真空濺射鍍膜技術(shù)課件

真空濺射鍍膜技術(shù)真空濺射鍍膜技術(shù)1目錄、濺射鍍膜的相關(guān)概念、濺射的基本原理三、濺射鍍膜的類型四、、濺射鍍膜相關(guān)外包廠簡介五、濺射鍍膜案例分析目錄2表面技術(shù)工程是將材料表面與基體一起作為一個(gè)系統(tǒng)進(jìn)行設(shè)計(jì),利用表面改性技術(shù),薄膜技術(shù)和涂層技術(shù),使材料表面獲得材料本身沒有而又希望具有的性能的系統(tǒng)工程。薄膜技術(shù)是表面工程三大技術(shù)之一。一般把小于25um大于100nm的膜層稱為薄膜,大于25um的膜層稱為厚膜。小于100nm的膜層稱為納米薄膜。真空鍍膜是薄膜技術(shù)的最具潛力的手段,也是納米技術(shù)的主要支撐技術(shù)。所謂納米技術(shù),如果離開了真空鍍膜,它將會(huì)失去半壁江山。表面技術(shù)工程是將材料表面與基體一起作3嘉釜鍍躦盆姴柰答勢飾驚能鐨膜)和《化學(xué)氣相沉積)四種角鬏葑5鼕撓籌的素}譏射賾體原子或分子)從表面射出的現(xiàn)象,3中性原子在室溫下的熱運(yùn)動(dòng)能約為(0.026eV);4蒸發(fā)源蒸發(fā)出來的原子能量約(.1ev)。5、濺射鍍膜的特點(diǎn)正確的是:(A,B,C,D)A.任何物質(zhì)均可以濺射,尤其是高溶點(diǎn),低蒸氣壓的元素和化合物。B金屬、半導(dǎo)體、絕緣體、化合物和混合物等,只要是固體,不論是塊狀、粒狀都可以作為靶材。C濺射氧化物等絕緣材料和合金時(shí)可制得與靶材料相近的薄膜和組分均勻的合金膜、超導(dǎo)膜D濺射膜與基板的附著性好;6(沉積)和(刻蝕是濺射過程的兩種應(yīng)用7靶材有(燒結(jié))和(熱壓)兩種。(熱壓靶材)含有大量的氣體。(預(yù)濺射)可以使這些氣體得到釋放后被抽走。b對(duì)一個(gè)純金屬靶來說,它的表面會(huì)有一層氧化物),要想獲得純金屬膜,必須將這層氧化物去掉c.對(duì)合金或化合物靶,也必須作(預(yù)濺射),使靶面露出新材料嘉釜鍍躦盆姴柰答勢飾驚能鐨膜)和《化學(xué)氣相沉積)四種42.荷能粒子是指具有一定動(dòng)能的電子、光子、重粒子(質(zhì)子、中子、離子、原子)。如果它們以足夠的能量與固體表面碰撞,但又不足以發(fā)生核反應(yīng),這時(shí)所發(fā)生的種種次級(jí)反應(yīng)是近代真空技術(shù)感興趣的內(nèi)容1)在可控?zé)岷朔磻?yīng)真空空間,從等離子體內(nèi)所逃逸的核能離子撞擊器壁表面,產(chǎn)生氣相雜質(zhì)。嚴(yán)重地影響等離子體的濃度和溫度。2)高能加速器交叉儲(chǔ)存環(huán)要求良好的超高真空環(huán)境,然而,加速粒子對(duì)壁面的轟擊脫附出氣,會(huì)破壞已近達(dá)到的真空度;2.荷能粒子53)重粒子對(duì)材料的濺射剝蝕是濺射粒子泵、濺射鍍膜、離子刻蝕的基本工作依據(jù);4)氬氧混合輝光放電、氬離子轟擊是獲得清潔表面的有效手段;5)電子轟擊加熱、電子轟擊分解是電離規(guī)電真空器件電極出氣的重要方法之6)軟X射線光電流、電子誘導(dǎo)脫附是影響電離規(guī)測量下限的因素。用這些粒子以及熱、強(qiáng)電場為探針作用于固體表面,然后分析出射粒子的狀況,已獲得固體表面的豐富信息,這就是上個(gè)世紀(jì)七十年代發(fā)展起來的表面分析技術(shù)。