2023-2024屆一輪復(fù)習(xí)人教版 第35講 物質(zhì)的聚集狀態(tài) 常見晶體類型 學(xué)案

第35講物質(zhì)的聚集狀態(tài)常見晶體類型

［復(fù)習(xí)目標(biāo)］1.了解晶體和非晶體的區(qū)別。2.了解晶體的類型，了解不同類型晶體中結(jié)構(gòu)微粒、

微粒間作用力的區(qū)別。3.了解分子晶體、共價晶體、離子晶體、金屬晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)

系。4.了解四種晶體類型熔點(diǎn)、沸點(diǎn)、溶解性等性質(zhì)的不同。

考點(diǎn)一物質(zhì)的聚集狀態(tài)晶體與非晶體

■歸納整合必備知識

1.物質(zhì)的聚集狀態(tài)

(1)物質(zhì)的聚集狀態(tài)除了固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)，還有晶態(tài)、非晶態(tài)以及介乎晶態(tài)和非晶態(tài)之間的

塑晶態(tài)、液晶態(tài)等。

(2)等離子體和液晶

概念主要性能

由電子、陽離子和電中性粒子組成的

等離子體具有良好的導(dǎo)電性和流動性

整體上呈電中性的物質(zhì)聚集體

既具有液體的流動性、黏度、形變性，

液晶介于液態(tài)和晶態(tài)之間的物質(zhì)狀態(tài)

又具有晶體的導(dǎo)熱性、光學(xué)性質(zhì)等

2.晶體與非晶體

⑴晶體與非晶體的比較

晶體非晶體

原子在三維空間里呈周期

結(jié)構(gòu)特征原子排列相對無序

性有序排列

自范性有無

性質(zhì)

藤不固定

特征

異同表現(xiàn)各向異性各向同性

⑵得到晶體的途徑

①熔融態(tài)物質(zhì)凝固；

②氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接凝固(凝華);

③溶質(zhì)從溶液中析出。

(3)晶體與非晶體的測定方法

測熔點(diǎn)晶體有固定的熔點(diǎn)，非晶體沒有固定的熔點(diǎn)

測定方法

最可靠方法對固體進(jìn)行X射線衍射實(shí)驗(yàn)

IΞ易錯辨析

?.在物質(zhì)的三態(tài)相互轉(zhuǎn)化過程中只是分子間距離發(fā)生了變化（）

2.晶體和非晶體的本質(zhì)區(qū)別是晶體中粒子在微觀空間里呈現(xiàn)周期性的有序排列（）

3.晶體的'熔點(diǎn)一定比非晶體的熔點(diǎn)高（）

4.具有規(guī)則幾何外形的固體一定是晶體（）

5.缺角的NaCl晶體在飽和NaCI溶液中會慢慢變?yōu)橥昝赖牧⒎襟w塊（）

答案1.×2.√3.×4,×5.√

■專項(xiàng)突破F翳磨肉］

一、物質(zhì)聚集狀態(tài)的多樣性

1.下列有關(guān)物質(zhì)特殊聚集狀態(tài)與結(jié)構(gòu)的說法不正確的是（）

A.液晶中分子的長軸取向一致，表現(xiàn)出類似晶體的各向異性

B.等離子體是一種特殊的氣體，由陽離子和電子兩部分構(gòu)成

C.純物質(zhì)有固定的熔點(diǎn)，但其晶體顆粒尺寸在納米量級時也可能發(fā)生變化

D.超分子內(nèi)部的分子間一般通過非共價鍵或分子間作用力結(jié)合成聚集體

答案B

解析液晶分子沿分子長軸方向有序排列，從而表現(xiàn)出類似晶體的各向異性，故A正確；等

離子體是由陽離子、電子和電中性粒子組成的整體上呈電中性的物質(zhì)聚集體，故B錯誤；純

物質(zhì)有固定的熔點(diǎn)，但其晶體顆粒尺寸在納米量級時也可能發(fā)生變化，熔點(diǎn)可能下降，故C

正確；超分子內(nèi)部的多個分子間一般通過非共價鍵或分子間作用力結(jié)合成聚集體，故D正確。

2.水的狀態(tài)除了氣、液和固態(tài)外，還有玻璃態(tài)。它是由液態(tài)水急速冷卻到165K時形成的。

玻璃態(tài)的水無固定形狀，不存在晶體結(jié)構(gòu)，且密度與普通液態(tài)水的密度相同，下列有關(guān)玻璃

態(tài)水的敘述正確的是（）

A.水由液態(tài)變?yōu)椴ＡB(tài)，體積縮小

B.水由液態(tài)變?yōu)椴ＡB(tài)，體積膨脹

C.玻璃態(tài)是水的一種特殊狀態(tài)

