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文檔簡介
第35講物質的聚集狀態(tài)常見晶體類型
[復習目標]1.了解晶體和非晶體的區(qū)別。2.了解晶體的類型,了解不同類型晶體中結構微粒、
微粒間作用力的區(qū)別。3.了解分子晶體、共價晶體、離子晶體、金屬晶體結構與性質的關
系。4.了解四種晶體類型熔點、沸點、溶解性等性質的不同。
考點一物質的聚集狀態(tài)晶體與非晶體
■歸納整合必備知識
1.物質的聚集狀態(tài)
(1)物質的聚集狀態(tài)除了固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài),還有晶態(tài)、非晶態(tài)以及介乎晶態(tài)和非晶態(tài)之間的
塑晶態(tài)、液晶態(tài)等。
(2)等離子體和液晶
概念主要性能
由電子、陽離子和電中性粒子組成的
等離子體具有良好的導電性和流動性
整體上呈電中性的物質聚集體
既具有液體的流動性、黏度、形變性,
液晶介于液態(tài)和晶態(tài)之間的物質狀態(tài)
又具有晶體的導熱性、光學性質等
2.晶體與非晶體
⑴晶體與非晶體的比較
晶體非晶體
原子在三維空間里呈周期
結構特征原子排列相對無序
性有序排列
自范性有無
性質
藤不固定
特征
異同表現各向異性各向同性
⑵得到晶體的途徑
①熔融態(tài)物質凝固;
②氣態(tài)物質冷卻不經液態(tài)直接凝固(凝華);
③溶質從溶液中析出。
(3)晶體與非晶體的測定方法
測熔點晶體有固定的熔點,非晶體沒有固定的熔點
測定方法
最可靠方法對固體進行X射線衍射實驗
IΞ易錯辨析
?.在物質的三態(tài)相互轉化過程中只是分子間距離發(fā)生了變化()
2.晶體和非晶體的本質區(qū)別是晶體中粒子在微觀空間里呈現周期性的有序排列()
3.晶體的'熔點一定比非晶體的熔點高()
4.具有規(guī)則幾何外形的固體一定是晶體()
5.缺角的NaCl晶體在飽和NaCI溶液中會慢慢變?yōu)橥昝赖牧⒎襟w塊()
答案1.×2.√3.×4,×5.√
■專項突破F翳磨肉]
一、物質聚集狀態(tài)的多樣性
1.下列有關物質特殊聚集狀態(tài)與結構的說法不正確的是()
A.液晶中分子的長軸取向一致,表現出類似晶體的各向異性
B.等離子體是一種特殊的氣體,由陽離子和電子兩部分構成
C.純物質有固定的熔點,但其晶體顆粒尺寸在納米量級時也可能發(fā)生變化
D.超分子內部的分子間一般通過非共價鍵或分子間作用力結合成聚集體
答案B
解析液晶分子沿分子長軸方向有序排列,從而表現出類似晶體的各向異性,故A正確;等
離子體是由陽離子、電子和電中性粒子組成的整體上呈電中性的物質聚集體,故B錯誤;純
物質有固定的熔點,但其晶體顆粒尺寸在納米量級時也可能發(fā)生變化,熔點可能下降,故C
正確;超分子內部的多個分子間一般通過非共價鍵或分子間作用力結合成聚集體,故D正確。
2.水的狀態(tài)除了氣、液和固態(tài)外,還有玻璃態(tài)。它是由液態(tài)水急速冷卻到165K時形成的。
玻璃態(tài)的水無固定形狀,不存在晶體結構,且密度與普通液態(tài)水的密度相同,下列有關玻璃
態(tài)水的敘述正確的是()
A.水由液態(tài)變?yōu)椴AB(tài),體積縮小
B.水由液態(tài)變?yōu)椴AB(tài),體積膨脹
C.玻璃態(tài)是水的一種特殊狀態(tài)
D.在玻璃態(tài)水的X射線圖譜上有分立的斑點或明銳的衍射峰
答案C
解析玻璃態(tài)水無固定形狀,不存在晶體結構,因密度與普通液態(tài)水相同,故水由液態(tài)變?yōu)?/p>
玻埔態(tài)時體積不變。
