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文檔簡(jiǎn)介
試題一
一.圖1是Na2O的理想晶胞結(jié)構(gòu)示意圖,試回答:
1.晶胞分子數(shù)是多少;
2.結(jié)構(gòu)中何種離子做何種密堆積;何種離子填充何種空隙,所占比例是多少;
3.結(jié)構(gòu)中各離子的配位數(shù)為多少,寫出其配位多面體;
4.計(jì)算說明O2-的電價(jià)是否飽和;
5.畫出Na2O結(jié)構(gòu)在(001)面上的投影圖。
二.圖2是高嶺石(Al2O3·2SiO2·2H2O)結(jié)構(gòu)示意圖,試回答:
1.請(qǐng)以結(jié)構(gòu)式寫法寫出高嶺石的化學(xué)式;
2.高嶺石屬于哪種硅酸鹽結(jié)構(gòu)類型;
3.分析層的構(gòu)成和層的堆積方向;
4.分析結(jié)構(gòu)中的作用力;
5.根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)推測(cè)高嶺石具有什么性質(zhì)。三.簡(jiǎn)答題:
1.晶體中的結(jié)構(gòu)缺陷按幾何尺寸可分為哪幾類?
2.什么是負(fù)擴(kuò)散?
3.燒結(jié)初期的特征是什么?
4.硅酸鹽晶體的分類原則是什么?
5.燒結(jié)推動(dòng)力是什么?它可憑哪些方式推動(dòng)物質(zhì)的遷移?
6.相變的含義是什么?從熱力學(xué)角度來劃分,相變可以分為哪幾類?
四.出下列缺陷反應(yīng)式:
1.NaCl形成肖特基缺陷;
2.AgI形成弗侖克爾缺陷(Ag+進(jìn)入間隙);
3.TiO2摻入到Nb2O3中,請(qǐng)寫出二個(gè)合理的方程,并判斷可能成立的方程是哪一種?再寫出每個(gè)方程的固溶體的化學(xué)式。
4.NaCl溶入CaCl2中形成空位型固溶體
五.表面力的存在使固體表面處于高能量狀態(tài),然而,能量愈高系統(tǒng)愈不穩(wěn)定,那么固體是通過何種方式降低其過剩的表面能以達(dá)到熱力學(xué)穩(wěn)定狀態(tài)的。
六.粒徑為1μ的球狀A(yù)l2O3由過量的MgO微粒包圍,觀察尖晶石的形成,在恒定溫度下,第一個(gè)小時(shí)有20%的Al2O3起了反應(yīng),計(jì)算完全反應(yīng)的時(shí)間:⑴用楊德方程計(jì)算;⑵用金斯特林格方程計(jì)算。
七.請(qǐng)分析熔體結(jié)構(gòu)中負(fù)離子團(tuán)的堆積方式、聚合度及對(duì)稱性等與玻璃形成之關(guān)系。
八.試從結(jié)構(gòu)和能量的觀點(diǎn)解釋為什么D晶界>D晶內(nèi)?
九.試分析二次再結(jié)晶過程對(duì)材料性能有何影響?工藝上如何防止或延緩二次再結(jié)晶的發(fā)生?
十.圖3是A-B-C三元系統(tǒng)相圖,根據(jù)相圖回答下列問題:
1.寫出點(diǎn)P,R,S的成分;
2.設(shè)有2kgP,問需要多少何種成分的合金Z才可混熔成6kg成分為R的合金。十一.圖4是A-B-C三元系統(tǒng)相圖,根據(jù)相圖回答下列問題:
1.在圖上劃分副三角形、用箭頭表示各條線上溫度下降方向及界線的性質(zhì);
2.判斷化合物D、F的性質(zhì);
3.寫出各三元無(wú)變量點(diǎn)的性質(zhì)及其對(duì)應(yīng)的平衡關(guān)系式;
4.寫出組成點(diǎn)G在完全平衡條件下的冷卻結(jié)晶過程;
5.寫出組成點(diǎn)H在完全平衡條件下的冷卻結(jié)晶過程,寫出當(dāng)液相組成點(diǎn)剛剛到達(dá)E4點(diǎn)和結(jié)晶結(jié)束時(shí)各物質(zhì)的百分含量(用線段比表示)。
試題一答案
一、1:4;
2:O2-離子做面心立方密堆積,Na+填全部四面體空隙;
3:=4CNO2-=8[NaO4][ONa8];
4:O2-電價(jià)飽和,因?yàn)镺2-的電價(jià)=(Na+的電價(jià)/Na+的配位數(shù))×O2的配位數(shù);
5:二、1:Al4[Si4O10](OH)8;
2:?jiǎn)尉W(wǎng)層狀結(jié)構(gòu);
3:一層硅氧層一層水鋁石層且沿C軸方向堆積;
4:層內(nèi)是共價(jià)鍵,層間是氫鍵;
5:片狀微晶解理。
三、1:點(diǎn)缺陷,線缺陷,面缺陷;
2:由低濃度向高濃度的擴(kuò)散;
3:坯體間顆粒重排,接觸處產(chǎn)生鍵合,大氣孔消失,但固-氣總表面積變化不大;
