電力電子器件

1.1電力電子器件概述1.2不可控器件——電力二極管1.3半控型器件——晶閘管1.4典型全控型器件1.5其他新型電力電子器件1.6電力電子器件的驅(qū)動1.7電力電子器件的維護(hù)1.8電力電子器件的串聯(lián)和并聯(lián)運用本章小結(jié)第1章電力電子器件11.1電力電子器件概述1.1.1電力電子器件的概念和特征1.1.2電力電子電路系統(tǒng)組成1.1.3電力電子器件的分類2電力電子器件的概念和特征1.概念主電路〔PowerCircuit〕在電氣設(shè)備或電力系統(tǒng)中，直接承當(dāng)電能的變化或控制義務(wù)的電路。電力電子器件〔PowerElectronicDevice)直接用于處置電能主電路中，實現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。3電力電子器件的概念和特征1.概念電力電子器件理想模型它有三個電極1和2代表開關(guān)的兩個主電極，3是控制開關(guān)通斷的控制。它只需兩種任務(wù)形狀——“通態(tài)〞和“斷態(tài)〞通態(tài)時其電阻為零，相當(dāng)于開封鎖合；斷態(tài)時其電阻無窮大，相當(dāng)于開關(guān)斷開。41〕處置電功率的才干>>信息電子器件。2〕普通任務(wù)在開關(guān)形狀。3〕普通由信息電子電路驅(qū)動。4〕功率損耗>>信息電子器件。2.特征電力電子器件的概念和特征電力電子器件是功率半導(dǎo)體器件52.特征電力電子器件的概念和特征如何調(diào)查電力電子器件導(dǎo)通壓降(損耗)運轉(zhuǎn)頻率(開通時間/關(guān)斷時間)器件容量(電能處置、變換的才干)可靠性耐沖才干6導(dǎo)通主電路中電力電子器件關(guān)斷控制電路信息電子電路組成控制電路主電路電力電子系統(tǒng)經(jīng)過驅(qū)動電路控制控制電路檢測驅(qū)動RL主電路V1V2電力電子電路系統(tǒng)組成驅(qū)動電路檢測維護(hù)電路7電力電子器件的分類1.控制方式不能用控制信號控制其通斷，不需求驅(qū)動電路電力二極管不控型器件主電路｛通斷電流電壓只需兩個端子構(gòu)造簡單、任務(wù)可靠。8電力電子器件的分類1.控制方式半控型器件經(jīng)過控制信號可控制其導(dǎo)通但不能控制其關(guān)斷｛晶閘管及其派生器件關(guān)斷主電路電流電壓反響快、可靠性高、壽命長、功率大、價錢低，且具有節(jié)能的特點。9電力電子器件的分類1.控制方式全控型器件經(jīng)過控制信號既可控制其導(dǎo)通又能控制其關(guān)斷｛絕緣柵雙極晶體管電力場效應(yīng)晶體管電力晶體管自關(guān)斷器件門極可關(guān)斷晶閘管驅(qū)動電路通斷電流電壓具有集成化、高頻化、多功能化的特點，運用很廣。處置兆瓦級大功率電能10通斷電力電子器件的分類2.驅(qū)動信號的性質(zhì)電流驅(qū)動型電壓驅(qū)動型控制端注入電流抽出電流電壓信號公共端控制端113.導(dǎo)電方式單極型器件只需一種載流子〔多數(shù)〕參與導(dǎo)電雙極型器件電子和空穴兩種載流子同時參與導(dǎo)電復(fù)合型器件單極型器件和雙極型器件集成混合而成電力電子器件的分類12晶閘管的構(gòu)造與任務(wù)原理AGK晶閘管外形、構(gòu)造和電氣圖形符號a)外形b)構(gòu)造c)圖形符號外形：螺栓型平板型P1N1P2N2J1J2J3陽極陰極門極1.構(gòu)造和符號13常用晶閘管的構(gòu)造螺栓型晶閘管晶閘管模塊平板型晶閘管外形及構(gòu)造14實驗電路晶閘管的構(gòu)造與任務(wù)原理2.導(dǎo)通和關(guān)斷條件AKGEAEGRAA+-15導(dǎo)通條件：陽極與陰極之間加正向電壓，同時門極與陰極之間也加正向電壓。關(guān)斷條件：陽極電流IA小于維持電流IH晶閘管的構(gòu)造與任務(wù)原理實驗結(jié)論實現(xiàn)方法：1〕減小陽極電源電壓或增大陽極回路電阻；2〕將陽極電源反向。16本質(zhì)——正反響過程產(chǎn)生注入門極的觸發(fā)電流IG的電路觸發(fā)門極觸發(fā)電路對晶閘管的驅(qū)動晶閘管的構(gòu)造與任務(wù)原理IGIB2IC2=IB1IC1電流驅(qū)動型IGSEGREAIc2Ic1IKIAAGNPNPNPKV1V2P1AGKN1P2P2N1N2IB2IB1晶閘管導(dǎo)通171〕晶閘管具有可控的單導(dǎo)游電性。與二極管比較，一樣點：都具有單導(dǎo)游電性；不同點：晶閘管的單導(dǎo)游電受門極控制。2〕晶閘管屬半控型器件。門極只能用來控制晶閘管的導(dǎo)通，導(dǎo)通后門極就失去控制造用。3〕晶閘管具有開關(guān)作用。導(dǎo)通時：相當(dāng)于開封鎖合；阻斷時：相當(dāng)于開關(guān)斷開。晶閘管的根本特點：晶閘管的構(gòu)造與任務(wù)原理18電路如圖，知u2和ug波形，試畫出電阻Rd兩端的電壓ud波形。晶閘管的導(dǎo)通時辰由u2和ug共同決議，關(guān)斷那么僅取決于u2的過零時辰例題π2π3π19晶閘管的根本特性1.靜態(tài)特性伏安特性：——陽極伏安特性

