2023學(xué)年完整公開課版c磁場修改省

解帶電粒子在磁場中做勻速圓周運(yùn)動難點(diǎn)要點(diǎn)關(guān)健點(diǎn)聯(lián)系圓周幾何知識必備幾何知識判受力定圓心畫軌跡＋必備幾何知識幾何半徑和運(yùn)動半徑幾何角度和運(yùn)動時間運(yùn)動半徑和運(yùn)動時間作圖聯(lián)系過程幾何知識決定成敗進(jìn)出對稱（1）進(jìn)出同一界線：必備的幾何特點(diǎn)直進(jìn)直出斜進(jìn)斜出AB過B點(diǎn)速度方向？沒有邊界怎么辦？進(jìn)出對稱（1）進(jìn)出同一界線：進(jìn)出兩界線自己畫一界線vAB沒有邊界自己作進(jìn)出兩界線怎樣定？徑線、中垂線，三線中任二線交于圓心（3）兩線定圓心速度偏轉(zhuǎn)角＝等于轉(zhuǎn)過對應(yīng)的圓心角=

2倍弦切角（2）角度關(guān)系αα如對著圓心來，必背離圓心去（4）進(jìn)出圓形磁場區(qū)域速度偏轉(zhuǎn)角一定等于轉(zhuǎn)過的圓心角三線中任二線交于圓心來去一心二線定心兩角相同對著圓心飛入m、q(正)離子,飛入半徑為r的圓形磁場區(qū)域，磁場B，飛出時速度偏轉(zhuǎn)了α角，m飛入的速度v=？，飛過磁場的時間t=?αm、－q的離子，由靜止經(jīng)過AB間電壓加速后飛入一半徑為R的絕緣圓筒中，筒內(nèi)存在垂直向里的勻強(qiáng)磁場.粒子與筒壁的碰撞是彈性碰撞。（1）若加速電壓為U已知，經(jīng)過7次碰撞后又恰好從圓筒孔中飛出，則磁場B＝？（一周內(nèi)）（2）若磁場B0已知，所加電壓U0為多少時，能發(fā)生n次碰撞后雙從孔中飛出？（一周內(nèi)）ABU+-××××（4）進(jìn)出圓形磁場區(qū)域xON區(qū)域半徑與運(yùn)動半徑相等平行會聚于一點(diǎn)一點(diǎn)發(fā)散成平行+q.B1×B2（5）進(jìn)出兩反向磁場如B2=2B1兩園心和轉(zhuǎn)折點(diǎn)三點(diǎn)共線速度與界線的夾角總相等（6）已知進(jìn)出兩速度方向vv圓周上任意兩速度必與圓周軌跡相切一帶電質(zhì)點(diǎn)，質(zhì)量為m，電量為q，以平行于x軸的速度v從y軸上的a點(diǎn)射入圖中第一象限所示的區(qū)域，為了使該質(zhì)點(diǎn)能從x軸上的b點(diǎn)以垂直于x軸的速度v射出，可在適當(dāng)?shù)牡胤郊右粋€垂直于xy平面、磁感強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場．若此磁場僅分布在一個圓形區(qū)域內(nèi)，試求這圓形磁場區(qū)域的最小半徑．重力忽略不計．v0v0一段圓周運(yùn)動：起終兩速度必與圓相切用圓雙切法

一帶電質(zhì)點(diǎn)，質(zhì)量為m，電量為q，以與x軸成θ的速度v從X軸上的P點(diǎn)射入圖中第Ⅰ象限，為了使該質(zhì)點(diǎn)能從Y軸上的Q點(diǎn)以垂直于Y軸的速度v射出，可在適當(dāng)?shù)牡胤郊右粋€垂直于xy平面、磁感強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場．若此磁場僅分布在一個圓形區(qū)域內(nèi)，試求這圓形磁場區(qū)域的最小半徑．重力忽略不計．vQθXYPv磁場區(qū)域圓（7）大量粒子各向輻射軌跡特征A、B為水平放置的足夠長的平行板，距板下方d=1.O×10-2m有一電子源P，各個方向發(fā)射速度在O～2.4×107m／s，磁場B=9.1×10-3T，正電子的質(zhì)量m=9.1×10-31kg，電量e=1.6×10-19C，Q為P點(diǎn)正上方板上的一點(diǎn)，求能擊中AB板的電子在AB板上的范圍．ABPQθ（7）大量粒子各向輻射定邊界范圍（1）用雙圓限制區(qū)域（2）一切、一交兩