國(guó)內(nèi)外區(qū)熔硅單晶生產(chǎn)技術(shù)工藝發(fā)展路徑及商業(yè)應(yīng)用前景咨詢報(bào)告

國(guó)內(nèi)外區(qū)熔硅單晶生產(chǎn)技術(shù)工藝發(fā)展路徑及商業(yè)應(yīng)用前景咨詢報(bào)告區(qū)熔硅單晶也稱區(qū)熔硅單晶，是電子信息材料中最基礎(chǔ)性材料，屬半導(dǎo)體材料類。區(qū)熔硅單晶是電力電子器件的關(guān)鍵材料。區(qū)熔硅單晶是較一般電子級(jí)單晶硅具有更高純度和更高電阻率。區(qū)熔硅單晶采用的多晶硅材料成本大大高于直拉單晶硅所用材料，而其產(chǎn)品銷售價(jià)格也數(shù)倍于直拉單晶。半導(dǎo)體單晶硅材料行業(yè)的高速發(fā)展，有利于分立器件行業(yè)的發(fā)展；如果上游行業(yè)處于低谷，而分立器件行業(yè)沒有采取相應(yīng)的應(yīng)對(duì)策略，則分立器件行業(yè)亦將進(jìn)入低谷。中國(guó)市場(chǎng)來說，區(qū)熔硅單晶的生產(chǎn)商只有幾家。從全球來看，該趨勢(shì)全球并購(gòu)也非常明顯，我們認(rèn)為，未來進(jìn)一步的整合還會(huì)繼續(xù)。目前全球區(qū)熔硅單晶產(chǎn)業(yè)集中度已經(jīng)較高，主要為日本Shin-EtsuHandotai、小松公司Komatsu（已被Sumco收購(gòu)），丹麥TOPSIL、德國(guó)Siltronic(由WackerChemieAG控股)、中環(huán)股份（環(huán)歐）等五家公司。目錄TOC\o"1-3"\n\u第一章中國(guó)區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品發(fā)展現(xiàn)狀分析第一節(jié)區(qū)熔硅單晶行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀一、2010年國(guó)內(nèi)區(qū)熔硅單晶行業(yè)發(fā)展概況二、國(guó)內(nèi)區(qū)熔硅單晶行業(yè)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局第二節(jié)區(qū)熔硅單晶行業(yè)產(chǎn)業(yè)政策一、產(chǎn)業(yè)政策二、技術(shù)壁壘三、人民幣升值影響分析第三節(jié)區(qū)熔硅單晶產(chǎn)品供求格局一、2008-2010年區(qū)熔硅單晶市場(chǎng)產(chǎn)品總產(chǎn)量統(tǒng)計(jì)二、2008-2009年區(qū)熔硅單晶市場(chǎng)細(xì)分產(chǎn)品產(chǎn)量統(tǒng)計(jì)三、2005-2010年區(qū)熔硅單晶市場(chǎng)產(chǎn)品市場(chǎng)容量統(tǒng)計(jì)四、2010-2012年我國(guó)區(qū)熔硅單晶市場(chǎng)供求預(yù)測(cè)第四節(jié)區(qū)熔硅單晶行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成模型分析輔一、區(qū)熔硅沿單晶行業(yè)產(chǎn)筍業(yè)鏈構(gòu)成塊二、區(qū)熔硅老單晶行業(yè)產(chǎn)飄業(yè)鏈模型分灑析團(tuán)第二章垃2008協(xié)-2009地年區(qū)熔硅單完晶產(chǎn)品生產(chǎn)偶技術(shù)市場(chǎng)調(diào)堅(jiān)查間第一節(jié)灶證區(qū)熔硅單晶狠產(chǎn)品構(gòu)成慨一、區(qū)熔硅前單晶行業(yè)產(chǎn)楊品分類標(biāo)準(zhǔn)栗二、區(qū)熔硅養(yǎng)單晶行業(yè)主鋪要產(chǎn)品市場(chǎng)痛份額朗第二節(jié)禮扎國(guó)內(nèi)區(qū)熔硅思單晶產(chǎn)品生秤產(chǎn)技術(shù)應(yīng)用賊現(xiàn)狀寸第三節(jié)方并國(guó)外區(qū)熔硅宋單晶產(chǎn)品生替產(chǎn)技術(shù)應(yīng)用等現(xiàn)狀李第四節(jié)翼隱我國(guó)區(qū)熔硅田單晶產(chǎn)品技掌術(shù)應(yīng)用成熟釀度分析衡第五節(jié)橫悲區(qū)熔硅單晶陶產(chǎn)品生產(chǎn)技雞術(shù)與應(yīng)用市廢場(chǎng)關(guān)系硬第三章碌2008裕-2009盜年區(qū)熔硅單趣晶當(dāng)前生產(chǎn)晨工藝革新路王徑狹第一節(jié)壟嫩區(qū)熔硅單晶冰生產(chǎn)工藝介恩紹紡第二節(jié)拿秤區(qū)熔硅單晶貢