新高考化學二輪復習高頻考點14 碳、硅及其化合物（含解析）

高頻考點14碳、硅及其化合物題點（一）硅、碳及其化合物的性質(zhì)1．（2021·湖北卷）“碳中和”有利于全球氣候改善。下列有關(guān)CO2的說法錯誤的是()A．CO2是Ⅴ形的極性分子 B．CO2可催化還原為甲酸C．CO2晶體可用于人工增雨 D．CO2是侯氏制堿法的原料之一1.AA．CO2的中心原子C的價層電子對數(shù)為2，無孤電子對，CO2的空間構(gòu)型為直線形，其正負電荷中心重合，為非極性分子，A項錯誤；B．CO2可以被H2在催化劑作用下還原為甲酸，B項正確；C．固態(tài)二氧化碳(干冰)升華時吸熱，可用于人工增雨，C項正確；D．侯氏制堿法中發(fā)生反應(yīng)：NaC1+H2O+NH3+CO2=NaHCO3↓+NH4C1，CO2是生產(chǎn)原料之一，D項正確；故選A。2．（2022·湖南卷）化學促進了科技進步和社會發(fā)展，下列敘述中沒有涉及化學變化的是()A．《神農(nóng)本草經(jīng)》中記載的“石膽能化鐵為銅”B．利用“侯氏聯(lián)合制堿法”制備純堿C．科學家成功將SKIPIF1<0轉(zhuǎn)化為淀粉或葡萄糖D．北京冬奧會場館使用SKIPIF1<0跨臨界直冷制冰2.DA．“石膽能化鐵為銅”指的是鐵可以與硫酸銅發(fā)生置換反應(yīng)生成銅，發(fā)生了化學變化，A不符合題意；B．工業(yè)上利用“侯氏聯(lián)合制堿法”制備純堿，二氧化碳、氨氣、氯化鈉和水發(fā)生反應(yīng)生成的碳酸氫鈉晶體經(jīng)加熱后分解生成碳酸鈉即純堿，發(fā)生了化學變化，B不符合題意；C．CO2轉(zhuǎn)化為淀粉或葡萄糖，有新物質(zhì)生成，發(fā)生了化學變化，C不符合題意；D．使用CO2跨臨界直冷制冰，將水直接轉(zhuǎn)化為冰，沒有新物質(zhì)生成，只發(fā)生了物理變化，沒有涉及化學變化，D符合題意；綜上所述，本題選D。3．（2022·浙江卷）下列說法不正確的是（）A．晶體硅的導電性介于導體和絕緣體之間，常用于制造光導纖維B．高壓鈉燈發(fā)出的黃光透霧能力強、射程遠，可用于道路照明C．氧化鋁熔點高，常用于制造耐高溫材料D．用石灰右-石膏法對燃煤煙氣進行脫硫，同時可得到石膏3.AA．晶體硅的導電性介于導體和絕緣體之間，是良好的半導體材料，可用于制造晶體管、集成電路等，而二氧化硅常用于制造光導纖維，A錯誤；B．鈉的焰色反應(yīng)為黃色，可用作透霧能力強的高壓鈉燈，B正確；C．耐高溫材料應(yīng)具有高熔點的性質(zhì)，氧化鋁熔點高，可用作耐高溫材料，C正確；D．石灰石的主要成分為碳酸鈣，石灰石-石膏法脫硫過程中發(fā)生反應(yīng)：CaCO3SKIPIF1<0CaO+CO2↑，SO2+CaCO3=CaSO3+CO2，2CaSO3+O2=2CaSO4，得到了石膏，D正確；答案選A。4．（2021·福建卷）建盞是久負盛名的陶瓷茶器，承載著福建歷史悠久的茶文化。關(guān)于建盞，下列說法錯誤的是（）A．高溫燒結(jié)過程包含復雜的化學變化 B．具有耐酸堿腐蝕、不易變形的優(yōu)點C．制作所用的黏土原料是人工合成的 D．屬硅酸鹽產(chǎn)品，含有多種金屬元素4.CA．高溫燒結(jié)過程是許多物理化學變化的綜合過程，A正確；B．陶瓷成分是硅酸鹽，經(jīng)高溫燒結(jié)具有耐酸堿腐蝕、不易變形的優(yōu)點，B正確；C．黏土是含沙粒很少、有黏性的土壤，一般的黏土都由硅酸鹽礦物在地球表面風化后形成，不是人工合成的，C錯誤；D．陶瓷主要原料是黏土，屬硅酸鹽產(chǎn)品，含有多種金屬元素，D正確；故選C。5．（2022·廣東深圳·一模）中華文化源遠流長、博大精深，廣東省館藏文物是中華文化的重要代表。下列文物主要是由金屬材料制成的是（）文物鎏金高士圖銀杯南宋德化窯青白釉撇口瓶明代象牙雕壽星戰(zhàn)國青瓷罐選項ABCDA．A B．B C．C D．D5.AA．鎏金高士圖銀杯是由金屬材料制成，A正確；B．南宋德化窯青白釉撇口瓶由陶瓷制成，B錯誤；C．