大工21秋《電力電子技術(shù)》在線作業(yè)1-參考資料-答案

大工21秋《電力電子技術(shù)》在線作業(yè)1-參考資料-答案[-D.-]后者需要的驅(qū)動(dòng)功率小[解析]本道試題難度中等，請(qǐng)認(rèn)真完成[標(biāo)準(zhǔn).答案]：AC10.以下哪些是IGBT的主要特點(diǎn)？（）[-A.-]具有高壓、高電流、高速度、低開通壓降等特點(diǎn)[-B.-]具有高壓、高電流、低速度、低開通壓降等特點(diǎn)[-C.-]具有低壓、低電流、高速度、低開通壓降等特點(diǎn)[-D.-]具有低壓、低電流、低速度、低開通壓降等特點(diǎn)[解析]本道試題難度中等，請(qǐng)認(rèn)真完成[標(biāo)準(zhǔn).答案]：A11.以下哪些是電力MOSFET的主要特點(diǎn)？（）[-A.-]導(dǎo)通電阻小[-B.-]開關(guān)速度快[-C.-]輸入電容小[-D.-]電壓驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜[解析]本道試題難度中等，請(qǐng)認(rèn)真完成[標(biāo)準(zhǔn).答案]：ABC12.在電力電子器件中，下列哪些是常見的保護(hù)措施？（）[-A.-]過載保護(hù)[-B.-]過壓保護(hù)[-C.-]欠壓保護(hù)[-D.-]過流保護(hù)[解析]本道試題難度中等，請(qǐng)認(rèn)真完成[標(biāo)準(zhǔn).答案]：ABCD三、判斷題(共4道試題,共20分)13.電力電子器件的主要特點(diǎn)是具有高壓、大電流、高頻等特點(diǎn)。（）[解析]本道試題難度簡(jiǎn)單，請(qǐng)認(rèn)真完成[標(biāo)準(zhǔn).答案]：√14.晶閘管是一種雙向可控的半導(dǎo)體開關(guān)器件。（）[解析]本道試題難度簡(jiǎn)單，請(qǐng)認(rèn)真完成[標(biāo)準(zhǔn).答案]：√15.電力二極管的主要特點(diǎn)是導(dǎo)通電阻小，開關(guān)速度快。（）[解析]本道試題難度簡(jiǎn)單，請(qǐng)認(rèn)真完成[標(biāo)準(zhǔn).答案]：×16.電力MOSFET的主要優(yōu)點(diǎn)是具有導(dǎo)通電阻小、開關(guān)速度快、輸入電容小等特點(diǎn)。（）[解析]本道試題難度簡(jiǎn)單，請(qǐng)認(rèn)真完成[標(biāo)準(zhǔn).答案]：√四、簡(jiǎn)答題(共4道試題,共20分)17.請(qǐng)簡(jiǎn)述電力電子器件的分類以及各類器件的特點(diǎn)。（10分）[答案]電力電子器件可分為二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。電力二極管具有導(dǎo)通電阻小、開關(guān)速度快的特點(diǎn)；晶閘管是雙向可控的半導(dǎo)體開關(guān)器件；電力MOSFET具有導(dǎo)通電阻小、開關(guān)速度快、輸入電容小的特點(diǎn)；IGBT具有高壓、高電流、高速度、低開通壓降等特點(diǎn)。18.請(qǐng)簡(jiǎn)述電力電子器件的散熱方式。（5分）[答案]電力電子器件的散熱方式主要有自冷式、風(fēng)冷式、液冷式、蒸發(fā)冷卻式等。19.請(qǐng)簡(jiǎn)述電力電子器件的保護(hù)措施。（5分）[答案]電力電子器件的保護(hù)措施主要有過載保護(hù)、過壓保護(hù)、欠壓保護(hù)、過流保護(hù)等。20.請(qǐng)簡(jiǎn)述電力電子器件的觸發(fā)方式。（5分）[答案]電力電子器件的觸發(fā)方式主要有電壓觸發(fā)和電流觸發(fā)兩種。其中，晶閘管為電壓觸發(fā)型器件，而IGBT和MOSFET為電流觸發(fā)型器件。[解析]本道試題難度中等，請(qǐng)認(rèn)真完成[標(biāo)準(zhǔn).答案]：正確10.硒堆保護(hù)有哪些接法？（）[-A.-]單相聯(lián)結(jié)[-B.-]單相懸空聯(lián)結(jié)[-C.-]三相Y聯(lián)結(jié)[-D.-]三相三角聯(lián)結(jié)答案：ACD11.電力二極管的主要類型包括哪些？（）[-A.-]普通二極管[-B.-]整流二極管[-C.-]快恢復(fù)二極管[-D.-]肖特基二極管答案：ABCD12.當(dāng)串聯(lián)使用的器件導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)，它們的（）和（）存在差異，這種差異引起的不均壓?jiǎn)栴}稱為動(dòng)態(tài)不均壓?jiǎn)栴}。答案：BC13.GTR是電流驅(qū)動(dòng)型自關(guān)斷全控器件。答案：錯(cuò)誤14.阻容吸收電路由電容和電阻串聯(lián)而成，電阻具有儲(chǔ)能作用。答案：錯(cuò)誤15.GTO是PNPN四層結(jié)構(gòu)。答案：正確16.電力MOSFET可以直接并聯(lián)使用。答案：錯(cuò)誤17.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間。答案：正確18.電力MOSFET使用柵極電壓控制漏極電流。