D.在玻璃態(tài)水的X射線圖譜上有分立的斑點(diǎn)或明銳的衍射峰

答案C

解析玻璃態(tài)水無固定形狀，不存在晶體結(jié)構(gòu)，因密度與普通液態(tài)水相同，故水由液態(tài)變?yōu)?/p>

玻埔態(tài)時體積不變。

二、晶體與非晶體的區(qū)別

3.下列關(guān)于晶體和非晶體的說法正確的是()

A.晶體在三維空間里呈周期性有序排列，因此在各個不同的方向上具有相同的物理性質(zhì)

B.晶體在熔化過程中需要不斷地吸熱，溫度不斷地升高

C.普通玻璃在各個不同的方向上力學(xué)、熱學(xué)、電學(xué)、光學(xué)性質(zhì)相同

D.晶體和非晶體之間不可以相互轉(zhuǎn)化

答案C

解析晶體在三維空間里呈周期性有序排列，其許多物理性質(zhì)常常會表現(xiàn)出各向異性，A不

正確；晶體的熔點(diǎn)是固定的，所以在熔化過程中溫度不會變化，B不正確：在一定條件下晶

體和非晶體是可以相互轉(zhuǎn)化的，D不正確。

4.玻璃是常見的非晶體，在生產(chǎn)生活中有著廣泛的用途，如圖是玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖，下列有

關(guān)玻璃的說法錯誤的是()

A.玻璃內(nèi)部微粒排列是無序的

B.玻璃熔化時吸熱，溫度不斷上升

C.光導(dǎo)纖維和玻璃的主要成分都可看成是SiCh,二者都是非晶體

D.利用X射線衍射實(shí)驗(yàn)可以鑒別石英玻璃和水晶

答案C

解析根據(jù)玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖可知，構(gòu)成玻璃的粒子無周期性排列，是無序的，所以玻璃是

非晶體，因此沒有固定的熔點(diǎn)，A、B對；玻璃屬于非晶體，但光導(dǎo)纖維屬于晶體，C錯；區(qū)

分晶體與非晶體最科學(xué)的方法是對固體進(jìn)行X射線衍射實(shí)驗(yàn)，D對。

考點(diǎn)二常見晶體類型

■歸納整合必備知識

1.晶胞

(1)概念：描述晶體結(jié)構(gòu)的基本單元。

(2)晶體中晶胞的排列——無隙并置

①無隙：相鄰晶胞之間沒有任何間隙。

②并置：所有晶胞平行排列、取向相同。

2.四種常見晶體類型的比較

分子晶體共價晶體金屬晶體離子晶體

比較

構(gòu)成微粒分子原子金屬陽離子、自由電子陰、陽離子

微粒間的相互作范德華力(某些一

共價鍵金屬鍵離子鍵

用力含氫鍵)

硬度較小很大有的很大，有的很小E

熔、沸點(diǎn)較低很高有的很高，有的很低較高

難溶于一般一般不溶于水，少數(shù)與大多易溶于水

溶解性相似相溶

溶劑水反應(yīng)等極性溶劑

一般不具有晶體不導(dǎo)電，

一般不導(dǎo)電，溶

導(dǎo)電、導(dǎo)熱性導(dǎo)電性，個電和熱的良導(dǎo)體水溶液或熔融

于水后有的導(dǎo)電

別為半導(dǎo)體態(tài)導(dǎo)電

3.常見晶體的結(jié)構(gòu)模型

(1)典型的分子晶體——干冰和冰

干冰的結(jié)構(gòu)模型(晶胞)冰的結(jié)構(gòu)模型

①干冰晶體中，每個CO2分子周圍等距且緊鄰的CO2分子有12_個。

②冰晶體中，每個水分子與相鄰的生個水分子以氫鍵相連接，含ImolH2。的冰中，最多可

形成2mol氫鍵。

(2)典型的共價晶體——金剛石、二氧化硅

①金剛石和二氧化硅晶體結(jié)構(gòu)模型比較

Si-AQ

0—

?<

二氧化硅

oSi?0

②金剛石和二氧化硅結(jié)構(gòu)特點(diǎn)分析比較

a.碳原子采取量_雜化，鍵角為109°28'

b.每個碳原子與周圍緊鄰的4個碳原子以共價鍵結(jié)合成正四面

隹結(jié)構(gòu)，向空間伸展形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)

