EEPROM-讀寫邏輯說課講解

EEPROM-讀寫邏輯精品文檔EEPROM的讀寫邏輯一：對EEPROM的讀和寫1，ReadEEPROMlogic讀EEPROM的數(shù)據(jù)和一般讀 flash數(shù)據(jù)沒什么區(qū)別，DZ128有兩頁EEPROM空間；都共用地址 0x3C00~0x3FFF；通過設(shè)定寄存器來選擇 cpu操作第一頁或者第二頁。讀EEPROM函數(shù)：INT8UsEepromRead(INT16UwAddr,INT16UwLength,INT8U*pbBuffer)wAddr：讀取EEPROM的首地址；wLength：讀取數(shù)據(jù)長度pbBuffer：保存數(shù)據(jù)的首地址2，WriteEEPROMlogic寫EEPROM函數(shù)：INT8U sEepromWrite(INT16UwAddr,INT16UwLength,INT8U*pbBuffer)wAddr：寫進(jìn)EEPROM首地址（只是作為一個(gè)判定的作用，代碼里面都是從0開始寫）wLength：數(shù)據(jù)長度pbBuffer：數(shù)據(jù)源地址向EEPROM寫數(shù)據(jù)的流程如下：收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請聯(lián)系管理員刪除精品文檔二，ICM對EEPROM的處理邏輯EEPROM用來保存一些掉電不會(huì)消失的數(shù)據(jù)，如一些校正參數(shù)等； ICM對EEPROM進(jìn)行操作的基本邏輯是：當(dāng)機(jī)器啟動(dòng)時(shí)，將 EEPROM的相關(guān)參數(shù)保存至MCU的內(nèi)部RAM中，如果發(fā)生錯(cuò)誤則將默認(rèn)值作為參考值使用，當(dāng)機(jī)器掉電后將RAM中的對應(yīng)參數(shù)保存到 EEPROM中去。1，初始化時(shí)讀EEPROM數(shù)據(jù)；當(dāng)機(jī)器剛開機(jī)時(shí)，MCU會(huì)將EEPROM的信息保存到MCU的內(nèi)部RAM中去；當(dāng)以下條件有一個(gè)發(fā)生錯(cuò)誤則 MCU將會(huì)認(rèn)為EEPROM發(fā)生錯(cuò)誤，會(huì)將默認(rèn)值作為EEPROM的參數(shù)值來被MCU引用，并且在斷電前將對應(yīng)參數(shù)寫進(jìn)EEPROM中；A，讀取的數(shù)據(jù)長度參數(shù)錯(cuò)誤B，Checksum錯(cuò)誤收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請聯(lián)系管理員刪除精品文檔注：問題這樣的邏輯是有問題存在的，例如，如果發(fā)生了 EEPROM的讀寫錯(cuò)誤，機(jī)器將會(huì)默認(rèn)值寫到 EEPROM中去，但是這參數(shù)不是校正后的數(shù)值，因此需要再次校正才能保證機(jī)器的工作精度；所以應(yīng)該將校正后的參數(shù)值作為機(jī)器的默認(rèn)值較為合理。2，掉電后向EEPROM寫數(shù)據(jù)a),斷電觸發(fā)信號會(huì)觸發(fā) MCU將RAM中的對應(yīng)數(shù)據(jù)寫到 EEPROM中，最后兩個(gè)字節(jié)為 checksum數(shù)據(jù)。如上圖，當(dāng)+12V電壓掉至10V一下后，PWR-GD會(huì)發(fā)生翻轉(zhuǎn)，觸發(fā)MCU中斷后，MCU會(huì)將電源掉電標(biāo)識位置起來； 50ms任務(wù)sOutputLoadJob會(huì)將RAM中的相關(guān)信息保存到EEPROM中去；為此+12V電源掉電后，為了保證能夠有足夠的時(shí)間來將信息寫到EEPROM中去，MCU至少還需持續(xù)工作一段時(shí)間T；T=T1+T2；T1=50ms，T2為將信息寫到EEPROM的時(shí)間為148ms；為此從有保存EEPROM的觸發(fā)信號到MCU斷電持續(xù)的時(shí)間必須大于200ms；收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請聯(lián)系管理員刪除精品文檔現(xiàn)在的做法是在 MCU的VDD端加一個(gè)3300UF的電容來支持MCU工作；如下圖對EEPROM寫的時(shí)間和MCU斷電時(shí)間作了一些測試：1，EEPROM的erase時(shí)間；對EEPROM有兩種erase的方式，分別為sector和Masserase；Sectorerase有4bytes和8bytes兩種方式，每次 erase的時(shí)間約為20msMasserase是全部erase；時(shí)間為100ms左右；我們現(xiàn)在采用的是 Masserase的方式；2，EEPROM的program時(shí)間；對與EEPROM有兩種program方式，分別為Byteprogram和Burstprogram；Byteprogram：時(shí)間為9個(gè)FCLK；1個(gè)字節(jié)Burstprogram：時(shí)間為 4個(gè)FCLK；32個(gè)字節(jié)我們現(xiàn)在采用的是 Byteprogram 方式測試方案：用一個(gè)管腳輸出測試信號，來測試對 EEPROM的erase和program所用的時(shí)間；對EEPROM 進(jìn)行寫操作的邏輯是：先 erase，后program；測試信號邏輯：開始為低電平，開始進(jìn)入 EEPROM函數(shù)時(shí)將其置高，開始進(jìn)入 ERASE時(shí)將其置低，開始PROGRAM時(shí)將其置高，完成對 EEPROM寫操作時(shí)將其置低；波形如CH3：MCUVDD信號；CH4：測試信號收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請聯(lián)系管理員刪除精品文檔如右圖所示：完成整個(gè)EEPROMsave的時(shí)間為148.6ms如右圖所示：完成整個(gè) EEPROMprogram的時(shí)間為42.9ms如右圖所示：完成整個(gè) EEPROMerase的時(shí)間為103.1ms收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請聯(lián)系管理員刪除精品文檔如右圖，VDD從EEPROMSAVE開始到VDD降至2.56V的時(shí)間：233.9ms用測試信號來偵測 VDD電壓降至多少伏后才停止工作；測試方式：用一個(gè) timer來輸出一個(gè) PWM信號；通過觀察PWM輸出信號和 VDD