半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)專題報(bào)告-從國內(nèi)NOR Flash產(chǎn)業(yè)進(jìn)階看利基市場機(jī)遇

半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)專題報(bào)告：從國內(nèi)NORFlash產(chǎn)業(yè)進(jìn)階看利基市場機(jī)遇1投資分析根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)，2021年全球存儲(chǔ)市場規(guī)模1582億美元，占半導(dǎo)體市場份額的比重為28.61%，為全球半導(dǎo)體行業(yè)重要的組成部分。與之對(duì)比的是，國內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)相對(duì)弱小，在全球份額不高，2020年中國大陸存儲(chǔ)器的國產(chǎn)化率為1%。基于國內(nèi)6家主要存儲(chǔ)器上市公司，近五年存儲(chǔ)板塊加速增長，總營收規(guī)模由2017年的34.06億元增長至2021年的188.87億元，CAGR達(dá)53.45%；總歸母凈利潤由2017年4.12億元增長至2021年的42.17億元，CAGR達(dá)78.87%。兆易創(chuàng)新、北京君正和聚辰股份分別在NORFlash、車規(guī)DRAM和EEPROM等領(lǐng)域具有全球競爭力。我們選取國內(nèi)競爭力較強(qiáng)的NORFlash產(chǎn)業(yè)，借鑒其崛起路徑并分析當(dāng)前國內(nèi)Fabless存儲(chǔ)企業(yè)的布局以及利基存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)進(jìn)階的可能性。行業(yè)供需關(guān)系突發(fā)性變化導(dǎo)致參與企業(yè)資源再配置，而產(chǎn)品技術(shù)迭代弱化進(jìn)入壁壘。以IDM為主的存儲(chǔ)行業(yè)在面對(duì)產(chǎn)品進(jìn)入生命周期末端時(shí)，其資本開支計(jì)劃日趨謹(jǐn)慎，在面對(duì)外部沖擊時(shí)，資源條件的約束將迫使其放棄低端產(chǎn)線甚至完全放棄市場。產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化和技術(shù)迭代弱化降低了進(jìn)入壁壘，這將給新企業(yè)補(bǔ)位空間。國內(nèi)企業(yè)通過成本優(yōu)勢和市場機(jī)遇切入市場，并逐步形成從低到高的替代。通過抓住SPINOR滲透率提升和消費(fèi)電子機(jī)遇，兆易創(chuàng)新完成了容量與單價(jià)的快速上升并躋身產(chǎn)業(yè)前三；普冉股份利用SONOS工藝的成本優(yōu)勢以及中小容量需求的增長，其出貨量超過26億顆。新增需求提供空間，與國內(nèi)企業(yè)優(yōu)勢匹配，而國內(nèi)晶圓代工產(chǎn)能自給率上升帶來產(chǎn)能保障。物聯(lián)網(wǎng)與可穿戴設(shè)備的快速增長提供了行業(yè)新的空間，而此類下游對(duì)中小容量的需求更匹配國內(nèi)企業(yè)的競爭優(yōu)勢，而國內(nèi)晶圓代工產(chǎn)能自給率上升為Fabless企業(yè)提供產(chǎn)能保障，但同時(shí)一定程度上帶來行業(yè)集中度的分散。DDR3市場變化與2016-2017年NORFlash變化具有相似性，國內(nèi)企業(yè)有望復(fù)制該路徑實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)進(jìn)階。