4:按硅氧比值分類或按硅氧聚和體的大小分類;
5:表面能的降低,流動(dòng)傳質(zhì)、擴(kuò)散傳質(zhì)、氣相傳質(zhì)和溶解-沉淀傳質(zhì);
6:隨自由能的變化而發(fā)生的相的結(jié)構(gòu)的變化,一級(jí)相變、二級(jí)相變和三級(jí)相變。
四、1:O←→VNa′+VCl˙
2:AgAg→Agi˙+VAg′3:3TiO23TiNb˙+VNb˙+6OO2TiO22TiNb˙+Oi′′+3O0
Nb2-xTi3xO3可能成立Nb2-2xTi2xO3+x4:NaClNaCa′+ClCl+VCl˙
五、一是通過表面質(zhì)點(diǎn)的極化、變形、重排來降低表面能,二是通過吸附來降低表面能。
1:t=195h2:t=68h
七、當(dāng)O/Si由2→4時(shí),熔體中負(fù)離子團(tuán)的堆積形式由三維架狀轉(zhuǎn)化為孤立的島狀,負(fù)離子團(tuán)的聚合度相應(yīng)的降至最低。一般情況下,熔體中負(fù)離子團(tuán)的聚合度越高,特別是形成三維架狀的空間網(wǎng)絡(luò)時(shí),這些大的聚合離子團(tuán)位移、轉(zhuǎn)動(dòng)、重排都比較困難,故質(zhì)點(diǎn)不易調(diào)整成規(guī)則排列的晶體結(jié)構(gòu),易形成玻璃。熔體中負(fù)離子團(tuán)的對(duì)稱性越好,轉(zhuǎn)變成晶體越容易,則形成玻璃愈難,反之亦然。
八、晶界上質(zhì)點(diǎn)排列結(jié)構(gòu)不同于內(nèi)部,較晶體內(nèi)疏松,原子排列混亂,存在著許多空位、位錯(cuò)、鍵變形等缺陷,使之處于應(yīng)力畸變狀態(tài),具有較高能量,質(zhì)點(diǎn)在晶界遷移所需活化能較晶內(nèi)為小,擴(kuò)散系數(shù)為大。
九、二次再結(jié)晶出現(xiàn)后,由于個(gè)別晶粒異常長(zhǎng)大,使氣孔不能排除,坯體不在致密,加之大晶粒的晶界上有應(yīng)力存在,使其內(nèi)部易出現(xiàn)隱裂紋,繼續(xù)燒結(jié)時(shí)坯體易膨脹而開裂,使燒結(jié)體的機(jī)械、電學(xué)性能下降。工藝上常采用引入適當(dāng)?shù)奶砑觿?,以減緩晶界的移動(dòng)速度,使氣孔及時(shí)沿晶界排除,從而防止或延緩二次再結(jié)晶的發(fā)生。
十、
PRSZωA2010455ωB10604585ωC70301010試題二一、(1)(12分)根據(jù)CaTiO3晶胞圖(見圖1)回答下列問題:
1.晶面BCGF、DEG的晶面指數(shù);晶向DF、HA的晶向指數(shù)。
2.結(jié)構(gòu)中各離子的配位數(shù)為多少,寫出其配位多面體;
3.晶胞分子數(shù)是多少?何種離子添何種空隙,空隙利用率是多少?
4.結(jié)構(gòu)中是否存在TiO32-離子,為什么?
(2)(11分)圖2是鎂橄欖石(Mg2[SiO4])結(jié)構(gòu)示意圖,試回答:
1.鎂橄欖石屬于哪種硅酸鹽結(jié)構(gòu)類型;
2.計(jì)算說明O2-的電價(jià)是否飽和;
3.結(jié)構(gòu)中有幾種配位多而體,各配位多面體間的連接方式怎樣?
4.鎂橄欖石是否容易形成玻璃,為什么?圖1圖2二、(10分)寫出下列缺陷反應(yīng)式:1.NaCl形成肖脫基缺陷。
2.AgI形成弗倫克爾缺陷(Ag+進(jìn)入間隙)3.TiO2摻入到Nb2O3中,請(qǐng)寫出二個(gè)合理的方程,寫出固溶體的化學(xué)式,并判斷可能成立的方程是哪一種?
三、(10分)判斷下列敘述是否正確?若不正確,請(qǐng)改正。
1.Na2O-SiO2系統(tǒng)中隨SiO2含量的增加,熔體的粘度將降低。
2.擴(kuò)散的推動(dòng)力是濃度梯度,所有擴(kuò)散系統(tǒng)中,物質(zhì)都是由高濃度處向低濃度處擴(kuò)散。
3.晶粒正常長(zhǎng)大是小晶粒吞食大晶粒,反常長(zhǎng)大是大晶粒吞食小晶粒。
4.固溶體是在固態(tài)條件下,一種物質(zhì)以原子尺寸溶解在另一種物質(zhì)中形成的單相均勻的固體。
5.在熱力學(xué)平衡條件下,二元凝聚系統(tǒng)最多可以3相平衡共存,它們是一個(gè)固相、一個(gè)液相和一個(gè)氣相。
四、(6分)什么叫弛豫表面?NaCl單晶表面具有什么樣的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)?