晶閘管的陽極與陰極之間的電壓ua與陽極電流ia之間的關(guān)系。20正導(dǎo)游通IG0=0IHUROUBOIG1IG2IG2>IG1>IG0IAUA01.靜態(tài)特性正向阻斷硬開通正向特性反向特性反向阻斷1〕IG=0時，假設(shè)UA＞UBO，那么晶閘管會出現(xiàn)“硬開通〞景象——不允許2〕IG添加時，正向轉(zhuǎn)機電壓減小。3〕晶閘管一旦導(dǎo)通，門極失去控制造用。4〕當(dāng)晶閘管加反向電壓時，任務(wù)在反向阻斷形狀。5〕當(dāng)反向電壓足夠大時，晶閘管被反向擊穿?！辉试S反向擊穿正向阻斷反向阻斷正導(dǎo)游通正常任務(wù)區(qū)晶閘管的根本特性212.動態(tài)特性反映晶閘管在開通和關(guān)斷時的動態(tài)任務(wù)過程。晶閘管的開通時間約為幾微秒；晶閘管的關(guān)斷時間約幾百微秒。開關(guān)時間：開通時間ton關(guān)斷時間toff晶閘管的根本特性22晶閘管的主要參數(shù)斷態(tài)反復(fù)峰值電壓UDRM在門極斷路而結(jié)溫為額定值時，允許反復(fù)加在器件上的正向峰值電壓。反向反復(fù)峰值電壓URRM在門極斷路而結(jié)溫為額定值時，允許反復(fù)加在器件上的反向峰值電壓。

取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標(biāo)值作為該器件的額定電壓。1．電壓定額額定電壓的選取要留有一定裕量，普通取額定電壓為正常任務(wù)時晶閘管所接受峰值電壓的2～3倍。即UTn=〔2~3〕UTMUTM為晶閘管在實踐任務(wù)中所接受的最大正反向電壓23通態(tài)平均電流IT(AV)在規(guī)定的條件下，晶閘管所允許流過的最大工頻正弦半波電流的平均值。

2.電流定額維持電流IH維持晶閘管繼續(xù)導(dǎo)通所必需的最小陽極電流。

擎住電流IL晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號后，能維持導(dǎo)通所需的最小電流。對同一晶閘管，通常IL約為IH的2~4倍。晶閘管的主要參數(shù)24正弦半波電流波形

通態(tài)平均電流IT(AV)正弦半波電流的有效值波形系數(shù)Kf那么正弦半波電流或ITn=1.57IT(AV)即100A的晶閘管允許經(jīng)過的電流有效值為157A電流定額25留意：管子的發(fā)熱與有效值有關(guān)，要務(wù)虛際電流有效值IT一定不能大于額定電流有效值ITn。IT≤ITn=1.57IT(AV)

