Array-自主學(xué)習(xí)-制程課件

光罩製程步驟基板成膜光阻光罩光源曝到光部份可被顯影液溶解剝膜後圖案形成顯影蝕刻光罩製程步驟基板成膜光阻光罩光源曝到光部份可剝膜後圖案形成顯1AA’AA’AA’AA’2ARRAY製程1.GE製程璃板?；鵊ate成膜Al:2500?Gate蝕刻Al:2500?閘極(Gate):2300?2.SE製程GI成膜SiNx:3000?GI成膜SiNx:1000?閘極絕緣層(SiNx):3000?+1000?a-Si成膜a-Si:1500?半導(dǎo)體層(a-Si):1600?n+成膜n+:300?歐姆接觸層(n+a-Si):300?SE蝕刻3.SD製程SD成膜Cr:4000?SD蝕刻4.CH製程5.PE製程BCE蝕刻源極金屬層(Source):4000?汲極金屬層(Drain):4000?完成!後流至ARRAYTESTER工程CH成膜SiNx:3400?保護(hù)層(SiNx):3400?CH蝕刻ITO成膜ITO:850?ITO蝕刻ITO層:850?3ARRAY製程1.GE製程璃板?；鵊ate成膜Gate蝕

PVD:

導(dǎo)電性薄膜

GE工程: gateelectrode,(AL)

SD工程: sourceelectrode,(Cr)

PE工程: pixelelectrode,(ITO)

CVD:

半導(dǎo)電性薄膜 絕緣性薄膜成膜工程PVD:導(dǎo)電性薄膜成膜工程4物質(zhì)四態(tài)高溫低溫離子原子電子離子電漿態(tài)氣態(tài)液態(tài)固態(tài)原子+電子++++++++++++++++物質(zhì)四態(tài)高溫低溫離子原子電子離子電漿態(tài)氣態(tài)液態(tài)固態(tài)原子+電子5CathodeAnodeTargetSubstrateAr+plasmaChamber

wallSputter裝置圖+_PumpCathodeAnodeTargetSubstrateAr+6黃光製程因?yàn)樵谖⒂把u程中所使用的光阻材料屬於感光性高分子材料。這種感光性材料對(duì)於光在波長(zhǎng)500nm以下的區(qū)域非常敏感，為了使光阻在製程前不受外在環(huán)境的光線影響，一般微影需的照明光波長(zhǎng)都在黃光範(fàn)圍的500nm左右，以確保光阻的品質(zhì)，故又稱為黃光區(qū)。

黃光製程因?yàn)樵谖⒂把u程中所使用的光阻材料屬於感光性高分子材料7正光阻、負(fù)光阻曝到光部份產(chǎn)生分子分解可被顯影液溶解剝膜後圖案形成顯影後蝕刻光罩光源光罩上的Pattern曝到光部份產(chǎn)生分子結(jié)合不被顯影液溶解剝膜後圖案形成顯影後蝕刻正光阻所製造出來的Pattern與光罩上的相同，負(fù)光阻則反之。正光阻、負(fù)光阻曝到光部份產(chǎn)生分子剝膜後圖案形成顯影後蝕刻光罩8FX-21SMainBody基板平臺(tái)光罩平臺(tái)投影鏡頭光源避震儀聚焦鏡頭FX-21SMainBody基板平臺(tái)光罩平臺(tái)投影鏡頭光源9FX-21SNewExposureTechnology基板光源MaskLensFX-21SNewExposureTechnolog10周邊曝光目的：將基板周圍未曝到光部分，進(jìn)行曝光。光源：紫外光。Pattern已曝光區(qū)域周邊曝光區(qū)域周邊曝光目的：將基板周圍未曝到光部分，進(jìn)行曝光。Patte111蝕刻技術(shù)分類WETetching-溼蝕刻技術(shù)DRYetching-乾蝕刻技術(shù)1蝕刻技術(shù)分類12FABII蝕刻機(jī)斜式搬送10度Nozzle蝕刻部斜式搬送方式FABII蝕刻機(jī)斜式搬送10度Nozzle蝕刻部斜式搬送13Nozzle噴灑基板頃斜水平搖擺FABII蝕刻機(jī)斜式搬送蝕刻部斜式搬送方式Nozzle噴灑基板頃斜水平搖擺FABII蝕刻機(jī)斜式搬送14FABII蝕刻機(jī)斜式搬送10度Nozzle水洗部斜式搬送方式FABII蝕刻機(jī)斜式搬送10度Nozzle水洗部斜式搬送15水平式蝕刻傾斜式蝕刻水平式搬運(yùn)傾斜式搬運(yùn)FABIWetetcherFABIIWetetcher水平式蝕刻傾斜式蝕刻水平式搬運(yùn)傾斜式搬運(yùn)FABIWet16傾斜式搬送純水用量?jī)A斜式搬送純水用量17剝膜目的將已經(jīng)蝕刻出所需求圖形之基板，以藥液將覆蓋於圖形上之光阻去除之工程PRThinFilm(pattern)Substrate剝膜前剝膜後剝膜目的將已經(jīng)蝕刻出所需求圖形之基板，以藥液將覆蓋於圖形上之18剝膜液的性能界面活性劑：MEA（70﹪）