五、(6分)巳知Zn2+和Cr2+在尖晶石ZnCrO4中的自擴(kuò)散系數(shù)與溫度的關(guān)系分別為
1.試求1403K時(shí)Zn2+和Cr2+在尖晶石ZnCrO4中的擴(kuò)散系數(shù)。
2.將細(xì)鉑絲涂在兩種氧化物ZnO和Cr2O3的分界線上,然后將這些壓制成型的樣品進(jìn)行擴(kuò)散退火。(標(biāo)記物鉑絲非常細(xì),不影響離子在不同氧化物之間的擴(kuò)散)。根據(jù)所得數(shù)據(jù)判斷鉑絲將向哪一方向移動(dòng)?
六、(6分)為什么在成核一生成機(jī)理相變中,要有一點(diǎn)過冷或過熱才能發(fā)生相變?什么情況下需過冷,什么情況下需過熱,各舉一個(gè)例子。
七、(6分)粒徑為1μ球狀A(yù)l2O3由過量的MgO微粒包圍,觀察尖晶石的形成,在恒定溫度下,第一個(gè)小時(shí)有20%的Al2O3起了反應(yīng),分別用揚(yáng)德方程、金斯特林格方程計(jì)算完全反應(yīng)的時(shí)間,對(duì)計(jì)算結(jié)果進(jìn)行比較并說明為什么?
八、(6分)陶瓷材料中晶粒的大小與什么有關(guān)?工藝上如何控制晶粒尺寸(請(qǐng)列出三種途徑)?
九、(26分)圖3是A-B-C三元系統(tǒng)相圖,根據(jù)相圖回答下列問題:
1.在圖上劃分副三角形、用箭頭表示各條界線上溫度下降方向及界線的性質(zhì);
2.判斷化合物D、M的性質(zhì);3.寫出各三元無(wú)變量點(diǎn)的性質(zhì)及其對(duì)應(yīng)的平衡關(guān)系式;
4.寫出組成點(diǎn)G在完全平衡條件下的冷卻結(jié)晶過程;
5.寫出組成點(diǎn)H在完全平衡條件下進(jìn)行加熱時(shí),開始出現(xiàn)液相的溫度和完全熔融的溫度;寫出完全平衡條件下進(jìn)行冷卻,結(jié)晶結(jié)束時(shí)各物質(zhì)的百分含量(用線段比表示)。圖3試題二答案一、(1)1、(010)(111)[111][101];(4分)
3、1;Ti4+添八面體空隙,八面體空隙利用率1/4,四八面體空隙全;(3分)
4、否,因?yàn)門i4+和O2-間沒有明顯的共價(jià)鍵成分。(2分)
(2)1、島狀結(jié)構(gòu);(1分);
2、O2-與一個(gè)[SiO4]、三個(gè)[MgO6]配位:4/4×1+2/6×3=2=O2-的電價(jià),O2-的電價(jià)(2分);
3、結(jié)構(gòu)中有兩種配位多面體[SiO4]、[MgO6](2分);[SiO4]呈孤立的島狀,中間被[MgO6]隔開,SiO4]與[MgO6]之間共頂或共棱連接,同層的[MgO6]之間共棱、不同層的[MgO6]之間共頂連接;
4、不易,因?yàn)殒V橄欖石的Si/O=1/4,最低,網(wǎng)絡(luò)連接程度弱,結(jié)構(gòu)中絡(luò)陰離子團(tuán)尺寸小,遷移阻力小,熔體的粘度低,冷卻過程中結(jié)構(gòu)調(diào)整速率很快。(2分)
二、寫出下列缺陷反應(yīng)式(10):
1、O?VNa′+VCl˙
2、AgAg→AAi+VAg′
3、3TiO23TiNb˙+VNb′′′+6O02TiO22TiNb˙+Oi′′+3O0
Nb2-xTi3xO3可能成立Nb2-2xTi2xO3+x
三、1.(2分)粘度增加;2.(2分)擴(kuò)散也可以從低濃度向高濃度進(jìn)行;
3.(2分)都是晶界移動(dòng)的結(jié)果。正常長(zhǎng)大是晶粒平均尺寸增加,反常長(zhǎng)大是個(gè)別大晶粒尺寸異常增加。4.(2分)正確5.(2分)兩個(gè)固相和一個(gè)液相四、表面上的原子產(chǎn)生相對(duì)于正常位置的上、下位移,稱為表面弛豫。(2分)