明代象牙雕壽星是由象牙制成，C錯誤；D．戰(zhàn)國青瓷罐由陶瓷制成，D錯誤；故答案選A。6．（2022·黑龍江·鶴崗一中高三開學考試）下列說法不正確的是（）A．鈉著火可用干沙土滅火B(yǎng)．硅晶體的導電性介于導體和絕緣體之間，是一種重要的半導體材料C．光導纖維的主要成分是硅D．青花瓷胎體的原料為高嶺土[Al2Si2O5(OH)4]，若以氧化物形式表示為Al2O3·2SiO2·2H2O6.CA．鈉能與氧氣生成過氧化鈉，過氧化鈉與水、二氧化碳反應(yīng)放出氧氣，鈉著火可用干沙土滅火，故A正確；B．硅晶體的導電性介于導體和絕緣體之間，是一種重要的半導體材料，故B正確；C．光導纖維的主要成分是二氧化硅，故C錯誤；D．青花瓷胎體的原料為高嶺土[Al2Si2O5(OH)4]，若用氧化物形式表示，先寫金屬氧化物，再寫非金屬氧化物，最后寫水，表示為Al2O3·2SiO2·2H2O，故D正確；選C。7．我國具有獨立知識產(chǎn)權(quán)的電腦芯片“龍芯一號”的問世，填補了我國計算機制造史上的一項空白。下列對晶體硅的有關(guān)敘述正確的是（）A．晶體硅的結(jié)構(gòu)與金剛石類似B．晶體硅的化學性質(zhì)不活潑，常溫下不與任何物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)C．晶體硅是一種良好的半導體材料，但是它提煉工藝復雜，價格昂貴D．晶體硅具有金屬光澤，故它屬于金屬材料，可以導電7.AA.晶體硅為正四面體結(jié)構(gòu)，與金剛石類似，A正確；B.晶體硅常溫下可以與氫氟酸反應(yīng)，B錯誤；C.晶體硅是一種良好的半導體材料，但是它提煉工藝不復雜，價格不高，已經(jīng)被普及使用，C錯誤；D.晶體硅有金屬光澤，可以導電，但它屬于非金屬材料，D錯誤；故選A。8.（2022·廣西·高三階段練習）青釉瓷器是中國最早出現(xiàn)的一種瓷器，是中華文明的象征之一，下列說法錯誤的是（）A．瓷器化學性質(zhì)穩(wěn)定，具有熔點高、耐腐蝕等特點B．瓷器是應(yīng)用較早的人造材料，主要化學成分是二氧化硅C．瓷器是以黏土為主要原料，經(jīng)高溫燒結(jié)而成D．高溫結(jié)構(gòu)陶瓷、超導陶瓷等新型陶瓷與傳統(tǒng)陶瓷相比，在成分上有了很大變化8.BA．瓷器為無機非金屬材料，化學性質(zhì)穩(wěn)定，具有熔點高、耐腐蝕等特點，A正確；B．瓷器是應(yīng)用較早的人造材料，主要化學成分是硅酸鹽，B錯誤；C．瓷器是以黏土為主要原料，經(jīng)高溫燒結(jié)而成，C正確；D．高溫結(jié)構(gòu)陶瓷、超導陶瓷等新型陶瓷與傳統(tǒng)陶瓷相比，在成分上有了很大變化，具有更優(yōu)良的性能，D正確。故選B。題點（二）硅的制備及硅酸鹽的性質(zhì)9．（2022·河北卷）定窯是宋代五大名窯之一，其生產(chǎn)的白瓷聞名于世。下列說法正確的是（）A．傳統(tǒng)陶瓷是典型的絕緣材料 B．陶瓷主要成分為SKIPIF1<0和SKIPIF1<0C．陶瓷燒制的過程為物理變化 D．白瓷的白色是因鐵含量較高9.AA．陶瓷是良好的絕緣體，傳統(tǒng)陶瓷是典型的絕緣材料，常用于高壓變壓器的開關(guān)外包裝和器件，A正確；B．陶瓷的主要成分為硅酸鹽，而不是SiO2和MgO，C錯誤；C．陶瓷燒制過程發(fā)生復雜的化學反應(yīng)，由新物質(zhì)生成，屬于化學變化，C錯誤；D．由于Fe2+、Fe3+和鐵的氧化物均有顏色，故陶瓷中含鐵量越多，陶瓷的顏色越深，白瓷的白色是因為鐵含量較低甚至幾乎不含，D錯誤；故答案為：A。10．（2022·廣東卷）陳述Ⅰ和Ⅱ均正確但不具有因果關(guān)系的是（）選項陳述Ⅰ陳述ⅡA用焦炭和石英砂制取粗硅SKIPIF1<0可制作光導纖維B利用海水制取溴和鎂單質(zhì)SKIPIF1<0可被氧化，SKIPIF1<0可被還原C石油裂解氣能使溴的SKIPIF1<0溶液褪色石油裂解可得到乙烯等不飽和烴DSKIPIF1<0水解可生成SKIPIF1<0膠體SKIPIF1<0可用作凈水劑A．