CCD固體成像器件綜述

CCD圖像傳感器摘要電荷耦合器件(ChargeCoupledDevices,CCD)自70年代初誕生以來(lái)，已迅速發(fā)展成為最常用的固體圖像傳感器，且廣泛應(yīng)用于科技、教育、醫(yī)學(xué)、商業(yè)、工業(yè)、軍事和消費(fèi)領(lǐng)域。它是圖像采集與數(shù)字化的關(guān)鍵器件。CCD直接將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換為電荷信號(hào)，以實(shí)現(xiàn)圖像的存儲(chǔ)、處理和顯示。其優(yōu)點(diǎn)體現(xiàn)在4個(gè)方面：1)體積小，重量輕，能耗少，工作電壓低，抗沖擊與振動(dòng)，壽命長(zhǎng)；2)靈敏度高，噪聲低，動(dòng)態(tài)范圍大；3)響應(yīng)速度快，刷新時(shí)無(wú)殘留痕跡，攝像啟動(dòng)快；4)利用VLSI技術(shù)生產(chǎn)，象素密度高，尺寸精確，批量生產(chǎn)成本低。本文先從存儲(chǔ)電荷、電荷轉(zhuǎn)移、電荷輸出、電荷注入四方面先介紹了CCD的工作原理，然后介紹了CCD圖像傳感器主要性能參數(shù)，之后就不同結(jié)構(gòu)形式CCD圖像傳感器的結(jié)構(gòu)、工作過(guò)程、選擇依據(jù)進(jìn)行說(shuō)明，最后列舉了一些線陣CCD攝像器件的實(shí)例，并介紹CCD圖像傳感器的發(fā)展趨勢(shì)。關(guān)鍵詞：CCD圖像傳感器，CCD性能參數(shù)；CCD結(jié)構(gòu)形式一、CCD的工作原理CCD不同于多數(shù)以電流或電壓為信號(hào)的其它器件，其突出特點(diǎn)是以電荷為信號(hào)。工作過(guò)程主要包括信號(hào)電荷的產(chǎn)生、存儲(chǔ)、傳輸和檢測(cè)。一個(gè)完整的CCD器件由光敏元、轉(zhuǎn)移柵、移位寄存器及一些輔助輸入、輸出電路組成ULCCD工作時(shí)，在設(shè)定的積分時(shí)間內(nèi)，光敏元對(duì)光信號(hào)進(jìn)行采樣，將光的強(qiáng)弱轉(zhuǎn)換為各光敏元的電荷量。取樣結(jié)束后，各光敏元的電荷在轉(zhuǎn)移柵信號(hào)驅(qū)動(dòng)下，轉(zhuǎn)移到CCD內(nèi)部的移位寄存器相應(yīng)單元中。移位寄存器在驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘的作用下，將信號(hào)電荷順次轉(zhuǎn)移到輸出端。輸出信號(hào)可接到示波器、圖像顯示器或其它信號(hào)存儲(chǔ)、處理設(shè)備中，可對(duì)信號(hào)再現(xiàn)或進(jìn)行存儲(chǔ)處理。1.CCD電荷存儲(chǔ)CCD是由金屬一氧化物一半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)簡(jiǎn)稱MOS構(gòu)成的密排器件。這種MOS結(jié)構(gòu)，一般是在P型（或N型）^單品的襯底上生長(zhǎng)一層100?200nm的5iO2層，再在5iO2層上沉積具有一定形狀的金屬（一般是金屬鋁）或摻雜多晶硅電極。其中，“金屬”為SiO2層上沉積的金屬或摻雜多晶硅電極，稱為“柵極”；半導(dǎo)體硅作為底電極，俗稱“襯底”；“氧化物”為兩電極之間夾的絕緣體SO。MOS光敏元結(jié)構(gòu)圖如圖1-1所示。圖1-1MOS光敏元結(jié)構(gòu)以P型半導(dǎo)體為例。當(dāng)向柵極加正向偏壓（或用光學(xué)系統(tǒng)將景物聚焦在器件表面）時(shí)，P型硅襯底中多數(shù)載流子一空穴被排斥，形成耗盡區(qū)，當(dāng)VG（光強(qiáng)）足夠大時(shí)，載流子深度耗盡，甚至在半導(dǎo)體表面形成反型層。