1）半導(dǎo)體行業(yè)景氣導(dǎo)致有限資源的再分配，頭部廠商三星退出釋放行業(yè)超過30%的份額；2）中小容量DDR3產(chǎn)品在消費(fèi)電子領(lǐng)域依然具備旺盛需求，其不需要汽車電子行業(yè)較高的行業(yè)認(rèn)證壁壘，同時(shí)對(duì)成本具備價(jià)格敏感性，符合國內(nèi)企業(yè)從低端向高端滲透的增長邏輯；3）近年來國內(nèi)晶圓代工企業(yè)技術(shù)上的日益成熟提供了產(chǎn)能支撐，相較于臺(tái)系IDM企業(yè)資本開支約束，國內(nèi)Fabless公司在份額爭奪上占有先機(jī)；4）國內(nèi)利用先進(jìn)制程生產(chǎn)利基產(chǎn)品的模式將構(gòu)成成本優(yōu)勢。SLCNAND同樣面臨國產(chǎn)替代機(jī)遇，國內(nèi)企業(yè)有望獲得份額。海外企業(yè)逐步轉(zhuǎn)向工控與汽車領(lǐng)域，陸續(xù)退出4Gb以下中低容量NAND市場，SLCNAND主要玩家逐步轉(zhuǎn)向國內(nèi)大陸與臺(tái)企。如通信、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和工控等新興應(yīng)用場景的拓展，下游市場對(duì)具備高可靠性、低功耗等特點(diǎn)的中小容量存儲(chǔ)芯片需求也持續(xù)上升，也為國內(nèi)企業(yè)帶來國產(chǎn)替代機(jī)遇。基于2016年以后國內(nèi)NORFlash產(chǎn)業(yè)進(jìn)階路徑，我們重點(diǎn)關(guān)注兩個(gè)階段和三個(gè)指標(biāo)：

第一階段為龍頭退出份額的再分配，核心指標(biāo)為出貨量的倍數(shù)擴(kuò)張和產(chǎn)品在料號(hào)和容量上的加速覆蓋；第二階段為利潤釋放，在某一時(shí)期由于供給沖擊或新的增量需求導(dǎo)致供需逆轉(zhuǎn)，以容量和銷量為基礎(chǔ)，通過漲價(jià)攫取大量利潤。2NORFlash基本特征與競爭格局NORFlash市場規(guī)模較小，偏向于利基型行業(yè)。在非易失性存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)中，由于NORFlash在容量成本上相較于NAND有較大劣勢，在1Gb以上幾乎不具備性價(jià)比，市場規(guī)模相對(duì)較小。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2021年NORFlash和EEPROM市場規(guī)模約40億美元，而NANDFlash全球市場規(guī)模約636億美元，DRAM市場規(guī)模約為870億美元，NORFlash和EEPROM占存儲(chǔ)行業(yè)比重約為2.6%。商品標(biāo)準(zhǔn)化程度高，技術(shù)進(jìn)步不明顯。存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)商品化程度較高，同時(shí)NOR1Gb以上受NAND替代影響，其容量上升路徑受阻，行業(yè)整體技術(shù)進(jìn)步并不明顯。以產(chǎn)品多樣性和制程迭代作為衡量標(biāo)準(zhǔn)，當(dāng)前NORFlash領(lǐng)先企業(yè)的旺宏在2015年即提出48nm開發(fā)計(jì)劃，此后該計(jì)劃延續(xù)至2021年才變更為45nm并向客戶送樣，同時(shí)近年來幾乎不將NORFlash納入研發(fā)投入。制程占比上旺宏55nm工藝占比由2017年約5%提升至2022Q1的62%，相較于邏輯節(jié)點(diǎn)其滲透率速度并不快，同樣兆易創(chuàng)新在2013年大規(guī)模銷售65nm節(jié)點(diǎn)產(chǎn)品后，將重點(diǎn)轉(zhuǎn)向容量提升，2019年才在55nm上推出系列產(chǎn)品，中高容量產(chǎn)品并不以成本與體積作為考量優(yōu)勢，不影響廠商出貨量的快速上升。參與企業(yè)以調(diào)整業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)為主要手段，部分戰(zhàn)略性退出市場。隨著2010年三星退出行業(yè)和2014年底Cypress與飛索合并后，NORFlash供應(yīng)商主要包括Cypress、旺宏、美光、華邦電和兆易創(chuàng)新。其中Cypress被英飛凌合并后大幅縮減了在消費(fèi)電子端的業(yè)務(wù)規(guī)模，集中應(yīng)用于汽車和通信領(lǐng)域；美光收購恒億后由于虧損，也再度縮減相關(guān)業(yè)務(wù)規(guī)模；

