MRS技術(shù)及在顱腦腫瘤中的應(yīng)用完整版

MRS技術(shù)及在顱腦腫瘤中的應(yīng)用

磁共振波譜（magneticresonancespectroscopy，MRS），是一種無創(chuàng)性檢測活體組織器官能量代謝、生化改變和特定化合物定量分析的技術(shù)，從代謝方面對病變進一步研究新技術(shù)介紹

前言該技術(shù)對顱腦腫瘤、顱腦損傷、功能性神經(jīng)疾病、前列腺病變等的診斷有重要臨床應(yīng)用價值新技術(shù)介紹依據(jù)化學(xué)位移和自旋耦合兩種物理現(xiàn)象短的射頻脈沖激勵原子核，采集自由感應(yīng)衰減信號，通過傅立葉轉(zhuǎn)換變成波譜新技術(shù)介紹

基本原理不同化合物中的相同原子，在MRS頻率軸上不同位置形成不同代謝峰，其峰下面積代表共振質(zhì)子的數(shù)量，反應(yīng)不同化合物的濃度，并可定量分析新技術(shù)介紹

MRS分析有單體素（singlevoxel,SV）和多體素（multi-voxel，MV）技術(shù)。SV技術(shù)操作易，體素小，成像時間短，勻場效果好；主要缺陷是覆蓋范圍太小，對體素放置的位置要求高，不能同時比較病變對側(cè)組織新技術(shù)介紹

MV技術(shù)可行三維多層面成像，覆蓋范圍大，同時獲取多個體素的代謝信息，并顯示病變組織及其對周圍結(jié)構(gòu)的侵犯情況，同時可做出偽彩圖，因此較SV技術(shù)提供更多的代謝信息，具有更大臨床應(yīng)用價值新技術(shù)介紹MRS分析對磁場的均勻性要求較高，為了獲取高質(zhì)量的波譜，興趣區(qū)的選擇因盡量避開血液、空氣、腦脊液、脂肪、壞死組織、金屬、鈣化和骨骼等，這些組織可以產(chǎn)生磁敏感偽影影響局部磁場的均勻性新技術(shù)介紹掃描技術(shù)3.0TSiemensTrioTim磁共振儀，MRS采用PRESS序列，TR/TE1700/135ms，多體素相位矩陣，層厚=15mm，F(xiàn)OV12cmx12cm，1次激發(fā)，成像時間6min35s新技術(shù)介紹后處理方法

運用MR機附帶的波譜分析軟件自動完成Ganssian曲線，得到化學(xué)位移圖、波譜圖，分別測量感興趣區(qū)NAA、Cho、Cr、Lac、Lip等代謝物濃度，同時計算Cho/Cr比值新技術(shù)介紹

MRS分析一般要計算以下幾個特性：譜線的共振頻率、譜峰高、半峰全寬（FWHM）及譜線下面積等其橫坐標代表共振頻率，采用磁場強度的百萬分率（ppm，ppm表示10-6）為單位，縱坐標表示MR信號強度新技術(shù)介紹N-乙酰天門冬氨酸（NAA），正常腦1H-MRS中最高的峰，位于2.0ppm，主要存在成熟神經(jīng)元內(nèi)，是其內(nèi)標物腫瘤、多發(fā)性硬化、梗死、神經(jīng)細胞變性疾病、代謝性疾病等均可致NAA下降，腦膜瘤、轉(zhuǎn)移瘤NAA缺失新技術(shù)介紹波譜中常用代謝物腦發(fā)育、成熟過程中及神經(jīng)損傷后軸索回復(fù)中NAA會升高，Canavan(中樞神經(jīng)系統(tǒng)海綿狀變性)是唯一可致NAA增高的疾病，由于該病人體內(nèi)缺乏NAA水解酶新技術(shù)介紹膽堿化合物（Cho），反應(yīng)總膽堿儲備量，波峰于3.2ppm，是細胞膜磷脂代謝成分之一，參與細胞膜的合成、代謝，Cho峰的高低可作為腫瘤細胞增殖的指標，是評價腦瘤的重要共振峰之一新技術(shù)介紹在幾乎所有的原發(fā)性和繼發(fā)性腦瘤中（除顱咽管瘤）均升高，腫瘤增殖的Cho/Cr和Cho/NAA比值隨惡性程度增高而增高Cho也是髓鞘磷脂崩潰的標志，急性脫髓鞘疾病中顯著升高新技術(shù)介紹肌酸（Cr），共振峰于3.03ppm、3.94ppm，是高能磷酸化合物的儲備及ATP\ADP的緩沖劑，是腦組織能量代謝的提示物在能量代謝減退的情況下增加，在能量代謝增加的情況下降低新技術(shù)介紹乳酸（Lac），波峰于1.32ppm，具有特殊形狀的峰—“雙峰”Lac峰的出現(xiàn)提示正常細胞有氧呼吸被抑制，無氧酵解增加，在腦缺血、缺氧、癲癇和腫瘤等會出現(xiàn)新技術(shù)介紹脂質(zhì)（Lip），其峰出現(xiàn)在0.8、1.2、1.4、6.0ppm處，由甲基、亞甲基和的乙烯基組成在高級別星形細胞瘤中，Lip峰升高，可反應(yīng)壞死存在新技術(shù)介紹MRS在顱腦腫瘤的應(yīng)用

膠質(zhì)瘤：腫瘤細胞增長旺盛致使神經(jīng)元破壞，MRS表現(xiàn)為不同程度的NAA峰下降，Cho峰升高。惡性程度高的膠質(zhì)瘤可以出現(xiàn)Lac峰，Cho、Lip峰較高新技術(shù)介紹病例1：左額葉間變性膠質(zhì)細胞瘤WHOⅢ級伴大片狀壞死，局部進展為膠質(zhì)母細胞瘤WHOⅣ級。多體素MRS：腫瘤區(qū)域譜線，NAA含量明顯減低，Cho明顯升高，Cr輕度降低

腦轉(zhuǎn)移瘤：來源于腦外，腫瘤內(nèi)無神經(jīng)元，MRS表現(xiàn)為無NAA峰、Cho峰顯著升高、Cr峰減少、Cho/Cr比值升高，可出現(xiàn)Lac峰和Lip峰。腫瘤細胞增殖旺盛致細胞膜代謝異常增高、能量耗竭、糖無氧酵解增加有關(guān)新技術(shù)介紹病例2：右側(cè)額葉轉(zhuǎn)移瘤。新技術(shù)介紹多體素MRS：腫瘤區(qū)域譜線，NAA含量明顯減低，Cho明顯升高，Cr輕度降低，Lac峰和Lip峰

腦膜瘤：顱內(nèi)腦外腫瘤，病理分良性及惡性，良性多見。一般典型腦膜瘤NAA峰降低或消失、Cr下降、Cho升高，可以出現(xiàn)Lac、Lip峰。惡性腦膜瘤Cho/