NaCl單晶中處于表面層的負(fù)離子只受到上下和內(nèi)側(cè)正離子的作用,而外側(cè)是不飽和的。電子云將被拉向內(nèi)側(cè)的正離子一方而變形,使該負(fù)離子誘導(dǎo)成偶極子。這樣就降低了晶體表面的負(fù)電場(chǎng)。接著,表面層離子開始重排以使之在能量上趨于穩(wěn)定。為此,表面的負(fù)離子被推向外側(cè),正離子被拉向內(nèi)側(cè)從而形成了表面雙電層。(4分)
((2分)
因?yàn)?lt;,所以鉑絲向Cr2O3方向移動(dòng)。(2分)
六、由熱力學(xué)可知,在等溫、等壓下有
在平衡條件下,,則有式中:T0是相變的平衡溫度;為相變熱。
若在任意溫度的不平衡條件下,則有
若與不隨溫度而變化,將上式代入上式得:
可見,相變過程要自發(fā)進(jìn)行,必須有,則。
(1)若相變過程放熱(如凝聚、結(jié)晶等)。要使,必須有,,即,這表明系統(tǒng)必須“過冷”。
(2)若相變過程吸熱(如蒸發(fā)、熔融等),要滿足這一條件則必須,即,這表明系統(tǒng)要自發(fā)相變則必須“過熱”。
七、揚(yáng)德方程[1—(1—G)1/3]2=K4tt=194.6h(2分)
金斯特林格方程1—2/3G—(1-G)2/3=K6tt=68.1t=68.1(2分)
揚(yáng)德方程假設(shè)反應(yīng)過程中擴(kuò)散截面不變,而金斯特林格方程考慮了反應(yīng)中擴(kuò)散截面的變化。隨反應(yīng)的進(jìn)行,反應(yīng)物體積減小,擴(kuò)散截面變小,所需反應(yīng)時(shí)間要比揚(yáng)德假設(shè)所計(jì)算出的時(shí)間短。
八、陶瓷材料中晶粒的大小與物料的原始粒度、燒結(jié)溫度和時(shí)間等因素有關(guān);(3分)
控制晶粒尺寸方法:控制原始粒度均勻細(xì)小,控制燒結(jié)溫度和時(shí)間,添加劑等。(3分)
九、1、見圖,付三角形3分,界線性質(zhì)1分,界線上溫度降低的方向4.5分;
2、D,一致熔融二元化合物,高溫穩(wěn)定、低溫分解;(1.5分)M,不一致熔融三元化合物;(1
3、(4分)E1,單轉(zhuǎn)熔點(diǎn),E2,低共熔點(diǎn),
E3,單轉(zhuǎn)熔點(diǎn),E4,過渡點(diǎn),
4、L(結(jié)晶結(jié)束)
S(產(chǎn)物C+B+M)
5、E2溫度(1分),H點(diǎn)所在溫度(1分);過H點(diǎn)做副三角形BCM的兩條邊CM、BM的平行線HH1、HH2,C%=BH2/BC×100%,B%=CH1/BC×100%,C%=H1H2/BC×100%(3分)。試題三一、根據(jù)CaTiO3晶胞圖(見圖1)回答下列問題(18):
1、晶面BCGF、HAC的晶面指數(shù);晶向DF、AH的晶向指數(shù)。
2、結(jié)構(gòu)中各離子的配位數(shù)為多少,寫出其配位多面體;
3、晶胞分子數(shù)是多少?何種離子添何種空隙,空隙利用率是多少?
4、計(jì)算說明O2-的電價(jià)是否飽和;
5、結(jié)構(gòu)中是否存在TiO32-離子,為什么?圖1二、下列硅酸鹽礦物各屬何種結(jié)構(gòu)類型(6):
r-Ca2[Si04],K[AISi3O8],CaMg[Si2O6],
Mg3[Si4O10](OH)2,Ca2Al[AlSiO7],Ca2Mg5[Si4O11](OH)2
三、1、寫出下列缺陷反應(yīng)式(10):
(1)CaCl2溶人NaC1中形成空位型固溶體,并寫出固溶體的化學(xué)式;
(2)NaCl形成肖脫基缺陷。
2、為什么間隙型固溶體不能形成無(wú)限固溶體?