生產(chǎn)工藝發(fā)漸展歷程購(gòu)第三節(jié)完柳國(guó)外區(qū)熔硅篇單晶生產(chǎn)工止藝發(fā)展階段圖比較殊第四節(jié)絮超我國(guó)區(qū)熔硅剛單晶生產(chǎn)工缸藝革新路徑賓第五節(jié)篩蔑國(guó)內(nèi)區(qū)熔硅攻單晶生產(chǎn)設(shè)沾備介紹北第六節(jié)做炕國(guó)內(nèi)區(qū)熔硅下單晶生產(chǎn)設(shè)皇備應(yīng)用現(xiàn)狀饞第七節(jié)薦夜我國(guó)區(qū)熔硅屆單晶技術(shù)研嗽發(fā)現(xiàn)狀搜第四章健斯國(guó)內(nèi)外典型義區(qū)熔硅單晶埋企業(yè)生產(chǎn)技挖術(shù)工藝應(yīng)用贊調(diào)查蛋第一節(jié)勁爆中環(huán)股份瘡一、企業(yè)基螺本情況杰二、企業(yè)技獵術(shù)發(fā)展歷程橋三、企業(yè)技棟術(shù)實(shí)力分析稻第二節(jié)孫尋企業(yè)生產(chǎn)技鄉(xiāng)術(shù)工藝應(yīng)用龍情況縣一、企業(yè)區(qū)登熔硅單晶產(chǎn)濁品生產(chǎn)技術(shù)廳選擇纏二、企業(yè)區(qū)進(jìn)熔硅單晶工擾藝設(shè)備配置盞三、企業(yè)區(qū)犧熔硅單晶生拴產(chǎn)技術(shù)研發(fā)束與革新狀況謀第五章恭仇國(guó)內(nèi)外區(qū)熔脅硅單晶產(chǎn)品砍技術(shù)工藝研川發(fā)動(dòng)態(tài)計(jì)第一節(jié)鈴抗國(guó)內(nèi)區(qū)熔硅衰單晶產(chǎn)品技薄術(shù)工藝研發(fā)右動(dòng)態(tài)選第二節(jié)伶擊國(guó)外區(qū)熔硅條單晶產(chǎn)品技澡術(shù)工藝研發(fā)陷動(dòng)態(tài)斜第三節(jié)慕201蕉1-201礙2針年區(qū)熔硅單媽晶技術(shù)工藝炒研發(fā)趨勢(shì)分嫂析頸第四節(jié)想性國(guó)內(nèi)外企業(yè)絞競(jìng)爭(zhēng)力對(duì)比插分析該1.吃研發(fā)競(jìng)爭(zhēng)力槐分析聰2.役生產(chǎn)競(jìng)爭(zhēng)力獅分析抽3.萬銷售競(jìng)爭(zhēng)力怪分析繪4.抖管理競(jìng)爭(zhēng)力播分析傭第五節(jié)名趴國(guó)外主要代衫表性企業(yè)研蓋究釣一、德國(guó)瓦麥克（斃Wacke淹rChe兼mieA劣G滴）綁二、勉日本信越避（搬Shin-亞Etsu項(xiàng)Hando緊tai禍）要三、日本小裁松針?biāo)摹⒌溈pTopsi混l逆第六節(jié)骨疏區(qū)熔硅單晶對(duì)產(chǎn)品現(xiàn)行技千術(shù)同類替代嘗技術(shù)發(fā)展退第六章掛2009灑-2012耳年區(qū)熔硅單菊晶產(chǎn)品技術(shù)凝工藝應(yīng)用前標(biāo)景研判坐第一節(jié)子抄國(guó)外區(qū)熔硅肚單晶產(chǎn)品技徒術(shù)工藝應(yīng)用胖前景勉第二節(jié)祥禍我國(guó)區(qū)熔硅為單晶技術(shù)工慢藝應(yīng)用前景庫(kù)第三節(jié)硬宰我國(guó)區(qū)熔硅毒單晶技術(shù)工析藝發(fā)展對(duì)行帆業(yè)項(xiàng)目投資泛的影響不第七章饅裂我國(guó)區(qū)熔硅弊單晶行業(yè)典匪型投資項(xiàng)目陵分析慣第一節(jié)功私項(xiàng)目總投資喝估算是一、固定資書產(chǎn)建設(shè)投資腫估算基二、流動(dòng)資嫁金估算冒三、項(xiàng)目總妨投資拾第二節(jié)勇沈資金籌措及簡(jiǎn)投資計(jì)劃奸一、資金來潛源與出資方界式畫二、項(xiàng)目籌笛資方案綁三、投資使賊用計(jì)劃論四、借款償松還計(jì)劃隙第三節(jié)謹(jǐn)表項(xiàng)目財(cái)務(wù)評(píng)飛價(jià)翁一、計(jì)算依輸據(jù)及相關(guān)說鵲明萍二、總成本偶費(fèi)用估算婦三、銷售收婚入、銷售稅憐金及附加和助增值稅估算祥四、損益及忙利潤(rùn)及分配黨第四節(jié)哨盡盈利能力分萍析眉一、投資利獻(xiàn)潤(rùn)率，投資裙利稅率眠二、財(cái)務(wù)內(nèi)導(dǎo)部收益率、渴財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值桿、投資回收側(cè)期夏三、項(xiàng)目財(cái)布務(wù)現(xiàn)金流量偏表愿四、項(xiàng)目資呈本金財(cái)務(wù)現(xiàn)詳金流量表痕五、盈虧平跨衡分析休六、敏感性本分析傍第五節(jié)勿艦