電子在那勢(shì)能較低，形成了一個(gè)勢(shì)阱。于是，當(dāng)附近存在自由電子時(shí)，自由電子就會(huì)吸引電極下方附近。這樣的MOS電容就有了存儲(chǔ)電荷（電子）的能力，勢(shì)阱的深淺決定存儲(chǔ)電荷能力的大小。2.CCD電荷轉(zhuǎn)移為了實(shí)現(xiàn)CCD中信號(hào)電荷的轉(zhuǎn)移，必須使MOS電容陣列的排列足夠緊密，以致相鄰MOS電容的勢(shì)阱相互溝通，電荷能相互耦合［1］。根據(jù)加在MOS電容上的電壓越高產(chǎn)生的勢(shì)阱越深的原理，通過(guò)控制相鄰MOS電容柵極電壓高低來(lái)調(diào)節(jié)勢(shì)阱深淺，使信號(hào)電荷由勢(shì)阱淺的地方流向勢(shì)阱深處。CCD中電荷的轉(zhuǎn)移必須按照確定方向，為此，在MOS陣列上所加的各路電壓脈沖必須嚴(yán)格滿足相位要求，使得任何時(shí)刻，勢(shì)阱的變化總是朝一個(gè)方向。通常把CCD電極分為幾組，每組稱為一相，并施加同樣的時(shí)鐘脈沖。所需相數(shù)由CCD內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定。通常有二相、三相、四相CCD。四相CCD與三相、二相器件相比，有利于提高轉(zhuǎn)移效率，能適應(yīng)更高的時(shí)鐘頻率。圖1-2為電荷傳輸

示意圖。1-2(a)圖是一個(gè)三相二位CCD,1-2(b)圖給出了加在柵極的電壓值，1-2(c)圖是在1-2(b)圖所示時(shí)鐘波形驅(qū)動(dòng)下，勢(shì)阱中電荷的分布圖。1-2電荷傳輸示意圖3.CCD電荷輸出CCD輸出結(jié)構(gòu)是將CCD傳輸和處理的信號(hào)電荷變換為電流或電壓輸出。其輸出端也是由一個(gè)二極管(OD)和一個(gè)輸出柵極(OG)組成。一般在輸出柵(OG)和二極管(OD)上外加電壓使輸出二極管反偏，于是"勢(shì)阱中的電荷包被反偏二極管結(jié)電容所收集。當(dāng)輸出二極管上加負(fù)載后，可獲得輸出電壓E。圖1-3為浮置柵結(jié)構(gòu)輸出電路，浮置柵是指在?型硅襯底表面用V族雜質(zhì)擴(kuò)散形成小塊的n+區(qū)域，當(dāng)擴(kuò)散區(qū)不被偏置，其處于浮置狀態(tài)。圖1-3浮置柵結(jié)構(gòu)輸出電路其中，OG：輸出柵，F(xiàn)D：浮置擴(kuò)散區(qū)，R：復(fù)位柵，RD：復(fù)位漏，T：輸出場(chǎng)效應(yīng)管。4.CCD電荷注入CCD的電荷注入方式有電信號(hào)注入和光信號(hào)注入兩種。在光纖系統(tǒng)中，CCD接收的信號(hào)是由光纖傳來(lái)的光信號(hào)，即采用光注入CCD。當(dāng)光照到CCD時(shí)，在柵極附近的耗盡區(qū)吸收光子產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，在柵極電壓的作用下，多數(shù)載流子（空穴）流入襯底，少數(shù)載流子（電子）被收集在勢(shì)阱中，存儲(chǔ)起來(lái)。這樣能量高于半導(dǎo)體禁帶的光子，可以用來(lái)建立正比于光強(qiáng)的存儲(chǔ)電荷。電注入是指CCD通過(guò)輸入結(jié)構(gòu)對(duì)信號(hào)電壓或電流進(jìn)行采樣，然后將信號(hào)電壓或電流轉(zhuǎn)換為信號(hào)電荷。電注入的方法很多，一般常用的是電流注入法和電壓注入法。二、CCD圖像傳感器的主要性能參數(shù)轉(zhuǎn)移效率和轉(zhuǎn)移損失率電荷包從一個(gè)柵極勢(shì)阱轉(zhuǎn)移到下一個(gè)柵極勢(shì)阱時(shí)，有門(mén)部分的電荷轉(zhuǎn)移過(guò)去，余下￡部分沒(méi)有被轉(zhuǎn)移。n即為電荷轉(zhuǎn)移效率，相應(yīng)地，￡稱為損失率。