最小碳環(huán)由個碳原子組成，每個碳原子被旦個六元環(huán)共用

金剛石c.9

d.金剛石晶胞的每個頂點(diǎn)和面心均有1個C原子，晶胞內(nèi)部有4

個C原子，內(nèi)部的C在晶胞的體對角線的;處，每個金剛石晶

胞中含有&個C原子

a.Si原子采取sp3雜化，正四面體內(nèi)O-Si—O鍵角為109。28'

b.每個Si原子與生個O原子形成4個共價鍵，Si原子位于正四

面體的中心，O原子位于正四面體的頂點(diǎn)，同時每個O原子被

2個硅氧正四面體共用，晶體中Si原子與O原子個數(shù)比為g

c.最小環(huán)上有??個原子，包括6個O原子和6個Si原子

二氧化硅

d.lmolSiO2晶體中含Si—O數(shù)目為我

e.SiO2晶胞中有a個Si原子位于立方晶胞的頂點(diǎn)，有9個Si原

子位于立方晶胞的面心，還有生個Si原子與坨個。原子在晶

胞內(nèi)構(gòu)成4個硅氧四面體。每個SiO2晶胞中含有8個Si原子和

坨個O原子

(3)典型的離子晶體——NaC1、CsCkCaF2

OCa2+OF-

①NaCI型：在晶體中，每個Na卡同時吸引9個C1，每個Cl-同時吸引9個Na卡,配位數(shù)為

每個晶胞含生個Na'和生個Cl?

②CSCl型：在晶體中，每個C「吸引&個Cs+,每個Cs+吸引&個C「，配位數(shù)為8。

③CaFz型：在晶體中，每個Ca?*吸引區(qū)個F,每個F吸引生個Ca?+,每個晶胞含生個

Ca2+,區(qū)個F,

【知識拓展】晶格能

(1)定義

氣態(tài)離子形成Imol離子晶體釋放的能量，通常取正值，單位：kJ?moΓ'o

(2)意義：晶格能越大，表示離子鍵越強(qiáng)，離子晶體越穩(wěn)定，熔、沸點(diǎn)越高。

(3)影響因素

①離子所帶電荷數(shù)：離子所帶電荷數(shù)越多，晶格能越大。

②離子的半徑：離子的半徑越小，晶格能越大。

(4)過渡晶體與混合型晶體

①過渡晶體：純粹的分子晶體、共價晶體、離子晶體和金屬晶體四種典型晶體是不多的，大

多數(shù)晶體是它們之間的過渡晶體。人們通常把偏向離子晶體的過渡晶體當(dāng)作離子晶體來處理,

把偏向共價晶體的過渡晶體當(dāng)作共價晶體來處理。

②混合型晶體

石墨層狀晶體中，層與層之間的作用是分子間作用力,平均每個正六邊形擁有的碳原子個數(shù)

是2，C原子采取的雜化方式是應(yīng)。

IΞ易錯辨析

1.分子晶體不導(dǎo)電，溶于水后也都不導(dǎo)電()

2.沸點(diǎn)：HF<HCl<HBr<HI()

3.離子晶體是由陰、陽離子構(gòu)成的，所以離子晶體能夠?qū)щ?)

4.共價晶體的熔點(diǎn)一定比離子晶體的高()

5.金屬導(dǎo)電是因?yàn)樵谕饧与妶鲎饔孟庐a(chǎn)生自由電子()

6.金屬具有光澤是因?yàn)榻饘訇栯x子吸收并放出可見光()

答案1.×2.×3.×4.×5.×6.×

■專項(xiàng)突破關(guān)鍵能力

一、常見晶體類型的判斷

1.22

在下列物質(zhì)中：NaChNaOHsNa2SsH2O2>Na2S2^(NH4)2S,CO、CCl4>C2H2>SiO、

SiC、晶體硅、金剛石、晶體菽。

(1)其中只含有離子鍵的離子晶體是NaCkNa?S。

(2)其中既含有離子鍵又含有極性共價鍵的離子晶體是NaOH、(NH/S.

