電子行業(yè)深度報告：AI浪潮奔涌CPO等光技術(shù)持續(xù)演進

告有關(guān)分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯(lián)系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責(zé)申明。核核心觀點刻”，算力、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和光模塊等領(lǐng)域有望迎來快速發(fā)展。受益于此，英偉達、博速成長。AI進程持續(xù)推進、下游模塊廠商海外業(yè)務(wù)拓展等的共同催化下，光芯片領(lǐng)域發(fā)展前景廣ML穩(wěn)定性和低成本方面不斷發(fā)力。未來光芯片順應(yīng)集成化規(guī)律，向硅光芯片集成高速光引擎的發(fā)展趨勢是目前行業(yè)共識，硅光芯片憑借低成本、高性能的優(yōu)勢亦有望成用到光芯片產(chǎn)業(yè)鏈，進一步降本增效促進行業(yè)發(fā)展。CPOLPOCPO光電共封裝起到降低成本、降低功耗的目的。CPO是長期來看在實現(xiàn)高集成度、低功耗、低成本LPO提升，直接探測方案的傳輸距離將受到限制，相干探測憑借著高容量、高信噪比等來高速增長。薄膜鈮酸鋰是超高速數(shù)據(jù)中心和相干光傳輸?shù)暮诵墓馄骷?，具有高性能、低成本、小尺寸、可批量CMOS未來高速光互連極具競爭力的解決方案。投資建議與投資標(biāo)的投資建議與投資標(biāo)的看好(維持)業(yè)告發(fā)布日期劍旭-63325888*8514ianorientseccomcn證監(jiān)會牌照：BPT856litingxuorientseccomcn宇軒銳偉hanxiaorui@zhangshiwen@xuehongwei@2023-05-282023-03-262023-05-282023-03-26算力需求提升，光芯片正揚帆?AI算力需求增長趨勢確定，預(yù)計直接提升高速率光模塊產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌鲈隽?，光芯片作為光模塊的核心器件有望深度受益，我們看好其在國產(chǎn)替代和技術(shù)創(chuàng)新趨勢下的表現(xiàn)。光賽道技術(shù)領(lǐng)先的供應(yīng)商直接受益于市場增量，對于產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢更具話語權(quán)。1)光芯片領(lǐng)域有較強國產(chǎn)替代預(yù)期，建議關(guān)注源杰科技、華工科技、長光華案，建議關(guān)注福晶科技；3)MicroTEC是目前高速率光通信領(lǐng)準(zhǔn)控溫的優(yōu)質(zhì)方案，建議關(guān)注富信科技。2 有關(guān)分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯(lián)系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責(zé)申明。3 圖5：全球數(shù)據(jù)規(guī)模(ZB) 5圖6：Top5云廠商以太網(wǎng)光模塊市場規(guī)模(百萬美元) 5 圖15：800G及1.6T光模塊/光引擎與AOC出貨(萬件) 9 圖21：線性直驅(qū)路線在各材料方案中具備功耗優(yōu)勢(pJ/Bit) 11 G 5 17有關(guān)分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯(lián)系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責(zé)申明。4AIiPhone時刻”，光技術(shù)持續(xù)演進tGPTEOAIiPhoneAI年來最有前途的技術(shù)領(lǐng)域之一，并將驅(qū)動算力、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和光模塊等領(lǐng)域的極大發(fā)展。受益于此，博AI品營收至少較2023年度呈現(xiàn)倍增，并在未來幾年持續(xù)迅速成長。