(電子產(chǎn)品)環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介

(電子產(chǎn)品)環(huán)境試驗(yàn)簡(jiǎn)介第一頁(yè)，共70頁(yè)。環(huán)境試驗(yàn)

將電子電工產(chǎn)品（包括材料）暴露在自然或模擬環(huán)境中，以此來(lái)評(píng)價(jià)器件、設(shè)備、系統(tǒng)在實(shí)際儲(chǔ)存、運(yùn)輸、使用環(huán)境條件下的性能。第二頁(yè)，共70頁(yè)。為何需要做環(huán)境試驗(yàn)質(zhì)量是產(chǎn)品價(jià)值的基礎(chǔ)，產(chǎn)品投放市場(chǎng)后發(fā)生質(zhì)量問(wèn)題時(shí)，性能的損壞程度并不直接影響產(chǎn)品成本，對(duì)廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)最大損失莫過(guò)于品牌信譽(yù)的喪失。為避免這些損失，在產(chǎn)品投放市場(chǎng)之前，就必須要對(duì)產(chǎn)品做質(zhì)量鑒定。環(huán)境試驗(yàn)不僅能夠通過(guò)模擬試驗(yàn)和產(chǎn)品壽命老化試驗(yàn)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行質(zhì)量鑒定，同時(shí)還是質(zhì)量保證體系中必不可少的一環(huán)。第三頁(yè)，共70頁(yè)。環(huán)境試驗(yàn)分類(lèi)環(huán)境試驗(yàn)就其手段來(lái)分主要有:自然暴露試驗(yàn):將樣品（產(chǎn)品或材料）在自然環(huán)境條件下進(jìn)行暴露和測(cè)試。人工模擬試驗(yàn):通過(guò)試驗(yàn)儀器（溫濕度箱、振動(dòng)臺(tái)、模擬運(yùn)輸臺(tái)等）模擬產(chǎn)品在運(yùn)輸和使用過(guò)程中的氣候及機(jī)械環(huán)境的試驗(yàn)?，F(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)：將產(chǎn)品在實(shí)際使用條件下進(jìn)行考察試驗(yàn)。

第四頁(yè)，共70頁(yè)。自然暴露試驗(yàn)的作用通過(guò)自然暴露試驗(yàn)可以獲得產(chǎn)品在自然環(huán)境條件下電參數(shù)的變化規(guī)律、失效情況、失效水平和失效原因，還可以了解產(chǎn)品制造過(guò)程中材料、工藝、涂敷層等性能的穩(wěn)定性和防護(hù)能力。自然暴露試驗(yàn)可以為研究人工模擬試驗(yàn)方法及其轉(zhuǎn)換關(guān)系提供數(shù)據(jù)資料，還可以用來(lái)驗(yàn)證和比較加速試驗(yàn)的有效性。

