實(shí)驗(yàn)六半導(dǎo)體器件物理特性仿真_第1頁(yè)
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NVDSVDSVGSNMOSFET,VDS,VGS=0IDS=0VGS>VTIDS>0。MOSFET計(jì)算機(jī)、SlivacoTCADvt=3.41699beta=8.4438e-006 theta=1.08352tOX=0.08um,0.04umvt=3.41699V,vt=2.84456V,可減小兩個(gè)N(同時(shí)需改變網(wǎng)格密度vt=3.41699V,vt=3.42316V,閾值電壓變化不明顯閾值電壓與LL,閾值電壓變化不明顯。vt=3.41699V,vt3.73249V,閾值電壓增大 勢(shì)

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