MOOC 半導體物理與器件-南京郵電大學 中國大學慕課答案

MOOC半導體物理與器件-南京郵電大學中國大學慕課答案本章測驗1、問題：電子的德布羅意波長的數(shù)量級大約為？選項：A、B、C、D、正確答案:【】2、問題：波函數(shù)的模方表示？選項：A、粒子的概率密度分布函數(shù)B、粒子的動量C、粒子的能量D、粒子的角動量正確答案:【粒子的概率密度分布函數(shù)】3、問題：假設(shè)粒子在一維無限深勢阱中運動，勢阱寬度為a。當粒子處于基態(tài)時，在x=0到x=a之間找到粒子概率最大的地方在（）處。選項：A、0B、a/4C、2/aD、a正確答案:【2/a】4、問題：可以同時確定一微觀粒子的坐標和動量？選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】5、問題：對微觀粒子，討論其運動軌道是有意義的。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】6、填空題：根據(jù)德布羅意關(guān)系式，波長越短，能量越?(填“高”或“低”)正確答案:【高】7、填空題：戴維遜-革末實驗驗證了電子的？（填“波動性”或“粒子性”）正確答案:【波動性】8、填空題：將波函數(shù)乘上一個常數(shù)后，所描寫的粒子狀態(tài)是否發(fā)生改變？（填“不變”或“改變”）正確答案:【不變】9、填空題：薛定諤方程是（）方程？（填“常微分”或“偏微分”）正確答案:【偏微分】10、填空題：自由粒子運動的概率密度分布函數(shù)與時間有關(guān)嗎？（填“有”或“無”）正確答案:【無】第一章測驗1、問題：晶體區(qū)別于非晶體的最根本特征是?選項：A、熔點B、導電能力C、周期性D、解理性正確答案:【周期性】2、問題：下列不屬于半導體的是?選項：A、SiB、GeC、GaAsD、Fe正確答案:【Fe】3、問題：下列二維點陣中不屬于原胞的是？選項：A、1B、2C、3D、4正確答案:【4】4、問題：半導體Si屬于哪種晶格類型？選項：A、簡單立方B、面心立方C、體心立方D、六角密堆正確答案:【面心立方】5、問題：金剛石晶體的晶胞含有幾個碳原子？選項：A、2B、4C、6D、8正確答案:【8】6、問題：有一ABC面，截距為4a、2b、，截距的倒數(shù)為1/4、1/2、0，它的密勒指數(shù)為？選項：A、(1,2,0)B、(2,1,0)C、(4,1,0)D、(1,4,0)正確答案:【(1,2,0)】7、問題：簡單立方晶體中最近（110）晶面間的距離為？假設(shè)晶格常數(shù)為a=4.83?。選項：A、2.415?B、3.42?C、4.83?D、9.66?正確答案:【3.42?】8、填空題：晶格中的最小重復單元是？（填“原胞”或“晶胞”）正確答案:【原胞】9、填空題：反映晶格周期性的是？（填“原胞”或“晶胞”）正確答案:【原胞】10、填空題：原子建中最弱的是？（填“共價鍵”或“范德華鍵”）正確答案:【范德華鍵】第三章本章測驗1、問題：準連續(xù)分布的能級在考慮了周期場微擾之后，分裂為一系列的能帶，能帶之間形成（）。選項：A、允帶B、導帶C、價帶D、帶隙正確答案:【帶隙】2、問題：下列屬于直接帶隙半導體的是（）。選項：A、SiB、GeC、GaAsD、SiO2正確答案:【GaAs】3、問題：三維自由電子的狀態(tài)密度函數(shù)與（）正比。選項：A、B、EC、D、正確答案:【】4、問題：允帶之間不存在能級，稱為禁帶。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】5、問題：有效質(zhì)量就是粒子的慣性質(zhì)量。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】6、問題：狀態(tài)密度函數(shù)描述的是單位能量間隔內(nèi)量子態(tài)的數(shù)目。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】7、填空題：外層的價電子，軌道交疊多，共有化運動（）。（填“弱”或“強”）正確答案:【強】8、填空題：E對k的二階導數(shù)與粒子的有效質(zhì)量成（）。