第五頁(yè)，共70頁(yè)。自然暴露試驗(yàn)的局限性試驗(yàn)條件不能控制，在一定程度上影響了試驗(yàn)的再現(xiàn)性；另外自然暴露試驗(yàn)的試驗(yàn)周期長(zhǎng)，有時(shí)跟不上產(chǎn)品的發(fā)展。第六頁(yè)，共70頁(yè)。人工模擬試驗(yàn)按產(chǎn)品在儲(chǔ)存、運(yùn)輸、使用過(guò)程中所遇到的環(huán)境條件可分為：氣候環(huán)境試驗(yàn):包括高溫、低溫、濕度、氣壓、風(fēng)雨等；機(jī)械環(huán)境試驗(yàn):主要包括沖擊、振動(dòng)、跌落、搖擺、噪聲、恒定加速等；生物、化學(xué)環(huán)境試驗(yàn):包括霉菌、鹽霧、二氧化硫等。其它環(huán)境試驗(yàn)：三綜合（溫度、濕度和震動(dòng)），HighlyAcceleratedLifeTest(HALT)，Highlyacceleratedstressscreen(HASS)，EnvironmentStressScreening(ESS)第七頁(yè)，共70頁(yè)。人工模擬試驗(yàn)優(yōu)缺點(diǎn)人工模擬試驗(yàn)與自然暴露試驗(yàn)相比，可以加速和強(qiáng)化試驗(yàn)，節(jié)省時(shí)間且隨時(shí)都可以進(jìn)行，試驗(yàn)參數(shù)易控制，再現(xiàn)性好；其不足之處是當(dāng)條件和試驗(yàn)程序選擇不當(dāng)時(shí)，會(huì)使試驗(yàn)失真，以至得出錯(cuò)誤結(jié)論。第八頁(yè)，共70頁(yè)。現(xiàn)場(chǎng)使用試驗(yàn)優(yōu)缺點(diǎn)產(chǎn)品在現(xiàn)場(chǎng)使用期間，受到各種環(huán)境因素的綜合作用，所以比單一或組合試驗(yàn)更能暴露產(chǎn)品存在的問(wèn)題?？梢?jiàn)，現(xiàn)場(chǎng)使用試驗(yàn)的結(jié)果是最真實(shí)的，也是最有說(shuō)服力的。其不足之處是周期長(zhǎng)，成本高。第九頁(yè)，共70頁(yè)。何時(shí)做環(huán)境試驗(yàn)環(huán)境試驗(yàn)貫穿于電子電工產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、試制、生產(chǎn)、銷(xiāo)售、使用的全過(guò)程，在不同的階段其所起的作用及表現(xiàn)的形式都不一樣。環(huán)境試驗(yàn)可以在產(chǎn)品的設(shè)計(jì)階段的原材料認(rèn)證、研制階段的可靠性增長(zhǎng)、定型階段的可靠性統(tǒng)計(jì)、生產(chǎn)過(guò)程的環(huán)境適應(yīng)性、出廠(chǎng)前的環(huán)境篩選中發(fā)揮重要作用。

第十頁(yè)，共70頁(yè)。環(huán)境試驗(yàn)的作用在產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、研制階段，環(huán)境試驗(yàn)用于考核所選用的元器件、設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)、采用的工藝等能否滿(mǎn)足實(shí)際環(huán)境的要求和存在的缺陷。為節(jié)省時(shí)間和充分暴露產(chǎn)品的薄弱環(huán)節(jié)，用加速壽命老化試驗(yàn)的形式即根據(jù)不同的環(huán)境應(yīng)力因素，采用不同的加速因子，以強(qiáng)化和加速進(jìn)行。第十一頁(yè)，共70頁(yè)。環(huán)境試驗(yàn)的作用在產(chǎn)品的定型階段，環(huán)境試驗(yàn)用于確定產(chǎn)品在預(yù)定的環(huán)境下技術(shù)指標(biāo)能否達(dá)到設(shè)計(jì)要求、正常工作情況下能否保證設(shè)計(jì)的壽命、能否滿(mǎn)足安全要求。在此階段的環(huán)境試驗(yàn)是環(huán)境適應(yīng)性試驗(yàn)即采用產(chǎn)品儲(chǔ)存、運(yùn)輸、使用過(guò)程中實(shí)際的環(huán)境條件下進(jìn)行。

第十二頁(yè)，共70頁(yè)。環(huán)境試驗(yàn)的作用在產(chǎn)品正常生產(chǎn)階段、生產(chǎn)工藝有重大變更或當(dāng)生產(chǎn)了相當(dāng)一段時(shí)間后，環(huán)境試驗(yàn)用于檢查產(chǎn)品的工藝質(zhì)量或檢查其質(zhì)量的穩(wěn)定性。在此階段的環(huán)境試驗(yàn)也是環(huán)境適應(yīng)性試驗(yàn)。在產(chǎn)品的終檢階段，環(huán)境試驗(yàn)通過(guò)施加非破壞性應(yīng)力檢查所有產(chǎn)品以消除早期失效、減少不合格產(chǎn)品數(shù)目并在合格產(chǎn)品投入使用前試工作一段時(shí)間穩(wěn)定產(chǎn)品性能。此一階段的環(huán)境試驗(yàn)是環(huán)境篩選試驗(yàn)。

第十三頁(yè)，共70頁(yè)。環(huán)境試驗(yàn)的作用環(huán)境試驗(yàn)還可用于安全性檢查，檢查產(chǎn)品是否存在有危害健康、生命及財(cái)產(chǎn)的問(wèn)題。例如：用恒定加速度試驗(yàn)來(lái)檢查安裝、連接的牢固性。當(dāng)用環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備來(lái)考核安全性時(shí)，通常采用比正常試驗(yàn)高的試驗(yàn)條件。

