數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的進(jìn)化與躍遷

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的進(jìn)化與躍遷人類文明誕生以來，科技的發(fā)展都離不開網(wǎng)絡(luò)、存儲(chǔ)和計(jì)算，而數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的發(fā)展歷史悠久，堪稱萬年進(jìn)化史。最初的遠(yuǎn)古時(shí)代，人類利用結(jié)繩、刻字等方法記錄信息；造紙術(shù)和印刷術(shù)的發(fā)明使信息記錄、傳播發(fā)生了革命性變革；18世紀(jì)初期，工業(yè)革命開始萌芽，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)經(jīng)歷了從打孔卡、磁存儲(chǔ)、硬盤到閃存、新型存儲(chǔ)階段的跨越；直到今天，DNA存儲(chǔ)、量子存儲(chǔ)、納米存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)明，人類探索高效存儲(chǔ)信息的腳步也從未停止。本文將從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)最初的“形態(tài)”談起，陸續(xù)介紹數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)在不同時(shí)代的“故事”，最后介紹新時(shí)代的存儲(chǔ)“新發(fā)明”。引言

《周易·系辭》云：“上古結(jié)繩而治”。這句話對(duì)結(jié)繩記事的描述，記載著早期人類信息存儲(chǔ)的方式。在文字誕生之后，造紙術(shù)發(fā)明之前，人類開始采用在甲骨、竹簡(jiǎn)、帛書等物件上記錄信息；待造紙術(shù)和印刷術(shù)發(fā)明后，書寫盛行，極大地促進(jìn)了文化傳播與交流，加快了人類思想解放與社會(huì)進(jìn)步。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展，可以說是一段漫長(zhǎng)而又充滿神奇色彩的歷程，承載著人類智慧與技術(shù)創(chuàng)新。從最早的打孔卡開始，它逐漸經(jīng)歷了磁存儲(chǔ)、硬盤、閃存，以及現(xiàn)在的云存儲(chǔ)；這一路的發(fā)展不僅見證了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的飛速進(jìn)步，也反映了人類對(duì)信息記載與保存的不斷追求。圖1數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展歷程01機(jī)械存儲(chǔ)時(shí)代18世紀(jì)初，工業(yè)革命開始萌芽，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)首次以機(jī)械化形式的打孔卡和打孔帶出現(xiàn)在公眾視野中，被用在提花織機(jī)和工業(yè)機(jī)器中。1846年，傳真機(jī)和電傳電報(bào)機(jī)的發(fā)明人AlexanderBain將打孔帶技術(shù)引入電報(bào)機(jī)，這是數(shù)據(jù)第一次被轉(zhuǎn)變?yōu)槎M(jìn)制信息，大幅提升了工作效率；打孔卡和打孔帶直至80年代也仍被使用，持續(xù)了兩個(gè)多世紀(jì)。1890年，為收集和統(tǒng)計(jì)美國(guó)人口普查數(shù)據(jù)，在打孔卡技術(shù)的基礎(chǔ)上，德裔美國(guó)統(tǒng)計(jì)學(xué)家HermanHollerith發(fā)明了打孔卡制表機(jī)，僅耗費(fèi)6周就完成了對(duì)美國(guó)人口普查的統(tǒng)計(jì)；1896年，他又創(chuàng)辦了制表機(jī)器公司（TabulatingMachineCompany），即IBM公司的前身。因此，HermanHollerith也被稱為現(xiàn)代機(jī)械數(shù)據(jù)處理之父。圖2打孔卡制表機(jī)

HermanHollerith（赫爾曼·何樂禮）打孔卡制表機(jī)的發(fā)明，帶來了巨大的效率提升，從而迅速普及，標(biāo)志著半自動(dòng)化數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)時(shí)代的開始，后來逐漸被廣泛應(yīng)用于工業(yè)檢索及數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)領(lǐng)域；打孔卡制表機(jī)最多可記錄960bits的信息數(shù)據(jù)，其中穿孔卡和穿孔紙帶類似于早期計(jì)算機(jī)中的輸入和輸出設(shè)備，原理是將程序和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為二進(jìn)制代碼，其中帶孔為1，無孔為0，再經(jīng)過光電掃描輸入電腦。