T數(shù)據(jù)來源：Statista、東方證券研究所廠商AI推動業(yè)績增長英偉達生成式AI推動第二季銷量大漲64％，正快速擴產(chǎn)應(yīng)對急速上升的市場需求博通23年用于生成式AI業(yè)務(wù)的以太網(wǎng)設(shè)備銷售額將從2億美元上升到超8億美元Marvell預(yù)估2024年度AI相關(guān)產(chǎn)品營收至少較2023年度呈現(xiàn)倍增數(shù)據(jù)來源：英偉達、科創(chuàng)板日報、東方證券研究所整理高速率光技術(shù)持續(xù)演進。作為AI算力的核心器件，光模塊及其配套芯片持續(xù)迭代：1)CPO、LPO等先進封裝技術(shù)在降低光模塊成本及功耗上作用顯著，中際旭創(chuàng)、新易盛等光模塊廠商率先布局；2)EML、硅光和薄膜鈮酸鋰等光芯片不斷升級來適配高速率場景應(yīng)用，源杰科技、長光華芯和光庫科技等廠商不斷突破芯片技術(shù)瓶頸。光芯片作為光模塊中最核心的部件(光器件占光值量彈性和國產(chǎn)替代預(yù)期，在產(chǎn)業(yè)鏈中地位尤其重要，光芯片廠商亦有望在AI浪潮中持續(xù)受益。數(shù)據(jù)來源：東方證券研究所整理數(shù)據(jù)來源：億渡數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)來源：東方證券研究所整理有關(guān)分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯(lián)系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責(zé)申明。5芯片作為光模塊核心器件有望深度受益；中國光芯片以跟隨光模塊出海，有望應(yīng)用到谷歌、微軟等海外互聯(lián)網(wǎng)大廠。在前沿光通信技術(shù)發(fā)展和高算力的技術(shù)升級和更新?lián)Q代，硅光芯片、薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯。升，數(shù)據(jù)中心高速率光模塊市場相應(yīng)將獲得較大增量市場。根據(jù)中國計算機互連技術(shù)聯(lián)盟 (CCITA)CPO標(biāo)準(zhǔn)及草根調(diào)研數(shù)據(jù)，云計算通用服務(wù)器所屬葉脊架構(gòu)的交叉互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)中上行、AI服務(wù)器所用的A100、H100等GPU，需用200G以上的高速率光模塊8-10個/片。根據(jù)LightCountingTop3年800G光模塊需求預(yù)計將進一步替代較低速率光模塊的份額，整體高速率光模塊用量和規(guī)格不斷提升，呈量價齊升之勢。圖5：全球數(shù)據(jù)規(guī)模(ZB)數(shù)據(jù)來源：應(yīng)用材料、東方證券研究所圖6：Top5云廠商以太網(wǎng)光模塊市場規(guī)模(百萬美元)0數(shù)據(jù)來源：LightCounting、東方證券研究所。根據(jù)LightCounting數(shù)據(jù)測算，光芯片占光。相對于光模塊和器件，光芯片具有更大的附加價值量彈性，其成本占比分布在低端器件、中端器件、呈現(xiàn)量價齊升的增長趨勢。有關(guān)分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯(lián)系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責(zé)申明。620182019202020212022E2023E2024E2025E2026E2027E數(shù)據(jù)來源：LightCounting、東方證券研究所ICC019-2024年，中片市場的比例將不斷提升。目前，我國光芯片企業(yè)已基本掌握2.5G及以下速率光芯片的核心技術(shù)；部分10G光芯片產(chǎn)品性能要求較高、難度較大，如10GGGDFB激光器芯片有所突破，數(shù)據(jù)中心市場光0%201920202021E2022E2023E2024E數(shù)據(jù)來源：ModorIntelligence、東方證券研究所光芯片分類數(shù)據(jù)來源：源杰科技招股書、東方證券研究所AI務(wù)器及數(shù)據(jù)中心當(dāng)中。海外光芯片企業(yè)已形成產(chǎn)業(yè)閉環(huán)和高行業(yè)壁壘，可自主完成芯片設(shè)計、晶圓外延等關(guān)鍵工序，可量產(chǎn)25G及競爭力將進一步增強。