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2022-2023學(xué)年河南省濮陽市曙光高級(jí)中學(xué)高二物理期末試卷含解析一、選擇題:本題共5小題,每小題3分,共計(jì)15分.每小題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題意1.(多選題)一顆子彈以某一水平速度擊中靜止在光滑水平面上的木塊,并從中穿出,對(duì)于這一過程,下列說法中正確的是()A.子彈減小的機(jī)械能等于木塊增加的機(jī)械能B.子彈和木塊組成的系統(tǒng)機(jī)械能的損失量等于系統(tǒng)產(chǎn)生的熱量C.子彈減少的機(jī)械能等于木塊增加的動(dòng)能與木塊增加的內(nèi)能之和D.子彈減少的動(dòng)能等于木塊增加的動(dòng)能與子彈和木塊增加的內(nèi)能之和參考答案:BD【考點(diǎn)】動(dòng)能定理的應(yīng)用;功能關(guān)系.【分析】子彈和木塊所受水平作用力(相互摩擦力)大小相等,可認(rèn)為是恒力.但二者的位移大小不同,做功不同.根據(jù)能量守恒解決問題.【解答】解:A、由于子彈和木塊的滑動(dòng)摩擦力做負(fù)功,根據(jù)能量守恒,子彈減小的機(jī)械能轉(zhuǎn)化成木塊增加的機(jī)械能和內(nèi)能.故A錯(cuò)誤.B、由于子彈和木塊的滑動(dòng)摩擦力做負(fù)功,根據(jù)能量守恒得:子彈和木塊組成的系統(tǒng)機(jī)械能的損失量等于系統(tǒng)產(chǎn)生的熱量,故B正確.C、子彈減少的機(jī)械能等于木塊增加的動(dòng)能與系統(tǒng)增加的內(nèi)能之和,故C錯(cuò)誤.D、子彈減少的動(dòng)能等于木塊增加的動(dòng)能與子彈和木塊增加的內(nèi)能之和,故D正確.故選BD.2.(單選)將閉合多匝線圈置于僅隨時(shí)間變化的磁場(chǎng)中,線圈平面與磁場(chǎng)方向垂直,關(guān)于線圈中產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)和感應(yīng)電流,下列表述正確的是()。A.感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小與線圈的匝數(shù)無關(guān)B.穿過線圈的磁通量越大,感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)越大C.穿過線圈的磁通量變化越快,感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)越大D.感應(yīng)電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)方向與原磁場(chǎng)方向始終相同參考答案:C3.下列過程中,哪個(gè)是電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能
A.太陽能電池充電
B.電燈照明
C.電風(fēng)扇工作
D.風(fēng)力發(fā)電參考答案:C4.有一束帶電粒子流,包含著質(zhì)子和氘核,它們具有相同的速度,沿垂直于磁場(chǎng)方向射入矩形有界磁場(chǎng)區(qū)(如圖中虛線框所示)以后,分成了兩束粒子流①和②,已知>0,下列說法正確的是A.磁場(chǎng)方向垂直紙面向里
B.磁場(chǎng)方向垂直紙面向外C.粒子流①是質(zhì)子流
D.粒子流②是質(zhì)子流參考答案:BD5.一環(huán)形跑道的周長(zhǎng)為400m,運(yùn)動(dòng)員沿跑道跑完一周,他運(yùn)動(dòng)的路程和位移的大小分別為(
)A.0,0
B.0,400m C.400m,0
D.400m,400m參考答案:C二、填空題:本題共8小題,每小題2分,共計(jì)16分6.如圖所示為某同學(xué)利用方格坐標(biāo)紙測(cè)定半圓形玻璃磚折射率實(shí)驗(yàn)的記錄情況,虛線為半徑與玻璃磚相同的圓,在沒有其它測(cè)量工具的情況下,只需由坐標(biāo)紙即可測(cè)出玻璃磚的折射率.則玻璃磚所在位置為圖中的
(填“上半圓”或“下半圓”),由此計(jì)算出玻璃磚的折射率為
.參考答案:上半圓
1.57.一個(gè)氣泡(氣泡內(nèi)氣體視為理想氣體)從恒溫水池的底部緩慢向上升起,上升過程中氣泡內(nèi)氣體
(選填“吸熱”或“放熱”),其內(nèi)能
、壓強(qiáng)