圖3穿孔紙帶順序控制原理02磁存儲(chǔ)時(shí)代打孔卡制表機(jī)畢竟屬于機(jī)械式存儲(chǔ)技術(shù)，雖然相比傳統(tǒng)人力有了較大提升，但仍存在存儲(chǔ)量低、故障率高等問題。18世紀(jì)末，電信號(hào)技術(shù)的發(fā)明宛如一陣清風(fēng)，將磁介質(zhì)存儲(chǔ)時(shí)代的序幕緩緩拉開，人類開始進(jìn)入由機(jī)械向電子過渡的階段；最早關(guān)于磁介質(zhì)的相關(guān)發(fā)現(xiàn)，是OberlinSmith于1888年在英國(guó)《電氣世界》雜志上發(fā)表的一篇可采用磁性介質(zhì)記錄聲音的文章。1898年，丹麥工程師ValdemarPoulsen將OberlinSmith的想法付諸實(shí)踐，在電報(bào)機(jī)中引入了磁線技術(shù)，發(fā)明了人類第一個(gè)實(shí)用的磁聲記錄和再現(xiàn)設(shè)備，即磁線電報(bào)機(jī)，其原理是通過磁頭對(duì)聲音電信號(hào)進(jìn)行傳輸和記錄。1928年，在磁線電報(bào)機(jī)的基礎(chǔ)上，德國(guó)工程師FritzPfleumer發(fā)現(xiàn)移動(dòng)過程中的磁帶被磁化的程度會(huì)隨音頻信號(hào)電流的強(qiáng)弱而變化，從而能將音頻記錄在磁帶上，從而發(fā)明了錄音磁帶，錄音磁帶的發(fā)明標(biāo)志著磁性存儲(chǔ)時(shí)代的正式開啟。圖4磁線電報(bào)機(jī)

FritzPfleumer的錄音磁帶隨著工業(yè)化和信息化的不斷發(fā)展，數(shù)據(jù)信息需要更高效、更便捷的存儲(chǔ)方式，1932年，奧地利工程師GustavTauschek發(fā)明的磁鼓存儲(chǔ)器使得磁存儲(chǔ)技術(shù)躍上新臺(tái)階；它是一種利用高速旋轉(zhuǎn)的圓柱體磁性表面作記錄媒體的存儲(chǔ)設(shè)備，由磁鼓筒，磁頭，讀寫及譯碼電路和控制電路等主要部分組成，長(zhǎng)度為16英寸，有40個(gè)磁道，每分鐘可旋轉(zhuǎn)12500轉(zhuǎn)，容量約為62.5KB；其原理是通過電磁感應(yīng)進(jìn)行信息的讀寫，在磁芯存儲(chǔ)器出現(xiàn)之前廣泛用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存，同時(shí)也用于做二級(jí)存儲(chǔ)，被認(rèn)為是機(jī)械硬盤（HardDiskDrive，HDD）的前身。圖5磁鼓存儲(chǔ)器第二次世界大戰(zhàn)爆發(fā)后，軍事需求大大刺激了算力的發(fā)展。1942年，美國(guó)愛荷華州立大學(xué)物理系副教授JohnVincentAtanasoff和他的學(xué)生CliffordBerry設(shè)計(jì)制造了世界上第一臺(tái)電子計(jì)算機(jī)ABC（Atanasoff-BerryComputer），也稱為“珍妮機(jī)”；對(duì)于I/O設(shè)備，ABC使用了IBM的80列穿孔卡，采用真空管處理二進(jìn)制數(shù)據(jù)，利用再生電容磁鼓存儲(chǔ)器對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)。圖6世界上第一臺(tái)電子計(jì)算機(jī)ABC在電子計(jì)算機(jī)誕生的浪潮下，人類算力正式進(jìn)入數(shù)字電子計(jì)算機(jī)時(shí)代之前，人類還探索過幾條存儲(chǔ)路線。1946年，波蘭發(fā)明家JanA.Rajchman團(tuán)隊(duì)發(fā)明的靜電記憶管SelectronTube是最早的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RandomAccessMemory，RAM），使用靜電荷存儲(chǔ)數(shù)據(jù)在真空管內(nèi)，能夠短暫存儲(chǔ)大約4000字節(jié)。1947年，F(xiàn)reddieWilliams和TomKilburn發(fā)明了類似原理的威廉姆斯-基爾伯恩管（Williams–Kilburntube）并商用。IBM的第一臺(tái)商用科學(xué)計(jì)算機(jī)701就使用了72個(gè)該管做內(nèi)存，后來磁芯存儲(chǔ)器的出現(xiàn)取代了該存儲(chǔ)器。