（填“正比”或“反比”）正確答案:【反比】9、填空題：根據(jù)泡利不相容原理，一個量子狀態(tài)只能被（）個電子占據(jù)。（填“1”或“2”）正確答案:【1】10、填空題：絕對零度時，能量比EF小的量子態(tài)被電子占據(jù)的幾率是（）填“0”或者“1”？正確答案:【1】第四章本章測驗1、問題：半導體在熱平衡狀態(tài)下，材料的所有特性均與無關(guān)。選項：A、時間B、質(zhì)量C、速度D、濃度正確答案:【時間】2、問題：是晶體中不含雜質(zhì)和晶格缺陷的純凈半導體。選項：A、P型半導體B、n型半導體C、本征半導體D、平衡半導體正確答案:【本征半導體】3、問題：本征半導體中，導帶中的電子數(shù)量價帶中的空穴數(shù)量。選項：A、相等B、大于C、小于D、不確定正確答案:【相等】4、問題：對于本征費米能級位置的描述，錯誤的是。選項：A、電子有效質(zhì)量等于空穴有效質(zhì)量，本征費米能級位于禁帶中央B、電子有效質(zhì)量小于空穴有效質(zhì)量，本征費米能級低于禁帶中央C、狀態(tài)密度函數(shù)與載流子有效質(zhì)量直接相關(guān)D、本征費米能級位置隨狀態(tài)密度的增大而發(fā)生移動正確答案:【電子有效質(zhì)量小于空穴有效質(zhì)量，本征費米能級低于禁帶中央】5、問題：T=300K時，計算硅中的本征費米能級相對于禁帶中央的位置。已知硅中載流子有效質(zhì)量分別為mn*=1.08m0,mp*=0.56m0.選項：A、-12.8meVB、-6.4meVC、-25.6meVD、12.8meV正確答案:【-12.8meV】6、問題：非本征半導體中，當電子濃度高于空穴濃度時，半導體是型，摻入的是雜質(zhì)。選項：A、n,受主B、n,施主C、p,受主D、p,施主正確答案:【n,施主】7、問題：熱平衡狀態(tài)非本征半導體，電子濃度n0和空穴濃度p0與本征半導體濃度ni的關(guān)系（）選項：A、n0*p0=ni2B、n0*p0ni2C、n0*p0ni2D、無法確定正確答案:【n0*p0=ni2】8、問題：補償半導體的形成描述不正確的是()選項：A、指同一區(qū)域內(nèi)同時含有施主和受主雜質(zhì)原子的半導體B、n型半導體中材料中注入受主雜質(zhì)原子C、p型半導體中材料中注入受主雜質(zhì)原子D、補償型半導體性質(zhì)完全取決于雜質(zhì)濃度Na與Nd的數(shù)目正確答案:【p型半導體中材料中注入受主雜質(zhì)原子】9、問題：T=0K時p型半導體，雜質(zhì)原子不包含任何電子，費米能級一定高于受主能級。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】10、問題：補償型半導體完全電離條件下，熱平衡電子濃度關(guān)系是n0+Na=p0+Nd。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】第五章測驗1、問題：在非本征半導體中，漂移電流密度基本取決于（）選項：A、多數(shù)載流子B、少數(shù)載流子C、電子D、空穴正確答案:【多數(shù)載流子】2、問題：在半導體中，不影響載流子的遷移率的散射機制是（）選項：A、晶格散射B、電離雜質(zhì)散射C、聲子散射D、固體散射正確答案:【固體散射】3、問題：不影響電離雜質(zhì)散射的因素有（）選項：A、電子或空穴與電離雜質(zhì)之間存在的庫侖作用B、半導體電離雜質(zhì)濃度C、溫度D、半導體晶體形狀正確答案:【半導體晶體形狀】4、問題：關(guān)于半導體材料的電導率說法不正確的是（）選項：A、是載流子濃度的函數(shù)B、與遷移率相關(guān)C、是電阻率的倒數(shù)D、與半導體材料有關(guān)正確答案:【與半導體材料有關(guān)】5、問題：關(guān)于載流子的擴散電流說法不正確的是（）選項：A、是載流子濃度的空間導數(shù)，與濃度梯度成正比B、電子從高濃度向低濃度的擴散，擴散電流方向與電子運動方向相反C、空穴的擴散電流方向與運動方向相同D、溫度差越大，擴散電流越強正確答案:【溫度差越大，擴散電流越強】6、問題：關(guān)于半導體中總電流密度的描述不正確的是（）選項：A、是電子漂移電流和擴散電流，空穴的漂移電流和擴散電流之和B、電子的遷移率描述了半導體中電子在電場力作用下的運動情況C、擴散系數(shù)描述了半導體中電子在濃度梯度下的運動情況D、遷移率和擴散系數(shù)是相互獨立的，互不相關(guān)正確答案:【遷移率和擴散系數(shù)是相互獨立的，互不相關(guān)】7、問題：遷移率反映了載流子的平均漂移速度與電場的關(guān)系。