二、晶體與非晶體的區(qū)別
3.下列關于晶體和非晶體的說法正確的是()
A.晶體在三維空間里呈周期性有序排列,因此在各個不同的方向上具有相同的物理性質
B.晶體在熔化過程中需要不斷地吸熱,溫度不斷地升高
C.普通玻璃在各個不同的方向上力學、熱學、電學、光學性質相同
D.晶體和非晶體之間不可以相互轉化
答案C
解析晶體在三維空間里呈周期性有序排列,其許多物理性質常常會表現出各向異性,A不
正確;晶體的熔點是固定的,所以在熔化過程中溫度不會變化,B不正確:在一定條件下晶
體和非晶體是可以相互轉化的,D不正確。
4.玻璃是常見的非晶體,在生產生活中有著廣泛的用途,如圖是玻璃的結構示意圖,下列有
關玻璃的說法錯誤的是()
A.玻璃內部微粒排列是無序的
B.玻璃熔化時吸熱,溫度不斷上升
C.光導纖維和玻璃的主要成分都可看成是SiCh,二者都是非晶體
D.利用X射線衍射實驗可以鑒別石英玻璃和水晶
答案C
解析根據玻璃的結構示意圖可知,構成玻璃的粒子無周期性排列,是無序的,所以玻璃是
非晶體,因此沒有固定的熔點,A、B對;玻璃屬于非晶體,但光導纖維屬于晶體,C錯;區(qū)
分晶體與非晶體最科學的方法是對固體進行X射線衍射實驗,D對。
考點二常見晶體類型
■歸納整合必備知識
1.晶胞
(1)概念:描述晶體結構的基本單元。
(2)晶體中晶胞的排列——無隙并置
①無隙:相鄰晶胞之間沒有任何間隙。
②并置:所有晶胞平行排列、取向相同。
2.四種常見晶體類型的比較
分子晶體共價晶體金屬晶體離子晶體
比較
構成微粒分子原子金屬陽離子、自由電子陰、陽離子
微粒間的相互作范德華力(某些一
共價鍵金屬鍵離子鍵
用力含氫鍵)
硬度較小很大有的很大,有的很小E
熔、沸點較低很高有的很高,有的很低較高
難溶于一般一般不溶于水,少數與大多易溶于水
溶解性相似相溶
溶劑水反應等極性溶劑
一般不具有晶體不導電,
一般不導電,溶
導電、導熱性導電性,個電和熱的良導體水溶液或熔融
于水后有的導電
別為半導體態(tài)導電
3.常見晶體的結構模型
(1)典型的分子晶體——干冰和冰
干冰的結構模型(晶胞)冰的結構模型
①干冰晶體中,每個CO2分子周圍等距且緊鄰的CO2分子有12_個。
②冰晶體中,每個水分子與相鄰的生個水分子以氫鍵相連接,含ImolH2。的冰中,最多可
形成2mol氫鍵。
(2)典型的共價晶體——金剛石、二氧化硅
①金剛石和二氧化硅晶體結構模型比較
Si-AQ
0—
?<
二氧化硅
oSi?0
②金剛石和二氧化硅結構特點分析比較
a.碳原子采取量_雜化,鍵角為109°28'
b.每個碳原子與周圍緊鄰的4個碳原子以共價鍵結合成正四面
隹結構,向空間伸展形成空間網狀結構
最小碳環(huán)由個碳原子組成,每個碳原子被旦個六元環(huán)共用
金剛石c.9
d.金剛石晶胞的每個頂點和面心均有1個C原子,晶胞內部有4
個C原子,內部的C在晶胞的體對角線的;處,每個金剛石晶
胞中含有&個C原子
a.Si原子采取sp3雜化,正四面體內O-Si—O鍵角為109。28'
b.每個Si原子與生個O原子形成4個共價鍵,Si原子位于正四
面體的中心,O原子位于正四面體的頂點,同時每個O原子被
2個硅氧正四面體共用,晶體中Si原子與O原子個數比為g
c.最小環(huán)上有??個原子,包括6個O原子和6個Si原子
二氧化硅
d.lmolSiO2晶體中含Si—O數目為我
e.SiO2晶胞中有a個Si原子位于立方晶胞的頂點,有9個Si原
子位于立方晶胞的面心,還有生個Si原子與坨個。原子在晶
胞內構成4個硅氧四面體。每個SiO2晶胞中含有8個Si原子和
坨個O原子
(3)典型的離子晶體——NaC1、CsCkCaF2
OCa2+OF-
①NaCI型:在晶體中,每個Na卡同時吸引9個C1,每個Cl-同時吸引9個Na卡,配位數為
每個晶胞含生個Na'和生個Cl?