在經(jīng)歷了兩次偏離于現(xiàn)代計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)的過程后，J.PresperEckert發(fā)明的汞（水銀）延遲線存儲(chǔ)器（DelayLineMemory）將探索路線拉回磁存儲(chǔ)“正軌”，其原理是通過用壓力波的傳播延遲來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)；1945年，J.PresperEckert和同事JohnMauchly在之前的基礎(chǔ)上一起設(shè)計(jì)了第一臺(tái)通用電子計(jì)算機(jī)ENIAC，與現(xiàn)代RAM不同的是，其采用的延遲線存儲(chǔ)器的工作方式為順序存取，這大幅降低了計(jì)算效率，因此到20世紀(jì)50年代中期，延遲線存儲(chǔ)器基本已經(jīng)過時(shí)。圖7延遲線存儲(chǔ)器1947年，美國(guó)工程師FrederickViehe首個(gè)申請(qǐng)了磁芯存儲(chǔ)器的專利；磁芯存儲(chǔ)器性能和可靠性高，成為了替代延遲線存儲(chǔ)器的“不二之選”。1948年，華裔科學(xué)家王安發(fā)明了“脈沖傳輸控制裝置”（Pulsetransfercontrollingdevice），實(shí)現(xiàn)了對(duì)磁芯存儲(chǔ)器的讀后寫（Write-after-Read）；其原理是磁芯根據(jù)磁化時(shí)電流的方向可以產(chǎn)生兩個(gè)相反方向的磁化，可作為0/1狀態(tài)來記錄數(shù)據(jù)；從20世紀(jì)50年代、60年代，直至70年代初，磁芯存儲(chǔ)一直被廣泛用于計(jì)算機(jī)的主存儲(chǔ)器，容量約為幾百字節(jié)。圖8磁芯存儲(chǔ)器

王安1951年，磁帶首次被用于計(jì)算機(jī)上存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，一盤磁帶可替代一萬張打孔紙卡，使用磁帶的設(shè)備有磁帶機(jī)、磁帶庫(kù)，商用計(jì)算機(jī)史上磁帶作為主要的I/O（輸入/輸出）設(shè)備的第一臺(tái)磁帶機(jī)稱為UNIVAC；磁帶可長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)的特性使得其在影片與音樂上快速發(fā)展，1963年，飛利浦研制出全球首盤盒式磁帶，每面可容納30到45分鐘的立體聲音樂，大約可記錄0.66MB的數(shù)據(jù)；據(jù)說德國(guó)人之所以大力改進(jìn)磁帶技術(shù)，是為了傳播希特勒的講話，而美國(guó)人則是為了傳播流行音樂。磁帶存儲(chǔ)因支持離線保存，壽命長(zhǎng)，容量大且性價(jià)比高，至今仍在使用。圖9UNIVAC

全球首盤盒式磁帶03硬盤時(shí)代科技的腳步從未停止，誰(shuí)也沒能想到一個(gè)重達(dá)一噸，兩個(gè)冰箱大小的機(jī)柜會(huì)改變我們看待和處理數(shù)據(jù)的方式。1956年，IBM發(fā)布了世界上第一塊硬盤IBM350RAMAC，它包含50個(gè)24英寸的盤片，能存儲(chǔ)500萬個(gè)字符，約5MB的數(shù)據(jù)，傳輸速度達(dá)10KB/s；IBM350RAMAC以旋轉(zhuǎn)的磁盤方式存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，提高了數(shù)據(jù)的可訪問性和可靠性，奠定了現(xiàn)當(dāng)代大規(guī)模數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理的基礎(chǔ)，標(biāo)志著人類正式進(jìn)入硬盤時(shí)代。圖10IBM350RAMACIBM的創(chuàng)新并未止步于此，1962年，IBM發(fā)布了第一個(gè)可移動(dòng)硬盤驅(qū)動(dòng)器1311，它有6個(gè)14英寸的盤片，可存儲(chǔ)2.6MB數(shù)據(jù)。1973年，IBM又發(fā)明了Winchester（溫氏）硬盤3340，使用了密封組件、潤(rùn)滑主軸和小質(zhì)量磁頭，這個(gè)時(shí)候的硬盤開始有了正確的結(jié)構(gòu)，特點(diǎn)是工作時(shí)磁頭懸浮在高速轉(zhuǎn)動(dòng)的盤片上方，而不與盤片直接接觸，現(xiàn)代硬盤的基本架構(gòu)就此確立；容量為60MB，轉(zhuǎn)速略低于3000RPM，采用4張14英寸盤片，存儲(chǔ)密度為每平方英寸1.7MB。圖11可移動(dòng)硬盤驅(qū)動(dòng)器1311