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】8、問題：非本征半導體的電導率是多數(shù)載流子的函數(shù)。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】9、問題：飽和速度指的是強電場區(qū)載流子的漂移速度特性嚴重偏離了弱電場的線性關(guān)系，漂移速度達到飽和，不再隨外加電場變化。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】10、填空題：半導體晶體中的兩種基本輸運機制是（）正確答案:【漂移運動，擴散運動】第六章測驗1、問題：過剩載流子的復合描述不正確的是（）選項：A、過剩電子和空穴是成對復合的，復合率相同B、直接的帶間復合是一種自發(fā)行為C、電子和空穴的復合率是時間的函數(shù)D、復合的概率必須同時與電子和空穴的濃度成比例正確答案:【電子和空穴的復合率是時間的函數(shù)】2、問題：對于雙極輸運的解釋不正確的是（）選項：A、過剩電子和空穴不是相互獨立的運動B、過剩電子和空穴具有相同的有效擴散系數(shù)，漂移遷移率和壽命C、雙極輸運是方程是描述過剩電子和空穴的狀態(tài)D、以上都不正確正確答案:【以上都不正確】3、問題：無電場情況下，不同時刻過剩少子濃度隨空間的變化關(guān)系描述不正確的是（）選項：A、t0，過剩少子關(guān)于x=0兩側(cè)擴散B、t0，生成的多子也以少子相同的速率進行擴散C、t→∞，過剩少子和過剩多子復合，過剩少子濃度為零D、這過程中，只有復合過程正確答案:【這過程中，只有復合過程】4、問題：在恒定電場情況下，不同時刻過剩少子濃度隨空間的變化關(guān)系描述不正確的是（）選項：A、隨著時間增加，過剩少子沿著電場方向漂移B、擴散和復合過程同時進行，保持電中性，任意時刻δn=δpC、過剩載流子的狀態(tài)依賴于少子的參數(shù)D、過剩多子的狀態(tài)以多子的參數(shù)為依據(jù)正確答案:【過剩多子的狀態(tài)以多子的參數(shù)為依據(jù)】5、問題：非熱平衡狀態(tài)下，半導體中由于過剩載流子產(chǎn)生，導致費米能級的改變。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】6、問題：τ趨向無窮時，過剩電子和空穴已穩(wěn)定的速率產(chǎn)生，但過剩載流子濃度恒定。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】7、問題：內(nèi)建電場的生成是帶電粒子電子和空穴相反方向運動而產(chǎn)生的。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】8、填空題：T=300K時，硅中摻入硼原子的濃度為Na=5*1016cm-3。均勻摻雜材料中生成的過剩載流子濃度為1016cm-3，少數(shù)載流子的壽命為5μm。該摻雜半導體材料的少子是（）正確答案:【電子】9、填空題：正確答案:【0.2984eV】10、填空題：正確答案:【0.179eV】第7章測試011、問題：在pn結(jié)p區(qū)一側(cè)加正壓時，該pn結(jié)空間電荷區(qū)寬度（）。選項：A、增加B、減少C、不變D、視情況而定正確答案:【減少】2、問題：n結(jié)中，哪個區(qū)域中的空間電荷區(qū)寬度更寬（）。選項：A、p區(qū)B、n區(qū)C、均有可能D、均不可能正確答案:【n區(qū)】3、問題：pn結(jié)的空間電荷區(qū)是由于（）行為產(chǎn)生的。