目前全球光模塊市場主要由美中日三國占據(jù)主導(dǎo)地位，2021年光模塊全球前十的生產(chǎn)商中有一半來自中國。隨著國內(nèi)下游模塊廠商海外業(yè)務(wù)的不斷拓展，光芯片可以跟外大廠，國產(chǎn)光芯片發(fā)展前景廣闊。有關(guān)分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯(lián)系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責(zé)申明。7年全球光模塊排名123信寬帶4迅科技56789易盛正源數(shù)據(jù)來源：博創(chuàng)科技、東方證券研究所CPO、LPO、硅光、相干以及薄膜鈮酸鋰等技術(shù)值得關(guān)注，將有力推動光芯片技術(shù)升級和更新膜鈮酸鋰所制備的超高速率電光調(diào)制器有望受益于光器件集成新趨勢，從而打開更加廣闊的市場L精密、長電科技等消費電子/半導(dǎo)體公司也逐步進入光模塊/芯片賽道，有望將成熟技術(shù)應(yīng)用到光促進行業(yè)發(fā)展。品類別長品特性用場景合效率低，本高傳輸硅光芯片耗、集成度高、CMOS傳輸鈮酸鋰調(diào)制片與CMOS工藝兼容傳輸數(shù)據(jù)來源：源杰科技招股書、東方證券研究所有關(guān)分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯(lián)系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責(zé)申明。81CPO是光通訊實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換的長期路徑CPO是長期路徑；LPO易落地，是短中期極具性價比的過渡方案。CPO方案是通過在交換機光電共封裝起到降低成本、降低功耗的目的。長期來看，CPO是實現(xiàn)高集成度、低功耗、低成本以及未來超高速率模塊應(yīng)用方面最優(yōu)的封裝方案。由于目前的技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈尚不成熟等原因，的形式，可靠性高且便于維護，可以直接應(yīng)用于目前成熟的光模塊供應(yīng)鏈。數(shù)據(jù)來源：COBO、gazettabyte、東方證券研究所CPO是在成本、功耗、集成度各個維度上優(yōu)化數(shù)據(jù)中心的光電封裝方案。CPO(Co-packagedOptics)將光模塊不斷向交換芯片靠近，縮短芯片和模塊之間的走線距離，最終將光引擎和電交換芯片封裝成一個芯片。理想情況下，CPO可以逐步取代傳統(tǒng)的可插拔光模塊，將硅光子模塊和超大規(guī)模CMOS芯片以更緊密的形式封裝在一起，從而在成本、功耗和尺寸上都的光互連技術(shù)。數(shù)據(jù)來源：IET數(shù)據(jù)來源：IETResearch、東方證券研究所有關(guān)分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯(lián)系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責(zé)申明。9高速率CPO滲透率預(yù)計從24年開始顯著提升，高速率光模塊需求海外先行。根據(jù)LightCounting數(shù)據(jù)預(yù)測，800G/1.6T光模塊與AOC加上CPO出貨將從2022年不到百萬件增長至2027年超過1500萬件，其中CPO滲透率將從24年開始快速提升。2023年4月5日全球光互連論壇OIF發(fā)布業(yè)界首個3.2T共封裝模塊實施協(xié)議，可見目前海外市場，尤其是高速率板塊對CPO需求更為迫切，國內(nèi)上量節(jié)奏緊隨其后。圖15：800G及1.6T光模塊/光引擎與AOC出貨(萬件)CPO收發(fā)器件及AOC0020212022E2023E2024E2025E2026E2027E數(shù)據(jù)來源：LightCounting、東方證券研究所CPO的發(fā)展需要產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同推進，考驗光模塊/光引擎廠商的長期綜合實力。