溫氏磁盤3340在溫氏磁盤3340誕生之后，硬盤的發(fā)展方向主要體現(xiàn)在容量上的增大，以及體積上的減小。1980年，IBM推出了第一塊GB級(jí)別的硬盤；同年，一家還不出名，成立于1979年小公司希捷，發(fā)布了一款物美價(jià)廉的硬盤，開始與IBM爭(zhēng)搶HDD的市場(chǎng)；這款硬盤為ST-506，尺寸為5.25英寸，比3340小很多，容量為5MB，價(jià)格為1500刀；不久，希捷又發(fā)明了容量為10MB的ST-412。1983年，蘇格蘭公司Rodime也發(fā)布了世界上第一款3.5英寸硬盤，硬盤尺寸的持續(xù)變小使得其意義同樣深遠(yuǎn)。20世紀(jì)90年代，諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)得主AlbertFert和PeterGrunberg發(fā)現(xiàn)了巨磁電阻效應(yīng)，基于該效應(yīng)研究的GMR巨磁阻效應(yīng)磁頭技術(shù)，以及SMR瓦楞式堆疊磁盤技術(shù)，成功將HDD的磁道密度提升了上百倍。2007年是存儲(chǔ)技術(shù)重要里程碑的一年，日立于2003年收購(gòu)了IBM硬盤事業(yè)部后，率先推出了TB級(jí)別的硬盤；該硬盤采用了垂直存儲(chǔ)技術(shù)，將盤片的磁場(chǎng)方向由平行變?yōu)榇怪?，更好充分利用了存?chǔ)空間。此外，垂直存儲(chǔ)技術(shù)能耗小，發(fā)熱量減小，改善了數(shù)據(jù)抵抗熱退減的能力，提高了硬盤的可靠性。2010年，氦氣封裝技術(shù)量產(chǎn)，除了讓硬盤容量變大以外，溫度和能耗也降低了，耐用度和穩(wěn)定性獲得了大幅提升。2022年，希捷推出了容量為22TB，采用疊瓦式的HDD，刷新了HDD最大單盤容量的記錄。由于人們對(duì)少量數(shù)據(jù)的便捷存儲(chǔ)和交換需求的出現(xiàn)，另外，當(dāng)時(shí)的存儲(chǔ)設(shè)備存在容量不足等問題，1971年，IBM發(fā)布了世界上第一張只讀8英寸的最早個(gè)人可移介質(zhì)，即軟盤，容量為80KB；1972年，軟盤容量增加至175KB，AlanShugart幫助Memorex公司推出了第一款可讀/寫的軟盤Memorex650；隨著技術(shù)的發(fā)展，1976年，5.25英寸軟盤問世，廣泛用于AppleII、IBMPC等兼容電腦上。1980年，SONY開發(fā)了3.5英寸的軟盤，容量為1.44MB，容量的提升使軟盤成為當(dāng)時(shí)計(jì)算機(jī)最主要的存儲(chǔ)設(shè)備之一，并逐漸成為市場(chǎng)標(biāo)準(zhǔn)。區(qū)別于早期的平行式存儲(chǔ)技術(shù)，它采用了磁場(chǎng)方向垂直于盤片表面的記錄方式，這種技術(shù)使得軟盤具有更高的存儲(chǔ)密度，此外，軟盤還采用了雙面雙層的記錄方式，能夠進(jìn)一步提高存儲(chǔ)容量。從1971年直到20世紀(jì)90年代的近三十年內(nèi)，軟盤廣泛應(yīng)用于個(gè)人電腦和其他電子設(shè)備，并帶動(dòng)了計(jì)算機(jī)行業(yè)的快速發(fā)展。圖123.5英寸軟盤軟盤容易損壞，并且沒有內(nèi)置的復(fù)制和粘貼功能，人們通常會(huì)手動(dòng)抄寫數(shù)據(jù)或使用額外設(shè)備進(jìn)行復(fù)制，相比之下，光盤的存儲(chǔ)容量、讀寫速度、可靠性都更優(yōu)秀。1965年，美國(guó)物理學(xué)家家JamesRussell發(fā)明了第一個(gè)CompactDisk/CD（數(shù)字-光學(xué)記錄和回放系統(tǒng)），CompactDisk是以模擬信號(hào)為存儲(chǔ)格式，主要通過激光掃描的方式來讀寫信息；真正意義上的世界第一部商用CD音頻播放器CDP-101，于1982年由SONY和PHILIPS公司發(fā)布，光盤就此開始普及，一張光盤可以存放約680MB的數(shù)據(jù)信息；隨著光盤容量逐漸擴(kuò)大，1995年，IBM牽頭將高容量光盤標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一合并成為DVD，重新定義為DigitalVersatileDisc（數(shù)字多用途光盤），容量可達(dá)4.7GB。圖13PHILIPS發(fā)布的第一臺(tái)CD在1956年第一張硬盤被發(fā)明的同時(shí)，閃存的發(fā)展也從未停止腳步，最早從只讀存儲(chǔ)器（Read-OnlyMemory，ROM）開始追溯，閃存也經(jīng)歷了從ROM到可電擦除可編程的只讀存儲(chǔ)器EEPROM（ElecricallyErasableProgrammableROM，），NORFlash和NANDFlash相繼被發(fā)明的階段。上世紀(jì)50年代，集成電路發(fā)明之后，就有了掩膜編程的只讀存儲(chǔ)器MROM（Mask-programmedROM），但這類傳統(tǒng)的ROM只可讀而不可擦除或修改，靈活性差。1956年，美國(guó)BoschArma公司的華裔科學(xué)家周文俊，正式發(fā)明了可編程的只讀存儲(chǔ)器PROM（ProgrammableROM），其原理是通過釋放高壓脈沖以改變內(nèi)部構(gòu)造，從而可實(shí)現(xiàn)內(nèi)容一次性修改或編程；早期的PROM主要用于軍事領(lǐng)域，后來逐漸應(yīng)用于民用領(lǐng)域。