效益分析禍一、經(jīng)濟(jì)效繡益父二、社會(huì)效諷益澆第八章朝2010狀-2012掏年區(qū)熔硅單劣晶市場(chǎng)行情殘第一節(jié)苦種市場(chǎng)狀況分稻析及預(yù)測(cè)（下2010-吐2012無年）瓶第二節(jié)嫌腸供需狀況分容析及預(yù)測(cè)（廣2010-陶2012譜年）愉第三節(jié)雜番進(jìn)出口狀況閃分析險(xiǎn)一、趕2005-染2010柴年區(qū)熔硅單故晶市場(chǎng)產(chǎn)品勢(shì)進(jìn)口量統(tǒng)計(jì)生二、抬2008-典2009討年區(qū)熔硅單似晶市場(chǎng)產(chǎn)品朝出口量統(tǒng)計(jì)掙三、丹2010-宅2012奧年區(qū)熔硅單遭晶市場(chǎng)產(chǎn)品嶼出口預(yù)測(cè)襖第九章限棄區(qū)熔硅單晶房銷售策劃秤第一節(jié)哪樸國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)坐分布們第二節(jié)永揪部分國(guó)內(nèi)需說求廠家及聯(lián)腫系方式拌第三節(jié)震粥部分國(guó)外需燕求廠家及聯(lián)志系方式塊第十章?lián)芤聟^(qū)熔硅單晶帶技術(shù)開發(fā)、都項(xiàng)目投資、鋼生產(chǎn)及銷售端注意事項(xiàng)槐第一節(jié)核積產(chǎn)品技術(shù)開訓(xùn)發(fā)注意事項(xiàng)較第二節(jié)做草項(xiàng)目投資注漸意事項(xiàng)澤第三節(jié)腰淺產(chǎn)品生產(chǎn)注浪意事項(xiàng)勻第四節(jié)背江產(chǎn)品銷售注葡意事項(xiàng)耀第十一章京材華經(jīng)縱橫主行要研究結(jié)論蝴及策略建議艘第一節(jié)陸矛策略建議主它要理論及數(shù)谷據(jù)支持說明熟第二節(jié)睛絕針對(duì)客戶需釘求給出獨(dú)家種策略建議處一、宏觀策立略角度伐二、中觀產(chǎn)者業(yè)角度煌三、微觀企彎業(yè)角度方第一章句中國(guó)區(qū)熔硅剖單晶產(chǎn)品發(fā)情展現(xiàn)狀分析甲第一節(jié)區(qū)集熔硅單晶行經(jīng)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀餅輕一、201邪0年國(guó)內(nèi)區(qū)名熔硅單晶行駝業(yè)發(fā)展概況抽區(qū)熔硅單晶叢也稱區(qū)熔硅向單晶，是電先子信息材料域中最基礎(chǔ)性利材料，屬半耳導(dǎo)體材料類廚。區(qū)熔硅單旺晶是電力電雄子器件的關(guān)霧鍵材料。區(qū)水熔硅單晶是沒較一般電子濕級(jí)單晶硅具嘩有更高純度事和更高電阻奪率。區(qū)熔硅養(yǎng)單晶采用的違多晶硅材料年成本大大高醋于直拉單晶不硅所用材料棟，而其產(chǎn)品奉銷售價(jià)格也雁數(shù)倍于直拉項(xiàng)單晶。半導(dǎo)棍體單晶硅材互料行業(yè)的高厚速發(fā)展，有蝶利于分立器蔥件行業(yè)的發(fā)繞展；如果上點(diǎn)游行業(yè)處于盆低谷，而分割立器件行業(yè)芹沒有采取相腐應(yīng)的應(yīng)對(duì)策撞略，則分立灶器件行業(yè)亦筍將進(jìn)入低谷珍。楚二、國(guó)內(nèi)區(qū)興熔硅單晶行始業(yè)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)乞格局蠢中國(guó)市場(chǎng)來驚說，區(qū)熔硅躁單晶的生產(chǎn)窄商只有幾家井。從全球來盒看，該趨勢(shì)騾全球并購(gòu)也啄非常明顯，羅我們認(rèn)為，吸未來進(jìn)一步漿的整合還會(huì)隆繼續(xù)。目前煉全球區(qū)熔硅辟單晶產(chǎn)業(yè)集能中度已經(jīng)較喚高，主要為糟日本Shi蘿n-Ets終uHand均otai、小小松公司K淘omats原u（已被S稅umco績(jī)收購(gòu)），丹河麥TOPS悶IL、德國(guó)蝕Siltr奶onic做(由Wac扛kerC宏hemie欣AG控?zé)煿?、中環(huán)響股份（環(huán)歐翅）等五家公軌司。惜第二節(jié)區(qū)漸熔硅單晶行璃業(yè)產(chǎn)業(yè)政策羊呈一、產(chǎn)業(yè)政厲策賢高純的區(qū)熔納硅單晶是制獻(xiàn)作各種探測(cè)道器、傳感器學(xué)的關(guān)鍵原材夕料，其市場(chǎng)或增長(zhǎng)趨勢(shì)也夜很明顯。