)稱結(jié)構(gòu)，因此是

6．(2023·遼寧東北育才高中模擬)在元素周期表前四周期中原子序數(shù)依次增大