四、硅酸鹽熔體的結(jié)構(gòu)特征是什么?從Na2O—SiO系統(tǒng)出發(fā),隨引入B2O3量的增加,系統(tǒng)的粘度如何變化,為什么?(10)
五、固體是如何降低系統(tǒng)的表面能的,為什么相同組成的固體的表面能總是高于液體的表面能?(8)六、假定碳在α—Fe(體心立方)和γ—Fe(面心立方)中進(jìn)行擴(kuò)散,碳在α—Fe中的D0和擴(kuò)散活化能為0.0079、83600J/mol,碳在γ—Fe中的D0和擴(kuò)散活化能為0.21和141284J/mol,計(jì)算800℃時(shí)各自的擴(kuò)散系數(shù)并解釋其差別。(6)
七、為什么在成核一生成機(jī)理相變中,要有一點(diǎn)過冷或過熱才能發(fā)生相變?什么情況下需過冷,什么情況下需過熱,試證明之。(6八、如果要合成鎂鋁尖晶石,可供選擇的原料為Mg(OH)2、MgO、γ-Al2O3、α-Al2O3,從提高反應(yīng)速率的角度出發(fā),選擇什么原料較好?請(qǐng)說明原因。(6)
九、下列過程中哪一個(gè)能使燒結(jié)體強(qiáng)度增大,而不產(chǎn)生坯體宏觀上的收縮?(6分)
(a)蒸發(fā)冷凝、(b)體積擴(kuò)散、(c)粘性流動(dòng)、(d)表面擴(kuò)散、(e)溶解沉淀
十、圖2是A-B-C三元系統(tǒng)相圖,根據(jù)相圖回答下列問題(24):
1.在圖上劃分副三角形、用箭頭表示各條界線上溫度下降方向及界線的性質(zhì);
2.判斷化合物S1、S2、S3的性質(zhì);
3.寫出各三元無(wú)變量點(diǎn)的性質(zhì)及其對(duì)應(yīng)的平衡關(guān)系式;
4.寫出組成點(diǎn)G在完全平衡條件下的冷卻結(jié)晶過程;
5.寫出組成為H的混合物在完全平衡條件下進(jìn)行加熱時(shí),開始出現(xiàn)液相的溫度和完全熔融的溫度;寫出組成H的混合物在完全平衡條件下進(jìn)行冷卻,結(jié)晶結(jié)束時(shí)各物質(zhì)的百分含量(用線段比表示)。圖2試題三答案一、1(100)(111)[111][0-11]各1分
2CNTi4+=6[TiO6]CNCa2+=12[CaO12]CNO2--=6[OTi2Ca4]各1分
3Z=1(1分)Ti4+(1分)占據(jù)1/4八面體空隙(1分)
4因?yàn)椋篫+=2/12*4+4/6*2=2=Z-所以:飽和(3分)
5不存在,因?yàn)槭菑?fù)合氧化合物。(2分)
二、島狀、架狀、鏈狀、層狀、組群狀、鏈狀各1分
三、(1)CaCl2VNa′+2ClCl+CaNa′(2分)NaC1-2xCaxCl(1分)
(2)OVNa′+VCl′(2分)(3)一是因?yàn)榫w中的間隙位置有限,二是因?yàn)殚g隙質(zhì)點(diǎn)超過一定的限度會(huì)不破壞晶體結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。
四、[SiO4]為基本結(jié)構(gòu)單元,四面體組成形狀不規(guī)則大小不同的聚合力子團(tuán),絡(luò)陰離子團(tuán)之間依靠金屬離子連接。(4分);
從Na2O—SiO2系統(tǒng)出發(fā),隨引入B2O3量的增加,[BO3]與游離氧結(jié)合,轉(zhuǎn)變?yōu)閇BO4],使斷裂的網(wǎng)絡(luò)重新連接,系統(tǒng)粘度增加(3分);
繼續(xù)引入B2O3,B2O3以層狀或鏈狀的[BO3]存在,系統(tǒng)的粘度降低(3分)。
五、固體表面通過表面質(zhì)點(diǎn)的極化、變形、重排降低固體的表面能(3分);
液體分子可自由移動(dòng),通過形成球形表面來降低表面能(2分);
固體質(zhì)點(diǎn)不能自由移動(dòng),只能通過表面質(zhì)點(diǎn)的極化、變形、重排降低表面能,因此表面能總是高于同組成的液體的表面能(3分)。
六、由公式D=D0exp(-Q/RT);(1分)計(jì)算Dα=6.72*10-7;(1分)Dγ=2.7*10-8(1分);Dα〉Dγ;(1分)因?yàn)轶w心結(jié)構(gòu)較面心結(jié)構(gòu)疏松(2分)。七、由熱力學(xué)可知,在等溫、等壓下有
在平衡條件下,=0,則有
式中:T0是相變的平衡溫度;為相變熱。
若在任意溫度T的不平衡條件下,則有
若與不隨溫度而變化,將上式代入上式得:
可見,相變過程要自發(fā)進(jìn)行,必須有<0,則<0。
(3)若相變過程放熱(如凝聚、結(jié)晶等)<0。要使<0,必須有>0,,即T0>T,這表明系統(tǒng)必須“過冷”。
(4)若相變過程吸熱(如蒸發(fā)、熔融等)>0,要滿足<0這一條件則必須<0,即T0<T,這表明系統(tǒng)要自發(fā)相變則必須“過熱”。
八、選擇Mg(OH)2、γ-Al2O3(3分);因?yàn)榉磻?yīng)活性高,結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定(3分)。
九、蒸發(fā)冷凝、表面擴(kuò)散
十、2.S1二元不一致熔融化合物,S2二元不致熔融化合物,S3三元不一致熔融化合物;(各1分)
3.P1:過渡點(diǎn)A+BS;P2:雙轉(zhuǎn)熔點(diǎn)L+B+S1=S3;P3:低共熔點(diǎn)L=B+C+S3;P4:?jiǎn)无D(zhuǎn)熔點(diǎn)L+A=S2+S1;P5單轉(zhuǎn)熔點(diǎn)L+S1=S2+S3;P6低共熔點(diǎn)
L=C+S2+S3;(各1分)
4.