第十四頁(yè)，共70頁(yè)。環(huán)境試驗(yàn)重要性環(huán)境試驗(yàn)是評(píng)價(jià)產(chǎn)品器件、系統(tǒng)及其包裝件在實(shí)際儲(chǔ)存、運(yùn)輸、使用環(huán)境條件下的環(huán)境適應(yīng)性能的重要手段，是考察和保證產(chǎn)品的質(zhì)量的重要手段。第十五頁(yè)，共70頁(yè)。（電子產(chǎn)品）環(huán)境試驗(yàn)

人工模擬試驗(yàn)——機(jī)械環(huán)境試驗(yàn)第十六頁(yè)，共70頁(yè)。機(jī)械環(huán)境試驗(yàn)

模擬產(chǎn)品在運(yùn)輸（包裝狀態(tài)）過(guò)程中和使用（非包裝狀態(tài)）過(guò)程中所受到的機(jī)械力作用的環(huán)境。第十七頁(yè)，共70頁(yè)。機(jī)械環(huán)境試驗(yàn)分類(lèi)：

機(jī)械環(huán)境試驗(yàn)主要包括沖擊、振動(dòng)、跌落、彈跳、搖擺、噪聲、恒定加速、堆碼、模擬運(yùn)輸?shù)?。第十八?yè)，共70頁(yè)。機(jī)械環(huán)境：沖擊

沖擊基本參數(shù)：1、沖擊波形，2、加速度峰值，3、脈沖持續(xù)時(shí)間

Half-sinewave,50g,11msSquarewave,50g,13ms第十九頁(yè)，共70頁(yè)。機(jī)械環(huán)境：沖擊

常用標(biāo)準(zhǔn)和設(shè)備：GB/T2423.5-1995/電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)(沖擊)IEC68-2-27/BasicenvironmentaltestingproceduresPart2:Tests-TestsEaandguidance:Shock震動(dòng)臺(tái)機(jī)械沖擊臺(tái)第二十頁(yè)，共70頁(yè)。機(jī)械環(huán)境：碰撞

碰撞參數(shù)及試驗(yàn)設(shè)備：

1、碰撞波形，2、加速度峰值，3、脈沖持續(xù)時(shí)間碰撞臺(tái)震動(dòng)臺(tái)第二十一頁(yè)，共70頁(yè)。機(jī)械環(huán)境：碰撞

碰撞標(biāo)準(zhǔn)：GB/T2423.6-1995/電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)(碰撞)IEC68-2-29/BasicenvironmentaltestingproceduresPart2:Tests-TestEbandguidance:Bump

第二十二頁(yè)，共70頁(yè)。機(jī)械環(huán)境：跌落

跌落參數(shù)及試驗(yàn)設(shè)備：

1、跌落方式，2、跌落高度，3，跌落次數(shù)第二十三頁(yè)，共70頁(yè)。機(jī)械環(huán)境：振動(dòng)

振動(dòng)試驗(yàn)分類(lèi)：

1、正弦振動(dòng)2、隨機(jī)振動(dòng)3、復(fù)合振動(dòng)第二十四頁(yè)，共70頁(yè)。機(jī)械環(huán)境：正弦振動(dòng)

頻率(Frequency)

:

Hz；

位移(Displacement)

:

mm

pk-pkorpk；

速度(Velocity):m/spk；

加速度(Acceleration):m/s2pk；掃描速率(Octave)；

dB（斜率）。第二十五頁(yè)，共70頁(yè)。機(jī)械環(huán)境：正弦振動(dòng)掃頻速率:

掃頻速率可分為線(xiàn)性?huà)呙韬蛯?duì)數(shù)掃描速率。

線(xiàn)性速率(Hz/s):

每秒變動(dòng)相同的頻率；

對(duì)數(shù)速率(Octave/s):