故額定電流的選取要留有一定裕量，普通取1.5～2倍。即IT(AV)=〔1.5~2〕IT(AV)≥

電流定額26斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt在額定結(jié)溫暖門極開路的情況下，不導(dǎo)致晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓最大上升率。位移電流在斷態(tài)的晶閘管兩端所施加的電壓具有正向的上升率，在逐段形狀下相當(dāng)于一個電容的J2結(jié)流過的充電電流。通態(tài)電流臨界上升率di/dt在規(guī)定條件下，晶閘管能接受而無有害影響的最大通態(tài)電流上升率。3．動態(tài)參數(shù)〔自學(xué)〕晶閘管的主要參數(shù)27晶閘管型號的命名方法：例如：KP100-12G表示額定電流100A、額定電壓1200V、管壓降1v的普通型晶閘管。晶閘管的主要參數(shù)KP□－□□表示晶閘管普通反向阻斷型額定通態(tài)平均電流正反向反復(fù)峰值電壓等級通態(tài)平均電壓組別28晶閘管的派生器件常規(guī)快速晶閘管高頻晶閘管包括一切為快速運用而設(shè)計的晶閘管與普通晶閘管相比快速晶閘管關(guān)斷時間為數(shù)十微秒高頻晶閘管關(guān)斷時間為10μs左右電壓和電流定額不易做高運用于400Hz和10kHz以上的斬波或逆變電路中快速晶閘管29IG=0IU0雙向晶閘管有兩個主電極T1和T2，一個門極G。門極使器件在主電極的正反兩方向均可觸發(fā)導(dǎo)通。可等效為一對反并聯(lián)的普通型晶閘管。在第Ⅰ和第III象限有對稱的伏安特性。不用平均值而用有效值來表示其額定電流值。晶閘管的派生器件30IG=0IU0雙向晶閘管晶閘管的派生器件-++I++---I-四種觸發(fā)方式++Ⅲ+-+-Ⅲ-觸發(fā)靈敏度I+、Ⅲ-相對較高。常用I+、Ⅲ-兩種觸發(fā)方式31IU0I=0GAKG逆導(dǎo)晶閘管是將晶閘管反并聯(lián)一個二極控制造在同一管芯上的功率集成器件。不具有接受反向電壓的才干，一旦接受反向電壓即開通。與普通晶閘管相比正向壓降小關(guān)斷時間短高溫特性好額定電流晶閘管電流反并聯(lián)的二極管的電流晶閘管的派生器件32KK---快速晶閘管KP---普通晶閘管KN---逆導(dǎo)晶閘管晶閘管常見型號認(rèn)識KS---雙向晶閘管晶閘管的派生器件33門極可關(guān)斷晶閘管〔GTO〕晶閘管的一種派生器件?？梢越?jīng)過在門極施加負(fù)的脈沖電流使其關(guān)斷。電壓、電流容量較大，與普通晶閘管接近，在兆瓦級以上的大功率場所仍有較多的運用。34與普通晶閘管的一樣點:PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)造外部引出陽極、陰極和門極。與普通晶閘管的不同點：GTO是一種多元功率集成器件。門極可關(guān)斷晶閘管GTO符號1.GTO的構(gòu)造和任務(wù)原理35GTO導(dǎo)通條件與導(dǎo)經(jīng)過程——與普通晶閘管一樣〔飽和程度較淺〕。GTO關(guān)斷條件與關(guān)斷過程——門極參與負(fù)脈沖電流，即從門極抽出電流，在劇烈正反響作用下迅速退出飽和而關(guān)斷。任務(wù)原理門極可關(guān)斷晶閘管〔GTO〕363.GTO的主要參數(shù)最大可關(guān)斷陽極電流IATO——GTO額定電流電流關(guān)斷增益off——最大可關(guān)斷陽極電流與門極負(fù)脈沖電流最大值IGM之比。開關(guān)時間——開通時間ton和關(guān)斷時間toff開關(guān)時間幾個微秒到幾十微秒，導(dǎo)通壓降2-3V、比晶閘管稍高。門極可關(guān)斷晶閘管〔GTO〕off普通很小，只需5左右，這是GTO的一個主要缺陷。37電力晶體管〔GTR〕1.GTR的構(gòu)造和任務(wù)原理單管GTR與普通晶體管一樣。具有耐壓高、電流大、開關(guān)特性好等特點。通常采用至少由兩個晶體管按達(dá)林頓接法組成的單元構(gòu)造。β≈β1β2采用集成電路工藝將許多這種單元并聯(lián)而成——達(dá)林頓模塊。38模塊型電力晶體管的內(nèi)部構(gòu)造既有單管型，也有達(dá)林頓復(fù)合型，其容量范圍從30A／450V～800A／1400V不等。在一個模塊的內(nèi)部有一單元構(gòu)造、二單元構(gòu)造、四單元構(gòu)造和六單元構(gòu)造。電力晶體管〔GTR〕1.GTR的構(gòu)造和任務(wù)原理39模塊型電力晶體管的內(nèi)部構(gòu)造既有單管型，也有達(dá)林頓復(fù)合型，其容量范圍從30A／450V～800A／1400V不等。在一個模塊的內(nèi)部有一單元構(gòu)造、二單元構(gòu)造、四單元構(gòu)造和六單元構(gòu)造。電力晶體管〔GTR〕1.GTR的構(gòu)造和任務(wù)原理402.GTR的根本特性ib2ib1ib3ib1<ib2<ib3截止區(qū)Ic0Uce飽和區(qū)放大區(qū)靜態(tài)特征電力晶體管〔GTR〕三個任務(wù)區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)41trtdtstontftoff90%Icsic10%IcsIb2t0t1t2t3t4t5t90%Ib110%Ib1Ib1t00ibGTR的開通和關(guān)斷過程電流波形GTR的開關(guān)時間在幾微秒以內(nèi)，比晶閘管和GTO都短。電力晶體管〔GTR〕2.GTR的根本特性開通時間ton=td+tr關(guān)斷時間toff=ts+tf動態(tài)特征提高任務(wù)速度方法：減小導(dǎo)通時的飽和深度。增大Ib2的幅值和負(fù)偏壓。423.GTR的主要參數(shù)最高任務(wù)電壓集電極最大允許電流IcM