CPO的技術(shù)路線在逐步推進的過程中本質(zhì)上也是對整個網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)的優(yōu)化，需要數(shù)據(jù)中心整體產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同推進。其中涉及到的環(huán)節(jié)在現(xiàn)有光模塊產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)上預(yù)計還需要得到交換芯片及設(shè)備廠商，以及各元器件廠商的合作。因此CPO的進度本質(zhì)上是對光模塊/光引擎廠商綜合實力的長期考驗，包括在技術(shù)積累與研發(fā)實力，以及下游客戶的關(guān)系。數(shù)據(jù)來源：IETResearch、東方證券研究所MicroTEC是高速率光通信領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)精準(zhǔn)控溫的優(yōu)質(zhì)方案。TEC(ThermoElectricCooler)半導(dǎo)是指利用熱電材料的帕爾貼效應(yīng)制取冷量的器件，又稱熱電制冷器，具有無噪聲、無振降溫散熱，核心在于保持工作波長的穩(wěn)定，激光器波長會根據(jù)自身溫度來進行漂移，如 制。在光模塊領(lǐng)域，對于目前的200G/400G/800G高速光模塊，必須使用MicroTEC來實現(xiàn)工有關(guān)分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯(lián)系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責(zé)申明。數(shù)據(jù)來源：富信科技官網(wǎng)數(shù)據(jù)來源：富信科技官網(wǎng)、東方證券研究所商直接受益于市場增量，對于產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢更具話語權(quán)。目解決方案市占率行業(yè)領(lǐng)先，100G/200G/400G全系列光模塊批量交付，CPO技術(shù)的各種類型功率光源可以用于CPO領(lǐng)域，已向多家客戶送樣測試。銘普光磁的光模塊產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于數(shù)通O有關(guān)分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯(lián)系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責(zé)申明。2LPO是短中期極具性價比的過渡方案LPO光模塊在功耗、時延方面更優(yōu)，設(shè)計核心在于去DSP化。LPO(Linear-drivePluggableOptics)線性驅(qū)動可插拔光模塊是基于LinearDriver芯片技術(shù)實現(xiàn)的可插拔光模塊，線性驅(qū)動的方案的直接表征在于去DSP化，在數(shù)據(jù)鏈路中只使用線性模擬元件，無CDR或DSP的設(shè)計方案。DSP是數(shù)字信號處理器，隨著高性能DSP不斷迭代，目前整體來看高速率光模塊中DSP芯片功耗占比約在50%的水平。因此LPO去DSP在可插拔光模塊上具備顯著數(shù)據(jù)來源：LightCounting、東方證券研究所DSPOpticsElectronicsPowerOverheadTunableLaser27%49%數(shù)據(jù)來源：“LowPowerDSP-BasedTransceiversforDataCenterOpticalFiberCommunications”,JournalofLightwaveTechnology、東方證券研究所短距離、低功耗、低時延、低成本特性使得LPO方案適配AI計算中心。LPO方案的特點是適本保守估計可降低15%，功耗降低50%，時延可從微妙級降至納秒級。這些都是取締DSP而產(chǎn)生的優(yōu)勢，但也在信號恢復(fù)方面有所犧牲。