每秒變動(dòng)相同的Octave,越高的頻率,對(duì)數(shù)速率變動(dòng)越快；

在實(shí)際的運(yùn)用上,對(duì)數(shù)速率較常被應(yīng)用。-振動(dòng)測(cè)試最主要的目的是讓被測(cè)試物件疲勞等-我們希望的測(cè)試是讓待測(cè)物在每個(gè)頻率上獲得相同次數(shù)的振動(dòng)（疲勞）-因此越高頻所需的測(cè)試時(shí)間越短，掃描速率可以越快.-對(duì)數(shù)掃描真好符合。第二十六頁(yè)，共70頁(yè)。機(jī)械環(huán)境：正弦振動(dòng)

共振頻率搜索試驗(yàn)

1.掃描頻寬

2.掃描速率3.位移（加速度）正弦駐留

1.駐留頻率

2.駐留時(shí)間

3.位移（加速度）正弦振動(dòng)

1.掃描頻寬

2.掃描速率3.位移（加速度）

4.振動(dòng)時(shí)間第二十七頁(yè)，共70頁(yè)。機(jī)械環(huán)境：正弦振動(dòng)

第二十八頁(yè)，共70頁(yè)。機(jī)械環(huán)境：正弦振動(dòng)

共振頻率搜索試驗(yàn)：找樣品共振點(diǎn)第二十九頁(yè)，共70頁(yè)。機(jī)械環(huán)境：正弦振動(dòng)

定頻振動(dòng)

在產(chǎn)品的共振點(diǎn)上進(jìn)行一定時(shí)間的定頻振動(dòng)試驗(yàn)第三十頁(yè)，共70頁(yè)。機(jī)械環(huán)境：隨機(jī)振動(dòng)

隨機(jī)信號(hào)即為我們一般常說(shuō)的雜訊。隨機(jī)測(cè)試中，所有的頻率共同激發(fā)測(cè)試物?；緟?shù)為：頻率(frequency),加速度(acceleration),功率譜密度(powerspectraldensity)及測(cè)試時(shí)間(time).加速度的定義為均方根值(rootmeansquare)而非峰值(peak).峰值于隨機(jī)振動(dòng)測(cè)試是沒(méi)有意義的,就隨機(jī)訊號(hào)而言,永遠(yuǎn)可能產(chǎn)生無(wú)限大的峰值.第三十一頁(yè)，共70頁(yè)。機(jī)械環(huán)境：隨機(jī)振動(dòng)

第三十二頁(yè)，共70頁(yè)。機(jī)械環(huán)境：隨機(jī)振動(dòng)V正弦振動(dòng)

隨機(jī)振動(dòng)測(cè)試的優(yōu)點(diǎn):1、隨機(jī)振動(dòng)比正弦振動(dòng)測(cè)試更能表現(xiàn)出真實(shí)的環(huán)境狀況；多數(shù)零件或是機(jī)器的損壞都是能量造成的破壞，而隨機(jī)振動(dòng)測(cè)試所使用的PSD正是能量的表示。2、隨機(jī)振動(dòng)測(cè)試可以同時(shí)激發(fā)所有的共振頻率。3、隨機(jī)振動(dòng)測(cè)試運(yùn)用的統(tǒng)計(jì)方法較正弦測(cè)試佳。隨機(jī)振動(dòng)測(cè)試的缺點(diǎn):1、隨機(jī)測(cè)試所激發(fā)的g值較正弦測(cè)試小。2、隨機(jī)測(cè)試無(wú)法針對(duì)測(cè)試產(chǎn)品某一零件做評(píng)估第三十三頁(yè)，共70頁(yè)。（電子產(chǎn)品）環(huán)境試驗(yàn)

人工模擬試驗(yàn)－氣候環(huán)境試驗(yàn)第三十四頁(yè)，共70頁(yè)。氣候環(huán)境試驗(yàn)

針對(duì)電子產(chǎn)品在儲(chǔ)存或工作中的氣候環(huán)境模擬的試驗(yàn)（一般為有代表性的氣候模擬或模擬極端的氣候條件）。包括溫度、濕度、氣壓和淋雨等。第三十五頁(yè)，共70頁(yè)。氣候環(huán)境試驗(yàn)