另嶺外采用高阻植區(qū)熔硅制造政微波單片集貿(mào)成電路（M獅MIC）以旨及微電子機(jī)影械系統(tǒng)（M怒EMS）等勁高端微電子雖器件，被廣怎泛應(yīng)用于微晌波通訊、雷館達(dá)、導(dǎo)航、前測(cè)控、醫(yī)學(xué)番等領(lǐng)域，也砌顯示出巨大閑的應(yīng)用前景常。區(qū)熔硅單溉晶的具有重做要的戰(zhàn)略意葬義，201失1年科技重憂大專項(xiàng)項(xiàng)目書指南中，我隸們看到了區(qū)憤熔硅單晶片歪產(chǎn)業(yè)化技術(shù)殖與國(guó)產(chǎn)設(shè)備閣研制項(xiàng)目。象面向高壓大竹功率IGB飼T芯片產(chǎn)品尸制造需求，換我國(guó)研究開窮發(fā)直徑慌150mm理和示200mm炊區(qū)熔硅單晶岸片產(chǎn)業(yè)化技榜術(shù)，形成性蜜能穩(wěn)定的批職量生產(chǎn)能力紗；滿足12釋00V－3深300V窩IGBT芯答片產(chǎn)業(yè)化對(duì)處區(qū)熔硅單晶膚的要求和4絨500－6載500V以淺上IGBT果芯片的研制薪需求。漲2012年倡提供生產(chǎn)線扣用戶考核認(rèn)挽證，201摔3年形成5染000片/鄙月以上的銷順售。研究開爆發(fā)國(guó)產(chǎn)區(qū)熔殖單晶爐，2玩012年進(jìn)轉(zhuǎn)入生產(chǎn)線考捉核并通過用棗戶驗(yàn)證，形弊成批量供貨緞，提供IG裕BT材料項(xiàng)角目使用。抱主要產(chǎn)業(yè)政下策如下：姜1、防調(diào)整和振興偽規(guī)劃出臺(tái)電晃子信息產(chǎn)業(yè)叉企穩(wěn)回升態(tài)績(jī)勢(shì)明朗凍2009年臉4月15日各《電子信息怨產(chǎn)業(yè)調(diào)整和哨振興規(guī)劃》茶發(fā)布。規(guī)劃沒提出，今后猾三年電子信質(zhì)息產(chǎn)業(yè)要圍斧繞計(jì)算機(jī)、斜電子元器件膽、視聽產(chǎn)品俯、集成電路璃、新型顯示幸器件、軟件沒、通信設(shè)備渣、信息服務(wù)糊、信息技術(shù)建應(yīng)用等9個(gè)娘重點(diǎn)領(lǐng)域，濱完成確保骨性干產(chǎn)業(yè)穩(wěn)定謠增長(zhǎng)、戰(zhàn)略堪性核心產(chǎn)業(yè)弓實(shí)現(xiàn)突破、壩通過新應(yīng)用葵帶動(dòng)新增長(zhǎng)襲三大任務(wù)。烘2、屠3G狗牌照發(fā)放通啦信制造業(yè)保咸持平穩(wěn)發(fā)展猛丹工業(yè)和信息訊化部午1月7日略正式宣布，仇批準(zhǔn)中國(guó)移誦動(dòng)通信集團(tuán)笨公司增加基草于TD-S尊CDMA技耳術(shù)制式的第粗三代移動(dòng)通店信(劉3G將)業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)效許可，中國(guó)北電信集團(tuán)公換司增加基于犁CDMA2址000技術(shù)朵制式的達(dá)3G矛業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)許破可，中國(guó)聯(lián)鬼合網(wǎng)絡(luò)通信秧集團(tuán)公司增抬加基于WC潑DMA技術(shù)襲制式的艇3G棋業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)許跪可。中國(guó)電狡信業(yè)全面進(jìn)劃入怪3G桑時(shí)代。20未09年前1畏0個(gè)月，我痰國(guó)瀉3G蓋發(fā)展總體進(jìn)記展順利，籮3G陡用戶總數(shù)達(dá)監(jiān)到977萬趁，其中中國(guó)卻移動(dòng)TD用館戶達(dá)到39稍4萬。旗3、氧物聯(lián)網(wǎng)等新普業(yè)態(tài)興起戰(zhàn)鞋略性新興產(chǎn)夏業(yè)成為新增禁長(zhǎng)點(diǎn)悄2009年旦8月，溫家劉寶總理指示疏要加快傳感航網(wǎng)研究，把微傳感系統(tǒng)和授3G癥中的TD技狐術(shù)結(jié)合起來妻，盡快建立天“葬感宴知中國(guó)廟”扛中映心。9月，森中國(guó)傳感器欺網(wǎng)絡(luò)標(biāo)準(zhǔn)工糾作組成立。菌除了物聯(lián)網(wǎng)至以外，以可熟再生能源技愁術(shù)、節(jié)能減佛排技術(shù)、清荷潔煤技術(shù)及島核能技術(shù)支正撐的新能源響產(chǎn)業(yè)，以傳面感網(wǎng)、物聯(lián)謹(jǐn)網(wǎng)關(guān)鍵技術(shù)沃、后IP時(shí)榆代相關(guān)技術(shù)戴支撐的信息季網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)業(yè)，櫻以微電子及惕光電子材料揪和器件、新漸型功能材料兩、高性能結(jié)傷構(gòu)材料、納承米技術(shù)和材刻料支撐的微攏電子和光電梢子材料和器叛件產(chǎn)業(yè)，以漂醫(yī)療器械關(guān)雄鍵核心技術(shù)經(jīng)支撐的先進(jìn)小醫(yī)療設(shè)備制徹造等，逐漸租成為戰(zhàn)略性單新興產(chǎn)業(yè)和盲新的經(jīng)濟(jì)增增長(zhǎng)點(diǎn)。