模擬電子技術(shù)智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下河北農(nóng)業(yè)大學(xué)

模擬電子技術(shù)智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下河北農(nóng)業(yè)大學(xué)河北農(nóng)業(yè)大學(xué)

第一章測試

當(dāng)溫度升高時，二極管反向飽和電流將（）。

A:增大B:等于零C:減小D:不變

答案:增大

半導(dǎo)體二極管的重要特性之一是（）。

A:濾波特性B:放大作用C:單向?qū)щ娦訢:溫度穩(wěn)定性

答案:單向?qū)щ娦?/p>

電路如圖所示，二極管導(dǎo)通電壓UD＝0.7V，關(guān)于輸出電壓的說法正確的是（）。

A:只有當(dāng)uI1=0.3V，uI2=0.3V時輸出電壓為才為1V。B:uI1=3V，uI2=0.3V時輸出電壓為3.7V。C:uI1=3V，uI2=0.3V時輸出電壓為1V。D:uI1=3V，uI2=3V時輸出電壓為5V。

答案:uI1=3V，uI2=0.3V時輸出電壓為1V。

如果把一個二極管直接同一個電動勢為1.5V、內(nèi)阻為0的電池正向連接，則該管（）。

A:擊穿B:電流過大使管子燒壞C:電流為0D:正常導(dǎo)通

答案:電流過大使管子燒壞

某三極管各電極對地電位如圖所示，由此可判斷該三極管（）

A:處于飽和區(qū)域B:處于放大區(qū)域C:處于截止區(qū)域D:已損壞

答案:已損壞

第二章測試

圖中所示為某基本共射放大電路的輸出特性曲線，靜態(tài)工作點(diǎn)由Q2點(diǎn)向右移動到Q3點(diǎn)可能的原因是（）。

A:集電極電源+VCC電壓變高B:基極電源+VBB電壓變低C:基極回路電阻Rb變高。D:集電極負(fù)載電阻RC變低

答案:集電極負(fù)載電阻RC變低

某放大電路圖所示.設(shè)VCC>>VBE,UCE≈0.3V，則在靜態(tài)時該三極管處于（）。

A:飽和區(qū)B:區(qū)域不定C:放大區(qū)D:截止區(qū)

答案:飽和區(qū)