②CSCl型:在晶體中,每個C「吸引&個Cs+,每個Cs+吸引&個C「,配位數為8。
③CaFz型:在晶體中,每個Ca?*吸引區(qū)個F,每個F吸引生個Ca?+,每個晶胞含生個
Ca2+,區(qū)個F,
【知識拓展】晶格能
(1)定義
氣態(tài)離子形成Imol離子晶體釋放的能量,通常取正值,單位:kJ?moΓ'o
(2)意義:晶格能越大,表示離子鍵越強,離子晶體越穩(wěn)定,熔、沸點越高。
(3)影響因素
①離子所帶電荷數:離子所帶電荷數越多,晶格能越大。
②離子的半徑:離子的半徑越小,晶格能越大。
(4)過渡晶體與混合型晶體
①過渡晶體:純粹的分子晶體、共價晶體、離子晶體和金屬晶體四種典型晶體是不多的,大
多數晶體是它們之間的過渡晶體。人們通常把偏向離子晶體的過渡晶體當作離子晶體來處理,
把偏向共價晶體的過渡晶體當作共價晶體來處理。
②混合型晶體
石墨層狀晶體中,層與層之間的作用是分子間作用力,平均每個正六邊形擁有的碳原子個數
是2,C原子采取的雜化方式是應。
IΞ易錯辨析
1.分子晶體不導電,溶于水后也都不導電()
2.沸點:HF<HCl<HBr<HI()
3.離子晶體是由陰、陽離子構成的,所以離子晶體能夠導電()
4.共價晶體的熔點一定比離子晶體的高()
5.金屬導電是因為在外加電場作用下產生自由電子()
6.金屬具有光澤是因為金屬陽離子吸收并放出可見光()
答案1.×2.×3.×4.×5.×6.×
■專項突破關鍵能力
一、常見晶體類型的判斷
1.22
在下列物質中:NaChNaOHsNa2SsH2O2>Na2S2^(NH4)2S,CO、CCl4>C2H2>SiO、
SiC、晶體硅、金剛石、晶體菽。
(1)其中只含有離子鍵的離子晶體是NaCkNa?S。
(2)其中既含有離子鍵又含有極性共價鍵的離子晶體是NaOH、(NH/S.