集電極最大耗散功率PcM電力晶體管〔GTR〕極限參數(shù)：43一次擊穿：集電極電壓升高到擊穿電壓時，集電極電流迅速增大，首先出現(xiàn)的雪崩擊穿的景象。二次擊穿：一次擊穿發(fā)生時未有效限制電流，Ic增大到某個臨界點忽然急劇上升，電壓忽然下降的景象。4.二次擊穿景象與平安任務(wù)區(qū)二次擊穿會立刻導(dǎo)致器件的永久損壞，對GTR危害極大。電力晶體管〔GTR〕44二次擊穿臨界限最高任務(wù)電壓集電極最大電流最大耗散功率電力晶體管〔GTR〕平安任務(wù)區(qū)GTR任務(wù)時不能超越4.二次擊穿景象與平安任務(wù)區(qū)45電力場效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)1.構(gòu)造和任務(wù)原理簡稱：電力MOSFET〔PowerMOSFET〕P溝道導(dǎo)電溝道電力MOSFET主要是N溝道加強型N溝道加強型耗盡型加強型耗盡型46uGS↑→導(dǎo)電溝道寬度↑→漏極電流iD↑——電壓驅(qū)動方式電力場效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)1.構(gòu)造和任務(wù)原理柵極漏極源極簡稱：電力MOSFET〔PowerMOSFET〕符號導(dǎo)通時只需多數(shù)載流子參與導(dǎo)電——單極型晶體管N溝道P溝道uGS＞UT〔開啟電壓〕導(dǎo)通條件：DSGDSG472.根本特性和主要參數(shù)〔自學(xué)〕電力場效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)主要優(yōu)點：開關(guān)時間短〔ns級〕、任務(wù)頻率高〔100kHz以上〕、驅(qū)動功率小、驅(qū)動電路簡單、熱穩(wěn)定性好且不存在二次擊穿景象等。缺陷：通流才干較差，且通態(tài)電阻值較大。48GTR和GTO的特點——雙極型，電流驅(qū)動，通流才干很強，開關(guān)速度較低，所需驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復(fù)雜。電力MOSFET的特點——單極型，電壓驅(qū)動，開關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動功率小且驅(qū)動電路簡單。絕緣柵雙極晶體管〔Insulated-gateBipolarTransistor——IGBT或IGT)GTR和MOSFET復(fù)合，集二者優(yōu)點于一體。1986年投入市場，是目前中小功率電力電子設(shè)備的主導(dǎo)器件。幾種電力電子器件性能比較：電力場效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)491.構(gòu)造和任務(wù)原理ECG電氣圖形符號簡化等效電路絕緣柵雙極晶體管〔IGBT〕GERNC驅(qū)動方式：由P-MOSFET決議——柵射極電壓控制輸出特性：由GTR決議——通流才干強、通態(tài)壓降低502.根本特性O(shè)有源區(qū)正向阻斷區(qū)飽和區(qū)反向阻斷區(qū)ICUGE(th)UGEOICURMUFMUCEUGE(th)UGE添加分為三個區(qū)：正向阻斷區(qū)、有源區(qū)和飽和區(qū)。轉(zhuǎn)移特性輸出特性開啟電壓開關(guān)時間：開通時間約為0.5～1.2μs關(guān)斷時間約為0.55～1.5μs導(dǎo)通條件：uGE＞UGE(th)〔開啟電壓〕任務(wù)特點：uGE↑→集電極電流ic↑——電壓驅(qū)動型絕緣柵雙極晶體管〔IGBT〕靜態(tài)特性51絕緣柵雙極晶體管〔IGBT〕IGBT的主要優(yōu)點：開關(guān)速度快，開關(guān)損耗小。