(3)其中既含有離子鍵又含有極性共價鍵和配位鍵的離子晶體是@H2。

(4)其中既含有離子鍵又含有非極性共價鍵的離子晶體是地西。

(5)其中形成的晶體是分子晶體的是H,02、Co2、CCl4、C2H2、晶體氨。

(6)其中含有極性共價鍵的共價晶體是SiO22-SiCo

2.下列有關(guān)晶體類型的判斷正確的是()

ASiI4:熔點(diǎn)120.5℃,沸點(diǎn)271.5℃共價晶體

BB：熔點(diǎn)2300℃,沸點(diǎn)2550℃,硬度大金屬晶體

C睇：熔點(diǎn)630.74℃,沸點(diǎn)1750℃,晶體導(dǎo)電共價晶體

DFeCb:熔點(diǎn)282°C,易溶于水，也易溶于有機(jī)溶劑分子晶體

答案D

二、常見晶體類型的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

3.金剛石和石墨是碳元素形成的兩種單質(zhì)，下列說法正確的是()

A.金剛石和石墨晶體中最小的環(huán)均含有6個碳原子

B.在金剛石中每個C原子連接4個六元環(huán)，石墨中每個C原子連接3個六元環(huán)

C.金剛石與石墨中碳原子的雜化方式均為sp2

D.金剛石中碳原子數(shù)與C-C數(shù)之比為1:4,而石墨中碳原子數(shù)與C-C數(shù)之比為1：3

答案A

解析金剛石中每個C原子連接12個六元環(huán)，石墨中每個C原子連接3個六元環(huán)，B項(xiàng)錯

誤：金剛石中碳原子采取sp3雜化，而石墨中碳原子采取sp2雜化，C項(xiàng)錯誤；金剛石中每個

碳原子與周圍其他4個碳原子形成共價鍵，而每個共價鍵為2個碳原子所共有，則每個碳原

子平均形成的共價鍵數(shù)為4×∣=2,故碳原子數(shù)與C—C數(shù)之比為1:2;石墨晶體中每個碳

原子與周圍其他3個碳原子形成共價鍵，同樣可求得每個碳原子平均形成的共價鍵數(shù)為3X；

=1.5,故碳原子數(shù)與C-C數(shù)之比為2：3,D項(xiàng)錯誤。

4.碳化硅(SiC)晶體具有多種結(jié)構(gòu)，其中一種晶體的晶胞(如圖所示)與金剛石的類似。下列判

斷正確的是()

A.該晶體屬于分子晶體

B.該晶體中存在極性鍵和非極性鍵

C.該晶體中Si的化合價為一4

D.該晶體中C的雜化類型為sp3

答案D

解析與金剛石類似，該晶體屬于共價晶體，A錯誤：根據(jù)該晶體的晶胞結(jié)構(gòu)圖可知，該晶

體只存在Si-C極性共價鍵，B錯誤；SiY中，C的電負(fù)性更強(qiáng)，共用電子對偏向C原子,

所以Si的化合價為+4,C錯誤；每個C原子與4個Si原子形成4個σ鍵，C原子沒有孤電

子對，所以C的雜化類型為sp3,D正確。

5.有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說法不正確的是（

ONa+OCl-CaFz晶體(OCa")

由E原子和F原子構(gòu)成

冰的結(jié)構(gòu)模型的氣態(tài)團(tuán)簇分子模型

A.在NaCl晶體中，距Ci-最近的Na卡形成正八面體

B.在CaFz晶體中，每個晶胞平均含有4個Ca?’