(選填“減小”、“增大”或“不變”)。參考答案:吸熱,不變,減小氣泡緩慢上升的過程中,外部的壓強(qiáng)逐漸減小,氣泡膨脹對(duì)外做功,由于外部恒溫,在上升過程中氣泡內(nèi)空氣的溫度始終等于外界溫度,則內(nèi)能不變,根據(jù)熱力學(xué)第一定律可得知,氣泡內(nèi)能不變,同時(shí)對(duì)外做功,所以必須從外界吸收熱量,溫度不變,體積膨脹,根據(jù)理想氣體狀態(tài)方程知壓強(qiáng)減小。8.甲、乙兩水平彈簧振子的彈簧勁度系數(shù)相同,振動(dòng)圖象如圖所示,則可知兩彈簧振子所受回復(fù)力最大值之比為F甲∶F乙=________,振子的振動(dòng)頻率之比f甲∶f乙=________。參考答案:9.(4分)如圖,框架面積為S,框架平面與磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)方面垂直,則穿過平面的磁通量為(磁場(chǎng)只占線圈的一半面積)
(1)如圖位置時(shí)等于____________;
(2)若使框架繞OO'轉(zhuǎn)過60o角時(shí)等于__________。參考答案:(1)BS
(2)010.有一種“隱形飛機(jī)”,可以有效避開雷達(dá)的探測(cè),秘密之一在于它的表面有一層特殊材料,這種材料能夠_________(填“增強(qiáng)”或“減弱”)對(duì)電磁波的吸收作用;秘密之二在于它的表面制成特殊形狀,這種形狀能夠_________(填“增強(qiáng)”或“減弱”)電磁波反射回雷達(dá)設(shè)備.參考答案:增強(qiáng)
減弱解:現(xiàn)代的“隱形飛機(jī)”之所以能夠避開雷達(dá)的探測(cè),其原因在于它的表面制成特殊形狀,這種形狀能夠減弱電磁波的反射,同時(shí)隱形飛機(jī)的表面有一層特殊材料,這種材料能夠增強(qiáng)對(duì)電磁波的吸收作用,使得雷達(dá)受到反射回來的電磁波發(fā)生變化,即導(dǎo)致雷達(dá)無法根據(jù)反射回來的電磁波判斷前方物體.故答案為:增強(qiáng);減弱.11.如圖所示,L1、L2是輸電線,甲是________互感器,若甲圖中原副線圈匝數(shù)比為1000:1,乙圖中原副線圈匝數(shù)比為1:20,且電壓表示數(shù)100V,電流表示數(shù)2A,則線路輸送電壓為_____
___,電流為________.參考答案:電壓,100000V,40A
12.如圖為某電場(chǎng)的部分電場(chǎng)線.如A、B兩點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)分別記為EA、EB,電勢(shì)分別記為φA、φB,則EA
EB,φA
φB.(選填“大于”、“小于”或“等于”).參考答案:大于,小于.【考點(diǎn)】電場(chǎng)強(qiáng)度;電勢(shì).【分析】電場(chǎng)線與等勢(shì)面垂直.電場(chǎng)線密的地方電場(chǎng)的強(qiáng)度大,電場(chǎng)線疏的地方電場(chǎng)的強(qiáng)度小,沿電場(chǎng)線的方向,電勢(shì)降低.【解答】解:由電場(chǎng)線的分布可知,A點(diǎn)的電場(chǎng)線密,所以A點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)大,所以EB<EA,再根據(jù)沿電場(chǎng)線的方向電勢(shì)降低可知,φA<φB故答案為:大于,小于.13.在右圖所示的電場(chǎng)中,A、B兩點(diǎn)相比,
點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)較大,
點(diǎn)的電勢(shì)較高。參考答案:B,
B,三、簡(jiǎn)答題:本題共2小題,每小題11分,共計(jì)22分14.分子勢(shì)能隨分子間距離r的變化情況可以在如圖所示的圖象中表現(xiàn)出來,就圖象回答:(1)從圖中看到分子間距離在r0處分子勢(shì)能最小,試說明理由.(2)圖中分子勢(shì)能為零的點(diǎn)選在什么位置?在這種情況下分子勢(shì)能可以大于零,也可以小于零,也可以等于零,對(duì)嗎?(3)如果選兩個(gè)分子相距r0時(shí)分子勢(shì)能為零,分子勢(shì)能有什么特點(diǎn)?參考答案:解:(1)如果分子間距離約為10﹣10m數(shù)量級(jí)時(shí),分子的作用力的合力為零,此距離為r0.當(dāng)分子距離小于r0時(shí),分子間的作用力表現(xiàn)為斥力,要減小分子間的距離必須克服斥力做功,因此,分子勢(shì)能隨分子間距離的減小而增大.如果分子間距離大于r0時(shí),分子間的相互作用表現(xiàn)為引力,要增大分子間的距離必須克服引力做功,因此,分子勢(shì)能隨分子間距離的增大而增大.從以上兩種情況綜合分析,分子間距離以r0為數(shù)值基準(zhǔn),r不論減小或增大,分子勢(shì)能都增大.所以說,分子在平衡位置處是分子勢(shì)能最低點(diǎn).(2)由圖可知,分子勢(shì)能為零的點(diǎn)選在了兩個(gè)分子相距無窮遠(yuǎn)的位置.