L:
(結(jié)晶結(jié)束)
S:(產(chǎn)物S1+S2+S3)
5.P3,H,B:C:S3=CC1:BB1:B1C1(5分)試題四一、填空題(2×10=20分)1、依據(jù)()之間關(guān)系的不同,可以把所有晶體的空間點(diǎn)陣劃歸為七類,即()晶系、單斜晶系、()晶系、三方晶系、正方晶系、六方晶系和()晶系。
2、擴(kuò)散的基本推動(dòng)力是(),一般情況下以()等形式(列出一種即可)表現(xiàn)出來,擴(kuò)散常伴隨著物質(zhì)的()。
3、晶面族是指()的一組晶面,同一晶面族中,不同晶面的指數(shù)的()相同,只是()不同。
4、向MgO、沸石、TiO2、螢石中,加入同樣的外來雜質(zhì)原子,可以預(yù)料形成間隙型固溶體的固溶度大小的順序?qū)⑹牵ǎ?/p>
5、燒結(jié)過程可以分為()三個(gè)階段,在燒結(jié)的中后期,與燒結(jié)同時(shí)進(jìn)行的過程是()。
6、液體表面能和表面張力數(shù)值相等、量綱相同,而固體則不同,這種說法(是/否)正確,因?yàn)椋ǎ?/p>
7、馳豫表面是指(),NaCl單晶的表面是()。
8、一般的固態(tài)反應(yīng)包括()兩個(gè)過程,化學(xué)動(dòng)力學(xué)范圍是指()。
9、從熔體結(jié)構(gòu)角度,估計(jì)長(zhǎng)石、輝石(MgO?SiO2)、鎂橄欖石三種礦物的高溫熔體表面張力大小順序()。
10、刃性位錯(cuò)的柏氏矢量與位錯(cuò)線呈()關(guān)系,而螺位錯(cuò)兩者呈()關(guān)系。
二、Zn2+在ZnS中擴(kuò)散時(shí),563℃時(shí)的擴(kuò)散系數(shù)為3×10-14cm2/sec,450℃時(shí)的擴(kuò)散系數(shù)為1.0×10-14cm2/sec,(10分)
求:(1)擴(kuò)散的活化能和D0;(2)750℃時(shí)的擴(kuò)散系數(shù)。
三、根據(jù)Mg2[SiO4]在(110)面的投影圖回答(10分):
(1)結(jié)構(gòu)中有幾種配位多面體,各配位多面體間的連接方式怎樣?
(2)O2-的電價(jià)是否飽和?
(3)晶胞的分子數(shù)是多少?
(4)Si4+黑球:Si4+
小白球:Mg2+
大白球:O2-圖2
四、銅在過冷的液體中均勻形核,設(shè)晶胚為球狀,半徑為r。已知△Gv=—3.6×106J/cm3;液固界面的界面能為σ=0.15J/cm2;銅為面心立方結(jié)構(gòu),其點(diǎn)陣常數(shù)a=0.361nm,1nm=10-7cm。(10
求:(1)根據(jù)能量方程導(dǎo)出臨界晶核半徑r*的表達(dá)式,并計(jì)算其大??;
(2)求出臨界晶核中的原子個(gè)數(shù)。
五、熔體結(jié)晶時(shí)(10分):
(1)討論溫度對(duì)總結(jié)晶速率的影響;(2)指出在哪一溫度范圍內(nèi)對(duì)形成玻璃有利,為什么?
六、1.寫出下列缺陷方應(yīng)方程式。(5分)
1)TiO2加入到A12O3中(寫出兩種);
2)NaCl形成肖脫基缺陷。
2.畫出體心立方點(diǎn)陣的晶胞結(jié)構(gòu)圖,并在圖中作出(112)晶面和晶向。(5分)
3.實(shí)驗(yàn)室要合成鎂鋁尖晶石,可供選擇的原料為Mg(OH)2、MgO、Al2O3·3H2O、γ-Al2O3、α-Al2O3。從提高反應(yīng)速率的角度出發(fā),選擇什么原料較好?請(qǐng)說明原因。(5分)
七、如圖A-B-C三元系統(tǒng)相圖,根據(jù)相圖回答下列問題(25分):
1.在圖上劃分副三角形、用箭頭表示各條界線上溫度下降方向及界線的性質(zhì);
2.判斷化合物F、G、H的性質(zhì);
3.寫出各三元無(wú)變量點(diǎn)的性質(zhì)及其對(duì)應(yīng)的平衡關(guān)系式;
4.寫出組成點(diǎn)M1在完全平衡條件下的冷卻結(jié)晶過程;
5.寫出組成點(diǎn)M2試題四答案一、填空題(第1題每空0.5分,其它每空1分,總計(jì)20分)
1.晶胞參數(shù),三斜,正交(斜方),立方。2.化學(xué)位梯度,濃度梯度的,定向遷移。
3.原子排列狀況相同但位向不同,數(shù)字相同、數(shù)序和正負(fù)號(hào)不同。
4.沸石>螢石>TiO2>MgO。5.燒結(jié)初期、燒結(jié)中期和燒結(jié)后期,再結(jié)晶和晶粒長(zhǎng)大。