根據(jù)電荷守恒定律有［3］：n=I（1）電荷包從一個(gè)勢(shì)阱向另一個(gè)勢(shì)阱轉(zhuǎn)移時(shí)，需要一個(gè)過(guò)程。像素中的電荷在離開(kāi)芯片之前要在勢(shì)阱間移動(dòng)上千次或更多，經(jīng)n次轉(zhuǎn)移后的電荷輸出量為：Q=Qnn（2）上千次轉(zhuǎn)移后，即使n接近1，總的效率仍然很低，這要求電荷轉(zhuǎn)移效率極其高，否則光電子的有效數(shù)目會(huì)在讀出過(guò)程中損失嚴(yán)重。引起電荷轉(zhuǎn)移不完全的主要原因是表面態(tài)對(duì)電子的俘獲，轉(zhuǎn)移損失造成信號(hào)退化。采用“胖零”技術(shù)可減少這種損耗。分辨率分辨率是指攝像器件對(duì)物象中明暗細(xì)節(jié)的分辨能力。CCD的分辨率與每個(gè)像元的尺寸和像元之間的間距有關(guān)，CCD器件像素?cái)?shù)越多，分辨率越高。當(dāng)像素?cái)?shù)一定時(shí)，轉(zhuǎn)移損失率對(duì)空間分辨率的影響也很大。另外，若光生載流子產(chǎn)生在離耗盡層較遠(yuǎn)的地方時(shí)，產(chǎn)生橫向擴(kuò)散，引起像素之間的相互干擾，造成空間分辨率降低。在CCD像素?cái)?shù)目相同的條件下，像素點(diǎn)大的CCD芯片可以獲得更好的拍攝效果。大的像素點(diǎn)有更好的電荷存儲(chǔ)能力，因此可提高動(dòng)態(tài)范圍及其它指標(biāo)［3］。暗電流與噪聲CCD在既無(wú)光注入又無(wú)電注入情況下的輸出信號(hào)稱為暗信號(hào)，即暗電流。暗電流產(chǎn)生的原因有：半導(dǎo)體襯底的熱產(chǎn)生、耗盡區(qū)的產(chǎn)生復(fù)合中心的熱激發(fā)載流子（主要）、耗盡區(qū)邊緣的少子熱擴(kuò)散、界面上的產(chǎn)生中心的熱激發(fā)。暗電流會(huì)限制器件的低頻響應(yīng)，減小動(dòng)態(tài)范圍，所以應(yīng)盡量縮短信號(hào)電荷的存儲(chǔ)與轉(zhuǎn)移時(shí)間。同時(shí)，暗電流還會(huì)引起固定圖像噪聲，暗電流在整個(gè)成像區(qū)不均勻時(shí)使像面嚴(yán)重畸變。當(dāng)CCD光敏元處于積分工作狀態(tài)時(shí)，暗電流積分形成暗信號(hào)圖像疊加到光信號(hào)圖像上，引起固定圖像噪聲，出現(xiàn)個(gè)別暗電流尖峰，則一幅清晰完整的圖像就會(huì)產(chǎn)生某些“亮條”或“亮點(diǎn)”。光譜靈敏度在一定光譜范圍內(nèi)，單位曝光量的輸出信號(hào)電壓（電流）即為靈敏度。CCD的光譜靈敏度主要由CCD器件響應(yīng)度和各種噪聲因素共同決定。由于CCD結(jié)構(gòu)復(fù)雜，噪聲源也較多，主要有光子噪聲、暗電流噪聲、表面捕獲噪、肥零噪聲和輸出電路噪聲等。量子效率表征CCD芯片對(duì)不同波長(zhǎng)光信號(hào)的光電轉(zhuǎn)換本領(lǐng)。不同工藝制成的CCD芯片，其量子效率不同。靈敏度還與光照方式有關(guān)，背照CCD的量子效率高，光譜相應(yīng)曲線無(wú)起伏，正照CCD由于反射和吸收損失，光譜相應(yīng)曲線上存在若干個(gè)峰和谷。動(dòng)態(tài)范圍對(duì)于光照度有較大變化時(shí)，器件仍能線性響應(yīng)的范圍。上限由電荷最大存貯容量決定，下限受噪聲所限制，通常在103?104數(shù)量級(jí)。線性度線性度是指在動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)，輸出信號(hào)與曝光量的關(guān)系是否成直線關(guān)系。弱信號(hào)下線性度較差(器件噪聲影響大，信噪比低，引起一定離散性)，動(dòng)態(tài)范圍中間區(qū)域非線性度基本為0。