平安任務(wù)區(qū)大，耐沖才干強。通態(tài)壓降低。輸入阻抗高。52驅(qū)動電路的根本義務(wù)將信息電子電路傳來的信號按控制目的的要求，轉(zhuǎn)換為加在電力電子器件控制端和公共端之間，可以使其開通或關(guān)斷的信號。驅(qū)動電路主電路與控制電路之間的接口性能良好的驅(qū)動電路使電力電子器件理想的開關(guān)形狀縮短開關(guān)時間減小開關(guān)損耗對安裝的運轉(zhuǎn)效率，可靠性、平安性有重要意義電力電子器件驅(qū)動電路概述要求：驅(qū)動電路提供控制電路與主電路之間的電氣隔離環(huán)節(jié)?！财胀ú捎霉飧綦x或磁隔離〕。53驅(qū)動電路關(guān)斷信號開通訊號對全控型器件電流驅(qū)動型電壓驅(qū)動型晶閘管的驅(qū)動電路電力電子器件驅(qū)動電路概述觸發(fā)電路驅(qū)動電路分類：驅(qū)動信號性質(zhì)驅(qū)動電路構(gòu)造方式分立元件驅(qū)動電路公用集成驅(qū)動電路對半控器件開通訊號54晶閘管的觸發(fā)電路晶閘管觸發(fā)電路作用產(chǎn)生符合要求的門極觸發(fā)脈沖，保證晶閘管在需求的時辰可靠地由阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通形狀。對觸發(fā)時辰進(jìn)展相位控制。對晶閘管觸發(fā)電路的要求觸發(fā)脈沖的寬度應(yīng)保證晶閘管可靠導(dǎo)通。觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度。不超越門極電壓、電流和功率定額，且在可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi)。應(yīng)有良好的抗干擾性能、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離。55觸發(fā)電路的種類分立元件觸發(fā)電路：簡單觸發(fā)電路單結(jié)管觸發(fā)電路正弦波觸發(fā)電路鋸齒波觸發(fā)電路集成觸發(fā)器：KJ004移相觸發(fā)器TC787移相觸發(fā)器計算機控制數(shù)字觸發(fā)電路晶閘管的觸發(fā)電路56幾種常見的觸發(fā)脈沖晶閘管的觸發(fā)電路57理想觸發(fā)脈沖電流波形t1~t2—脈沖前沿上升時間(<1μs)t2~t3—強脈沖寬度IM—強脈沖幅值(3IGT~5IGT)t3~t4—脈沖寬度I—脈沖平頂幅值(1.5IGT~2IGT)晶閘管的觸發(fā)電路IIMt1t2t3t4——強觸發(fā)脈沖58V1、V2構(gòu)成脈沖放大環(huán)節(jié)。脈沖變壓器TM和附屬電路構(gòu)成脈沖輸出環(huán)節(jié)。

V1、V2導(dǎo)通時，經(jīng)過脈沖變壓器向晶閘管的門極和陰極之間輸出觸發(fā)脈沖。常見的晶閘管觸發(fā)電路晶閘管的觸發(fā)電路59GTR的驅(qū)動電路典型全控型器件的驅(qū)動電路GTR1.電流驅(qū)動型器件的驅(qū)動電路602.電壓驅(qū)動型器件的驅(qū)動電路典型全控型器件的驅(qū)動電路電力MOSFET和IGBT是電壓驅(qū)動型器件當(dāng)有輸入信號時，放大器A輸出高電平，V2導(dǎo)通輸出正驅(qū)動電壓