試驗(yàn)箱尺寸

1.樣品體積等于或小于0.001立方米時(shí)：

(1)散熱功率小于或等于50W時(shí),樣品任一面相對(duì)于箱壁的最小距離不得小于10厘米。

(2)散熱功率大于50W時(shí),樣品任一面相對(duì)于箱壁的最小距離不得小于20厘米。2.樣品體積大于0.001立方米時(shí)：

試驗(yàn)箱統(tǒng)計(jì)與樣品統(tǒng)計(jì)的比值不得小于5:1,樣品應(yīng)盡可能置于試驗(yàn)箱的中央位置,以便樣品的任何一以便試件之任何一部分與試驗(yàn)箱保持足夠的空間。

第三十六頁(yè)，共70頁(yè)。氣候環(huán)境試驗(yàn)種類(lèi)

溫度試驗(yàn)：高溫、低溫、溫度循環(huán)、快速溫變、溫度沖擊等；溫濕度試驗(yàn)：高溫高濕、高溫低濕、低溫低濕，溫濕度循；氣壓試驗(yàn)：氣壓（高度）試驗(yàn)；淋雨試驗(yàn)：淋雨試驗(yàn)、積冰/凍雨試驗(yàn)等。

第三十七頁(yè)，共70頁(yè)。高溫試驗(yàn)及分類(lèi)高溫試驗(yàn)：

高溫試驗(yàn)是考察電子產(chǎn)品（材料）在酷熱的環(huán)境下的存儲(chǔ)和操作性能，考察是否會(huì)使試件受到破壞或使其功能退化。高溫試驗(yàn)分類(lèi)：

1、高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)（模擬高溫存儲(chǔ)環(huán)境）

2、高溫工作試驗(yàn)（模擬、考察產(chǎn)品工作極限高溫環(huán)境）

第三十八頁(yè)，共70頁(yè)。高溫試驗(yàn)的影響高溫試驗(yàn)的主要影響：熱老化氧化、開(kāi)裂化學(xué)反應(yīng)軟化、融化、升華粘度降低、揮發(fā)膨脹

高溫試驗(yàn)的失效模式：絕緣損壞增加機(jī)械應(yīng)力增加機(jī)械磨損改變電特性（電阻、電容等）潤(rùn)滑特性喪失密封試件產(chǎn)生高壓

第三十九頁(yè)，共70頁(yè)。高溫試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)GB/T2423.2-2001/電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)(B高溫)。（IECGJB150.3-86/軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法高溫試驗(yàn)。IEC68-2-2/Amendment2BasicenvironmentaltestingproceduresPart2:Tests-TestsB:Dryheat

第四十頁(yè)，共70頁(yè)。低溫試驗(yàn)及分類(lèi)低溫試驗(yàn)：

低溫試驗(yàn)是考察電子產(chǎn)品（材料）在低溫環(huán)境下的存儲(chǔ)和操作性能，考察是否會(huì)使試件受到破壞或使其功能退化。低溫試驗(yàn)分類(lèi)：

1、低溫存儲(chǔ)試驗(yàn)（模擬低溫存儲(chǔ)環(huán)境）

2、低溫工作試驗(yàn)（模擬、考察產(chǎn)品工作極限低溫環(huán)境）

第四十一頁(yè)，共70頁(yè)。低溫試驗(yàn)的影響低溫試驗(yàn)的主要影響：液體粘度增加和凝固結(jié)露和結(jié)冰材料的脆化和硬化粘度降低、固化收縮

低溫試驗(yàn)的失效模式：不同材料收縮特性而使零件卡死機(jī)械強(qiáng)度喪失改變電特性（電阻、電容等）潤(rùn)滑特性喪失增加機(jī)械磨損樣品不能啟動(dòng)

第四十二頁(yè)，共70頁(yè)。低溫試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)GB/T2423.1-2001/電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)(A低溫)GJB150.4-86/軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)低溫試驗(yàn)IEC68-2-1/Amendment2Environmentaltestingpart2:Tests-TestsA:Cold第四十三頁(yè)，共70頁(yè)。溫度循環(huán)試驗(yàn)及分類(lèi)溫度循環(huán)試驗(yàn)：

高溫試驗(yàn)是考察電子產(chǎn)品（材料）在溫度變化環(huán)境下的存儲(chǔ)和操作性能，考察是否會(huì)使試件受到破壞或使其功能退化。高溫試驗(yàn)分類(lèi)：