04閃存時(shí)代1959年，可謂是半導(dǎo)體存儲(chǔ)里程碑式發(fā)明的一年，貝爾實(shí)驗(yàn)室的工程師MohamedM.Atalla與姜大元共同發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)，MOSFET的發(fā)明奠定了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器重要基礎(chǔ)元件的地位。基于MOS半導(dǎo)體器件，1967年，姜大元與華裔施敏又提出相應(yīng)的浮柵，可用于可重編程ROM的存儲(chǔ)單元。圖14默罕默德·阿塔拉與姜大元姜大元（左上）、施敏（右上），浮柵架構(gòu)許多企業(yè)相繼投入到半導(dǎo)體存儲(chǔ)的研究，嘗試發(fā)明可重復(fù)讀寫的存儲(chǔ)器以提升PROM的靈活性；基于MOSFET發(fā)明，1971年，英特爾DovFrohman率先發(fā)明了可擦除可編程的只讀存儲(chǔ)器EPROM（ErasableProgrammableROM），EPROM可通過強(qiáng)紫外線反復(fù)重置至未編程狀態(tài)；同年，英特爾又發(fā)布了2048位EPROM產(chǎn)品C1702，其采用p-MOS技術(shù)。1972年，日本電工實(shí)驗(yàn)室的YasuoTarui、YutakaHayashi和KiyokoNaga，共同發(fā)明了可電擦除可編程的只讀存儲(chǔ)器EEPROM（ElecricallyErasableProgrammableROM）。EEPROM仍存在擦除速度太慢的問題，此時(shí)出現(xiàn)了一個(gè)劃時(shí)代的人物，東芝公司的工程師舛岡富士雄；1980年，他發(fā)明了一種全新可快速擦除的浮柵存儲(chǔ)器Flash（閃存，simultaneouslyerasable（同步可擦除）EEPROM），但該發(fā)明并未得到東芝的重視。1984年，在IEEE國(guó)際電子元件會(huì)議上，舛岡富士雄正式公開發(fā)表了自己的發(fā)明NORFlash，1987年，舛岡富士雄又發(fā)明了NANDFlash。英特爾對(duì)舛岡富士雄發(fā)明的NORFlash非常感興趣，1988年，英特爾基于NORFlash，生產(chǎn)了第一款商用型NORFlash閃存芯片，它如同鞋盒一樣大小，并被內(nèi)嵌于一個(gè)錄音機(jī)里，容量為256KB；這款芯片的發(fā)布徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面，并使Intel成為世界上第一個(gè)生產(chǎn)閃存并將其投放市場(chǎng)的公司。1989年，東芝發(fā)布了世界上第一個(gè)NANDFlash閃存產(chǎn)品，該產(chǎn)品容量大，耐擦除且不易損壞。圖15NORFlash

舛岡富士雄HDD讀寫速度僅為幾十兆每秒，防震抗摔性弱，市場(chǎng)亟需讀取速度快，可靠性高的大容量閃存產(chǎn)品，由EliHarari等人1988年創(chuàng)辦的SunDisk公司（現(xiàn)SanDisk，閃迪）逐漸開始打破這個(gè)局面。1989年，閃迪公司提交了系統(tǒng)閃存架構(gòu)專利(“SystemFlash”)，結(jié)合嵌入式控制器、固件和閃存來模擬磁盤存儲(chǔ)；同年，英特爾開始發(fā)售512KB和1MB

NORFlash。1989年，一家以色列公司M-Systems成立了，該公司首次提出了閃存盤的概念，也就是大家熟知的固態(tài)硬盤（SolidStateDrive，SSD）。隨著筆記本、數(shù)碼相機(jī)等電子產(chǎn)品的需求擴(kuò)大，這個(gè)階段的閃存產(chǎn)品可謂為雨后春筍般涌現(xiàn)。1991年，閃迪公司推出了世界上首個(gè)基于Flash閃存介質(zhì)的ATASSD固態(tài)硬盤，容量為20MB，尺寸為2.5英寸。1993年，美國(guó)蘋果公司正式推出了NewtonPDA產(chǎn)品，該產(chǎn)品采用了NORFlash技術(shù)。1994年，閃迪公司又第一個(gè)推出了CF存儲(chǔ)卡（CompactFlash）；當(dāng)時(shí)，這種存儲(chǔ)卡基于NORFlash技術(shù)，用于數(shù)碼相機(jī)等產(chǎn)品。圖16ATASSDNewton

PDA手機(jī)、便攜式攝像機(jī)、MP3播放器等消費(fèi)數(shù)碼產(chǎn)品需求的爆發(fā)，使得整個(gè)90年代末閃存市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)井噴式發(fā)展的態(tài)勢(shì)。1995年，M-Systems發(fā)布了基于NORFlash的閃存驅(qū)動(dòng)器——DiskOnChip。1996年，東芝（現(xiàn)鎧俠）推出了SmartMedia卡，也稱為固態(tài)軟盤卡。三星隨后開始發(fā)售NANDFlash，閃迪推出了采用MLC串行NORFlash技術(shù)的第一張閃存卡。