C.冰晶體中每個水分子與另外四個水分子形成四面體結(jié)構(gòu)

D.該氣態(tài)團(tuán)簇分子的分子式為EF

答案D

解析氟化鈣晶胞中，Ca?+位于頂點(diǎn)和面心，數(shù)目為8X?∣+6><4=4,故B正確；氣態(tài)團(tuán)簇

oZ

分子不同于晶胞，氣態(tài)團(tuán)簇分子中含有4個E原子、4個F原子，則分子式為E4F4或F4E4,

故D錯誤。

答題規(guī)范(5)晶體熔、沸點(diǎn)高低原因解釋

1.不同類型晶體熔、沸點(diǎn)比較

答題模板：XXX為XXX晶體，而XXX為XXX晶體。

例］(1)金剛石的熔點(diǎn)比NaCl高，原因是金剛石是共價晶體，而NaCl是離子晶體。

(2)SiO2的熔點(diǎn)比eθ?高，原因是SiO2是共價晶體，而CC>2是分子晶體。

2.同類型晶體熔、沸點(diǎn)比較

(1)分子晶體

答題模板:

①同為分子晶體,XXX存在氫鍵，而XXX僅存在較弱的范德華力。

②同為分子晶體，XXX的相對分子質(zhì)量大，范德華力強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)高。

③同為分子晶體，兩者的相對分子質(zhì)量相同(或相近)，XXX的極性大，熔、沸點(diǎn)高。

④同為分子晶體，XXX形成分子間氫鍵，而XXX形成的則是分子內(nèi)氫鍵，分子間氫鍵會

使熔、沸點(diǎn)升高。

例2⑴NH3的沸點(diǎn)比PH3ft,原因是同為分子晶體，NH3分子間存在較強(qiáng)的氫鍵，而PH3

分子間僅有較弱的范德華力。

(2)CO2比CS2的熔、沸點(diǎn)低，原因是同為分子晶體，CS2的相對分子質(zhì)量大，范德華力強(qiáng)，

熔、沸點(diǎn)高。

(3)Co比N2的熔、沸點(diǎn)高，原因是同為分子晶體，兩者相對分子質(zhì)量相同，Co的極性大，

熔、沸點(diǎn)高。

OHOH

(4)()的沸點(diǎn)比()高,原因是CH()形成分子內(nèi)氫鍵,

而形成分子間氫鍵，分子間氫鍵會使沸點(diǎn)升高。

⑵共價晶體

答題模板：同為共價晶體，XXX晶體的鍵長短，鍵能大，熔、沸點(diǎn)高。

例3Si單質(zhì)比化合物SiC的熔點(diǎn)低,理由是晶體硅與SiC均屬物共價晶體，晶體硅中的Si-Si

比SiC中Si—C的鍵長長，鍵能低，所以熔點(diǎn)低。

(3)離子晶體

答題模板：

①陰、陽離子電荷數(shù)相等，則看陰、陽離子半徑：

同為離子晶體，RL(或M"+)半徑小于X"—(或N"+),故XXX晶體晶格能大(或離子鍵強(qiáng))，熔、

沸點(diǎn)ι?。

②陰離子(或陽離子)電荷數(shù)不相等，陰離子(或陽離子)半徑不相同：

同為離子晶體,RL（或M"+）半徑小于X"L（或Nra+）,RL（或M"+）電荷數(shù)大于X"L（或Nm+）,

故XXX晶體晶格能大（或離子鍵強(qiáng)），熔、沸點(diǎn)高。

例4（I）Zno和ZnS的晶體結(jié)構(gòu)相似，熔點(diǎn)較高的是Zn0,理由是ZnO和ZnS同屬于離子

晶體，O?半徑小于S?,故Zno晶格能大（或離子鍵強(qiáng)），熔點(diǎn)高。

（2）Fe0的熔點(diǎn)小于Fe2O3的熔點(diǎn)，原因是同為離子晶體，F(xiàn)e?一半徑比Fe3+大，所帶電荷數(shù)也

小于Fe3，F(xiàn)ee）的品格能比Fe2O3小。

L規(guī)范精練

1.FeF3具有較高的熔點(diǎn)（高于IooO°C）,其化學(xué)鍵類型是,FeBn的相對分子質(zhì)量大

于FeF3,但其熔點(diǎn)只有200℃,原因是。

答案離子鍵FeF3為離子晶體，F(xiàn)eBn的化學(xué)鍵以共價鍵為主，屬于分子晶體

2.已知：K2O的熔點(diǎn)為770℃,Na2O的熔點(diǎn)為1275℃,二者的晶體類型均為,

K2O的熔點(diǎn)低于NazO的原因是O

答案離子晶體K*的半徑大于Na卡,LO的晶格能小于NazO

3.已知氨（NH3,熔點(diǎn)：一77.8℃、沸點(diǎn)：一33.5℃）,聯(lián)氨（N2H4,熔點(diǎn)：2℃、沸點(diǎn)：113.5℃）,

