非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池講解課件

非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池——吉磊非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池——吉磊非晶硅太陽(yáng)能電池板組成結(jié)構(gòu)非晶硅太陽(yáng)能電池板組成結(jié)構(gòu)非晶硅太陽(yáng)能電池制作工藝流程2001TCO玻璃編號(hào)PECVD清理激光切割清理PVD激光切割測(cè)試?yán)匣庋b及成品測(cè)試激光引線清洗預(yù)熱非晶硅太陽(yáng)能電池制作工藝流程2001TCO玻璃編號(hào)PECVD非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)能量返回期短適于批量生產(chǎn)高溫性能好充電效率高成本低非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)能量返適于批量生產(chǎn)高溫性能好充弱光型非晶硅太陽(yáng)能電池片

性能：具有弱光和短波響應(yīng)好，高溫穩(wěn)定性和充電效率高。

弱光型非晶硅太陽(yáng)能電池片

性能：具有弱光和短波響應(yīng)好，高溫非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池應(yīng)用范圍發(fā)電建筑樓群屋頂、玻璃幕墻、邊遠(yuǎn)山區(qū)并網(wǎng)發(fā)電非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池應(yīng)用范圍發(fā)電建筑樓群屋頂、玻璃幕墻、邊遠(yuǎn)非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池應(yīng)用范圍室內(nèi)消費(fèi)電子產(chǎn)品（非晶硅電池弱光性能好）非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池應(yīng)用范圍室內(nèi)消費(fèi)電子產(chǎn)品（非晶硅電池弱光非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池應(yīng)用范圍室外庭院燈和路燈、廣告站牌等非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池應(yīng)用范圍室外庭院燈和路燈、廣告站牌等太陽(yáng)能光伏市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)非晶硅太陽(yáng)能電池迅猛發(fā)展2004-2010太陽(yáng)能電池發(fā)展預(yù)測(cè)（GW）太陽(yáng)能光伏市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)非晶硅太陽(yáng)能電池迅猛發(fā)展2004-20太陽(yáng)能光伏市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率為6%-8%薄膜硅原料需求低且發(fā)電效率高國(guó)際大廠積極擴(kuò)大非晶硅薄膜電池產(chǎn)量2004-2010太陽(yáng)能電池發(fā)展預(yù)測(cè)（GW）公司名稱產(chǎn)品類型國(guó)別/地區(qū)2008產(chǎn)能（MW）2008產(chǎn)量（MW）Sharp（夏普）單/多晶硅，非晶硅日本600427.5Sanyo（三洋）單晶硅，非晶硅日本158125SchottSolar多晶硅，非晶硅德國(guó)11395BPSolar單/多晶硅，非晶硅美國(guó)15785.8ShellSolar單/多晶硅，CIS薄膜德國(guó)11059UnitedSolarOvonic非晶硅美國(guó)2520KanekaSolartech非晶硅日本3019MHI（三菱）多晶硅日本240142太陽(yáng)能光伏市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率為6%-8國(guó)內(nèi)非晶硅太陽(yáng)能電池發(fā)展深圳拓日新能源股份有限公司樂(lè)山光伏產(chǎn)業(yè)園托日工業(yè)園國(guó)內(nèi)非晶硅太陽(yáng)能電池發(fā)展深圳拓日新能源股份有限公司樂(lè)山光伏產(chǎn)國(guó)內(nèi)非晶硅太陽(yáng)能電池發(fā)展天威英利為美國(guó)某地區(qū)承建的地面光伏電站（2009年05月）保定天威英利新能源有限公司國(guó)內(nèi)非晶硅太陽(yáng)能電池發(fā)展天威英利為美國(guó)某地區(qū)承建的地面光伏電國(guó)內(nèi)非晶硅太陽(yáng)能電池發(fā)展深圳市創(chuàng)益科技發(fā)展有限公司國(guó)內(nèi)非晶硅太陽(yáng)能電池發(fā)展深圳市創(chuàng)益科技發(fā)展有限公司太陽(yáng)能電池未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)非晶硅薄膜電池最終將取代單晶硅電池種類優(yōu)勢(shì)劣勢(shì)轉(zhuǎn)換效率單晶硅太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)化效率最高，技術(shù)最為成熟硅消耗量大，成本高，工藝復(fù)雜16%-20%多晶硅太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)化效率較高多晶硅生產(chǎn)工藝復(fù)雜，供應(yīng)受限制14%-16%非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池成本低，可大規(guī)模生產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率不高，光致衰退效率9%-13%三種硅基太陽(yáng)能電池性能分析太陽(yáng)能發(fā)電宗旨：降低成本和提高效率太陽(yáng)能電池未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)非晶硅薄膜電池最終將取代單晶硅電池種類太陽(yáng)能電池未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)非晶硅太陽(yáng)能電池面臨的主要問(wèn)題：轉(zhuǎn)換效率較低，有光致衰退效應(yīng)（S-W）提高非晶硅薄膜電池效率措施：（1）提高薄膜硅太陽(yáng)能電池對(duì)光的吸收；（2）薄膜硅電池疊層技術(shù)；（3）中間層技術(shù)的研究。太陽(yáng)能電池未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)非晶硅太陽(yáng)能電池面臨的主要問(wèn)題：提高非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池對(duì)光的吸收前透明導(dǎo)電氧化物薄膜（TCO）的研究在光滑與織構(gòu)的ZnO表面上沉積a-Si電池獲得的量子效率比較提高非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池對(duì)光的吸收前透明導(dǎo)電氧化物薄膜（TC提高非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池對(duì)光的吸收減反層的研究圖4.標(biāo)準(zhǔn)電池與減反層電池的結(jié)構(gòu)（A）：一般電池結(jié)構(gòu)（B）：帶有TiO2減反層的電池結(jié)構(gòu)（C）帶有TiO2-ZnO的電池結(jié)構(gòu)示意圖上圖4中三種結(jié)構(gòu)的mc-Si電池量子效率圖比較提高非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池對(duì)光的吸收減反層的研究圖4.標(biāo)準(zhǔn)提高薄膜硅太陽(yáng)能電池對(duì)光的吸收窗口層的研究圖6n型的a-Si、c-Si以及c-SiC:H的吸收系數(shù)比較提高薄膜硅太陽(yáng)能電池對(duì)光的吸收窗口層的研究圖6n型的a-中國(guó)應(yīng)當(dāng)抓住的機(jī)遇自主大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)自主核心設(shè)備