多級放大電路與組成它的各個單級放大電路相比，其通頻帶（）。

A:與各單級放大電路無關(guān)B:變窄C:不變D:變寬

答案:變窄

放大電路產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的主要原因是（）。

A:用了阻容耦合方式B:用了正負(fù)雙電源供電C:用了直接耦合方式D:增益太大

答案:用了直接耦合方式

共集電極放大電路的電壓放大倍數(shù)接近于（）

A:2B:1C:3D:4

答案:1

共基極電路的頻率響應(yīng)好，常用作寬帶或高頻放大電路。（）

A:錯B:對

答案:對

第三章測試

通頻帶可用BW表示，上、下限頻率fH，fL,正確的是（）。

A:BW=fL+fHB:BW=fHC:BW=fH-fLD:BW=fL

答案:BW=fH-fL

已知放大電路的上、下限頻率fH，fL分別為100KHZ，10KHZ，則通頻帶是（）。

A:100KHZB:110KHZC:100KHZD:90KHZ

答案:90KHZ

當(dāng)信號頻率等于放大電路的fL或fH時，則放大倍數(shù)值約下降到中頻時（）。

A:0.9倍B:0.8倍C:0.707倍D:0.5倍

答案:0.707倍

多級放大器級聯(lián)后，總的電壓增益（）。

A:不變B:下降C:提高

答案:提高

多級放大器級聯(lián)后，總的通頻帶（）。

A:變窄B:不變C:變寬

答案:變窄

在低頻段，放大倍數(shù)下降的主要原因是隔直電容的容抗增大，在高頻段，放大倍數(shù)下降的主要原因是三極管存在結(jié)電容。（）

A:對B:錯

答案:對

第四章測試

與甲類功率放大方式比較，乙類OCL互補(bǔ)對稱功率放大方式的主要優(yōu)點(diǎn)是（）。

A:不用輸出變壓器B:無交越失真C:不用輸出端大電容D:效率高

答案:效率高

在甲類，乙類和甲乙類三種功率放大電路中，效率最低的是（）。

A:乙類B:甲乙類C:甲類

答案:甲類

在甲類，乙類和甲乙類三種功率放大電路中，失真最小的是（）。

A:乙類B:甲乙類C:甲類

答案:甲乙類

與甲類功率放大器相比，乙類互補(bǔ)推挽放大器的主要優(yōu)點(diǎn)是（）。

A:能量轉(zhuǎn)換效率高B:無輸出變壓器C:無交越失真

答案:能量轉(zhuǎn)換效率高

所謂能量轉(zhuǎn)換效率就是指（）。

A:最大不失真輸出功率與電源提供的功率之比B:輸出功率與電源提供的功率之比C:輸出功率與晶體管上消耗的功率之比

答案:最大不失真輸出功率與電源提供的功率之比

乙類互補(bǔ)推挽功率放大電路中，若電源電壓為VCC，放大管的飽和壓降為UCES，那么放大管的最大管壓降為

2VCC-UCES。（）

A:錯B:對

答案:對

第五章測試

共模抑制比KCMR越大，表明電路（）。

A:抑制溫漂能力越強(qiáng)B:放大倍數(shù)越穩(wěn)定C:交流放大倍數(shù)越大D:輸入信號中的差模成分越大

答案:抑制溫漂能力越強(qiáng)

差分放大器左管輸入電壓+100mV，右管輸入-300mV，其共模輸入（）。

A:200mVB:-100mVC:100mVD:-200mV

答案:-100mV

互補(bǔ)輸出級采用射極輸出方式是為了使（）。

A:輸出電阻增大B:輸出電流小C:帶負(fù)載能力強(qiáng)D:電壓放大倍數(shù)高

答案:帶負(fù)載能力強(qiáng)

集成運(yùn)放電路采用直接耦合方式是因?yàn)椋ǎ?/p>

A:可使溫漂變小B:可獲得較高增益C:可以增大輸入電阻D:在集成工藝中難于制造大電容

答案:在集成工藝中難于制造大電容

雙端輸入.雙端輸出差分放大電路如圖所示。已知靜態(tài)時，Vo=Vc1－Vc２＝０，設(shè)差模電壓增益，共模電壓增益，則輸出電壓為（）。

A:1000mVB:125mVC:250mVD:500mV

答案:125mV

如圖所示的復(fù)合管，假設(shè)和分別表示T1T2單管工作時的穿透電流，則復(fù)合管的穿透電流為（）。

A:B:C:D:

答案:

第六章測試

負(fù)反饋所能抑制的干擾和噪聲是（）

A:反饋環(huán)內(nèi)的干擾和噪聲B:輸出信號中的干擾和噪聲C:反饋環(huán)外的干擾和噪聲D:輸入信號所包含的干擾和噪聲

答案:反饋環(huán)內(nèi)的干擾和噪聲

多級負(fù)反饋放大電路在（）情況下容易引起自激。

A:閉環(huán)放大倍數(shù)很大B:放大器的級數(shù)少C:反饋系數(shù)太小D:回路增益大

答案:回路增益大

電路如圖所示，引入跨級之間的交流負(fù)反饋類型為（）。

A:電壓串聯(lián)B:電流串聯(lián)C:電壓并聯(lián)D:電流并聯(lián)

答案:電壓串聯(lián)

交流負(fù)反饋是指（）

A:只存在于阻容耦合電路中的負(fù)反饋B:變壓器耦合電路中的負(fù)反饋C:交流通路中的負(fù)反饋D:放大正弦波信號時才有的負(fù)反饋

答案:交流通路中的負(fù)反饋

電路如圖所示，R7引入的交流負(fù)反饋類型為（）。

A:電壓串聯(lián)B:電流串聯(lián)C:電壓并聯(lián)D:電流并聯(lián)

答案:電壓串聯(lián)