慢下游的推動(dòng)竄將會(huì)直接擴(kuò)弄大區(qū)熔硅單累晶市場(chǎng)需求怒。從世界范臟圍來講，我社國(guó)出臺(tái)十項(xiàng)稼措施時(shí)機(jī)選樹得比較好，爪是對(duì)金融危麻機(jī)的危險(xiǎn)性體看準(zhǔn)摸清了些火候到了的剩時(shí)候才出手伶的。我國(guó)出明臺(tái)十項(xiàng)措施彎對(duì)我國(guó)的區(qū)物熔硅單晶行閣業(yè)也是利好蜓，有利于企距業(yè)自主創(chuàng)新孕和結(jié)構(gòu)調(diào)整染，有利于技僻術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)珠業(yè)升級(jí)。息我國(guó)的人民碎幣匯率實(shí)現(xiàn)軍了有限的浮悉動(dòng)政策，人醒民幣的升值訪壓力逐漸釋爭(zhēng)放。我國(guó)貨械幣的升值不屠可避免的使搞得進(jìn)口產(chǎn)品半的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)某力增加。區(qū)錦熔硅單晶市愁場(chǎng)的價(jià)格目似前還處于高屬位運(yùn)行，國(guó)槽內(nèi)外產(chǎn)商均往通過維持市升場(chǎng)高價(jià)來獲洲取高額利潤(rùn)騎。如果我國(guó)該的匯率繼續(xù)蟲向著人民幣太升值的方向柴發(fā)展，將會(huì)陪有利于我國(guó)滅進(jìn)口。預(yù)計(jì)家未來幾年隨真著我國(guó)匯率臉的調(diào)整和人撿民幣的升值勁，國(guó)內(nèi)的區(qū)鋪熔硅單晶進(jìn)叨口價(jià)格的下癢降趨勢(shì)，這煩主要體現(xiàn)在莊我國(guó)人民幣踐升值帶來的蠻一系列好處饒。英與此同時(shí)，隔國(guó)外市場(chǎng)的揮疲軟，對(duì)于冒國(guó)內(nèi)區(qū)熔硅炕單晶行業(yè)來且說是一個(gè)好惑機(jī)會(huì)，引入統(tǒng)技術(shù)和設(shè)備逆的成本也比少較低，將很健好的促進(jìn)國(guó)舅內(nèi)區(qū)熔硅單遺晶行業(yè)的技研術(shù)更新和產(chǎn)萬品改造工作堆，也降低了爪國(guó)內(nèi)區(qū)熔硅與單晶的成本名和價(jià)格。緞二、技術(shù)壁哈壘判高反壓、大菜電流電力電仰子器件的發(fā)弊展要求區(qū)熔萬硅單晶直徑環(huán)進(jìn)一步增大哲。大直徑區(qū)中熔硅單晶的躺拉制，最大割困難在于高煩頻加熱設(shè)備劈能力和成晶揉工藝條件。貪由于技術(shù)封墓鎖，研制和遣生產(chǎn)大直徑叛區(qū)熔硅單晶偶的工藝條件搜需要摸索，筆特別是加熱劈線圈結(jié)構(gòu)和窮拉晶參數(shù)。哲購(gòu)買國(guó)際先學(xué)進(jìn)的技術(shù)儀伯器，仿效學(xué)籍習(xí)并研發(fā)出圖自己的技術(shù)爸，前期購(gòu)買撕儀器成本太檢高，一般的瓣小型公司難洪以承擔(dān)先進(jìn)根的Typ-喇FZ系列儀庫(kù)器高昂的價(jià)滋格。因此，鑒國(guó)內(nèi)企業(yè)只雪有在生產(chǎn)中錫不停地摸索罰，克服技術(shù)催壁壘，逐步劈研發(fā)并填補(bǔ)偶我國(guó)大直徑級(jí)區(qū)熔硅單晶昌生產(chǎn)技術(shù)的紅空白。啄在半導(dǎo)體單太晶硅材料產(chǎn)賺業(yè)鏈中，多希晶硅是生產(chǎn)碧硅鏡單晶擱的原料，是連半導(dǎo)體器件漠的上游基礎(chǔ)鞏材料。20辯06年國(guó)內(nèi)川包括半導(dǎo)體鋸器件和硅晶別體太陽能電喪池的多晶硅鐮年需量超過鳳10,00鋒0噸，而國(guó)墻內(nèi)的生產(chǎn)能湊力僅為30喬0噸/年左鍵右筍，因此多晶夫硅材料絕大韻部分依賴進(jìn)邀口。單晶硅翻材料的支撐爭(zhēng)體系薄弱，份所需的關(guān)鍵梨設(shè)備和檢測(cè)狂儀器主要依三賴進(jìn)口，形降成了產(chǎn)品更胸新一代就必蜜須從國(guó)外引熊進(jìn)新一代設(shè)緣備的局面，矛這就客觀上鞋加大了產(chǎn)業(yè)滾發(fā)展的投入寇，在一定程思度上制約了睬國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體選材料企業(yè)的糠發(fā)展。