因?yàn)榉肿釉谄胶馕恢锰幨欠肿觿?shì)能最低點(diǎn),據(jù)圖也可以看出:在這種情況下分子勢(shì)能可以大于零,也可以小于零,也可以等于零是正確的.(3)因?yàn)榉肿釉谄胶馕恢锰幨欠肿觿?shì)能的最低點(diǎn),最低點(diǎn)的分子勢(shì)能都為零,顯然,選兩個(gè)分子相距r0時(shí)分子勢(shì)能為零,分子勢(shì)能將大于等于零.答案如上.【考點(diǎn)】分子勢(shì)能;分子間的相互作用力.【分析】明確分子力做功與分子勢(shì)能間的關(guān)系,明確分子勢(shì)能的變化情況,同時(shí)明確零勢(shì)能面的選取是任意的,選取無窮遠(yuǎn)處為零勢(shì)能面得出圖象如圖所示;而如果以r0時(shí)分子勢(shì)能為零,則分子勢(shì)能一定均大于零.15.(10分)“玻意耳定律”告訴我們:一定質(zhì)量的氣體.如果保持溫度不變,體積減小,壓強(qiáng)增大;“查理定律”指出:一定質(zhì)量的氣體,如果保持體積不變,溫度升高.壓強(qiáng)增大;請(qǐng)你用分子運(yùn)動(dòng)論的觀點(diǎn)分別解釋上述兩種現(xiàn)象,并說明兩種增大壓強(qiáng)的方式有何不同。參考答案:一定質(zhì)量的氣體.如果溫度保持不變,分子平均動(dòng)能不變,每次分子與容器碰撞時(shí)平均作用力不變,而體積減小,單位體積內(nèi)分子數(shù)增大,相同時(shí)間內(nèi)撞擊到容器壁的分子數(shù)增加,因此壓強(qiáng)增大,(4分)一定質(zhì)量的氣體,若體積保持不變,單位體積內(nèi)分子數(shù)不變,溫度升高,分子熱運(yùn)動(dòng)加劇,對(duì)容器壁碰撞更頻繁,每次碰撞平均作用力也增大,所以壓強(qiáng)增大。(4分)第一次只改變了單位時(shí)間內(nèi)單位面積器壁上碰撞的分子數(shù);而第二種情況下改變了影響壓強(qiáng)的兩個(gè)因素:?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)單位面積上碰撞的次數(shù)和每次碰撞的平均作用力。(2分)四、計(jì)算題:本題共3小題,共計(jì)47分16.一個(gè)小球從1.25m高處被水平拋出,落到地面的位置與拋出點(diǎn)的水平距離為2.5m,不計(jì)空氣阻力,g=10m/s2。求:(1)小球在空中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間;(2)小球被拋出時(shí)速度的大小。參考答案:17.如圖所示,光滑平行的水平金屬導(dǎo)軌MNPQ相距L,在M點(diǎn)和P點(diǎn)間接一個(gè)阻值為R的電阻,在兩導(dǎo)軌間矩形區(qū)域內(nèi)有垂直導(dǎo)軌平面豎直向下、寬為d的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感強(qiáng)度為B.一質(zhì)量為m,電阻為r的導(dǎo)體棒ab,垂直擱在導(dǎo)軌上,與磁場(chǎng)左邊界相距d0.現(xiàn)用一大小為F、水平向右的恒力拉ab棒,使它由靜止開始運(yùn)動(dòng),棒ab在離開磁場(chǎng)前已經(jīng)做勻速直線運(yùn)動(dòng)(棒ab與導(dǎo)軌始終保持良好的接觸,導(dǎo)軌電阻不計(jì)).求:(1)在圖中標(biāo)出當(dāng)棒ab進(jìn)入磁場(chǎng)后流過電阻R的電流方向;(2)棒ab在離開磁場(chǎng)右邊界時(shí)的速度;(3)棒ab通過磁場(chǎng)區(qū)的過程中整個(gè)回路所消耗的電能.
參考答案:解:(1)流過電阻R的電流方向由M指向P(2)ab棒離開磁場(chǎng)右邊界前做勻速運(yùn)動(dòng),設(shè)速度為vm,則:對(duì)ab棒勻速運(yùn)動(dòng)有平衡條件得
=0
得(3)對(duì)ab棒從啟動(dòng)到離開磁場(chǎng)右界,由能量守恒可得:得:
18.19.(12分)在光滑水平面上靜置有質(zhì)量均為m的木板AB和滑塊CD,木板AB上表面粗糙,動(dòng)摩擦因數(shù)為μ,滑塊CD上表面為光滑的1/4圓弧,它們緊靠在一起,如圖1-93所示.一可視為質(zhì)點(diǎn)的物塊P質(zhì)量也為m,它從木板AB右端以初速v0滑入,過B點(diǎn)時(shí)速度為v0/2,后又滑上滑塊,最終恰好滑到最高點(diǎn)C處,求:(1)物塊滑到B處時(shí),木板的速度vAB;(2)木板的長(zhǎng)度L;(3)物塊滑到C處時(shí)滑塊CD的動(dòng)能.參考答案:解:(1)物體由A滑至B的過程中,由三者系統(tǒng)水平方向動(dòng)量守恒得:mv0=mv
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