氮化鋅薄膜的制備研究開題報(bào)告

氮化鋅薄膜的制備研究開題報(bào)告一、選題背景氮化鋅作為一種半導(dǎo)體材料，在光電子器件、光伏、顯示和照明等領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。而氮化鋅薄膜是氮化鋅應(yīng)用中的基礎(chǔ)，它的制備工藝及薄膜性能對(duì)于氮化鋅材料的應(yīng)用和發(fā)展都具有重要意義。目前，氮化鋅薄膜的制備方法有很多種，比如磁控濺射、分子束外延、物理氣相沉積等。但不同制備方法的薄膜質(zhì)量和制備條件都不相同，有一定的局限性。因此，探究更優(yōu)化的氮化鋅薄膜制備方法，提高其質(zhì)量和性能，對(duì)于開發(fā)氮化鋅的潛力和應(yīng)用都有重要的促進(jìn)作用。二、研究目的本研究旨在優(yōu)化氮化鋅薄膜的制備方法，通過(guò)比較不同工藝條件下的薄膜性能，得出更優(yōu)化的氮化鋅薄膜制備方案，并對(duì)其性能進(jìn)行評(píng)價(jià)和分析。三、研究?jī)?nèi)容1.氮化鋅薄膜的制備方法研究（1）磁控濺射法（2）物理氣相沉積法（3）分子束外延法2.氮化鋅薄膜性能測(cè)試（1）X射線衍射測(cè)試（2）掃描電鏡觀察（3）光學(xué)吸收譜測(cè)試（4）霍爾效應(yīng)測(cè)試3.工藝條件優(yōu)化（1）薄膜成核和生長(zhǎng)的實(shí)驗(yàn)研究（2）薄膜微結(jié)構(gòu)與性能之間的關(guān)系研究四、預(yù)期成果本研究將通過(guò)實(shí)驗(yàn)比較不同制備條件下氮化鋅薄膜的性能及微結(jié)構(gòu)，得出更優(yōu)化的制備方案，并對(duì)其性能進(jìn)行評(píng)價(jià)。預(yù)計(jì)得到高質(zhì)量的氮化鋅薄膜，并為其廣泛應(yīng)用提供理論和技術(shù)支持。五、研究方法及進(jìn)度研究方法主要是通過(guò)實(shí)驗(yàn)對(duì)比法，采用磁控濺射法、物理氣相沉積法和分子束外延法制備氮化鋅薄膜，并對(duì)其薄膜性能進(jìn)行測(cè)試。在此基礎(chǔ)上，通過(guò)對(duì)薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中的實(shí)驗(yàn)探究和對(duì)薄膜微結(jié)構(gòu)與性能之間關(guān)系的研究，提出更優(yōu)化的制備方案。預(yù)計(jì)研究周期為10個(gè)月，具體計(jì)劃如下：第1-2個(gè)月：文獻(xiàn)調(diào)研，了解氮化鋅薄膜的制備、性能及應(yīng)用現(xiàn)狀。第3-6個(gè)月：通過(guò)實(shí)驗(yàn)制備氮化鋅薄膜，測(cè)試其性能。第7-8個(gè)月：對(duì)薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中的實(shí)驗(yàn)探究進(jìn)行研究第9-10個(gè)月：提出更優(yōu)化的制備方案，撰寫學(xué)位論文。六、參考文獻(xiàn)1.張文堂,等.氮化鋅薄膜的制備及其應(yīng)用研究進(jìn)展[J].光學(xué)精密工程,2017,25(5):1020-1027.2.TodaH,UchiyamaH,YakushimaR,etal.PropertiesofGaN,AlN,andAlGaNfilmsgrownbymolecular-beamepitaxyusingammoniaandnitrogenradicalsources[J].JapJApplPhys,1998,37(3):L239-L242.3.WuSQ,ZhangBP,ZhangQH,etal.HighlytransparentZnOthinfilmsgrownbysputteringdepositionmethod[J].ThinSolidFilms,2006,515(4):1898-1901.4.XuJ,XuG,ZhouP,etal.ZnOthinfilmsdepositedbyspraypyrolysi