2023年半導(dǎo)體集成電路真題_第1頁(yè)
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20231參考答案：一個(gè)芯片上容納的晶體管的數(shù)目[填空題]1mA〔W/L〕1，1TH1，1THnoxDDR上的壓降保持

=50μA/V2，λ=γ=0，V

=3V。ss參考答案：0.5V，則輸入共模電壓應(yīng)為多少？參考答案：[填空題]pCMOSP+區(qū)光刻，N+區(qū)光刻，光刻接觸孔，光刻鋁線[填空題]什么是MOS晶體管的有源寄生效應(yīng)？MOSMOSPNPN〔閂鎖效應(yīng)〕，這些效應(yīng)對(duì)MOS[填空題]為什么基區(qū)薄層電阻需要修正。高，所以需要修正。[填空題]in1in2等時(shí)的小信號(hào)增益。在如下圖的電路中，M2管的寬度是M1in1in2等時(shí)的小信號(hào)增益。

V的偏置值相參考答案：[填空題]輸入短路電流電流。[填空題]瞬態(tài)導(dǎo)通延遲時(shí)間有用電路〕從輸入電壓上升沿中點(diǎn)到輸出電壓下降沿中點(diǎn)所需要的時(shí)間。[填空題]為什么TTL與非門不能直接并聯(lián)？混亂。

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