選項：A、擴散B、漂移C、移動D、復合正確答案:【擴散】4、問題：在熱平衡條件下，空間電荷區(qū)邊界附近的載流子受到內(nèi)建電場力和（）的相互平衡。選項：A、擴散力B、偏移力C、靜電力D、以上均不是正確答案:【擴散力】5、問題：空間電荷區(qū)內(nèi)的電荷是（）。選項：A、移動的B、固定的C、擴散的D、復合的正確答案:【固定的】6、問題：pn結(jié)的p區(qū)中的電子是（）。選項：A、多子B、少子C、多子+少子D、不確定正確答案:【少子】7、問題：pn結(jié)內(nèi)建電場的方向為n區(qū)指向p區(qū)。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】8、問題：pn結(jié)的空間電荷區(qū)中產(chǎn)生了電子空穴對后將固定在該區(qū)域內(nèi)。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】9、問題：pn結(jié)處于熱平衡狀態(tài)下，可以用統(tǒng)一的費米能級來描述整個pn結(jié)的載流子狀態(tài)。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】10、問題：按照傳統(tǒng)的半導體物理知識，一塊n型半導體和一塊p型半導體簡單的發(fā)生接觸就能形成pn結(jié)。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】第7章測試021、問題：假設(shè)一硅基pn同質(zhì)結(jié)，在形成pn結(jié)之后，n區(qū)能帶通常將（）。選項：A、上抬B、下壓C、均有可能D、均不可能正確答案:【下壓】2、問題：同時提高p區(qū)和n區(qū)的摻雜濃度，pn結(jié)的空間電荷區(qū)寬度將（）。選項：A、變寬B、變窄C、不變D、不確定正確答案:【不確定】3、問題：由于外界條件的改變，pn結(jié)的空間區(qū)寬度增加，則內(nèi)建場將（）。選項：A、變大B、變小C、不變D、不確定正確答案:【變大】4、問題：熱平衡狀態(tài)下，我們可以利用外用表來測量出pn結(jié)內(nèi)建電勢差。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】5、問題：熱平衡狀態(tài)下的pn結(jié)中的費米能級處處相等。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】6、問題：在形成pn結(jié)之后，p區(qū)和n區(qū)費米能級與導帶和價帶的相對位置發(fā)生改變。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】7、問題：在形成pn結(jié)之后，p區(qū)和n區(qū)的半導體的禁帶寬度發(fā)生改變。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】8、問題：均勻摻雜的pn結(jié)內(nèi)建電場是恒定不變的。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】9、問題：pn結(jié)內(nèi)建電場的最大處出現(xiàn)在冶金結(jié)處。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】10、問題：假設(shè)一硅基pn同質(zhì)結(jié)，內(nèi)建電勢差的產(chǎn)生是由于統(tǒng)一費米能級的行為而造成的。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】第7章測試031、問題：pn結(jié)反偏時，內(nèi)建電勢差將會（）。選項：A、變大B、變小C、不變D、不確定正確答案:【變大】2、問題：pn結(jié)反偏時，空間電荷區(qū)寬度差將會（）。選項：A、變大B、變小C、不變D、不確定正確答案:【變大】3、問題：由于外加偏壓的改變，pn結(jié)的空間電荷區(qū)寬度發(fā)生變化，該現(xiàn)象稱為pn結(jié)的（）。