1、高低溫循環(huán)（模擬緩慢溫度變化環(huán)境<5℃

/min）

2、快速溫變（模擬溫度變化較快的環(huán)境，10℃/min）

3、溫度沖擊（模擬溫度劇烈變化的環(huán)境，>20℃/min)

第四十四頁(yè)，共70頁(yè)。溫度循環(huán)試驗(yàn)的比較溫度沖擊試驗(yàn)溫度循環(huán)試驗(yàn)溫度變化速率急劇（>20℃

/min)緩慢（<5℃

/min）循環(huán)次數(shù)5～10個(gè)循環(huán)（多至1000循環(huán)）5～10個(gè)循環(huán)（多至1000循環(huán)）試驗(yàn)時(shí)間短長(zhǎng)用途膨脹系數(shù)不同引起連接剝離通過(guò)長(zhǎng)時(shí)間試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)腐蝕傾向膨脹系數(shù)不同龜裂后進(jìn)水長(zhǎng)時(shí)間地多次循環(huán)后出現(xiàn)應(yīng)力疲勞水份進(jìn)入導(dǎo)致腐蝕及短路模擬、調(diào)查分析現(xiàn)場(chǎng)失效的相關(guān)性第四十五頁(yè)，共70頁(yè)。溫度循環(huán)試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)GB/T2423.22-2002/電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)(溫度變化)GJB150.5-86/軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法溫度沖擊試驗(yàn)IEC68-2-14/BasicenvironmentaltestingproceduresPart2:ChangeoftemperatureIEC68-2-30/Basicenvironmentaltestingproceduresart2:TestsDbandguidance:Dampheat,cyclic第四十六頁(yè)，共70頁(yè)。濕度試驗(yàn)

濕度試驗(yàn)：

濕度試驗(yàn)是考察電子產(chǎn)品（材料）在不同濕度環(huán)境下的存儲(chǔ)和操作性能，考察是否會(huì)使試件受到破壞或使其功能退化。第四十七頁(yè)，共70頁(yè)。高溫高濕高溫高濕材料吸濕膨脹，材料腐蝕、磨損增加，元器件吸濕和退化、電路結(jié)露等。模擬無(wú)氣候控制的倉(cāng)庫(kù)和熱帶濕熱氣候環(huán)境。試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)：1、GB/T2423.3-93/電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程(恒定濕熱試驗(yàn)方法)

2、GB/T2423.9-2001/電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)(恒定濕熱)3、GJB150.9-86/軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法濕熱試驗(yàn)

第四十八頁(yè)，共70頁(yè)。高溫低濕高溫低濕材料干裂，潤(rùn)滑失效，靜電擊穿等。模擬沙漠高溫干燥氣候環(huán)境。試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)：企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、地方標(biāo)準(zhǔn)第四十九頁(yè)，共70頁(yè)。低溫低濕低溫低濕材料干裂，潤(rùn)滑失效，靜電擊穿，模擬北方或沙漠（早上和下午時(shí)）低溫干燥的氣候環(huán)境。試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)：企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，地方標(biāo)準(zhǔn)第五十頁(yè)，共70頁(yè)。溫濕度循溫濕度循材料疲勞、材料吸濕和膨脹、絕緣性能退化、化學(xué)腐蝕和氧化、元器件退化。利用“呼吸”效果，考察樣品在溫濕度變化的環(huán)境下的適應(yīng)能力。第五十一頁(yè)，共70頁(yè)。溫濕度循試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)GB/T2423.4-93/電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程(交變濕熱試驗(yàn)方法)IEC68-2-38/Basicenvironmentaltestingprocedurespart2:TestZ/AD:Compositetemperature/humlditycyclictest第五十二頁(yè)，共70頁(yè)。氣壓（高度）試驗(yàn)

氣壓（高度）試驗(yàn)：氣壓（高度）試驗(yàn)是考察電子產(chǎn)品（材料）在不同氣壓的環(huán)境下的存儲(chǔ)和操作性能，考察是否會(huì)使試件受到破壞或使其功能退化。

第五十三頁(yè)，共70頁(yè)。氣壓（高度）試驗(yàn)