解釋其熔、沸點(diǎn)高低的主要原因：___________________________________________________

答案聯(lián)氨分子間形成氫鍵的數(shù)目多于氨分子形成的氫鍵

4.已知氮化硼與碎化錢屬于同種晶體類型。則兩種晶體熔點(diǎn)較高的是（填化學(xué)式），

其理由是.

答案BN兩種晶體均為共價晶體，N和B原子半徑較小，鍵能較大，熔點(diǎn)較高

5.S位于周期表中第族，該族元素氫化物中，出Te比H2S沸點(diǎn)高的原因是,

H2O比H2Te沸點(diǎn)高的原因是。

答案VIA兩者均為分子晶體且結(jié)構(gòu)相似，1Te相對分子質(zhì)量比HzS大，分子間作用力更

強(qiáng)兩者均為分子晶體，HzO分子間存在氫鍵

真題演練明確考向

1.（2022?湖北，7）C6o在高溫高壓下可轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂幸欢▽?dǎo)電性、高硬度的非晶態(tài)碳玻璃。下列

關(guān)于該碳玻璃的說法錯誤的是（）

A.具有自范性

B.與C60互為同素異形體

C.含有sp3雜化的碳原子

D.化學(xué)性質(zhì)與金剛石有差異

答案A

解析自范性是晶體的性質(zhì)，碳玻璃為非晶態(tài)，所以沒有自范性，A錯誤；碳玻璃和C60均

是由碳元素形成的不同的單質(zhì)，所以互為同素異形體，B正確；金剛石與碳玻璃互為同素異

形體，性質(zhì)差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)上，化學(xué)性質(zhì)上也有差異，D正確。

2.（2021?天津，2）下列各組物質(zhì)的晶體類型相同的是（）

A.SiCh和Sθ3B.b和NaCl

C.CU和AgD.SiC和Mgo

答案C

解析SiCh為共價晶體，SCh為分子晶體，A錯誤；L為分子晶體，NaCl為離子晶體，B錯

誤；CU和Ag都為金屬晶體，C正確；SiC為共價晶體，Mgo為離子晶體，D錯誤。

3.（2021?遼寧，7）單質(zhì)硫和氫氣在低溫高壓下可形成一種新型超導(dǎo)材料，其晶胞如圖。下列說

法錯誤的是（）

5OS

???oH

A.S位于元素周期表P區(qū)

B.該物質(zhì)的化學(xué)式為H3S

C.S位于H構(gòu)成的八面體空隙中

D.該晶體屬于分子晶體

答案D

4.[2021?浙江6月選考,26（1）]已知3種共價晶體的熔點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表:

金剛石碳化硅晶體硅

熔點(diǎn)/℃>355026001415

金剛石熔點(diǎn)比晶體硅熔點(diǎn)高的原因是____________________________________________

答案共價晶體中，原子半徑越小，共價鍵鍵能越大，熔點(diǎn)越高，原子半徑：C<Si（或鍵長:

C-C<Si-Si）,鍵能：C-OSi-Si

課時精練

I.下列關(guān)于物質(zhì)聚集狀態(tài)的敘述錯誤的是（）

A.在電場存在的情況下，液晶分子沿著電場方向有序排列

B.非晶體的內(nèi)部原子或分子的排列雜亂無章

C.物質(zhì)的聚集狀態(tài)除了晶態(tài)、非晶態(tài)還有塑晶態(tài)、液晶態(tài)等

D.等離子體是指由電子、陽離子組成的帶有一定電荷的物質(zhì)聚集體

答案D

解析液晶分子間的相互作用容易受溫度、壓力、電場的影響，在電場存在的情況下，液晶

分子沿著電場方向有序排列，A正確；內(nèi)部原子或分子的排列呈現(xiàn)雜亂無章的分布狀態(tài)的固

體物質(zhì)稱為非晶體，B正確；物質(zhì)的聚集狀態(tài)有晶態(tài)、非晶態(tài)還有塑晶態(tài)、液晶態(tài)等，C正

確；等離子體由電子、陽離子和中性粒子組成，正、負(fù)電荷大致相等，整體上呈電中性，D

錯誤。

2.下列關(guān)于晶體的敘述不正確的是（）

A.晶體的自范性指的是在適宜條件下晶體能夠自發(fā)地呈現(xiàn)規(guī)則的多面體外形的性質(zhì)