光譜響應(yīng)我們將最大響應(yīng)值歸一化為100%所對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)，即峰值波長(zhǎng)。通常將10%(或更低)的響應(yīng)點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)稱為截止波長(zhǎng)，有長(zhǎng)波端和短波端截止波長(zhǎng)，兩者之間包括的波長(zhǎng)范圍為光譜響應(yīng)范圍。CCD器件的光譜響應(yīng)范圍與所用材料有關(guān)。Si材料CCD光譜響應(yīng)曲線與Si光電二極管相同。三、CCD圖像傳感器的結(jié)構(gòu)形式及選擇依據(jù)1.線陣CCD器件線型CCD圖像傳感器由一列光敏元件與一列CCD并行且對(duì)應(yīng)的構(gòu)成一個(gè)主體，在它們之間設(shè)有一個(gè)轉(zhuǎn)移控制柵，如下圖3-1(a)所示。實(shí)用的線型CCD圖像傳感器為雙行結(jié)構(gòu)，如下圖3-1(b)所示。單、雙數(shù)光敏元件中的信號(hào)電荷分別轉(zhuǎn)移到上、下方的移位寄存器中，在控制脈沖的作用下，自左向右移動(dòng)，在輸出端交替合并輸出，就形成了原來(lái)光敏信號(hào)電荷的順序。圖3-1線型CCD圖像傳感器線陣CCD器件多用于傳真拍攝圖片資料以及工業(yè)上的一維變量檢測(cè)，如箱內(nèi)液面高度控制、金屬絲拉細(xì)時(shí)直徑檢測(cè)等。如用它測(cè)量二維變量，第二維運(yùn)動(dòng)需用光機(jī)掃描方式。面陣CCD器件[8]

面型CCD圖像傳感器可分為幀轉(zhuǎn)移成像器件及行轉(zhuǎn)移成像器件兩種。幀轉(zhuǎn)移的面陣CCD成像器件有三部分組成：感光區(qū)、信號(hào)存儲(chǔ)區(qū)和輸出轉(zhuǎn)移區(qū)。如圖3-2所示：圖3-2幀轉(zhuǎn)移CCD成像器件結(jié)構(gòu)在正常垂直回掃周期內(nèi)，具有公共水平方向電極的感光區(qū)所積累的電荷迅速下移到信息存儲(chǔ)區(qū)。在垂直回掃結(jié)束后，感光區(qū)回復(fù)到積光狀態(tài)。在水平消隱周期內(nèi)，存儲(chǔ)區(qū)的整個(gè)電荷圖像向下移動(dòng)，每次總是將存儲(chǔ)區(qū)最底部一行的電荷信號(hào)移到水平讀出器，該行電荷在讀出移位寄存器中向右移動(dòng)以視頻信號(hào)輸出。當(dāng)整幀視頻信號(hào)自存儲(chǔ)移出后，就開(kāi)始下一幀信號(hào)的形成。行轉(zhuǎn)移成像器件結(jié)構(gòu)如圖3-3。每一列CCD成像器件所存儲(chǔ)的信號(hào)電荷在轉(zhuǎn)移柵控制下轉(zhuǎn)移到垂直移位寄存器中，然后逐行轉(zhuǎn)移到水平移位寄存器沿水平方向輸出。圖3-3行轉(zhuǎn)移CCD成像器件結(jié)構(gòu)幀轉(zhuǎn)移面陣CCD一幀一幀傳輸電荷信號(hào)，器件靈敏度高，但成本也高，它適用于弱光攝像。行轉(zhuǎn)移面陣CCD價(jià)格較低，但是其輸出信號(hào)噪聲比也低，與幀轉(zhuǎn)移器件相比能適用于較強(qiáng)光攝像系統(tǒng)。3.紅外CCD焦平面陣列器件用硅做成的CCD成像器件在可見(jiàn)光及很近的紅外波段能工作地非常好。然而對(duì)于大部分紅外區(qū)域，硅幾乎是透明的，在紅外區(qū)必須發(fā)展相應(yīng)的成像器件。將陣列器件放置于紅外光學(xué)系統(tǒng)的焦平面上，同時(shí)完成探測(cè)與信息處理兩種功能，對(duì)于紅外系統(tǒng)具有更大的適應(yīng)性，這種器件通常稱為紅外焦平面器件。在使用時(shí)系統(tǒng)中只需一個(gè)前置放大器，既減少了紅外系統(tǒng)的復(fù)雜性，又大大提高了器件陣列密度，從而改進(jìn)了系統(tǒng)的性能，提高了可靠性，降低了成本。