，電力MOSFET導(dǎo)通。當(dāng)無輸入信號時，放大器A輸出低電平，V3導(dǎo)通輸出負(fù)驅(qū)動電壓，電力MOSFET關(guān)斷。61過電壓維護(hù)過電壓外因過電壓內(nèi)因過電壓操作過電壓雷擊過電壓換相過電壓關(guān)斷過電壓過電壓的產(chǎn)生62維護(hù)原理：利用電容兩端電壓不能突變的特點吸收尖峰電壓。維護(hù)措施阻容吸收維護(hù)維護(hù)原理：出現(xiàn)過電壓時，可經(jīng)過很大峰值電流，而電壓根本不變?！差愃品€(wěn)壓管〕壓敏電阻維護(hù)——非線性電阻根本特性：正反向?qū)ΨQ，可實現(xiàn)雙向限壓。由成組串聯(lián)的硒整流片構(gòu)成，現(xiàn)已很少采用。硒堆維護(hù)——非線性元件過電壓維護(hù)63

F避雷器D變壓器靜電屏蔽層C靜電感應(yīng)過電壓制制電容RC1閥側(cè)浪涌過電壓制制用RC吸收電路RC2閥側(cè)浪涌過電壓制制用反向阻斷式RC吸收電路〔整流式阻容吸收電路〕RV壓敏電阻過電壓制制器RC3閥器件換相過電壓制制用RC吸收電路RC4直流側(cè)RC吸收電路RCD閥器件關(guān)斷過電壓制制用RCD電路過電壓維護(hù)過電壓制制措施及配置位置網(wǎng)側(cè)閥側(cè)直流側(cè)交流側(cè)整流器64交流側(cè)過電壓維護(hù)1〕阻容維護(hù)：在變壓器二次側(cè)并入電阻R和電容C。過電壓維護(hù)652〕非線性電阻維護(hù)—壓敏電阻維護(hù)普通情況下，為使系統(tǒng)更加準(zhǔn)確，往往在交流側(cè)采用雙重維護(hù)，即阻容維護(hù)和非線性維護(hù)同時運用。過電壓維護(hù)交流側(cè)過電壓維護(hù)66普通采用非線性維護(hù)，即引入壓敏電阻。普通采用阻容維護(hù)。前往過電壓維護(hù)直流側(cè)過電壓維護(hù)晶閘管兩端的過電壓維護(hù)67過電流維護(hù)外因：負(fù)載過載、負(fù)載短路、電源過高或過低、逆變失敗等。過電流的產(chǎn)生內(nèi)因：晶閘管損壞、觸發(fā)電路缺點等。串接交流進(jìn)線電抗或采用漏抗較大的整流變壓器電子電路維護(hù)過電流繼電器維護(hù)直流快速開關(guān)維護(hù)快速熔斷器維護(hù)維護(hù)措施68過電流維護(hù)措施及配置位置過電流保護(hù)措施過電流繼電器快速熔斷器直流快速斷路器同時采用幾種過電流維護(hù)措施，提高可靠性和合理性過電流短路時的部分區(qū)段的維護(hù)整定在電子電路動作之后實現(xiàn)維護(hù)整定在過載時動作短路過載電子電路作為第一維護(hù)措施過電流維護(hù)過流繼電器快速熔斷器直流快速開關(guān)電子維護(hù)電路69前往過電流維護(hù)快速熔斷器的幾種接法70快速熔斷器——是電力電子安裝中最有效、運用最廣的一種過電流維護(hù)措施，歸納阻容吸收電路——是電力電子安裝中最簡單、運用最廣的一種過電壓維護(hù)措施。晶閘管的維護(hù)過電壓維護(hù)過電流維護(hù)71緩沖電路緩沖電路〔吸收電路〕作用抑制器件的內(nèi)因過電壓、du/dt、過電流和di/dt，減小器件的開關(guān)損耗。關(guān)斷緩沖電路〔du/dt抑制電路〕用于吸收器件的關(guān)斷過電壓和換相過電壓，抑制du/dt，減小關(guān)斷損耗開通緩沖電路〔di/dt抑制電路〕用于抑制器件開通時的電流過沖和di/dt，減小開通損耗緩沖電路分類緩沖電路構(gòu)成：普通由R、L、C、VD等元件組成通常緩沖電路普通指關(guān)斷緩沖電路，而將開通緩沖電路稱為di/dt抑制電路72di/dt抑制電路和充放電型RCD緩沖電路及波形a)電路b)波形緩沖電路緩沖電路實例73當(dāng)單只晶閘管額定電壓小于