InP基光接收器件的研究與制備的開題報告

InP基光接收器件的研究與制備的開題報告一、研究背景與意義隨著通信技術(shù)的不斷發(fā)展，光通信作為一種重要的傳輸方式，具有帶寬大、傳輸距離遠、阻抗低等優(yōu)點，逐漸成為了現(xiàn)代通信的主要手段。而光接收器是光通信系統(tǒng)中重要的組成部分，其性能的優(yōu)劣直接影響到整個系統(tǒng)的傳輸性能。目前，半導體材料基的光接收器在光通信系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用，其中InP基光接收器具有低噪聲、高速度等優(yōu)點，在高速光通信系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用前景，因此對該材料的研究具有重要的科學意義和實際應(yīng)用價值。二、研究內(nèi)容本研究將著重于InP基光接收器件的研究和制備。主要包括以下幾個方面：1.InP基材料的制備：采用分子束外延技術(shù)，在P型InP襯底上生長InP材料，并考察其物性和化學性質(zhì)。2.簡單結(jié)構(gòu)的InP光接收器件的制備：采用光刻、蒸發(fā)、電子束光刻等技術(shù)，制備簡單結(jié)構(gòu)的InP光接收器件，并測試其性能。3.復雜結(jié)構(gòu)的InP光接收器件的制備：考慮到現(xiàn)實應(yīng)用需要，需要研究復雜結(jié)構(gòu)的InP光接收器件的制備方法，例如諧振腔結(jié)構(gòu)、微環(huán)結(jié)構(gòu)等。4.InP光接收器件的性能測試：測試上述制備的光接收器組件的光電性質(zhì)，包括靈敏度和響應(yīng)時間等方面的性能。三、研究目標本研究的目標是：1.實現(xiàn)InP基材料的制備和性質(zhì)分析。2.制備簡單和復雜結(jié)構(gòu)的InP光接收器件。3.測試不同類型的InP光接收器件的光電性質(zhì)。4.最終實現(xiàn)高性能的InP光接收器的制備。四、研究方法和技術(shù)路線本研究的方法和技術(shù)路線如下：1.基于分子束外延技術(shù)，制備InP基材料，并用原子力顯微鏡、X射線衍射儀等測試其物性和化學性質(zhì)。2.微納加工技術(shù)，制備簡單和復雜結(jié)構(gòu)的InP光接收器件。3.采用光電學測試設(shè)備，測試不同類型的InP光接收器件的光電性質(zhì)。4.基于上述實驗結(jié)果，逐步完善InP光接收器件的制備方法，最終實現(xiàn)高性能的InP光接收器的制備。五、預期成果和成果應(yīng)用價值通過本研究，預期實現(xiàn)以下成果：1.實現(xiàn)InP基材料的制備和性質(zhì)分析，具有一定的科研價值。2.制備簡單和復雜結(jié)構(gòu)的InP光接收器件，為高速光通信的發(fā)展提供一定的技術(shù)基礎(chǔ)。3.測試不同類型的InP光接收器件的光電性質(zhì)，探索光接收器件的結(jié)構(gòu)與性能之間的關(guān)系。4.最終實現(xiàn)高性能的InP光接收器的制備，可用于高速光通信系統(tǒng)等領(lǐng)域。六、研究進度安排預計研究周期為3年，主要進度安排如下：第1年：完成InP基材料的制備和性質(zhì)分析。第2年：完成簡單和復雜結(jié)構(gòu)的InP光接收器件的制備。第3年：完成不同類型的InP光接收器件的性能測試，并最終實現(xiàn)高性能的InP光接收器的制備。七、參考文獻[1]賈婉青,王景春.InP基高速光接收器的研究進展.光電子·激光,2006(10):1770-1776.[2]唐華財,王紳.InP材料及應(yīng)用.半導體光電,2007,28(