現(xiàn)代分析測(cè)試技術(shù)

現(xiàn)代分析測(cè)試技術(shù)第一頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期三離子濺射過(guò)程：一定能量的離子打到固體表面→引起表面原子、分子或原子團(tuán)的二次發(fā)射—濺射離子；濺射的粒子一般以中性為主，有＜1%的帶有正、負(fù)電荷—二次離子；二次離子質(zhì)譜：利用質(zhì)量分析器接收分析二次離子質(zhì)量—電荷比值（m/Z）獲得二次離子質(zhì)譜，判斷試樣表面的元素組成和化學(xué)狀態(tài)；濺射產(chǎn)額：影響二次離子產(chǎn)額因素→與入射離子能量、入射角度、原子序數(shù)均有一定關(guān)系，并與靶原子的原子序數(shù)、晶格取向有關(guān)；離子濺射與二次離子質(zhì)譜第二頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期三聚苯乙烯的二次離子質(zhì)譜第三頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期三離子源質(zhì)量分析器檢測(cè)器二次離子質(zhì)譜二次離子深度分析二次離子分布圖像二次離子質(zhì)譜系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖12345第四頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期三初級(jí)離子槍：熱陰極電離型離子源，雙等離子體離子源，液態(tài)金屬場(chǎng)離子源；離子束的純度、電流密度直接影響分析結(jié)果；二次離子分析器：分析質(zhì)荷比→磁偏式、四極式（靜態(tài)SIMS）、飛行時(shí)間式（流通率高，測(cè)量高質(zhì)量數(shù)離子）質(zhì)量分析器；分析能力取決于分析器的穿透率及質(zhì)量解析能力；離子探測(cè)器：離子流計(jì)數(shù)→高離子電流采用法拉第杯；低離子電流采用電子倍增管；數(shù)據(jù)采集和處理系統(tǒng)：控制分析工作的進(jìn)行與數(shù)據(jù)處理；主真空室：10-7

Pa—保持清潔表面；輔助裝置：電子中和槍—分析絕緣樣品時(shí)，表面局部帶電會(huì)改變二次離子發(fā)射的→中和表面的荷電效應(yīng)；

二次離子質(zhì)譜儀基本部件第五頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期三可以在超高真空條件下得到表層信息；可檢測(cè)包括H在內(nèi)的全部元素；可檢測(cè)正、負(fù)離子；可檢測(cè)同位素；可檢測(cè)化合物，并能給出原子團(tuán)、分子性離子、碎片離子等多方面信息；可進(jìn)行面分析和深度剖面分析；對(duì)很多元素和成分具有ppm甚至ppb量級(jí)的高靈敏度；二次離子質(zhì)譜—系統(tǒng)基本特性第六頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期三表面元素定性分析表面元素定量分析技術(shù)元素深度剖面分析微區(qū)分析軟電離分析二次離子質(zhì)譜分析技術(shù)第七頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期三分析特點(diǎn)：不斷剝離下進(jìn)行SIMS分析—獲得各種成分的深度分布信息；深度分辨率：實(shí)測(cè)的深度剖面分布與樣品中真實(shí)濃度分布的關(guān)系—入射離子與靶的相互作用、二次離子的平均逸出深度、入射離子的原子混合效應(yīng)、入射離子的類型，入射角，晶格效應(yīng)都對(duì)深度分辨有一定影響。

動(dòng)態(tài)SIMS—深度剖面分析第八頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期三SIM/IMS材料表面面分布技術(shù)：空間分辨率可達(dá)亞微米量級(jí)動(dòng)態(tài)SIMS—面分布分析第九頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期三有機(jī)物分析:適合不揮發(fā)、熱穩(wěn)定較差的靜態(tài)SIMS—軟電離分析技術(shù)第十頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期三表面探測(cè)深度：探測(cè)時(shí)對(duì)表面的破壞性元素檢測(cè)范圍：檢測(cè)靈敏度：最小可檢測(cè)的靈敏度，檢測(cè)靈敏度對(duì)不同元素的差別；微區(qū)分析能力：空間分辨率；譜峰分辨率：元素的化學(xué)態(tài)的判斷；是否易