現(xiàn)有旺宏和華邦電均專注于調(diào)整NOR業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)，增加高容量產(chǎn)品業(yè)務(wù)占比，并將業(yè)務(wù)向工控/汽車/通信等領(lǐng)域傾斜，而新的資本開支則主要投向DRAM與NAND。市場集中度隨并購與退出周期性升降，2020年離散度加劇。受智能手機(jī)逐步取代功能機(jī)的影響，2009-2016年NORFlash市場規(guī)模一路下降至低于20億美元，存儲(chǔ)大廠陸續(xù)宣布退出或縮減業(yè)務(wù)，該階段CR5份額逐漸下降；2016年后以中低容量為主的消費(fèi)電子與物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備需求增加，新進(jìn)入玩家較多，在2020年市場離散度增加。市占率第一的企業(yè)份額從2010年的32%下降到2020年的25%，CR5份額由2017年的92%下降至2020年的78%?；仡櫿麄€(gè)過程，行業(yè)競爭格局變化的核心來自于行業(yè)前景預(yù)期變動(dòng)和龍頭策略調(diào)整有關(guān)，2020年的離散度變化則由國內(nèi)企業(yè)的快速崛起相關(guān)。3舊路徑：國內(nèi)NORFlash產(chǎn)業(yè)進(jìn)階復(fù)盤借成本與技術(shù)優(yōu)勢，國內(nèi)企業(yè)參與度提升。我們以上市/擬上市企業(yè)為研究集（兆易創(chuàng)新/普冉股份/東芯股份/恒爍半導(dǎo)體/芯天下），復(fù)盤過去我國內(nèi)地龍頭與新興企業(yè)成長路徑。3.1借消費(fèi)電子?xùn)|風(fēng)，兆易創(chuàng)新逐步成長為行業(yè)前三從量增到價(jià)漲，兆易創(chuàng)新NOR的成長三階段。按照公司平均價(jià)格與銷量變化，公司發(fā)展歷程可劃分為三個(gè)階段：1）2014-2016年，公司存儲(chǔ)芯片銷售量由11.08億顆增長至16.86億顆，復(fù)合增速為23.36%，主要得益于份額提升以及手機(jī)存儲(chǔ)芯片多晶圓封裝需求提升，在此過程中受競爭與定價(jià)策略影響，單顆asp變化幅度較小。2）2017-2019年，公司存儲(chǔ)芯片銷量由17.36億顆增長至28.75億顆，復(fù)合增速為28.69%，在該階段行業(yè)龍頭策略性退出，公司最核心變化是在繼續(xù)保持銷量快速成長的同時(shí)，加快了低容量向高容量的產(chǎn)品切換，2017年公司產(chǎn)品集中于128Mb以下，后加速推出256Mb及以上產(chǎn)品。到2019年得益于消費(fèi)電子客戶的導(dǎo)入和可穿戴設(shè)備的爆發(fā)，兆易創(chuàng)新出貨量同比增長45.57%至28.75億顆，基本追平旺宏和華邦電的出貨數(shù)據(jù)。同時(shí)從年報(bào)表述上，其產(chǎn)品推出速度明顯加快。3）2019-2021年兆易創(chuàng)新存儲(chǔ)芯片（以NORFlash為主，在此僅考慮NOR產(chǎn)品）出貨量從28.75億顆增長至32.88億顆，位居全球第二，僅次于華邦電37.93億顆，但復(fù)合增速降至6.94%。主要收入增長來源于價(jià)格端的變化，存儲(chǔ)芯片平均價(jià)格由2019年的0.79元提升至2021年1.66元，逐漸逼近華邦電的NORFlash平均價(jià)格1.92元，落后于旺宏的2.84元（由于旺宏與日本游戲機(jī)行業(yè)強(qiáng)綁定，第一大客戶占比超過40%，具有一定特殊性）。在價(jià)格提升的主導(dǎo)下，公司毛利率穩(wěn)步攀升。2020年以前公司微控制器業(yè)務(wù)占比相對(duì)較?。?5%-2