目前的LPO方案其信號恢復(fù)性能主要由Host交換芯片所含的收發(fā)DSP/Serdes，以及線性直驅(qū)driver中的CTLE和TIA中的Pre-emphasize圖21：線性直驅(qū)路線在各材料方案中具備功耗優(yōu)勢(pJ/Bit圖21：線性直驅(qū)路線在各材料方案中具備功耗優(yōu)勢(pJ/Bit)數(shù)據(jù)來源：IPEC、Meta、東方證券研究所數(shù)據(jù)來源：數(shù)據(jù)來源：IPEC、Meta、東方證券研究所有關(guān)分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯(lián)系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責(zé)申明。加速落地，高線性度TIA/Driver廠商大力推進LPO方案。Macom、Semtech、美信等電芯DSPInphi望通過LPO方案繞開DSP短板。因此這些廠商有很強的驅(qū)動力與光模塊封裝設(shè)計廠商合作，比如目前Macom與劍橋科技的戰(zhàn)略合作等。加上LPO方案在性能、成本等方面確有不小的優(yōu)勢，契合服務(wù)器廠商需求，整體推進速C用戶建立起了良好合作關(guān)系，并積極推動LPO相關(guān)測試項目的進展，力爭在LPO相關(guān)產(chǎn)品的市有關(guān)分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯(lián)系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責(zé)申明。3硅光集成趨勢下光引擎地位凸顯“以光代電”，硅光模塊對比傳統(tǒng)光模塊在高速率領(lǐng)域具有高集成度、低成本、低功耗的顯著優(yōu)底材料，通過CMOS工藝進行光器件開發(fā)和集成的新一代技術(shù)。硅光模塊產(chǎn)生的核心理念是件與人工成本也相對減少。在400G及以上的高速率的場景中，傳統(tǒng)DML和EML成本較高，為顯著。數(shù)據(jù)來源：Intel、VentureBeat、東方證券研究所G數(shù)據(jù)來源：博創(chuàng)科技、東方證券研究所硅光芯片中的光器件分為有源器件和無源器件。硅光芯片中的有源器件包括激光器、調(diào)制器和光收芯片，并開展列陣化的應(yīng)用，最終通過光子集成技術(shù)(PIC)來實現(xiàn)硅光芯片。其中，核心硅器、硅光調(diào)制器、光電探測器、無源復(fù)用技術(shù)等。有關(guān)分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯(lián)系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責(zé)申明。硅基激光器直接外延生長集成，后者是未來實現(xiàn)硅光大規(guī)模生產(chǎn)的可行方案。硅光調(diào)制器成在硅光芯片上的調(diào)制器；硅光調(diào)制器集成度高、消光比較高、損耗低、驅(qū)動電探測器基片上的高頻探測器主要有混合集成III-V族和硅CMOS，是目前的主流方案。用技術(shù)容量，通常采用復(fù)用技術(shù)把多個低速信道組合成一個高速信道。其信信道。數(shù)據(jù)來源：MEMS、華中科技大學(xué)武漢光電國家研究中心、東方證券研究所光引擎產(chǎn)品形態(tài)順應(yīng)集成化發(fā)展規(guī)律。光引擎指的是光收發(fā)模塊中負責(zé)處理光信號的部分。而高速光引擎是高速光收發(fā)模塊的核心器件，在高速發(fā)射芯片和接收芯片封裝基礎(chǔ)上集成了精密微光硅光芯片集成高速光引擎趨勢確定性強。硅光技術(shù)將硅光模塊中的光學(xué)器件、電子元件整合到一個獨立的微芯片中，使光信號處理與電信號的處理深度融合，實現(xiàn)真正意義上的“光互聯(lián)”。硅光集成大規(guī)模應(yīng)用之后，電芯片和硅光集成芯片與光纖連接，形成光引擎。相比分立器件光模塊，硅光器件不需要OSA封裝，具有低成本、高性能的優(yōu)勢。向硅光芯片集成高速光引擎的發(fā)展趨勢是目前行業(yè)共識。數(shù)據(jù)來源：fibermall、東方證券研究所有關(guān)分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯(lián)系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責(zé)申明。G0G高速率激光器芯片產(chǎn)品以及硅光直流光源大功率激光器芯片日壟斷企業(yè)的全面對標(biāo)。立訊精密800G硅光模塊已在多家客戶完成測試，小批量交付正在準(zhǔn)備中。