因而，紅外焦平面器件是目前紅外探測(cè)技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)，也是近幾年軍民用先進(jìn)技術(shù)裝備的重要器件。四、應(yīng)用舉例面陣CCD主要應(yīng)用于電視等方面。下面就線陣CCD攝像器件的應(yīng)用舉一下簡(jiǎn)單實(shí)例作介紹⑵。文字和圖像識(shí)別：利用線陣CCD圖像傳感器的自掃描特性、可以實(shí)現(xiàn)文字和圖像識(shí)別，從而組成一個(gè)功能很強(qiáng)的掃描、識(shí)別系統(tǒng)。以郵政編碼識(shí)別系統(tǒng)為例：寫(xiě)有郵政編碼的信封放在傳送帶上，CCD象元排列方向與信封運(yùn)動(dòng)方向垂直；一個(gè)光學(xué)鏡頭把編碼數(shù)字聚焦在CCD上，當(dāng)信封移動(dòng)時(shí)，CCD即以遠(yuǎn)行掃描方式依次讀出數(shù)字，經(jīng)細(xì)化處理后與計(jì)算機(jī)中存儲(chǔ)的各數(shù)字特征點(diǎn)進(jìn)行比較，最后識(shí)別出數(shù)字；根據(jù)識(shí)別出的數(shù)字，計(jì)算機(jī)去控制一個(gè)分類機(jī)構(gòu)，把信件送入相應(yīng)的分類箱中。類似的系統(tǒng)還可用于漢字輸入系統(tǒng)，把印刷漢字或手寫(xiě)字直接輸入給計(jì)算機(jī)進(jìn)行處理，從而省去人工編碼和人工輸入所需的大量工作。質(zhì)量檢測(cè)：當(dāng)工件（或紡織品）表面受到光照射時(shí)，表面的不清潔處或疵點(diǎn)對(duì)入射光產(chǎn)生漫反射。將漫反射光投影到CCD上，然后對(duì)CCD輸出的光電信號(hào)進(jìn)行處理，以完成表面質(zhì)量檢測(cè)。如檢驗(yàn)集成電路掩模缺陷，硅片表面質(zhì)量，布匹、紙張和藥片的表面疵點(diǎn)等。法國(guó)G、M公司采用。。。研制了“快速自動(dòng)顯微測(cè)量裝置”，已在集成電路生產(chǎn)中使用。利用線陣CCD還可檢測(cè)藥片表面斑點(diǎn)如顏色不均、小孔、污染、糖衣層不均、混有其他品種、缺損和粘連等。平行光成像尺寸測(cè)量法：對(duì)于尺寸為2—30mm的物體目標(biāo)，可以采用平行光成像法，其系統(tǒng)示意圖如圖4-1所示［4］。當(dāng)一束平行光透過(guò)待測(cè)目標(biāo)投射到CCD傳感器上時(shí)，由于目標(biāo)的存在，目標(biāo)所形成的陰影將同時(shí)投射到CCD傳感器上，倘若平行光準(zhǔn)直度很理想，陰影的尺寸就代表了待測(cè)目標(biāo)的尺寸，因此只要采集計(jì)數(shù)系統(tǒng)計(jì)算出陰影部分象元個(gè)數(shù)（即輸出脈沖個(gè)數(shù)），其脈沖（象元）的個(gè)數(shù)與象元尺寸的乘積就代表了目標(biāo)的尺寸。平行娘S目標(biāo)圖4-1平行光成像測(cè)量圖航空航天遙感攝影：把高密度的線陣CCD掃描系統(tǒng)安裝在飛機(jī)或衛(wèi)星上，由飛機(jī)或衛(wèi)星的飛行完成對(duì)地面目標(biāo)的一維掃描，CCD傳感器在與飛行的垂直方向進(jìn)行自掃描，則可實(shí)現(xiàn)高分辨的高空攝影。一個(gè)航空CCD掃描儀系統(tǒng)，它由CCD掃描頭、錄像機(jī)、高分辨率回放儀和實(shí)時(shí)移動(dòng)窗口顯示器等部分組成。為了提高空間分辨率，可用多片CCD進(jìn)行光學(xué)和電學(xué)拼接。信號(hào)處理包括：自動(dòng)幅度拼接，自動(dòng)曝光控制.光響應(yīng)不均勻性校正與滾動(dòng)校正等。