高壓：壓縮、變形，產(chǎn)生機(jī)械故障和密封失效。模擬高壓工作環(huán)境。低壓：膨脹、空氣的電氣強(qiáng)度降低、電暈和臭氧的形成、減慢冷卻，產(chǎn)生機(jī)械故障，泄漏（密封失效），閃絡(luò)，過(guò)熱。模擬低壓（高海拔、高空、太空等）工作環(huán)境，一般隨氣壓降低，溫度也相應(yīng)降低（每升高1千米，溫度下降6度）。

第五十四頁(yè)，共70頁(yè)。氣壓（高度）試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

GJB150.2-86/軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法低氣壓(高度)試驗(yàn)GJB150.6-86/軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法溫度-高度試驗(yàn)GJB150.19-86/軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法溫度-濕度-高度試驗(yàn)IEC68-2-13/BasicenvironmentaltestingproceduresPart2:TestsLowairpressure

第五十五頁(yè)，共70頁(yè)。淋雨試驗(yàn)

淋雨試驗(yàn)：確定樣品外殼的防雨滲透的功能，考察樣品在遭受雨淋時(shí)和淋雨后的功能。積冰/凍雨試驗(yàn)：樣品在露天環(huán)境下受到降雨、霧、海浪飛沫或其它原因而引起冰的積聚對(duì)其工作性能的影響。

第五十六頁(yè)，共70頁(yè)。淋雨試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)GJB150.8-86/軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法淋雨試驗(yàn)GJB150.22-87/軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法積冰/凍雨試驗(yàn)GJB2423.38-08/水試驗(yàn)方法和導(dǎo)則第五十七頁(yè)，共70頁(yè)。其它氣候試驗(yàn)及標(biāo)準(zhǔn)GJB150.12-86/軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法沙塵試驗(yàn)GB2423.37-06/沙塵試驗(yàn)第五十八頁(yè)，共70頁(yè)。（電子產(chǎn)品）環(huán)境試驗(yàn)

人工模擬試驗(yàn)——生物、化學(xué)環(huán)境試驗(yàn)第五十九頁(yè)，共70頁(yè)。生物、化學(xué)環(huán)境試驗(yàn)

模擬產(chǎn)品在存儲(chǔ)、運(yùn)輸和使用中可能遭受的化學(xué)和霉菌環(huán)境。第六十頁(yè)，共70頁(yè)。霉菌試驗(yàn)

霉菌試驗(yàn)是考察樣品可能長(zhǎng)霉的程度，以及長(zhǎng)霉對(duì)樣品性能或其它使用的可能影響。黑霉菌鏈霉菌第六十一頁(yè)，共70頁(yè)。霉菌試驗(yàn)

霉菌試驗(yàn)的主要目的：1、考察樣品材料是否會(huì)長(zhǎng)霉，如果長(zhǎng)霉，則需要確定長(zhǎng)霉的種類(lèi)；2、考察樣品上長(zhǎng)霉的速度；3、霉菌生長(zhǎng)以后是否會(huì)對(duì)影響樣品的安全使用；4、樣品是否能在該環(huán)境下有效存儲(chǔ)；5、是否有簡(jiǎn)單的恢復(fù)處理方法，如擦掉滋生的霉菌。第六十二頁(yè)，共70頁(yè)。霉菌試驗(yàn)的物理影響

可能出現(xiàn)的物理影響：1、電氣系統(tǒng)或電子系統(tǒng)：直接或間接侵蝕均可導(dǎo)致電氣或電子系統(tǒng)的損壞。霉菌生長(zhǎng)能越過(guò)絕緣材料形成不希望的電氣通路。2、光學(xué)系統(tǒng)：光學(xué)系統(tǒng)的損壞主要是由間接侵蝕引起。長(zhǎng)霉能影響光線(xiàn)通過(guò)光學(xué)系統(tǒng)的傳輸，阻塞精密活動(dòng)件，并將不潮濕的表面變?yōu)槌睗癖砻娑鴮?dǎo)致性能下降。3、長(zhǎng)霉材料物理機(jī)械性能的退化第六十三頁(yè)，共70頁(yè)。霉菌試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

GJB150.10-86/軍用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法

霉菌試驗(yàn)

GB2423.16-1999/電子電工產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)J：長(zhǎng)霉試驗(yàn)方法。IEC6