1997年，手機(jī)開始配置閃存，以及數(shù)碼相機(jī)的出現(xiàn)，促使消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)再升級(jí)；同年，基于NANDFlash技術(shù)，西門子與閃迪合作開發(fā)了著名的MMC（多媒體內(nèi)存，MultiMediaMemory）卡。圖17MMC卡1999年，東芝公司發(fā)現(xiàn)MMC卡可輕松盜版音樂的問題，因此對(duì)其進(jìn)行了改裝，通過添加加密硬件的方式對(duì)其傳輸速度和安全性進(jìn)行了升級(jí)，改裝后命名為SD卡，容量可為2MB、4MB和8MB；在手機(jī)用于通訊以及MP4流行的年代，SD（SecuredDigital）卡成為移動(dòng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的主力軍。手機(jī)、筆記本電腦等消費(fèi)產(chǎn)品的出現(xiàn)，延伸了人們對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)便攜性的需求，2000年，U盤首次面市，M-Systems和Trek發(fā)布了世界上第一個(gè)商用USB閃存驅(qū)動(dòng)器，也叫拇指驅(qū)動(dòng)器。圖18世界上第一個(gè)商用USB閃存驅(qū)動(dòng)器NANDFlash共經(jīng)歷了三代變革。20世紀(jì)80年代初至90年代中期，第一代NANDFlash采用SLC（StaticRandomAccessMemory）技術(shù)，存儲(chǔ)密度低，存儲(chǔ)容量有限，功耗高，可靠性差。90年代中期至2000年左右，第二代NANDFlash采用NAND技術(shù)，存儲(chǔ)密度大幅提高，存儲(chǔ)容量也得到了極大的擴(kuò)展，同時(shí)采用了MLC（Multi-levelCell）技術(shù)和PCD（ProgrammableConfigurationDevice）技術(shù)，提高了NANDFlash的可靠性和靈活性。工藝制程進(jìn)入16nm后，2DNAND的成本急劇上升，平面微縮工藝的難度和成本難以承受，3DNAND技術(shù)的出現(xiàn)解決了該問題。2012年，三星正式推出了第一代3DNAND閃存芯片，隨后，閃迪、東芝、Intel、西部數(shù)據(jù)紛紛發(fā)布3DNAND產(chǎn)品，閃存行業(yè)正式進(jìn)入3D時(shí)代。2000年至今的NANDFlash采用NAND技術(shù)和3DNAND技術(shù)，存儲(chǔ)密度進(jìn)一步提高，存儲(chǔ)容量也得到了大幅擴(kuò)展，并且采用了更先進(jìn)的NAND技術(shù)，如NANDFlash垂直堆疊技術(shù)、NAND閃存內(nèi)存接口技術(shù)等，使得NAND閃存存儲(chǔ)器件的性能更加優(yōu)越，在降低能耗的同時(shí)，也節(jié)約了成本，每字節(jié)成本均低于2DNAND。進(jìn)入3DNAND時(shí)代后，閃存技術(shù)的發(fā)展可以稱的上為“芝麻開花節(jié)節(jié)高”。2022年5月，美光科技已經(jīng)宣布推出了232層的3DTLCNANDFlash。SK海力士于2022年8月也發(fā)布了238層3DNANDFlash芯片產(chǎn)品；2022年11月，三星已經(jīng)完成了第八代NAND技術(shù)產(chǎn)品的開發(fā)，將采用236層3DNAND閃存芯片，容量達(dá)1Tb，運(yùn)行速度為2.4GB/s。2023年8月，SK海力士又發(fā)布了321層堆疊4DNANDFlash閃存樣品。05新發(fā)明、新時(shí)代新型存儲(chǔ)技術(shù)是在傳統(tǒng)的存儲(chǔ)技術(shù)基礎(chǔ)上不斷發(fā)展而來的；在傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)面臨一些挑戰(zhàn)時(shí)，如存儲(chǔ)設(shè)備體積不斷增大、容量增長(zhǎng)而性能提升緩慢等，人們開始探索新的存儲(chǔ)方法。目前，新型存儲(chǔ)技術(shù)主要有4種：相變存儲(chǔ)器（PCM）、鐵電存儲(chǔ)器（FeRAM/FRAM）、磁性存儲(chǔ)器（MRAM，第二代為STT-RAM）、和阻變存儲(chǔ)器（ReRAM/RRAM）。5.1