3)重粒子對(duì)材料的濺射剝蝕是濺射粒子泵、63現(xiàn)代表面分析技術(shù)的手段:1)透射電子顯微鏡EM)和掃描電子顯微鏡(SEM);2)聲學(xué)成象和聲顯微鏡(SAM);3)掃描隧道顯微鏡(STM和原子力顯微鏡AFM)4)X光衍射儀5)低能電子衍射儀①EED);6)俄歇電子能譜AES7)X射線光電子能譜(XPS);8)二次離子質(zhì)譜儀(SIMS);9)盧瑟福背散射能譜分析(RBS);10)溝道技術(shù)11)熱波檢測和熱波成象技術(shù)。3現(xiàn)代表面分析技術(shù)的手段:74粒子的能量:1)中性原子在室溫下的熱運(yùn)動(dòng)能約為0.026eV;2)蒸發(fā)源蒸發(fā)出來的原子能量約0.1eV。3)對(duì)入射粒子能量小于30eV,只發(fā)生背散射、輕的濺射和原子位移4)濺射出的原子能量在5-40eV,5)濺射時(shí)入射原子的能量一般在303000eV;6)離子鍍中轟擊離子的能量一般在50-5000eV。7)入射粒子能量在3×10410°eV主要發(fā)生非彈性碰撞,高激發(fā)能級(jí)變得很普遍,電離作用明顯,輻射探傷即在此區(qū)域。H,He原子的能量達(dá)10V即發(fā)生核反應(yīng),對(duì)重粒子發(fā)生核反應(yīng)的原子能量為10eV4粒子的能量:8真空濺射鍍膜技術(shù)課件9在預(yù)濺射時(shí),在靶面的正前方應(yīng)有一個(gè)活動(dòng)擋板擋住基片使其免遭污染。2)襯底的預(yù)處理a任何材料在裝入真空室之前都要進(jìn)行化學(xué)清洗或適當(dāng)?shù)某龎m處理;b在沉積膜之前,如果將基片接負(fù)電位,利用輝光放電,氣體離子可對(duì)基片進(jìn)行轟擊實(shí)現(xiàn)濺射清洗可清除表面的吸附氣體、各種污染物和氧化物二可除掉粘附力弱的淀積粒子;三可使其表面增加活性使沉積膜與基片之間的附著力增加3)濺射的刻蝕作用濺射可以實(shí)現(xiàn)微米、亞微米和納米級(jí)的微細(xì)加工。a濺射刻蝕:待刻蝕的樣品作為陰極,輝光放電在預(yù)濺射時(shí),在靶面的正前方應(yīng)有一個(gè)活動(dòng)擋10真空濺射鍍膜技術(shù)課件11真空濺射鍍膜技術(shù)課件12真空濺射鍍膜技術(shù)課件13真空濺射鍍膜技術(shù)課件14真空濺射鍍膜技術(shù)課件15真空濺射鍍膜技術(shù)課件16真空濺射鍍膜技術(shù)課件17真空濺射鍍膜技術(shù)課件18真空濺射鍍膜技術(shù)課件19真空濺射鍍膜技術(shù)課件20真空濺射鍍膜技術(shù)課件21真空濺射鍍膜技術(shù)課件22真空濺射鍍膜技術(shù)課件23真空濺射鍍膜技術(shù)課件24真空濺射鍍膜技術(shù)課件25真空濺射鍍膜技術(shù)課件26真空濺射鍍膜技術(shù)課件27真空濺射鍍膜技術(shù)課件28真空濺射鍍膜技術(shù)課件29真空濺射鍍膜技術(shù)課件30真空濺射鍍膜技術(shù)課件31真空濺射鍍膜技術(shù)課件32真空濺射鍍膜技術(shù)課件33真空濺射鍍膜技術(shù)課件34真空濺射鍍膜技術(shù)課件35真空濺射鍍膜技術(shù)課件36真空濺射鍍膜技術(shù)課件37真空濺射鍍膜技術(shù)課件38真