MonoEthanolAmine,HOCH2CH2NH2■濕潤能力■浸透力■溶解能力（只形成可溶解之micell）☆溶劑：DMSO（30﹪）

DiMethylSulfOxide,(CH3)2SO■溶解力■浸透力

■Polymer等之親和力剝膜液的性能界面活性劑：MEA（70﹪）19PECVD簡(jiǎn)介乃是利用電漿內(nèi)的高能電子，撞擊製程氣體分子，斷裂其化學(xué)鍵，提高活性，在較低的製程溫度下於加熱的基板表面形成化學(xué)反應(yīng)，而形成所需要的固態(tài)沉積。Pumpe-PlasmaAA*hue-e-e-e-RFgas+PECVD簡(jiǎn)介乃是利用電漿內(nèi)的高能電子，撞擊製程氣體分子，20

PECVD應(yīng)用：非晶矽膜(a-Si)

反應(yīng)氣體(GasSource)：SiH4(Silane)、H2

(n+a-Si反應(yīng)時(shí)則加入PH3氣體)

SiH4(g)+H2(g)a-Si:H(s)a-Si製程條件:(unaxis)壓力1.2～1.6mbar溫度280o功率90W~320W

RFPECVD應(yīng)用：非晶矽膜(a-Si)RF21PECVD應(yīng)用：氮化矽(SiliconNitride)SiNx

反應(yīng)氣體(GasSource)：SiH4(Silane)、NH3、N2、H2

SiH4(g)+NH3(g)SiNx:H(s)+3H2SiNx製程條件:(unaxis)壓力0.6mbar溫度280o功率1300WRFN2+H2PECVD應(yīng)用：氮化矽(SiliconNitride)S22SiNxParticleSiNxPinholePECVDSiNx:4000Aa-Si:1500An+a-Si:300A發(fā)生Pinhole示意圖洗淨(jìng)、、a-Si/n+洗淨(jìng)SPUTTERMetalGateGatea-Si/n+SiNxParticleSiNxPinholePECVD發(fā)生23PECVDSiNx:3000A

GI二次成膜對(duì)策PECVDSiNx+a-Si洗淨(jìng)SiNxGateSiNxSiNxPinholeGatePECVDSiNx:1000Aa-Si:1500An+a-Si:300A

SiNxGateGateGatea-SiPECVDGI二次成膜對(duì)策PECVDSiNx+a-Si24乾蝕刻設(shè)備基本構(gòu)造乾蝕刻設(shè)備基本構(gòu)造25Array-自主學(xué)習(xí)-制程課件26Array-自主學(xué)習(xí)-制程課件27Array-自主學(xué)習(xí)-制程課件28Array-自主學(xué)習(xí)-制程課件29Array-自主學(xué)習(xí)-制程課件30Array-自主學(xué)習(xí)-制程課件31Array-自主學(xué)習(xí)-制程課件32Array-自主學(xué)習(xí)-制程課件33GateDriverSourceDriverArray面板訊號(hào)傳輸說明34GateDriverSourceDriverArray面G1G2G3GmGm-1S1S2S3Sn-1SnSource線儲(chǔ)存電容Gate線液晶電容TFTArray面板說明comITOCLC35G1G2G3GmGm-1S1S2S3Sn-1SnSourceG1G2G3GmGm-2Gm-1S1S2S3Sn-2Sn-1SnArray面板示意圖36G1G2G3GmGm-2Gm-1S1S2S3Sn-2Sn-1

1.因TFT元件的動(dòng)作類似一個(gè)開關(guān)(Switch)，液晶元件的作用類似一個(gè)電容，藉Switch的ON/OFF對(duì)電容儲(chǔ)存的電壓值進(jìn)行更新/保持。2.SWON時(shí)信號(hào)寫入(加入、記錄)在液晶電容上，在以外時(shí)間SWOFF，可防止信號(hào)從液晶電容洩漏。3.在必要時(shí)可將保持電容與液晶電容並聯(lián)，以改善其保持特性。保持電容TFT元件加入電壓液晶371.因TFT元件的動(dòng)作類似一個(gè)開關(guān)(Switch)，液晶元Mask1：GE(Gate電極形成)AA’AA’38Mask1：GE(Gate電極形成)AA’AA’38Mask2：SE(島狀半導(dǎo)體形成)AA’AA’39Mask2：SE(島狀半導(dǎo)體形成)AA’AA’39Mask3：SD(Sour