選項：A、結(jié)電容B、擴散電容C、漂移電容D、結(jié)電容+擴散電容正確答案:【結(jié)電容】4、問題：對于大多數(shù)pn結(jié)而言，占主導地位的擊穿機制是（）。選項：A、齊納擊穿B、雪崩擊穿C、熱擊穿D、高壓擊穿正確答案:【雪崩擊穿】5、問題：pn結(jié)在反偏條件下，由于能帶的過度傾斜造成的擊穿類型為（）。選項：A、齊納擊穿B、雪崩擊穿C、熱擊穿D、高壓擊穿正確答案:【齊納擊穿】6、問題：pn結(jié)構(gòu)光電器件反偏時，更適合應用于（）。選項：A、發(fā)光器件B、光探測器件C、太陽電池D、場效應晶體管正確答案:【光探測器件】7、問題：1.當pn結(jié)由正偏轉(zhuǎn)換成反偏時，pn結(jié)內(nèi)存儲的（）載流子會被移走，即為電容放電。選項：A、多數(shù)B、少數(shù)C、過剩多數(shù)D、過剩少數(shù)正確答案:【過剩少數(shù)】8、問題：隧道二極管p區(qū)與n區(qū)都為（）。選項：A、非簡并半導體B、簡并半導體C、摻雜半導體D、非摻雜半導體正確答案:【簡并半導體】9、問題：發(fā)生雪崩擊穿時，產(chǎn)生雪崩效應的區(qū)域為（）。選項：A、p區(qū)B、n區(qū)C、空間電荷區(qū)D、不確定正確答案:【空間電荷區(qū)】10、問題：pn結(jié)反偏時，正電壓加載在p區(qū)一側(cè)。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】第8章測試1、問題：pn結(jié)正偏時，內(nèi)建電勢差將會（）。選項：A、變小B、變大C、不變D、不確定正確答案:【變小】2、問題：pn結(jié)正偏時，空間電荷區(qū)寬度差將會（）。選項：A、變小B、變大C、不變D、不確定正確答案:【變小】3、問題：p區(qū)內(nèi)總的少子電子的濃度符號為（）。選項：A、B、C、D、正確答案:【】4、問題：pn結(jié)正偏下總電流密度等于復合電流密度和（）密度之和。選項：A、漂移電流B、反向飽和電流C、擴散電流D、以上均是正確答案:【擴散電流】5、問題：由于載流子濃度梯度產(chǎn)生的電流（）。選項：A、擴散電流B、漂移電流C、反向飽和電流D、復合電流正確答案:【擴散電流】6、問題：由于外加電場作用產(chǎn)生的載流子流動稱為（）。選項：A、擴散電流B、漂移電流C、反向飽和電流D、復合電流正確答案:【漂移電流】7、問題：在一定的偏壓條件下，pn結(jié)內(nèi)任意位置的多子電流和少子擴散電流之和為（）。選項：A、不同B、相同C、視具體情況而定D、梯度變化正確答案:【相同】8、問題：pn結(jié)構(gòu)光電器件正偏時，更適合應用于（）。選項：A、發(fā)光器件B、光探測器件C、太陽電池D、場效應晶體管正確答案:【發(fā)光器件】9、問題：pn結(jié)正偏時，正電壓加載在p區(qū)一側(cè)。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】10、問題：短二極管的擴散電流密度要小于長二極管的擴散電流密度。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】第10章單元測驗1、問題：在MOSFET中，若襯底為p型，柵極加大的___電壓時，形成n型反型層；若襯底為n型，柵極加大的___電壓時，形成p型反型層。選項：A、正、正B、正、負C、負、正D、負、負正確答案:【正、負】2、問題：在MOS器件中，不論半導體是p型還是n型，柵極加負電壓時，半導體表面的能帶向___彎曲；柵極加正的電壓時，半導體表面的能帶向___彎曲。選項：A、上、上B、上、下C、下、上D、下、下正確答案:【上、下】3、問題：MOSFET的跨導與溝道寬度成___，與溝道長度成___，與氧化層厚度成___.選項：A、正比、正比、反比B、反比、反比、正比C、正比、反比、反比D、正比、反比、正比正確答案:【正比、反比、反比】4、問題：MOS器件中，耗盡層的厚度隨著表面勢的增大而___。選項：A、增大B、降低C、不變D、不確定正確答案:【增大】5、問題：當選項：時，所加的柵電壓稱之為___。