中三、人民幣濃升值影響分運(yùn)析兆我國(guó)的人民田幣匯率實(shí)現(xiàn)殊了有限的浮帆動(dòng)政策，人繭民幣的升值須壓力逐漸釋跨放。我國(guó)貨迅幣的升值不撒可避免的使?fàn)幍眠M(jìn)口產(chǎn)品栗的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)外力增加。區(qū)愛熔單晶硅市功場(chǎng)的價(jià)格目衛(wèi)前還處于高卷位運(yùn)行，國(guó)嗽內(nèi)外產(chǎn)商均筋通過維持市嗎場(chǎng)高價(jià)來獲馬取高額利潤(rùn)襯。如果我國(guó)液的匯率繼續(xù)著向著人民幣啊升值的方向蒜發(fā)展，將會(huì)未有利于我國(guó)貞進(jìn)口。預(yù)計(jì)翼未來幾年隨鄉(xiāng)著我國(guó)匯率拘的調(diào)整和人糠民幣的升值跨，國(guó)內(nèi)的區(qū)糊熔單晶硅進(jìn)周口價(jià)格的下犁降趨勢(shì)，這企主要體現(xiàn)在淘我國(guó)人民幣裙升值帶來的鴨一系列好處忌。碼與此同時(shí)，弊國(guó)外市場(chǎng)的棚疲軟，對(duì)于先國(guó)內(nèi)區(qū)熔單尸晶硅行業(yè)來刑說是一個(gè)好厚機(jī)會(huì)，引入女技術(shù)和設(shè)備刷的成本也比正較低，將很觀好的促進(jìn)國(guó)超內(nèi)區(qū)熔單晶鞠硅行業(yè)的技宿術(shù)更新和產(chǎn)模品改造工作靜，也降低了男國(guó)內(nèi)區(qū)熔單廣晶硅的成本倘和價(jià)格。雹第三節(jié)區(qū)騎熔硅單晶產(chǎn)料品供求格局網(wǎng)席一、200孕8-201猾0年區(qū)熔硅欣單晶市場(chǎng)產(chǎn)筒品總產(chǎn)量統(tǒng)汽計(jì)黎2005-尖2008年攤，我國(guó)區(qū)熔帝硅單晶行業(yè)鮮產(chǎn)量呈現(xiàn)快吩速增長(zhǎng)的趨芳勢(shì)，200袍9年產(chǎn)量有些所下降，2蒸005年產(chǎn)東量為71噸咱，2006乓年為76.似31噸，增屯速為7.4孟8％，到了即2009年屯為71.5煩4噸，增長(zhǎng)小率比200辟8年下降了溜16.53巾％，201跌0年1-5壺月份為39賄.12噸。勺同比增長(zhǎng)率躍為8.42秧%.厭圖表20輸08-20魄10年區(qū)熔津硅單晶市場(chǎng)令產(chǎn)品總產(chǎn)量性資料來源：昂中國(guó)產(chǎn)業(yè)競(jìng)栗爭(zhēng)情報(bào)網(wǎng)嗓二、200崗8-200山9年區(qū)熔硅拐單晶市場(chǎng)細(xì)簡(jiǎn)分產(chǎn)品產(chǎn)量波統(tǒng)計(jì)絮區(qū)熔硅單晶筍目前的主要齊應(yīng)用產(chǎn)品包剖括2種：型氣相摻雜（割GasD阻opsit姿on）和中多子嬗變摻雜毯（NTD）嬌。其中GD玩目前市場(chǎng)規(guī)廈模約占區(qū)熔鳥硅總體規(guī)模塌的80%左禍右，主要的致應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)橐簜鹘y(tǒng)電子電慣力器件，特陶別是高壓大游功率器件，全400V以價(jià)上電壓產(chǎn)品售等；NTD背規(guī)模約占2稀0%左右，寨主要應(yīng)用于概鐵路、電站察以及由新型訂能源技術(shù)所能推動(dòng)的變壓頸變頻器件應(yīng)螞用中。前者撐受電源管理判等市場(chǎng)的節(jié)針能需求的推惜動(dòng)；后者由糧于鐵路、電漲廠的大規(guī)模扣建設(shè)以及新惰型能源如風(fēng)板能發(fā)電等市轟場(chǎng)的發(fā)展，吉目前有較快夢(mèng)的市場(chǎng)增長(zhǎng)慕。后2005年優(yōu)GD產(chǎn)量為燈58.22育噸，NTD攀為12.7層8噸，到了墻2009年刮GD產(chǎn)量為血58.92俘噸，NTD次為12.6墨2噸。20餐10年1-擠5月份GD扒與NTD分紋別31.9尖2噸7.2往噸。200尊9年之前，庸產(chǎn)量均保持海了較為平穩(wěn)蜂的增長(zhǎng)趨勢(shì)剖。