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文檔簡介

材料科學(xué)與工程基礎(chǔ)實驗8

位錯蝕坑的觀察與分析一、實驗?zāi)康牧私馕诲e觀察的幾種常用方法,借助光學(xué)顯微鏡觀察晶體表面的位錯蝕坑。初步掌握用浸蝕法觀察位錯的實驗技術(shù)。

學(xué)會計算位錯密度。二、實驗原理與方法觀察位錯的方法浸蝕法：利用蝕坑顯示晶體表面的位錯露頭。透射電鏡法：觀察薄膜（厚度<0.2μm）樣品試樣中的位錯。X射線衍射顯微鏡分析：利用X光束的局部衍射來研究位錯密度。場離子顯微分析：以極高的放大倍數(shù)來顯示金屬表面的原子排列情況。

二、實驗原理與方法浸蝕法：利用蝕坑顯示晶體表面的位錯露頭。

{111}晶面{110}晶面{100}晶面位錯蝕坑在面心立方結(jié)構(gòu)中各個晶面上的形狀二、實驗原理與方法利用浸蝕法顯示硅單晶中的位錯蝕坑螺型位錯刃型位錯氧化層錯小角度晶界三、實驗內(nèi)容借助金相顯微鏡觀察硅單晶中的各種位錯蝕坑、小角度晶界、刃型位錯、螺型位錯、位錯塞積、位錯運動及層錯。利用測微目鏡計算所觀察的位錯密度。四、實驗結(jié)果與討論分析觀察硅單晶中的位錯蝕坑金相特征。如何根據(jù)蝕坑的特征確定位錯的性質(zhì)及蝕坑所在的位置。金相顯微鏡下和透射電鏡觀察到的位錯

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