B.固體粉末一定不具有晶體的性質(zhì)

C.晶體的對稱性是微觀粒子按一定規(guī)律做周期性有序排列的必然結(jié)果

D.晶體的各向異性直接取決于微觀粒子的排列具有特定的方向性

答案B

解析晶體的自范性是指在適宜條件下，晶體能夠自發(fā)地呈現(xiàn)規(guī)則的多面體外形的性質(zhì)，故

A不選；許多固體粉末仍是晶體，具有晶體的性質(zhì)，故B選；構(gòu)成晶體的粒子在微觀空間里

呈現(xiàn)周期性有序排列，則晶體的對稱性是微觀粒子按一定規(guī)律做周期性有序排列的必然結(jié)果，

故C不選；晶體在不同方向上物質(zhì)微粒的排列情況不同，即為各向異性，具有特定的方向性，

故D不選。

3.下列說法錯誤的是（）

A.只含分子的晶體一定是分子晶體

B.碘晶體升華時破壞了共價鍵

C.幾乎所有的酸都屬于分子晶體

D.稀有氣體中只含原子，但稀有氣體的晶體屬于分子晶體

答案B

解析分子晶體是分子通過相鄰分子間的作用力形成的，只含分子的晶體一定是分子晶體，

故A正確：碘晶體屬于分子晶體，升華時破壞了分子間作用力，故B錯誤；幾乎所有的酸都

是由分子構(gòu)成的，故幾乎所有的酸都屬于分子晶體，故C正確：稀有氣體是由原子直接構(gòu)成

的，只含原子，故稀有氣體的晶體屬于分子晶體，故D正確。

4.如圖是金屬晶體內(nèi)部的電子氣理論示意圖。電子氣理論可以用來解釋金屬的性質(zhì)，其中正

確的是（）

二

+

「

+∈

。

t

二+

θ

一

A.金屬能導(dǎo)電是因?yàn)榻饘訇栯x子在外加電場作用下定向移動

B.金屬能導(dǎo)熱是因?yàn)樽杂呻娮釉跓岬淖饔孟孪嗷ヅ鲎玻瑥亩l(fā)生熱的傳導(dǎo)