饑圖表20結(jié)08-20詳10年區(qū)熔罩硅單晶市場(chǎng)礙細(xì)分產(chǎn)品總級(jí)產(chǎn)量宮資料來源：饞中國(guó)產(chǎn)業(yè)競(jìng)侄爭(zhēng)情報(bào)網(wǎng)凡三、200處5-201最0年區(qū)熔硅尋單晶市場(chǎng)產(chǎn)押品市場(chǎng)容量襖統(tǒng)計(jì)霧2005區(qū)甚熔硅單晶行銅業(yè)市場(chǎng)容量哈為79.4容1噸，20攻06年為9燈4.1噸，雨增速為18前.5％，2省009年市邁場(chǎng)容量達(dá)到豐118.7顫4噸。同比緣增長(zhǎng)4.5惡6%，20碰10年1-您5月份為6廚8.91噸崖，同比增長(zhǎng)依18.14款％。倡圖表20營(yíng)05-20壇10年區(qū)熔桂硅單晶市場(chǎng)蝴產(chǎn)品市場(chǎng)容蔬量蓄資料來源：怕中國(guó)產(chǎn)業(yè)競(jìng)駛爭(zhēng)情報(bào)網(wǎng)活四、201濾0-201肚2年我國(guó)區(qū)和熔硅單晶市妨場(chǎng)供求預(yù)測(cè)詢從下表可以育看出，近年簽來，GD比己重在81%射-82%之君間浮動(dòng)，變持化不大，市廢場(chǎng)比例處于基較為穩(wěn)定的值狀態(tài)。漲圖表20其05-20暢10年中國(guó)哪區(qū)熔硅單晶粥市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)胳構(gòu)變化燒資料來源：號(hào)中國(guó)產(chǎn)業(yè)競(jìng)崖爭(zhēng)情報(bào)網(wǎng)換第四節(jié)區(qū)芝熔硅單晶行襯業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)筋成模型分析貞嶼一、區(qū)熔硅郵單晶行業(yè)產(chǎn)廳業(yè)鏈構(gòu)成掠產(chǎn)業(yè)鏈即從驚一種或幾種耽資源通過若顯干產(chǎn)業(yè)層次烏不斷向下游治產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移直舒至到達(dá)消費(fèi)繪者的路徑，如它包含四層償含義：一是蛋產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)钱a(chǎn)倦業(yè)層次的表溝達(dá)；二是產(chǎn)頓業(yè)鏈?zhǔn)钱a(chǎn)業(yè)買關(guān)聯(lián)程度的兄表達(dá)；產(chǎn)業(yè)軋關(guān)聯(lián)性越強(qiáng)奪，鏈條越緊隙密，資源的晉配置效率也仿越高；三是壘產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)琴Y未源加工深度搏的表達(dá)；產(chǎn)饞業(yè)鏈越長(zhǎng)，憐表明加工可爪以達(dá)到的深佛度越深；四前是產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)潜K滿足需求程鋒度的表達(dá)。愛產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)加趮D自然資源、揭止于消費(fèi)市犁場(chǎng)，但起點(diǎn)頁(yè)和終點(diǎn)并非珍固定不變。民區(qū)熔硅單晶齊產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)顫分析：上游艘原材料供應(yīng)幕商，中游區(qū)惕熔硅單晶生溝產(chǎn)廠家，下禽游大功率器課件、電力機(jī)被車的牽引系備統(tǒng)等相關(guān)區(qū)喘熔硅單晶消裂費(fèi)者，此外能還有貫穿產(chǎn)孝業(yè)鏈的物流參配送廠家等煙。饅圖表區(qū)虎熔硅單晶產(chǎn)龍業(yè)鏈結(jié)構(gòu)圖區(qū)熔硅單晶區(qū)熔硅單晶生產(chǎn)商原材料供應(yīng)商下游消費(fèi)物流配送大功率器件企業(yè)等多晶硅中環(huán)股份等耽資料來源：咱中國(guó)產(chǎn)業(yè)競(jìng)刑爭(zhēng)情報(bào)網(wǎng)挺二、區(qū)熔硅熟單晶行業(yè)產(chǎn)牧業(yè)鏈模型分付析霧羅1、上游原貍材料供應(yīng)瑞單晶硅由多殺晶硅制得，蠶而近幾年，街太陽能電池花產(chǎn)業(yè)快速發(fā)放展，多晶硅慢供應(yīng)急劇增極加。200蠻8年國(guó)內(nèi)多致晶硅產(chǎn)量超或過4500潛噸，產(chǎn)能超豎過1萬噸。踐根據(jù)最新的倡統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯魄示，我國(guó)目稍前在建和籌忘建的多晶硅汪項(xiàng)目總能將樹接近8萬噸脆，而需求量剛僅為4.6怨萬噸，如果鄙產(chǎn)能全部釋奉放，將過剩迎近一半的多腎晶硅產(chǎn)品。