6.是,固體質(zhì)點(diǎn)不能自由移動(dòng)。
7.在垂直于表面的方向上原子間距不同于該方向上晶格內(nèi)部原子間距的表面,馳豫表面。
8.相界面上的化學(xué)反應(yīng)和反應(yīng)物通過產(chǎn)物層的擴(kuò)散,相界面上的化學(xué)反應(yīng)速率遠(yuǎn)小于反應(yīng)物通過產(chǎn)物層的擴(kuò)散速率。9.鎂橄欖石>輝石>長(zhǎng)石。10.垂直平行。
二、(10分)解:(1)D=D0exp(-Q/RT)2分
T=563+273=836K時(shí),D=3×10-14cm2/s2分
T=450+273=723K時(shí),D=1.0×10-14cm2/s2分
代入上式可求Q=48875J,D0=0.34×10-11cm2/s2分
(2)D=D0exp(-Q/RT)=1.1×10-14cm2/s2分
三、(10分)解:(1)有兩種配位多面體,[SiO4],[MgO6],同層的[MgO6]八面體共棱,如59[MgO6]和49[MgO6]共棱75O2-和27O2-,不同層的[MgO6]八面體共頂,如1[MgO6]和51[MgO6]共頂是22O2-,同層的[MgO6]與[SiO4]共頂,如T[MgO6]和7[SiO4]共頂22O2-,不同層的[MgO6]與[SiO4]共棱,T[MgO6]和43[SiO4]共28O2-和28O2-;2.5分
(3)z=4(2.5分);
(4)Si4+占四面體空隙=1/8,Mg2+占八面體空隙=1/2。(2.5分)
四、1、∵△G=·△GV+·σ
令
則
已知:△GV=-3.6×106J/cm3;σ=0.15J/cm2
∴=8.33×10-8cm(5分)2、個(gè)(5分)五、1.如右圖,I表示核化速率,u表示晶化速率(5分);
2.在陰影部分以外的溫度對(duì)形成玻璃有利,因?yàn)榇藭r(shí)核化速率與晶化速率都較小或只存在一種情況(5分)。
六、1
1)(2分)
(2分)
2)(1分)
2
體心立方點(diǎn)陣的晶胞結(jié)構(gòu)圖(2分),
(112)晶面和晶向(各1.5分)。
3
選擇Mg(OH)2、γ-Al2O3;因?yàn)榉磻?yīng)活性高,結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定。(3+2)
七、1、見圖;(6分)
2、G,一致熔融二元化合物;F,不一致熔融二元化合物;H,不一致熔融三元化合物
3、E1,單轉(zhuǎn)熔點(diǎn),
E2,低共熔點(diǎn),
E3,低共熔點(diǎn),
E4,單轉(zhuǎn)熔點(diǎn),
E5,單轉(zhuǎn)熔點(diǎn),
E6,多晶轉(zhuǎn)變點(diǎn),(6分)
4、L:
(結(jié)晶結(jié)束)(B消失)(4分)
S:(產(chǎn)物A+F+H)(2分)
5、E2溫度,M2點(diǎn)所在溫度;過M2點(diǎn)做副三角形CGH的
兩條邊GH、GC的平行線M2X、M2Y,C%=YH/HC×100%,
H%=CX/HC×100%,G%=XY/HC×100%。(4分)試題五一、填空題(1′10=10分)1、密排六方結(jié)構(gòu)(等徑球堆積)單位晶胞中分子數(shù)是(
),配位數(shù)是(
)。2、Fick擴(kuò)散第二定律的一維表達(dá)式為(
)。3、當(dāng)晶核劑和晶核具有(
)時(shí),對(duì)核化最有利。4、廣義材料腐蝕是指材料由于(
)而引起的破壞和變質(zhì)過程。5、燒結(jié)中后期所伴隨的(
)等,決定了材料顯微結(jié)構(gòu)的形成,也決定了材料最終的性質(zhì)或性能。6、固態(tài)物質(zhì)的反應(yīng)活性通常(
),當(dāng)反應(yīng)物之一存在多晶轉(zhuǎn)變時(shí)則轉(zhuǎn)變溫度通常也是(
)。7、從熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化的過程是可逆的和漸變的,是在(
)范圍內(nèi)完成,無(wú)固定熔點(diǎn)。8、刃位錯(cuò)的柏氏矢量與位錯(cuò)線呈(
