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PAGE1放大電路的基本原理02例題補(bǔ)充例電路如圖所示,晶體管的=100,=100Ω。(1)求電路的Q點(diǎn)、、Ri和Ro;(2)若電容Ce開路,則將引起電路的哪些動(dòng)態(tài)參數(shù)發(fā)生變化?如何變化?解:(1)靜態(tài)分析:動(dòng)態(tài)分析:(2)Ri增大,Ri≈4.1kΩ;減小,≈-1.92。例設(shè)如圖所示電路所加輸入電壓為正弦波。試問:(1)=/≈?=/≈?(2)畫出輸入電壓和輸出電壓ui、uo1、uo2的波形;解:(1)因?yàn)橥ǔ&拢荆?,所以電壓放大倍數(shù)分別應(yīng)為兩個(gè)電壓放大倍數(shù)說明uo1≈-ui,uo2≈ui。波形如圖所示。例電路如圖所示,晶體管的=80,rbe=1kΩ。(1)求出Q點(diǎn);(2)分別求出RL=∞和RL=3kΩ時(shí)電路的和Ri;(3)求出Ro。解:(1)求解Q點(diǎn):(2)求解輸入電阻和電壓放大倍數(shù):RL=∞時(shí)RL=3kΩ時(shí)(3)求解輸出電阻:例電路如圖所示,晶體管的=60,=100Ω。(1)求解Q點(diǎn)、、Ri和Ro;(2)設(shè)=10mV(有效值),問=?=?若C3開路,則=?=?解:(1)Q點(diǎn):、Ri和Ro的分析:(2)設(shè)=10mV(有效值),則若C3開路,則改正圖P2.20所示各電路中的錯(cuò)誤,使它們有可能放大正弦波電壓。要求保留電路的共漏接法。圖P2.20解:(a)源極加電阻RS。(b)漏極加電阻RD。(c)輸入端加耦合電容。(d)在Rg支路加-VGG,+VDD改為-VDD改正電路如解圖P2.20所示。解圖P2.20已知圖P2.21(a)所示電路中場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性分別如圖(b)(c)所示。(1)利用圖解法求解Q點(diǎn);(2)利用等效電路法求解、Ri和Ro。圖P2.21解:(1)在轉(zhuǎn)移特性中作直線uGS=-iDRS,與轉(zhuǎn)移特性的交點(diǎn)即為Q點(diǎn);讀出坐標(biāo)值,得出IDQ=1mA,UGSQ=-2V。如解圖P2.21(a)所示。解圖P2.21在輸出特性中作直流負(fù)載線uDS=VDD-iD(RD+RS),與UGSQ=-2V的那條輸出特性曲線的交點(diǎn)為Q點(diǎn),UDSQ≈3V。如解圖P2.21(b)所示。(2)首先畫出交流等效電路(圖略),然后進(jìn)行動(dòng)態(tài)分析。2.22已知圖P2.22(a)所示電路中場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖(b)所示。求解電路的Q點(diǎn)和。圖P2.22解:(1)求Q點(diǎn):根據(jù)電路圖可知,UGSQ=VGG=3V。從轉(zhuǎn)移特性查得,當(dāng)UGSQ=3V時(shí)的漏極電流IDQ=1mA因此管壓降UDSQ=VDD-IDQRD=5V。(2)求電壓放大倍數(shù):2.23電路如圖P.23所示,已知場(chǎng)效應(yīng)管的低頻跨導(dǎo)為gm,試寫出、Ri和Ro的表達(dá)式。解:、Ri和Ro的表達(dá)式分別為圖P2.232.24圖P2.24中的哪些接法可以構(gòu)成復(fù)合管?標(biāo)出它們等效管的類型(如NPN型、PNP型、N溝道結(jié)型……)及管腳(b、e、c、d、g、s)。圖P2.24解:(a)不能。(b)不能。(c)構(gòu)成NPN型管,上端為集電極,中端為基極,下端為發(fā)射極。(d)不能。(e)不能。
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