公2009年震9月26日屆，國(guó)務(wù)院轉(zhuǎn)廢發(fā)國(guó)家發(fā)改笑委、工業(yè)和和信息化部等犬10部委《吉關(guān)于抑制部放分行業(yè)產(chǎn)能朝過剩和重復(fù)楚建設(shè)引導(dǎo)產(chǎn)講業(yè)健康發(fā)展寺的若干意見世》（以下簡(jiǎn)確稱38號(hào)文浙），正式將晝多晶硅列入裙產(chǎn)能過剩和茶重復(fù)建設(shè)行瞧業(yè)的玻“亡黑名單覽”附里，各地已貝被要求收緊鞋多晶硅項(xiàng)目游，地方未建肅的多晶硅項(xiàng)樣目也已基本軟叫停。疑產(chǎn)能過剩是暑下游需求轉(zhuǎn)腰暖未能傳導(dǎo)賣至上游的主存要原因。我笨們估計(jì)明年逢全球光伏多卻晶硅需求量陪在6萬噸，配而供給量在嫩10萬噸（茶已扣除半導(dǎo)誘體行業(yè)用量詞），其中4體萬噸來自中射國(guó)。因此我鍬們認(rèn)為多晶葬硅現(xiàn)貨價(jià)格腸還將繼續(xù)下穿跌，我們目讓前假設(shè)20捧10~20熊11年均價(jià)膝分別為55哀和50美元錘/公斤，該脊假設(shè)有下調(diào)茄空間。擺在殘中國(guó)多晶硅變企業(yè)面前的牽迫切任務(wù)是蕉降成本，途術(shù)徑有二：一妖是在現(xiàn)有還佩原西門子法聾基礎(chǔ)上降成乓本，例如采造用更先進(jìn)的沉氫化方法循掉環(huán)利用四氯避化硅/二氯當(dāng)二氫硅、自賢產(chǎn)三氯氫硅洪、申請(qǐng)直供棟電降低電費(fèi)撥等等，但該武類方法難以解將成本降至獻(xiàn)30美元之拼下；二是采樓用更先進(jìn)的愚還原方法，療例如硅烷法尿可以產(chǎn)生很奇少副產(chǎn)品，努成本可望降秋低至25蘆美元甚至更升低。各從價(jià)格看，梁多晶硅的價(jià)顆格風(fēng)光不再雪，70美元步/公斤現(xiàn)貨偶價(jià)格以下已跳經(jīng)徘徊數(shù)月山，生產(chǎn)商的倒盈利空間進(jìn)蛋一步被壓縮帥。目前國(guó)內(nèi)城技術(shù)基本采派用改良西門培子發(fā)，生產(chǎn)狡成本基本控潑制在50-挎60美元/見公斤之間，陵部分較好企速業(yè)可以達(dá)到牲40多美元稀/公斤，即終便如此，產(chǎn)利能過剩帶來逆的多晶硅售糖價(jià)的緩慢回覽落依然使我油們對(duì)行業(yè)前取景堪憂。莖從污染和耗蠻能角度看，粘國(guó)內(nèi)多晶硅懼項(xiàng)目在現(xiàn)有灑條件下屬于拆高排放，高犧污染行業(yè)，辛主要是對(duì)于攝尾氣中四氯尚化硅、氯化國(guó)氫的回收率浸不高。雖然臭目前，國(guó)內(nèi)陸企業(yè)引進(jìn)的論第三代設(shè)備宇完全可以做虧到尾氣的閉虧路回收，現(xiàn)帶在已經(jīng)解決唐了污染的問邊題，但這需化要較高的成貓本，只有大剖企業(yè)才能實(shí)南現(xiàn)，小規(guī)模稈生產(chǎn)企業(yè)排察放問題依然玩沒有得到有功效解決。提慚高準(zhǔn)入標(biāo)準(zhǔn)吸可以有效控平制污染。蠅圖表20項(xiàng)08-20宜10年多晶癥硅現(xiàn)貨價(jià)格教走勢(shì)省資料來源：共中國(guó)產(chǎn)業(yè)競(jìng)懂爭(zhēng)情報(bào)網(wǎng)杠2、下游需師求承由于半導(dǎo)體品用硅片對(duì)于湖純度要求較打高，其生產(chǎn)拋工藝和難度舊要遠(yuǎn)高于太絡(luò)陽能級(jí)應(yīng)用日，這就使得土半導(dǎo)體硅片駕的價(jià)格較高距。全球硅片灘材料生產(chǎn)，滾主要集中在睜日、美、德惰三國(guó)，其他倘還有韓國(guó)、常馬來西亞、惑芬蘭、中國(guó)塑大陸和中國(guó)最臺(tái)灣地區(qū)。悠根絕SEM亮I數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)揚(yáng)，我國(guó)半導(dǎo)倒體市場(chǎng)需求胖呈穩(wěn)定增長(zhǎng)烏趨勢(shì)，但是袋國(guó)內(nèi)廠商受歇技術(shù)約束，賀半導(dǎo)體級(jí)單膨晶硅供應(yīng)不旁足。半導(dǎo)體水級(jí)別單晶硅患還有較大發(fā)腿展空間。桃近年來，中找國(guó)單晶硅產(chǎn)屑量明顯穩(wěn)步?jīng)Q增長(zhǎng)。增長(zhǎng)摸的原因一方本面是來自國(guó)嗎際上對(duì)低檔申和廉價(jià)硅材剛料需求的增釘加；另一方斥面是近年來羞中國(guó)各方面棕發(fā)展迅速，挺各類信息家曾電和通信產(chǎn)唐品需求旺盛驢，因此半導(dǎo)帝體器件和