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文檔簡(jiǎn)介
門(mén)電路8.1二極管和三極管的開(kāi)關(guān)特性8.2基本邏輯門(mén)電路8.3
TTL邏輯門(mén)電路8.4能力訓(xùn)練習(xí)題
集成邏輯門(mén)電路是數(shù)字電路中最基本的邏輯單元,因此了解各類(lèi)邏輯門(mén)電路的基本特性對(duì)于合理選擇和使用器件是十分必要的。本章簡(jiǎn)要介紹門(mén)電路中的二極管和三極管的工
作特性,以及TTL集成邏輯門(mén)電路的基本工作原理和主要外部特性。
用以實(shí)現(xiàn)基本邏輯運(yùn)算和復(fù)合邏輯運(yùn)算的電路稱(chēng)為門(mén)電路。常用的門(mén)電路有與門(mén)、非門(mén)、或門(mén)、與非門(mén)、或非門(mén)、與或非門(mén)、異或門(mén)、同或門(mén)等。門(mén)電路中以高低電平來(lái)表示邏輯狀態(tài)的“1”和“0”。
8.1二極管和三極管的開(kāi)關(guān)特性
在客觀世界中,沒(méi)有理想開(kāi)關(guān),電子技術(shù)中常用開(kāi)關(guān)二極管和開(kāi)關(guān)三極管作為開(kāi)關(guān)使用。8.1.1二極管的開(kāi)關(guān)特性
1.靜態(tài)開(kāi)關(guān)特性二極管的伏安特性曲線(xiàn)如圖8-1所示。其等效電路見(jiàn)圖8-2、圖8-3。圖8-1二極管的伏安特性曲線(xiàn)圖8-2二極管導(dǎo)通等效電路圖8-3二極管截止等效電路
正向?qū)〞r(shí),
UVD(ON)≈0.7V(硅)或0.3V(鍺),
RVD約為幾歐姆到幾十歐姆,相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合;反向截止時(shí),反向飽和電流極小,反向電阻很大,相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。
2.動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性
二極管從截止變?yōu)閷?dǎo)通和從導(dǎo)通變?yōu)榻刂苟夹枰欢ǖ臅r(shí)間。通常,后者所需的時(shí)間要長(zhǎng)得多。
3.二極管的開(kāi)關(guān)參數(shù)
(1)最大正向電流:二極管正向?qū)娏鞯淖畲笤试S值,使用時(shí)不得超過(guò)這一數(shù)值。
(2)最高反向工作電壓:二極管反向工作時(shí)所加反向電壓的最大值。
(3)反向擊穿電壓:二極管在一定反向電流下的反向電壓。在此電壓下,認(rèn)為二極管已被擊穿。
(4)反向恢復(fù)時(shí)間:二極管從正向電流變化到反向電流一定值所需的時(shí)間。
8.1.2三極管的開(kāi)關(guān)特性
1.靜態(tài)開(kāi)關(guān)特性
在數(shù)字電路中,三極管作為開(kāi)關(guān)元件,主要工作在飽和與截止兩種開(kāi)關(guān)狀態(tài),如圖8-4所示,放大區(qū)只是極短暫的過(guò)渡狀態(tài)。
截止?fàn)顟B(tài):發(fā)射結(jié)反偏,電流約為0。
飽和狀態(tài):發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏。圖8-4三極管的開(kāi)關(guān)等效電路
2.動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性
在動(dòng)態(tài)情況下,即三極管在截止與飽和導(dǎo)通兩種狀態(tài)間迅速轉(zhuǎn)換時(shí),三極管內(nèi)部電荷的建立和消散都需要一定的時(shí)間,因而集電極電流ic
的變化將滯后于輸入電壓ui
的變化。
在接成三極管開(kāi)關(guān)電路以后,開(kāi)關(guān)電路的輸出電壓uo
的變化也必然滯后于輸入電壓ui的變化,如圖8-5所示。圖8-5三極管的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性
3.晶體三極管的開(kāi)關(guān)參數(shù)
(1)最大集電極電流ICM:iC
在相當(dāng)大的范圍內(nèi)β值不變,但當(dāng)ic
的數(shù)值大到一定程度時(shí)β值將迅速減小。使β值明顯減小的iC
即為ICM
。
(2)極間反向擊穿電壓U(BR)CBO:發(fā)射極開(kāi)路時(shí)集電極—基極間的反向擊穿電壓,這是集電結(jié)所允許加的最高反向電壓。