4“相干下沉”+相干光鏈路空間可期數(shù)據(jù)中心光互聯(lián)方案可根據(jù)其傳輸距離來選擇兩種支撐技術(shù)，直接探測技術(shù)與相干探測技術(shù)。隨著光模塊速率的不斷提升，直接探測方案的傳輸距離將受到限制，相干探測憑借著高容量、高信化，相干探測可探測出光的振幅、頻率、位相、偏振態(tài)攜帶的所有信息，并且取代傳統(tǒng)光復(fù)用技術(shù)的大頻率間隔，具有以頻分復(fù)用實現(xiàn)更高傳輸速率的潛在優(yōu)勢。相干檢測能改善接收機的靈敏度，在相同的條件下，相干接收機比普通接收機提高靈敏度約20dB，可以達到接近散粒噪聲極信號的無中繼傳輸距離。市場增長。目前全球通信市場主要采用“相干下沉”的解決方案，相干技術(shù)從過去的適用于大于1000km的骨干網(wǎng)，逐步下沉到傳輸距離為100km到1000km的城域網(wǎng)，甚至小于100km的距離的邊緣接入網(wǎng)，以及80km至120km的數(shù)據(jù)中心互聯(lián)領(lǐng)域。在數(shù)通領(lǐng)域，相干技術(shù)也已經(jīng)成為數(shù)據(jù)中心間互聯(lián)的主流方案。預(yù)計未來鏈路的用量將迎來井噴式增長。數(shù)據(jù)來源：易飛揚通信、東方證券研究所數(shù)據(jù)來源：數(shù)據(jù)來源：易飛揚通信、東方證券研究所相干光隨應(yīng)用距離下沉，市場增量可期，華工科技、中際旭創(chuàng)等廠商有望受益。華工科技的相干光模塊產(chǎn)品在北美市場表現(xiàn)亮眼，推出了全球第一個400GZR+PRO產(chǎn)品，在發(fā)射光功率、接算”工程和算力樞紐建設(shè)。有關(guān)分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯(lián)系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責(zé)申明。5薄膜鈮酸鋰調(diào)制器有望借勢破局電光調(diào)制器是超高速數(shù)據(jù)中心和相干光傳輸?shù)暮诵墓馄骷?，體材料鈮酸鋰具備優(yōu)勢。電光調(diào)制器通過調(diào)制將通信設(shè)備中的高速電子信號轉(zhuǎn)化為光信號，是光通信系統(tǒng)中不可或缺的一環(huán)。目前光調(diào)制的技術(shù)主要基于硅光、磷化銦和鈮酸鋰三種材料平臺的電光調(diào)制器。其中鈮酸鋰電光系數(shù)顯著高于磷化銦，而硅沒有直接電光系數(shù)，因而鈮酸鋰調(diào)制器是大容量光纖傳輸網(wǎng)絡(luò)和高速光電信硅光方案程的數(shù)據(jù)通信用收發(fā)模塊，低能耗性能一般、帶寬、插入損耗大化銦方案發(fā)模塊率低、功耗偏振器件無法集成酸鋰方案s心傳輸損耗小、工藝成熟數(shù)據(jù)來源：光庫科技公告、公開調(diào)研紀要、東方證券研究所性能高、尺寸小、成本低的特性，有望成為高速光互聯(lián)新寵。新一代薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片技術(shù)將解決尺寸大不利于集成的問題。鈮酸鋰材料通過新型微納工藝，在硅基襯底上蒸鍍二氧化硅(SiO2)層，將鈮酸鋰襯底高溫鍵合構(gòu)造出解理面，最后剝離出鈮酸鋰薄膜。該工藝下制備出的薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片具有高性能、低成本、小尺寸、CMOS點，是未來高速光互連極具競爭力的解決方案。圖31數(shù)據(jù)來源：ori-chip數(shù)據(jù)來源：ori-chip、東方證券研究所為鈮酸鋰薄膜的圖形化。鈮酸鋰單晶薄膜相對較硬，組分特殊，難以刻蝕。目前已公開的鈮酸鋰薄膜圖形化技術(shù)路線中，主要包括電子束光刻(EBL)+干法刻蝕/濕法刻蝕、紫外+干法刻蝕、DUV+干法刻蝕四種。其中，相對于濕法刻蝕，干法刻蝕對薄膜鈮酸鋰的形貌和刻蝕速率的可控性更高，運用EBL+干法刻蝕的路線能夠充分發(fā)揮電子束光活、無需掩膜版直接曝光等優(yōu)點。有關(guān)分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯(lián)系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責(zé)申明。