C.金屬具有延展性是因?yàn)樵谕饬Φ淖饔孟?，金屬中各原子層間會出現(xiàn)相對滑動，但自由電

子可以起到潤滑劑的作用，使金屬不會斷裂

D.合金與純金屬相比，由于增加了不同的金屬或非金屬，使電子數(shù)目增多，所以合金的延

展性比純金屬強(qiáng)，硬度比純金屬小

答案C

解析金屬能導(dǎo)電是因?yàn)樽杂呻娮釉谕饧与妶鲎饔孟露ㄏ蛞苿樱珹錯誤；自由電子在熱的作

用下與金屬陽離子發(fā)生碰撞，實(shí)現(xiàn)熱的傳導(dǎo)，B錯誤；在外力的作用下，金屬中各原子層間

會出現(xiàn)相對滑動，而自由電子與金屬陽離子之間的電性作用仍然存在，使得金屬不會斷裂，

C正確；合金與純金屬相比，由于增加了不同的金屬或非金屬，相當(dāng)于填補(bǔ)了金屬陽離子之

間的空隙，所以一般情況下合金的延展性比純金屬弱，硬度比純金屬大，D錯誤。

5.根據(jù)下表中給出的有關(guān)數(shù)據(jù)，判斷下列說法錯誤的是（）

晶體硼金剛石晶體硅

AICl3SiCl4

熔點(diǎn)/℃190-682300>35501415

沸點(diǎn)/℃17857255048272355

A.SiCh是分子晶體

B.晶體硼是共價晶體

C.AICl3是分子晶體，加熱能升華

D.金剛石中的C-C比晶體硅中的Si-Si弱

答案D

解析SiCl4、AICI3的熔、沸點(diǎn)低，都是分子晶體，AlCl3的沸點(diǎn)低于其熔點(diǎn)，即在低于熔化

的溫度下就能氣化，故AlCl3加熱能升華，A、C正確；晶體硼的熔、沸點(diǎn)很高，所以晶體硼

是共價晶體，B正確；由金剛石與晶體硅的熔、沸點(diǎn)相對高低可知，金剛石中的C-C比晶

體硅中的Si-Si強(qiáng)，D錯誤。

6.領(lǐng)在氧氣中燃燒時得到一種釧的氧化物晶體，其結(jié)構(gòu)如圖所示，下列有關(guān)說法正確的是

A.該晶體屬于分子晶體

B.晶體的化學(xué)式為Ba2O2

C.該晶體晶胞結(jié)構(gòu)與CSCI相似

D.與Ba”距離相等且最近的Ba?+共有12個

答案D

解析該晶胞是由金屬陽離子鎖離子和陰離子過氧根離子構(gòu)成的，屬于離子晶體，A錯誤；

該晶胞中Ba?+個數(shù)為8X1+6xJ=4,O1個數(shù)為1+12X4=4,則領(lǐng)離子和過氧根離子個數(shù)

oZ4

之比為1：1,其化學(xué)式為Bao2,B錯誤；該晶胞中領(lǐng)離子配位數(shù)是6,過氧根離子配位數(shù)是

6,氯化鈍晶體中離子配位數(shù)是8,C錯誤。

7.（2022?吉林高三模擬）下列說法正確的是（）

A.基態(tài)鈣原子核外有2個未成對電子

B.CaTiO3晶體中與每個Ti,+最鄰近的O?-有12個（如圖是其晶胞結(jié)構(gòu)模型）

C.分子晶體中都存在共價鍵

D.金屬晶體的熔點(diǎn)都比分子晶體的熔點(diǎn)高

答案B

解析基態(tài)鈣原子核外電子排布式為1s22s?ρ63s23ρ64s2,均為成對電子，故A錯誤；由該晶

胞可知，每個Ti4+最鄰近的0?一有12個，故B正確；分子晶體中不一定都存在共價鍵，如稀

有氣體為單原子分子，其分子晶體中只有分子間作用力，故C錯誤。

8.CaC2晶體的晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl晶體的相似（如圖所示），但CaCz晶體中由于啞鈴形的G存

在，使晶胞沿一個方向拉長。下列關(guān)于CaCz晶體的說法正確的是（）

A.1個Ca?+周圍距離最近且等距離的Cf數(shù)目為6

B.1個CaC2晶體的晶胞平均含有1個Ca?+和1個Cf

C.6.4gCaC2晶體中含陰離子0.1mol

D.與每個Ca?,距離相等且最近的Ca?,共有12個

答案C

解析A項(xiàng)，依據(jù)晶胞示意圖可以看出，晶胞的一個平面的長與寬不相等，再由圖中體心可

知，1個Ca?+周圍距離最近且相等的C廠有4個，錯誤；C項(xiàng)，6.4gCaC2為0』mol,則含陰

離子0.1mol,正確；D項(xiàng)，與每個Ca?+距離相等且最近的Ca?+有4個，錯誤。

9.如圖是從NaCl或CSel晶體結(jié)構(gòu)圖中分割出來的部分結(jié)構(gòu)圖，其中屬于從NaCl晶體中分

割出來的結(jié)構(gòu)圖是(

A,圖①和圖③B.圖②和圖③

C.圖①和圖④D.只有圖④

答案C

10.石英晶體的平面示意圖如圖，它實(shí)際上是立體的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)(可以看作是晶體硅中的每個

Si—Si中插入一個O),其中硅、氧原子數(shù)比是〃？：〃，下列有關(guān)敘述正確的是()

—

—

-O-Si-O-

si—

si—

oo

—

—

O—Si—

—

—l

OOo

——

—l

.

S—o—

Si—si

—l

-2

A./?

B.6g該晶體中含有0.1NA個分子

O

I

[()—Si—o1一

I

C.原硅酸根離子(SiOT)的結(jié)構(gòu)為。，則二聚原硅酸根離子Si2θ丁中的x=7

D.石英晶體中由硅、氧原子構(gòu)成的最小的環(huán)上含有的Si、0