A、平帶電壓B、閾值電壓C、導通電壓D、反型電壓正確答案:【閾值電壓】6、問題：對于p型襯底的MOSFET，負閾值電壓表明該器件為耗盡型器件。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】7、問題：對于p型襯底MOSFET的理想C-V特性而言，當C取值最小時，柵壓為負。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】8、問題：對于p型襯底MOSFET而言，當有效氧化層陷阱電荷數(shù)增大時，其C-V特性曲線往左移動。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】9、問題：當柵壓等于平帶電壓時，半導體內(nèi)能帶沒有彎曲，凈空間電荷為零，穿過氧化物的電壓也為零。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】10、問題：對于大功率MOSFET而言，柵極要遠離源極，以防漏電壓較大時產(chǎn)生擊穿。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】第九章測試11、問題：半導體的導帶底至真空能級之間的能級差異稱為半導體的（）。選項：A、功函數(shù)B、電子親和能C、勢壘能D、自由能正確答案:【電子親和能】2、問題：半導體費米能級至真空能級之間的能級差異稱為半導體的（）。選項：A、功函數(shù)B、電子親和能C、勢壘能D、自由能正確答案:【功函數(shù)】3、問題：如果在金屬-半導體之間加一個反偏壓，此時金屬半導體勢壘高度將（）。選項：A、變大B、變小C、不變D、不確定正確答案:【不變】4、問題：當金屬電極直接淀積在半導體表面則會形成（）。選項：A、肖特基接觸B、歐姆接觸C、范德華接觸D、以上均不是正確答案:【肖特基接觸】5、問題：通常情況下，金屬的功函數(shù)較大，則形成的肖特基勢壘（）。選項：A、大B、小C、不確定D、與半導體的功函數(shù)也有關(guān)系正確答案:【與半導體的功函數(shù)也有關(guān)系】6、問題：肖特基結(jié)的空間電荷區(qū)為（）中。選項：A、金屬B、半導體C、二者均有D、不確定正確答案:【半導體】7、問題：肖特基結(jié)與pn結(jié)一樣，均存在空間電荷區(qū)。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】8、問題：場效應晶體管的柵極極金屬半導體接觸類型為肖特基接觸。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】9、問題：勢壘的鏡像力會提高肖特基勢壘的高度。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】10、問題：界面態(tài)會降低肖特基勢壘的高度。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】第十一章單元測驗1、問題：與Si-MESFET相比，GaAs-MESFET的電子遷移率一般要低一些。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】2、問題：對于MESFET而言，當柵壓等于零時，溝道厚度比空間電荷區(qū)要小，那么此種類型為增強型MESFET。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】3、問題：從降低功耗的角度出發(fā)，F(xiàn)ET的亞閾值擺幅數(shù)值越大越好。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】4、問題：溝道輸運時間是影響JFET低頻特性的主要因素之一。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【錯誤】5、問題：從晶體管的小信號模型可以看到，源極電阻的影響是降低有效跨導或晶體管增益。選項：A、正確B、錯誤正確答案:【正確】6、填空題：結(jié)型場效應晶體管中的“結(jié)”主要是指_____結(jié)和肖特基結(jié)。正確答案