線1電子束光刻(EBL)+干法刻蝕無機光刻膠(HSQ)氯丁橡膠(Cr)電子束正膠(ZEP520)電子束正膠(CSAR62)2電子束光刻(EBL)+濕法刻蝕硅3干法刻蝕4光刻機(DUV)+干法刻蝕非晶硅(a-Si)硅數(shù)據(jù)來源：LaserHub光通信、東方證券研究所位關(guān)鍵。電信級鈮酸鋰高速調(diào)制器芯片產(chǎn)品設(shè)計難度大，工藝非常復(fù)雜。根據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，全球主要批量供貨體材料鈮酸鋰調(diào)制器的企業(yè)為富士通、住友和光庫科技三家。而薄膜鈮酸鋰在此基礎(chǔ)上通過上下分布二氧化硅壓縮光斑，拉近電極的距離，提高電場、射頻帶寬，技術(shù)壁壘再上一個臺階。目前在薄膜鈮酸鋰領(lǐng)域已有布局的廠商于超高速率電光調(diào)制器需求提升。名稱況企業(yè)2009年推出世界上第一個高速大容量光傳輸?shù)拟壦徜囌{(diào)制器，2017年推出600G鈮酸鋰調(diào)制器，全球市場份額為70%光器件業(yè)務(wù)主要由子公司SumitomoOsakaCementCo.,Ltd運營庫科技收購Lumentum相關(guān)產(chǎn)品線進入該領(lǐng)域參與者Thorlabs、JDSUniphase、AVANE、PHOTLINE、Neotrons、NTT、數(shù)據(jù)來源：智研咨詢、東方證券研究所薄膜鈮酸鋰調(diào)制器產(chǎn)業(yè)鏈有望借勢打開局面，福晶科技、光庫科技等廠商具備關(guān)鍵核心能力。福晶科技是全球非線性光學(xué)晶體龍頭，開展獨立自主研發(fā)，能夠提供各種規(guī)格高質(zhì)量的鈮酸鋰晶體，LumentumLumentum的鈮酸鋰高備G力。有關(guān)分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯(lián)系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責(zé)申明。6投資建議AI算力需求增長趨勢確定，預(yù)計直接提升高速率光模塊產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌鲈隽?，光芯片作為光模塊的核心器件有望深度受益，我們看好其在國產(chǎn)替代和技術(shù)創(chuàng)新趨勢下的表現(xiàn)。光賽道技術(shù)領(lǐng)先的供應(yīng)于市場增量，對于產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢更具話語權(quán)。2)薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片作為一種新的光電調(diào)制方式，有望成為高速光互聯(lián)更優(yōu)解決方案，建科技(002222，未評級)；3)MicroTEC是目前高速率光通信領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)精準(zhǔn)控溫的優(yōu)質(zhì)方案，建議關(guān)注富信科技(688662，風(fēng)險提示業(yè)盈利能力?？?。O有關(guān)分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯(lián)系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責(zé)申明。每位負責(zé)撰寫本研究報告全部或部分內(nèi)容的研究分析師在此作以下聲明：分析師在本報告中對所提及的證券或發(fā)行人發(fā)表的任何建議和觀點均準(zhǔn)確地反映了其個人對該證券或發(fā)行人的看法和判斷；分析師薪酬的任何組成部分無論是在過去、現(xiàn)在及將來，均與其在本或觀點無任何直接或間接的關(guān)系。公司投資評級的量化標(biāo)準(zhǔn)數(shù)收益率在-5%以下。級相關(guān)信息。存在潛在的利益沖突情形；亦或是研究報告發(fā)布當(dāng)時該股票的價值和價格分析存在重大不確定性，缺乏足夠的研究依據(jù)支持分析師給出明確投資評級；分析師在上述情況下暫停對該股票給予投資評級等信息，投資者需要注意在此報告發(fā)布之前曾給予該股票的投資評級、盈利有效。行業(yè)投資評級的量化標(biāo)準(zhǔn)：準(zhǔn)指