/PCM相變存儲(chǔ)器（phase-changerandomaccessmemo，PCM或PCRAM）是一種新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，其原理是通過改變溫度，讓相變材料在結(jié)晶態(tài)（導(dǎo)電）與非結(jié)晶態(tài)（非導(dǎo)電）狀態(tài)間相互轉(zhuǎn)換，并利用兩個(gè)狀態(tài)的導(dǎo)電性差異來區(qū)分“0”態(tài)和“1”態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。圖19PCM工作原理（圖源：永鑫方舟資本）PCM具有外存NANDFlash的非易失性，以及主存DRAM高讀寫速度和長(zhǎng)壽命的特點(diǎn)，同時(shí)兼具低延時(shí)、密度高、功耗低、可兼容CMOS工藝等優(yōu)點(diǎn)，具有將外存和主存合二為一的可能性，未來有希望應(yīng)用于高性能數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、物聯(lián)網(wǎng)等場(chǎng)景。此外，目前PCM還未發(fā)現(xiàn)有明確的物理極限，研究表明即使相變材料降至2nm厚度，存儲(chǔ)器件依舊可以發(fā)生相變。因此，PCM可能解決存儲(chǔ)器工藝的物理極限問題，成為未來通用的新一代半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件之一。PCM的發(fā)展歷程可以追溯到20世紀(jì)60年代，當(dāng)時(shí)StanfordOvshinsky開始研究無定形物質(zhì)的性質(zhì)，1968年，他發(fā)現(xiàn)某些玻璃在變相時(shí)會(huì)存在可逆的電阻系數(shù)變化。這個(gè)發(fā)現(xiàn)啟發(fā)了他在1970年與他的妻子IrisOvshinsky共同建立了一個(gè)能量轉(zhuǎn)換裝置（ECD）公司，該公司專注于研究和發(fā)展PCM技術(shù)。在ECD公司與Intel的GordonMoore合作后，他們?cè)?970年9月28日的Electronics雜志上發(fā)表了一篇名為“世界第一個(gè)256位半導(dǎo)體相變存儲(chǔ)器”的文章；這個(gè)里程碑式的發(fā)現(xiàn)標(biāo)志著PCM技術(shù)的誕生。但由于過去半導(dǎo)體工藝的限制，相變單元所需驅(qū)動(dòng)電流過大，導(dǎo)致早期的PCM未贏得過多青睞。而后，得益于半導(dǎo)體加工工藝的進(jìn)步，使具有較小的驅(qū)動(dòng)電流器件成為可能，迎來了PCM的發(fā)展契機(jī)。進(jìn)入21世紀(jì)，隨著半導(dǎo)體工業(yè)界的制備技術(shù)和工藝達(dá)到深亞微米甚至納米尺度，PCM技術(shù)開始進(jìn)入快速發(fā)展階段。在2000年，Intel和Ovonyx發(fā)表了一份合作與許可協(xié)議，這是現(xiàn)代PCM研究與發(fā)展的開端。從那時(shí)起，多家公司開始致力于PCM技術(shù)的研發(fā)和商業(yè)化，例如Intel、美光科技等。PCM作為新型存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)化的先行者，國(guó)內(nèi)外廠商爭(zhēng)相布局。2006年，Intel和三星生產(chǎn)了第一款商用PCM芯片。2015年，Intel和美光科技合作開發(fā)名為3DXPoint的PCM存儲(chǔ)技術(shù)。2019年8月，時(shí)代全芯發(fā)布國(guó)內(nèi)首款PCM產(chǎn)品——2兆位可編程只讀PCM，成為繼美光科技、三星后少數(shù)掌握PCM研發(fā)、生產(chǎn)工藝和自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的公司。然而，2018年Intel和美光科技結(jié)束了3DXPoint的聯(lián)合開發(fā)工作，此后美光科技于2021年宣布停止基于3DXPoint技術(shù)產(chǎn)品的進(jìn)一步開發(fā)。至此，PCM的產(chǎn)業(yè)化陷入困境。PCM現(xiàn)階段具有較多應(yīng)用瓶頸，致使商業(yè)化停滯。首先，由于PCM存儲(chǔ)過程依賴溫度調(diào)節(jié)，具有對(duì)溫度的高敏感度，導(dǎo)致其無法應(yīng)用于寬溫場(chǎng)景。其次，PCM存儲(chǔ)器采取多層結(jié)構(gòu)，以具備兼容CMOS工藝的特點(diǎn)，致使存儲(chǔ)密度過低，無法滿足替代NANDFlash的容量條件。此外，成本和良率也成為其大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的瓶頸之一。5.2

/FeRAM1952年，鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FerroelectricRandomAccessMemory，F(xiàn)eRAM）首次在麻省理工大學(xué)DudleyAllenBuck的碩士論文中被提及，論文中提到FeRAM有比閃存更低的耗電量、更高的寫入速度、更長(zhǎng)的讀寫壽命等優(yōu)勢(shì)。由于存算一體的特性和諸多優(yōu)勢(shì)，F(xiàn)eRAM成為新型存儲(chǔ)的主流產(chǎn)品之一。1993年，Ramtron公司推出了4KBFeRAM產(chǎn)品，為全球首款可量產(chǎn)的FeRAM產(chǎn)品，此后，F(xiàn)eRAM的更多研發(fā)和應(yīng)用開啟新篇章。