8.2基本邏輯門(mén)電路
8.2.1三種基本門(mén)電路
1.與門(mén)最簡(jiǎn)單的與門(mén)可以用二極管和電阻構(gòu)成,如圖8-6所示圖8-6與門(mén)電路及邏輯符號(hào)
設(shè)UCC=5V,
A、B輸入端的高、低電平分別為UiH=3V,
UiL=0V,二極管VD1,VD2的正向?qū)▔航礥DF=0.7V。由圖可見(jiàn),
A、B中只要有一個(gè)是低電平0V
,則必有一個(gè)二極管導(dǎo)通,使Y=0.7V。只有A、B同時(shí)為高電平3V時(shí),
Y才為3.7V。
若規(guī)定3V以上為高電平,用邏輯1表示,0.7V以下為低電平,用邏輯0表示,則可得如表8-1所示的與邏輯運(yùn)算的真值表。
2.或門(mén)
最簡(jiǎn)單的或門(mén)也可以用二極管和電阻構(gòu)成,如圖8-7所示。圖8-7或門(mén)電路及邏輯符號(hào)
設(shè)A、B輸入端的高、低電平分別為UiH=3V,
UiL=0V,二極管VD1
,
VD2
的正向?qū)▔航礥DF
=0.7V。由圖可見(jiàn),
A、B中只要有一個(gè)是高電平,輸出Y就是2.3V。只有A、B同時(shí)為低電平時(shí),輸出Y才是0V。
若規(guī)定2.3V以上為高電平,用邏輯1表示,
0V以下為低電平,用邏輯0表示,則可得如表8-2所示的或邏輯運(yùn)算的真值表。
3.非門(mén)
最簡(jiǎn)單的非門(mén)可以用三極管和電阻構(gòu)成,如圖8-8所示。圖8-8非門(mén)電路及邏輯符號(hào)
當(dāng)A端輸入電壓Ui=0V時(shí),三極管截止,輸出電壓Y=5V;當(dāng)A端輸入電壓Ui=5V時(shí),三極管導(dǎo)通,輸出電壓Y為低電平。因此,非邏輯運(yùn)算的真值表如表8-3所示。
8.2.2DTL與非門(mén)
把一個(gè)電路中的所有元件,包括二極管、三極管、電阻及導(dǎo)線(xiàn)等都制作在一片半導(dǎo)體芯片上,封裝在一個(gè)管殼內(nèi),就是集成電路。早期的簡(jiǎn)單集成與非門(mén)電路稱(chēng)為二極管—三
極管邏輯門(mén)電路,簡(jiǎn)稱(chēng)DTL電路。DTL與非門(mén)的電路結(jié)構(gòu)如圖8-9所示。圖8-9DTL與非門(mén)電路
DTL與非門(mén)電路的邏輯關(guān)系為:當(dāng)三輸入端都接高電平(即UA=UB=UC=5V時(shí)),二極管VD1~VD3
都截止,而VD4
、VD5
和V導(dǎo)通??梢则?yàn)證,此時(shí)三極管飽和,
Y=UCES=0.3V,即輸出低電平;在三個(gè)輸入端中只要有一個(gè)為低電平0.3V時(shí),則陰極接低電平的二極管導(dǎo)通,由于二極管正向?qū)〞r(shí)的鉗位作用,
UP=1V,從而使VD4
、VD5和V都截止,Y=UCC=5V,即輸出高電平。
與非門(mén)的邏輯符號(hào)如圖8-10所示。圖8-10與非門(mén)邏輯符號(hào)
8.3TTL邏輯門(mén)電路
8.3.1TTL與非門(mén)的工作原理圖8-11所示為T(mén)TL與非門(mén)的典型電路。其輸入端和輸出端均為三極管結(jié)構(gòu),所以稱(chēng)為三極管—三極管邏輯電路(TransistorTransistorLogic),簡(jiǎn)稱(chēng)TTL電路。該電路中輸入端為多發(fā)射極的三極管,我們可以將其看做兩個(gè)發(fā)射極獨(dú)立而基極和集電極分別并聯(lián)在一起的三極管,如圖-12所示。圖8-11TTL與非門(mén)電路圖8-12多發(fā)射極三極管
8.3.2TTL與非門(mén)的外特性及有關(guān)參數(shù)
1.輸入特性
在圖8-11給出的TTL與非門(mén)電路中,如果僅僅考慮輸入信號(hào)是高電平和低電平而不是某一個(gè)中間值的情況,可忽略V2
和V4
的b-c結(jié)反向電流以及R3
對(duì)V4
基極回路的影響,將輸入端的等效電路畫(huà)成如圖8-13所示的形式。圖8-13TTL與非門(mén)的輸入端等效電路
當(dāng)U
CC=5V,
ui
=UiL=0.2V時(shí),輸入低電平電流為:
當(dāng)ui=UiH=3.4V時(shí),
V1
管處于uBC>0,
uBE<0的狀態(tài)。在這種工作狀態(tài)下,相當(dāng)于把原來(lái)的集電極c1
當(dāng)作發(fā)射極使用,而把原來(lái)的發(fā)射極e1當(dāng)作集電極使用了。我們把晶體管的這種狀態(tài)稱(chēng)為倒置工作狀態(tài)。倒置工作狀態(tài)下三極管的電流放大系數(shù)βi極小(在0.01以下),如果近似地認(rèn)為βi