電壓負(fù)反饋可使輸出電阻減小到開環(huán)時的（1+AF）倍。（）

A:錯B:對

答案:對

串聯(lián)負(fù)反饋可使反饋環(huán)路內(nèi)的輸入電阻增加到開環(huán)時的（1+AF）倍。（）

A:對B:錯

答案:對

電路中引入負(fù)反饋后，只能減小非線性失真，而不能消除失真。（）

A:對B:錯

答案:對

第七章測試

同相輸入比例運(yùn)算電路中的反饋極性和類型屬于（）。

A:正反饋B:電壓并聯(lián)負(fù)反饋C:電壓串聯(lián)負(fù)反饋D:電流串聯(lián)負(fù)反饋

答案:電壓串聯(lián)負(fù)反饋

理想運(yùn)算放大器的共模抑制比為（）。

A:約120dBB:無窮大C:零

答案:無窮大

電路如下圖所示，則該電路為（）。

A:加法運(yùn)算電路B:比例運(yùn)算電路C:減法運(yùn)算電路

答案:減法運(yùn)算電路

電路如圖所示，該電路為（）。

A:比例-積分運(yùn)算電路B:比例運(yùn)算電路C:微分運(yùn)算電路

答案:比例-積分運(yùn)算電路

電路如圖所示，該電路為（）。

A:減法運(yùn)算電路B:比例運(yùn)算電路C:加法運(yùn)算電路

答案:加法運(yùn)算電路

電路如圖所示，輸出電壓為（）。

A:-2VB:0C:-1VD:-3V

答案:-3V

同相比例運(yùn)算電路的輸入電阻高，輸出電阻也很高。（）

A:錯B:對

答案:錯

反相比例運(yùn)算電路存在“虛地”現(xiàn)象，該電路不存在共模輸入電壓。（）

A:對B:錯

答案:對

在模擬運(yùn)算電路時，集成運(yùn)算放大器工作在線性區(qū)。（）

A:錯B:對

答案:對

理想運(yùn)放工作在線性區(qū)時有兩個主要的特點(diǎn)，分別為虛短和虛斷。（）

A:錯B:對

答案:對

第八章測試

滯回比較器有2個門限電壓，因此在輸入電壓從足夠低逐漸增大到足夠高的過程中，其輸出狀態(tài)將發(fā)生（）次躍變。

A:3B:1C:2D:0

答案:1

有電路如圖所示，則該電路為（）。

A:高通濾波電路B:帶通濾波電路C:帶阻濾波器D:低通濾波電路

答案:低通濾波電路

電路如圖所示，該電路為（）。

A:帶通濾波電路B:高通濾波電路C:低通濾波電路D:帶阻濾波器

答案:高通濾波電路

如果一個滯回比較器的兩個閾值電壓和一個窗口比較器的相同，那么當(dāng)它們的輸入電壓相同時，它們的輸出電壓也相同。（）

A:錯B:對

答案:錯

單限比較器比滯回比較器抗干擾能力強(qiáng)，而滯回比較器比單限比較器靈敏度高。（）

A:錯B:對

答案:錯

輸入電壓在單調(diào)變化的過程中，單限比較器和滯回比較器的輸出電壓均只可能躍變一次。（）

A:錯B:對

答案:對

為使電壓比較器的輸出電壓不是高電平就是低電平，就應(yīng)在其電路中使集成運(yùn)放不是工作在開環(huán)狀態(tài)，就是僅僅引入正反饋。（）

A:錯B:對

答案:對

理想運(yùn)放工作在非線性區(qū)時有兩個主要的特點(diǎn)，分別為虛短和虛斷。（）

A:錯B:對

答案:錯

第九章測試

利用石英晶體的電抗頻率特性構(gòu)成的振蕩器是（）

A:f＝fs時，石英晶體呈阻性，可構(gòu)成串聯(lián)型晶體振蕩器B:f＝fs時，石英晶體呈感性，可構(gòu)成串聯(lián)型晶體振蕩器C:fs<f<fp時，石英晶體呈感性，可構(gòu)成串聯(lián)型晶體振蕩器D:fs<f<fp時，石英晶體呈阻性，可構(gòu)成串聯(lián)型晶體振蕩器

答案:f＝fs時，石英晶體呈阻性，可構(gòu)成串聯(lián)型晶體振蕩器

LC正弦波振蕩電路如圖所示，該電路（）。<br>

A:由于放大器不能正常工作，不能產(chǎn)生正弦波振蕩B:由于不滿足相位平衡條件，不能產(chǎn)生正弦波振蕩C:由于無選頻網(wǎng)絡(luò)不能產(chǎn)生正弦波振蕩D:滿足振蕩條件能產(chǎn)生正弦波振蕩

答案:由于放大器不能正常工作，不能產(chǎn)生正弦波振蕩

為了得到頻率穩(wěn)定度高的正弦波信號，應(yīng)采用（）振蕩電路。

A:石英晶體振蕩器B:LC振蕩器C:RC振蕩器

答案:石英晶體振蕩器

在RC橋式正弦波振蕩電路中，當(dāng)滿足相位起振條件時，則其中電壓放大電路的放大倍數(shù)必須滿足（）才能起振。

A:Au＜3B:Au=3C:Au＞3D:Au=1

答案:Au＞3

只要電路中引入了正反饋，就一定會產(chǎn)生正弦波振蕩。（）

A:錯B:對

答案:錯

凡是振蕩電路中的集成運(yùn)放均工作在線性區(qū)。（）

A:對B:錯

答案:錯

非正弦波振蕩電路與正弦波振蕩電路的振蕩條件完全相同。（）

A:錯B:對

答案:錯

在正弦波振蕩電路中，只允許存在正反饋，不允許引入負(fù)反饋。（）

A:錯B:對

答案:錯

第十章測試

單相橋式整流電路變壓器次級電壓有效值為10V，則每個整流二極管所承受的最大反向電壓為（）

A:28.28VB:10VC:14.14VD:20V

答案:14.14V

橋式整流加電容濾波電路，設(shè)整流輸入電壓為20V，此時輸出電壓約為（）。

A:28.2VB:9VC:18VD:24V

答案:24V

濾波電路的主要元件是（）。

A:電容和電感B:穩(wěn)壓管C:電阻D:二極管

答案:電容和電感

具有放大環(huán)節(jié)的串聯(lián)型穩(wěn)壓電路在正