圖20FeRAM工作原理（圖源：永鑫方舟資本）FeRAM小部分產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，潛力可見度提高。根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2022-2027年中國(guó)FRAM行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研及發(fā)展前景預(yù)測(cè)報(bào)告》，F(xiàn)RAM存儲(chǔ)密度較低，容量有限，無法完全取代DRAM與NANDFlash，但在對(duì)容量要求不高、讀寫速度要求高、讀寫頻率高、使用壽命要求長(zhǎng)的場(chǎng)景中擁有發(fā)展?jié)摿ΑＴ谙M(fèi)電子領(lǐng)域，可用于智能手表、智能卡以及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備制造；在汽車領(lǐng)域，可用于高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）制造；在工業(yè)機(jī)器人領(lǐng)域，可用于控制系統(tǒng)制造等。國(guó)內(nèi)外多家廠商正在積極研發(fā)FeRAM存儲(chǔ)器，臺(tái)積電正在探索鐵電薄膜和堆疊及其可控性、狀態(tài)保持性、持久性和可擴(kuò)展性，以實(shí)現(xiàn)與先進(jìn)CMOS技術(shù)集成的高密度、高容量數(shù)字存儲(chǔ)器；國(guó)內(nèi)拍字節(jié)、匯峰等企業(yè)也正在積極研究并助推以HfO2為鍍膜的FeRAM的產(chǎn)業(yè)化落地，拍字節(jié)目前還在實(shí)驗(yàn)室研發(fā)階段有望量產(chǎn)，匯峰目前已經(jīng)有130nm制程FeRAM產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)小批量量產(chǎn)。并且，已有部分FeRAM存儲(chǔ)器成功應(yīng)用在汽車領(lǐng)域，代表公司Ramtron和Symetrix、英飛凌、日本富士通半導(dǎo)體。FeRAM技術(shù)瓶頸尚在，仍需繼續(xù)研究突破。當(dāng)前，F(xiàn)eRAM的工作模式主要包括DRO（破壞性讀出）和NDRO（非破壞性讀出）兩種。在DRO模式中，F(xiàn)eRAM讀出后需重新寫入數(shù)據(jù)，信息讀取過程中存在著大量的擦除/重寫操作，由于不斷地極化反轉(zhuǎn)，F(xiàn)eRAM容易發(fā)生疲勞失效的問題。NDRO模式無需使柵極的極化狀態(tài)反轉(zhuǎn)，讀出方式是非破壞性的，是一種比較理想的存儲(chǔ)方式，但目前這種FeRAM尚處于實(shí)驗(yàn)室研究階段，還未達(dá)到實(shí)用層面。5.3

/MRAM磁性隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器（MagneticRandomAccessMemory，MRAM）是一種非易失性隨機(jī)存儲(chǔ)器，它擁有SRAM的高速讀取寫入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以無限次的重復(fù)寫入。MRAM靠磁場(chǎng)極化而非電荷來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，其存儲(chǔ)單元由自由磁層、隧道柵層、固定磁層組成。圖21MRAM工作原理（圖源：永鑫方舟資本）MRAM于1984年發(fā)明，后經(jīng)不斷改進(jìn)。1984年，供職于霍尼韋爾的ArthurPohm與JamesDaughton發(fā)明了首個(gè)磁存儲(chǔ)器；由于對(duì)環(huán)境條件敏感等問題，對(duì)MRAM的改進(jìn)從未停止。1996年，Berger和Slonczewski不約而同的提出了STT-MRAM（自旋扭矩轉(zhuǎn)遞）方案；2000年，Spintec實(shí)驗(yàn)室獲得首個(gè)STT-MRAM專利。STT-MRAM為當(dāng)前主流商業(yè)化方案。自2000年Spintec實(shí)驗(yàn)室獲得首個(gè)STT技術(shù)專利開始，STT-MRAM憑借更快的讀寫速度與更小的尺度逐漸成為主流商業(yè)化方案。2005年11月，瑞薩科技與Grandis合作開發(fā)65nm工藝的STT-MRAM；2005年12月，索尼推出首款實(shí)驗(yàn)室STT-MRAM產(chǎn)品。2008年11月，三星與SK海力士宣布合作開發(fā)STT-MRAM；2012年11月，Everspin首次推出容量為64MB的獨(dú)立式STT-MRAM產(chǎn)品；2019年3月，三星28nm工藝的嵌入式STT-MRAM產(chǎn)品開始量產(chǎn)。2019年1月，Everspin公司推出基于