=0,則這時(shí)的輸入電流只是be結(jié)的方向電流,所以高電平輸入電流IiH
很小。
根據(jù)圖8-13所示的等效電路可以畫(huà)出輸入電流隨輸入電壓變化的曲線(xiàn)—輸入特性曲線(xiàn),如圖8-14所示圖8-14TTL與非門(mén)的輸入特性
2.輸出特性
1)高電平輸出特性
根據(jù)前述工作原理,當(dāng)uo=UoH時(shí),圖8-11電路中的V3
和VD3
導(dǎo)通,
V4
截止,輸出端的等效電路可以畫(huà)成圖8-15所示的形式。由圖可見(jiàn),這時(shí)V3工作在射極輸出狀態(tài),電路的輸出電阻很小。在負(fù)載電流較小的范圍內(nèi),負(fù)載電流的變化對(duì)UoH
的影響很小。圖8-15高電平輸出等效電路
隨著負(fù)載電流iL
絕對(duì)值的增加,
R4
上的壓降也隨之加大,最終將使V4的b-c結(jié)變?yōu)檎蚱茫?/p>
V4進(jìn)入飽和狀態(tài)。這時(shí)V4將失去射極跟隨功能,因而UoH
隨iL絕對(duì)值的增加幾乎線(xiàn)性地下降。圖8-16給出了74系列門(mén)電路在輸出為高電平時(shí)的輸出特性曲線(xiàn)。圖8-16高電平輸出特性
2)低電平輸出特性
當(dāng)輸出為低電平時(shí),門(mén)電路輸出級(jí)的V5
飽和導(dǎo)通而V4
截止,輸出端的等效電路如圖8-17所示。
由于V5
飽和導(dǎo)通時(shí)c-e間的飽和導(dǎo)通內(nèi)阻很小(通常在10Ω以?xún)?nèi)),飽和導(dǎo)通壓降很低(通常約0.1V),所以負(fù)載電流iL
增加時(shí)輸出的低電平UoL
僅稍有升高。圖818是低電平輸出特性曲線(xiàn)。圖8-17低電平輸出等效電路圖8-18低電平輸出特性曲線(xiàn)
以上以TTL與非門(mén)為例介紹了TTL門(mén)電路的外特性及有關(guān)參數(shù),除此之外還有CMOS門(mén)電路,在此不再贅述,有興趣的讀者可參閱相關(guān)書(shū)籍和資料。
8.4能力訓(xùn)練
8.4.1集成與門(mén)集成與門(mén)芯片7408為雙列直插式芯片,共14個(gè)引腳,其功能圖如圖8-19所示。圖8-197408功能圖
7408為4個(gè)2輸入的與門(mén)芯片,其中14號(hào)引腳接電源,
7號(hào)引腳接地,其余引腳如圖8-19所示,分別構(gòu)成4個(gè)2輸入的與門(mén)。
另外,還有3個(gè)3輸入與門(mén)7411、雙4輸入與門(mén)7421等,引腳圖及功能等可查閱相關(guān)資料,這里不再一一贅述。
8.4.2集成或門(mén)
集成或門(mén)芯片7432為雙列直插式芯片,共14個(gè)引腳,其功能圖如圖8-20所示。
7432為4個(gè)2輸入的或門(mén)芯片,其中14號(hào)引腳接電源,
7號(hào)引腳接地,其余引腳如圖8-20所示,分別構(gòu)成4個(gè)2輸入的或門(mén)。圖8-207432功能圖
8.4.3集成反相器
集成反相器芯片7404為雙列直插式芯片,共14個(gè)引腳,其功能圖如圖8-21所示。
7404為六反相器芯片,其中14號(hào)引腳接電源,
7號(hào)引腳接地,其余引腳如圖8-21所示,分別構(gòu)成6個(gè)非門(mén)。圖8-217404功能圖
8.4.4集成與非門(mén)
1.7400
集成與非門(mén)芯片7400為雙列直插式芯片,共14個(gè)引腳,其功能圖如圖8-22所示。
7400為4個(gè)2輸入的與非門(mén)芯片,其中14號(hào)引腳接電源,
7號(hào)引腳接地,其余引腳如圖8-22所示,分別構(gòu)成4個(gè)2輸入的與非門(mén)。圖8-227400功能圖
2.7420
集成與非門(mén)芯片7420為雙列直插式芯片,共14個(gè)引腳,其功能圖如圖8-23所示。
7420為雙4輸入與非門(mén)芯片,其中14號(hào)引腳接電源,
7號(hào)引腳接地,其余引腳如圖8-23所示,分別構(gòu)成2個(gè)4輸入的與非門(mén)。
另外,還有3個(gè)3輸入與非門(mén)7410、8輸入與非門(mén)7430等,引腳圖及功能等可查閱相關(guān)資料,這里不再一一贅述。圖8-237420功能圖
習(xí)題圖8-24[題8.1]圖
[題8.1]試畫(huà)出圖8-24中各個(gè)門(mén)電路輸出端的電壓波形。輸入端A、B的電壓波形如圖中所示。
[
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