A B．B C．C D．D10.AA．焦炭具有還原性，工業(yè)上常利用焦炭與石英砂（SiO2）在高溫條件下制備粗硅，這與SiO2是否做光導纖維無因果關(guān)系，故A符合題意；B．海水中存在溴離子，可向其中通入氯氣等氧化劑將其氧化為溴單質(zhì)，再經(jīng)過萃取蒸餾物理操作分離提純溴單質(zhì)，另外，通過富集海水中的鎂離子，經(jīng)過沉淀、溶解等操作得到無水氯化鎂，隨后電解熔融氯化鎂可制備得到鎂單質(zhì)，陳述I和陳述II均正確，且具有因果關(guān)系，B不符合題意；C．石油在催化劑加熱條件下進行裂解可得到乙烯等不飽和烴，從而使溴的CCl4溶液褪色，陳述I和陳述II均正確，且具有因果關(guān)系，C不符合題意；D．FeCl3溶液中鐵離子可發(fā)生水解，生成具有吸附性的氫氧化鐵膠體，從而可用作凈水劑，陳述I和陳述II均正確，且具有因果關(guān)系，D不符合題意；綜上所述，答案為A。11．（2022·江蘇模擬預測）氮化硅(Si3N4)是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。用石英砂和原料氣(含N2和少量O2)制備的Si3N4操作流程如下(粗硅中含少量Fe、Cu的單質(zhì)及化合物)，有關(guān)敘述不正確的是（）A．“還原”反應(yīng)中氧化產(chǎn)物為CO2B．“高溫氮化”反應(yīng)的化學方程式為：3Si+2N2SKIPIF1<0Si3N4C．“操作X”可將原料氣通過灼熱的銅粉D．“稀酸Y”可選用稀硝酸11．AA．焦炭與石英砂發(fā)生反應(yīng)SKIPIF1<0，焦炭被氧化成CO，不是CO2，故A錯誤；B．“高溫氮化”是Si與氮氣反應(yīng)，其反應(yīng)方程式為SKIPIF1<0，故B正確；C．原料氣中含有N2和少量的O2，氧氣能與Cu反應(yīng)生成CuO，N2不與Cu反應(yīng)，操作X可以得到純凈氮氣，故C正確；D．粗硅中含有少量Fe和Cu，即Si3N4中含有少量Fe和Cu，F(xiàn)e、Cu與稀硝酸反應(yīng)，得到可溶于水的Fe(NO3)3和Cu(NO3)2，稀硝酸可以除去Si3N4中Fe和Cu，故D正確；答案為A。12．制造芯片用到高純硅，用SiHCl3(沸點：31.85℃，SiHCl3遇水會劇烈反應(yīng)，易自燃)與過量H2在1100~1200℃反應(yīng)制備高純硅的裝置如圖所示(夾持裝置和尾氣處理裝置略去)，下列說法不正確的是（）A．整個實驗的關(guān)鍵是控溫、檢查裝置氣密性和排盡裝置中的空氣B．裝置II、III中依次盛裝的是濃H2SO4、溫度高于32℃的溫水C．實驗時，先打開裝有稀硫酸儀器的活塞，收集尾氣驗純，再預熱裝置IV石英管D．尾氣處理可直接通入NaOH溶液中12.DA．SiHCl3的沸點為31.85°C，且易自燃，因而整個實驗的關(guān)鍵是控溫、檢查裝置氣密性和排盡裝置中的空氣，故A正確；B．裝置Ⅱ中濃H2SO4可干燥氫氣，Ⅲ中盛裝溫度高于32℃的溫水，目的是使滴入燒瓶中的SiHCl3氣化，與氫氣反應(yīng)，故B正確；C．實驗時應(yīng)先打開裝有稀硫酸儀器的活塞制取氫氣，用氫氣將裝置內(nèi)的空氣排出，收集尾氣驗純，再預熱裝置Ⅳ石英管，防止氫氣不純加熱易爆炸，故C正確；D．SiHCl3與氫氣在1100～1200°C反應(yīng)制備高純硅，因而處理尾氣時，因該在通入NaOH溶液前加上防倒吸裝置，故D錯誤；故選：D。13．（2022·河北唐山·高三開學考試）以某冶金工業(yè)產(chǎn)生的廢渣(含SKIPIF1<0)為原料制備SKIPIF1<0的流程如下圖所示。已知堿浸后溶液中主要存在的陰離子是：SKIPIF1<0、SKIPIF1<0。下列說法正確的是A．“氧化”步驟，氧化劑與還原劑的比值為2∶3B．“除雜”時，生成SKIPIF1<0的離子方程式為：SKIPIF1<0C．過濾時，為加快過濾速率，可用玻璃棒攪拌D．SKIPIF1<0的溶解度小于SKIPIF1<013.DA．“氧化”步驟，是雙氧水和SKIPIF1<0發(fā)