)關(guān)系。二、晶體結(jié)構(gòu)-性質(zhì)關(guān)系(20分)1、根據(jù)下圖的螢石結(jié)構(gòu)圖回答下列問題(14分):1)指出螢石結(jié)構(gòu)中正負(fù)離子的堆積方式(兩種方式);2)寫出結(jié)構(gòu)中正負(fù)離子的配位數(shù)及其配位多面體;3)Ca2+離子的配位多面體之間是如何連接的?4)在結(jié)構(gòu)圖中用△和▽標(biāo)示相互平行的同號(hào)離子層,分析螢石晶體的解理性。2、根據(jù)Si/O比例不同劃分硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)類型。(6分)三、晶體結(jié)構(gòu)缺陷(10分)1、晶體A屬于體心立方空間點(diǎn)陣,若原子B溶入A晶格的頂點(diǎn)位置形成置換型固溶體(全部取代),那么其成分可能是AB還是AB3?為什么?(4分)2、Al2O3摻入到MgO中,請(qǐng)寫出二個(gè)合理的方程,并寫出對(duì)應(yīng)的固溶體化學(xué)式(6分)。四、從熔體結(jié)構(gòu)角度,估計(jì)長(zhǎng)石、輝石(MgO·SiO2)、鎂橄欖石三種礦物的高溫熔體表面張力大小順序,并分析它們形成玻璃的能力。(10分)五、
1、氧化鋁瓷件表面上涂銀后,燒到1000℃時(shí),巳知γ(Al2O3,固)=1J/m2;γ(Ag,液)=0.92J/m2;γ(Ag,液/
Al2O3,固)=1.77
J/m2,試問液態(tài)銀能否潤(rùn)濕氧化鋁瓷件表面?可以用什么方法改善它們之間的潤(rùn)濕性?請(qǐng)?zhí)岢鲆环N最有可能實(shí)現(xiàn)的措施。(6分2、根據(jù)威爾的表面雙電層理論,某些化合物表面可能由負(fù)離子組成,正離子被負(fù)離子所屏蔽。已知PbI2的表面能為1.3×10-5J/cm2,CaF2的表面能為2.5×10-4J/cm2,請(qǐng)判斷PbI2和CaF2的表面雙電層厚度的大小,并解釋產(chǎn)生的原因。(4分)六、已知銅的熔點(diǎn)Tm=1083℃,熔化熱△H=1628J/cm3,固液界面能γ=1.77×10-5J/cm2,銅為面心立方晶體,點(diǎn)陣常數(shù)a=0.3615nm。(10分)1、當(dāng)液態(tài)金屬銅過冷至853℃進(jìn)行均態(tài)形核時(shí),求臨界晶核半徑和每個(gè)臨界晶核的原子數(shù)(設(shè)晶核為球形)。2、若為非均態(tài)形核,求臨界球冠的原子數(shù)。(設(shè)形成球冠的高度為h=0.2R,球冠體積,R為球冠半徑)七、經(jīng)過計(jì)算可知1000℃下氫在面心立方鐵中的擴(kuò)散系數(shù)為=1.08×10-4cm2/s,同等條件下鎳在面心立方鐵中的擴(kuò)散系數(shù)為=4.27×10-11cm2/s,>>,請(qǐng)對(duì)這種差別進(jìn)行解釋。(5分)八、實(shí)驗(yàn)室要合成鎂鋁尖晶石,可供選擇的原料為MgCO3、MgO、α-Al2O3、γ-Al2O3。從提高反應(yīng)速率的角度出發(fā),選擇什么原料較好?請(qǐng)說明原因。(5分)九、如圖A-B-C三元系統(tǒng)相圖,根據(jù)相圖回答下列問題(20分):1、在圖上劃分副三角形、用箭頭表示各條界線上溫度下降方向及界線的性質(zhì);2、判斷化合物D
的性質(zhì);3、寫出各三元無(wú)變量點(diǎn)的性質(zhì)及其對(duì)應(yīng)的平衡關(guān)系式;4、寫出組成點(diǎn)M1在完全平衡條件下的冷卻結(jié)晶過程,結(jié)晶結(jié)束時(shí)各物質(zhì)的百分含量(用線段比表示);5、寫出組成點(diǎn)M2在完全平衡條件下的冷卻結(jié)晶過程,在M2熔體的液相組成點(diǎn)剛剛到達(dá)J1時(shí),求其相組成(用線段比表示)。在J1的反應(yīng)哪個(gè)晶相先消失,為什么?試題五答案一、填空題(110=10分)1.6,12。2.。3.結(jié)構(gòu)相同或相似,或具有相似的原子排列,或接觸角為0,或接觸角較小。4.環(huán)境的作用。5.晶粒長(zhǎng)大和再結(jié)晶。6.較低,速度較慢;反應(yīng)開始明顯進(jìn)行的溫度或較高。7.一定的溫度。8.垂直。二、晶體結(jié)構(gòu)分析(20分)1)Ca2+面心立方堆積,簡(jiǎn)單立方堆積;(4分)鈣的配位數(shù)為8,[CaF8]立方體;F的配位數(shù)為4,[FCa4]四面體;(4分)[CaF8]立方體之間共棱(共用2個(gè)頂點(diǎn))連接;(2分)見圖(1分),平行(111)面存在同號(hào)離子層,外力作用下沿平行(111)面方向有解理現(xiàn)象(3分)。2、Si/O=1/2,架狀結(jié)構(gòu);Si/O
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