頭部CCD的輸出信號(hào)可輸入磁帶機(jī)記錄，或者利用高分辨率陰極射線管將此信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)，經(jīng)過(guò)光學(xué)鏡頭再成像到膠片上。此外還可把此信號(hào)進(jìn)行數(shù)字化處理后存儲(chǔ)在數(shù)字存儲(chǔ)器中，再用標(biāo)準(zhǔn)電視制式讀出，以便在普通監(jiān)示器上實(shí)時(shí)顯示目標(biāo)圖像五、CCD圖像傳感器發(fā)展趨勢(shì)隨著光電子技術(shù)的發(fā)展，CCD圖像傳感器的發(fā)展已進(jìn)入了一個(gè)新階段。器件既朝著高分辨率，高速方向發(fā)展，同時(shí)也朝著微型化，超小型化CCD方向發(fā)展。根據(jù)不同使用要求，CCD有兩條不同的發(fā)展道路：一是電視攝像機(jī)用CCD；二是科技用CCD。近幾年出現(xiàn)的數(shù)字相機(jī)，從幾萬(wàn)像素到幾十萬(wàn)像素，可以與PC機(jī)或MAC機(jī)連接進(jìn)行圖像處理。隨著信息網(wǎng)絡(luò)時(shí)代的到來(lái)，各種。。。數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、數(shù)字照相機(jī)將會(huì)有一個(gè)巨大發(fā)展。六、參考文獻(xiàn)蔡文貴，李永遠(yuǎn)，許振華.CCD技術(shù)及應(yīng)用[M].電子工業(yè)出版社，1992.王慶有.CCD應(yīng)用技術(shù)[M].天津大學(xué)出版社，2000.劉賢德.CCD及其應(yīng)用原理[M].華中理工大學(xué)出版社，1990.安毓英，曾曉東.光電探測(cè)原理[M].西安電子科技大學(xué)出版社，2004.盧振華，郭永飛，李云飛等.利用CCD拼接實(shí)現(xiàn)推掃式遙感相機(jī)的自動(dòng)調(diào)焦[J].光學(xué)精密工程,2012,20(7):1559-1565.D0I:10.3788/0PE.20122007.1559.孫海金，光電子器件[M].江南大學(xué)，2010.許秀貞，李自田，薛利軍等.CCD噪聲分析及處理技術(shù)[J].紅外與激光工程，2004,33(4):343-346,357.朱炳利，白永林,王博等.基于面陣CCD的瞬態(tài)光譜檢測(cè)方法研究[J].光譜學(xué)與光譜分析,2012,32(4):1028-1031.D0I:10.3964/j.issn.1000-0593(2012)04-1028-04.林均仰，舒嶸，黃庚華等.激光對(duì)CCD及CMOS圖像傳感器的損傷閾值研究[J].紅外與毫米波學(xué)報(bào),2008,27(6):475-478.李守政，湯斌，歐紅師等.一種基于FPGA的CCD圖像傳感器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)[J].國(guó)外電子測(cè)量技術(shù),2012,(1):74-78.劉偉仁，陳穎新，錢(qián)龍生等.CCD圖像傳感器降噪技術(shù)的研究[J].光學(xué)精密工程,2000,8(2):140-145.楊永明，李清軍，李文明等.基于Bayer濾波的彩色面陣CCD調(diào)制傳遞函數(shù)[J].光學(xué)精密工程,2012,20(7):1611-1618.D0I:10.3788/0PE.20122007.1611.周富強(qiáng)，邾繼貴，楊學(xué)友等.CCD攝像機(jī)快速標(biāo)定技術(shù)[J].光學(xué)精密工程,2000,8(1):96-100.李云飛，李敏杰，司國(guó)良等.TDI-CCD圖像傳感器的噪聲分析與處理[J].光學(xué)精密工程,2007,15(8):1196-1202.陳學(xué)飛，汶德勝,王華等.基于CPLD的面陣CCD圖像傳感器驅(qū)動(dòng)時(shí)序發(fā)生器設(shè)計(jì)[J].電子器件