材料物理近代實(shí)驗(yàn)磁電阻_第1頁
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中國石油大實(shí)驗(yàn)報近代物理實(shí)成班級：材料物理一班姓名：李宗 同組者：魯文 InSb磁電阻特性研【實(shí)驗(yàn)?zāi)恐袊痛髮?shí)驗(yàn)報近代物理實(shí)成班級：材料物理一班姓名：李宗 同組者：魯文 InSb磁電阻特性研【實(shí)驗(yàn)?zāi)俊緦?shí)驗(yàn)原 (B)下的電阻率。有時，上式也 R(B)其中：R(0)是零外場下的電阻，R(H)是外場H下的電阻造成電阻升高，在正常磁電阻中，//T均為8-1-3所示。在于單晶樣品，在較高的磁場區(qū)域，//顯示了飽和的趨勢(曲線Ｂ)，而T和顯示如果設(shè)載流子速度為v，在洛侖茲力的作用下，沿外場方向作螺線運(yùn)動，螺線的軸與(8-1-c1式中 是載流子有效質(zhì)量，μ是磁導(dǎo)率。由于散射和碰撞，載流子繞軸回轉(zhuǎn)的平均角度為Bcc(8-1-其中：0是電導(dǎo)率，為0m，n是載流子的密度(cm)式中 是載流子有效質(zhì)量，μ是磁導(dǎo)率。由于散射和碰撞，載流子繞軸回轉(zhuǎn)的平均角度為Bcc(8-1-其中：0是電導(dǎo)率，為0m，n是載流子的密度(cm),為馳豫時間，即載流子2-【實(shí)驗(yàn)儀器“勵磁恒流輸出”控制磁場大小，“恒流輸出”控制GaAs霍爾元件和InSb磁電阻元件的工磁電阻元件的工作電流（I2。B【實(shí)驗(yàn)內(nèi)勵磁電流在0600mA間30mA測一點(diǎn)。測量時，要磁電阻元件的及GaAs霍爾元件與InSb磁電阻元件在磁極間的位置基本相同?！緮?shù)據(jù)處1-122、研究InSbR與B3R2、研究InSbR與B3R圖 R和圖 R和B2曲線B>0.085

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