電路與電子技術(shù)簡明教程 課件 5-2 晶體二極管

《電子技術(shù)基礎(chǔ)》[常用半導(dǎo)體]目錄本征半導(dǎo)體及雜質(zhì)半導(dǎo)體PN結(jié)晶體二極管的伏安特性第一節(jié)第二節(jié)第三節(jié)晶體二極管的應(yīng)用晶體三極管符號、結(jié)構(gòu)、分類晶體三極管的伏安特性第四節(jié)第五節(jié)第六節(jié)晶體二極管由一個PN結(jié)加上電極引線和外殼封裝，就構(gòu)成一個半導(dǎo)體二極管（晶體二極管、二極管），用VD表示。二極管有兩根電極引線，從P區(qū)引出的電極為正極，從N區(qū)引出的電極為負極。二極管的結(jié)構(gòu)與符號

晶體二極管的結(jié)構(gòu)及符號按半導(dǎo)體材料分按用途分按PN結(jié)的結(jié)構(gòu)分按照半導(dǎo)體材料的不同分為硅二極管和鍺二極管按照用途分為整流二極管、檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、發(fā)光二極管等按PN結(jié)的結(jié)構(gòu)分為點接觸型、面接觸型、平面型等。晶體二極管二極管的分類晶體二極管常見的二極管符號與實物圖（a）普通二極管（b）穩(wěn)壓二極管（c）發(fā)光二極管

（d）玻璃封裝小電流二極管（e）穩(wěn)壓二極管（f）整流二極管+-+-+-晶體二極管的伏安特性二極管的伏安特性可以用方程表示，也可以用特性曲線來表示。

二極管的伏安特性曲線是指流過二極管的電流隨加在二極管兩端的電壓變化的關(guān)系曲線。二極管的伏安特性曲線,可以用實驗測得,伏安特性曲線分為正向特性、反向特性和擊穿特性3部分。晶體二極管的伏安特性正向特性晶體二極管伏安特性曲線：正向特性oa段，只有當正向電壓超過某一數(shù)值時，才有明顯的正向電流，這個電壓稱為導(dǎo)通電壓或開啟電壓，用Uon表示。正向特性反向特性擊穿特性導(dǎo)通電壓晶體二極管的伏安特性正向特性開啟電壓與二極管的材料和工作溫度有關(guān)，常溫下硅管的Uon為0.5～0.6V；鍺管Uon為0.1～0.2V。當外加電壓超過Uon后，正向電流迅速增大，這時二極管處于正向?qū)顟B(tài)，隨著電壓u的增加，電流i按照指數(shù)的規(guī)律增加，當電流較大時，電流隨著電壓的增加幾乎直線上升。二極管導(dǎo)通后硅管的正向壓降為0.6～0.8V（通常取0.7V），鍺管的正向壓降為0.2～0.3V（通常取0.2V），用UT表示。正向特性反向特性擊穿特性導(dǎo)通電壓晶體二極管的伏安特性反向特性反向電流在一定范圍內(nèi)基本不隨反向電壓的變化而變化，這個電流稱為反向飽和電流，用IS表示。反向飽和電流IS很小，而且相同溫度下，硅管比鍺管的反向電流更小。IS隨著溫度升高迅速增大。正向特性反向特性擊穿特性導(dǎo)通電壓晶體二極管的伏安特性反向擊穿特性在一定溫度下，當二極管加的反向電壓超過某一數(shù)值時，反向電流將急劇增加，這種現(xiàn)象稱為二極管反向擊穿。二極管擊穿時的電壓稱為反向擊穿電壓，用UBR表示。二極管在正常使用時應(yīng)避免出現(xiàn)反向擊穿，管子擊穿后并不一定損壞，只有在沒有限流措施時，反向電流超過一定限度，才會燒毀，造成永久性損壞。正向特性反向特性擊穿特性導(dǎo)通電壓晶體二極管的伏安特性例題電路如圖所示，US=2V，設(shè)二極管的導(dǎo)通電壓UD=0.7V,則輸出電壓UO是多少？思考電源正負極互換？+UD-+-二極管的伏安特性是非線性的，因此二極管是非線性元件。注意：使用二極管時不論是硅管還是鍺管，即使