(3)其中既含有離子鍵又含有極性共價鍵和配位鍵的離子晶體是@H2。
(4)其中既含有離子鍵又含有非極性共價鍵的離子晶體是地西。
(5)其中形成的晶體是分子晶體的是H,02、Co2、CCl4、C2H2、晶體氨。
(6)其中含有極性共價鍵的共價晶體是SiO22-SiCo
2.下列有關晶體類型的判斷正確的是()
ASiI4:熔點120.5℃,沸點271.5℃共價晶體
BB:熔點2300℃,沸點2550℃,硬度大金屬晶體
C睇:熔點630.74℃,沸點1750℃,晶體導電共價晶體
DFeCb:熔點282°C,易溶于水,也易溶于有機溶劑分子晶體
答案D
二、常見晶體類型的結構特點
3.金剛石和石墨是碳元素形成的兩種單質,下列說法正確的是()
A.金剛石和石墨晶體中最小的環(huán)均含有6個碳原子
B.在金剛石中每個C原子連接4個六元環(huán),石墨中每個C原子連接3個六元環(huán)
C.金剛石與石墨中碳原子的雜化方式均為sp2
D.金剛石中碳原子數與C-C數之比為1:4,而石墨中碳原子數與C-C數之比為1:3
答案A
解析金剛石中每個C原子連接12個六元環(huán),石墨中每個C原子連接3個六元環(huán),B項錯
誤:金剛石中碳原子采取sp3雜化,而石墨中碳原子采取sp2雜化,C項錯誤;金剛石中每個
碳原子與周圍其他4個碳原子形成共價鍵,而每個共價鍵為2個碳原子所共有,則每個碳原
子平均形成的共價鍵數為4×∣=2,故碳原子數與C—C數之比為1:2;石墨晶體中每個碳
原子與周圍其他3個碳原子形成共價鍵,同樣可求得每個碳原子平均形成的共價鍵數為3X;
=1.5,故碳原子數與C-C數之比為2:3,D項錯誤。
4.碳化硅(SiC)晶體具有多種結構,其中一種晶體的晶胞(如圖所示)與金剛石的類似。下列判
斷正確的是()
A.該晶體屬于分子晶體
B.該晶體中存在極性鍵和非極性鍵
C.該晶體中Si的化合價為一4
D.該晶體中C的雜化類型為sp3
答案D
解析與金剛石類似,該晶體屬于共價晶體,A錯誤:根據該晶體的晶胞結構圖可知,該晶
體只存在Si-C極性共價鍵,B錯誤;SiY中,C的電負性更強,共用電子對偏向C原子,
所以Si的化合價為+4,C錯誤;每個C原子與4個Si原子形成4個σ鍵,C原子沒有孤電
子對,所以C的雜化類型為sp3,D正確。
5.有關晶體的結構如圖所示,下列說法不正確的是(
ONa+OCl-CaFz晶體(OCa")
由E原子和F原子構成
冰的結構模型的氣態(tài)團簇分子模型
A.在NaCl晶體中,距Ci-最近的Na卡形成正八面體
B.在CaFz晶體中,每個晶胞平均含有4個Ca?’
C.冰晶體中每個水分子與另外四個水分子形成四面體結構
D.該氣態(tài)團簇分子的分子式為EF
答案D
解析氟化鈣晶胞中,Ca?+位于頂點和面心,數目為8X?∣+6><4=4,故B正確;氣態(tài)團簇
oZ
分子不同于晶胞,氣態(tài)團簇分子中含有4個E原子、4個F原子,則分子式為E4F4或F4E4,
故D錯誤。
答題規(guī)范(5)晶體熔、沸點高低原因解釋
1.不同類型晶體熔、沸點比較
答題模板:XXX為XXX晶體,而XXX為XXX晶體。
例](1)金剛石的熔點比NaCl高,原因是金剛石是共價晶體,而NaCl是離子晶體。
(2)SiO2的熔點比eθ?高,原因是SiO2是共價晶體,而CC>2是分子晶體。
2.同類型晶體熔、沸點比較
(1)分子晶體
答題模板:
①同為分子晶體,XXX存在氫鍵,而XXX僅存在較弱的范德華力。
②同為分子晶體,XXX的相對分子質量大,范德華力強,熔、沸點高。
③同為分子晶體,兩者的相對分子質量相同(或相近),XXX的極性大,熔、沸點高。
④同為分子晶體,XXX形成分子間氫鍵,而XXX形成的則是分子內氫鍵,分子間氫鍵會
使熔、沸點升高。
例2⑴NH3的沸點比PH3ft,原因是同為分子晶體,NH3分子間存在較強的氫鍵,而PH3
分子間僅有較弱的范德華力。
(2)CO2比CS2的熔、沸點低,原因是同為分子晶體,CS2的相對分子質量大,范德華力強,
熔、沸點高。
(3)Co比N2的熔、沸點高,原因是同為分子晶體,兩者相對分子質量相同,Co的極性大,
熔、沸點高。
OHOH
(4)()的沸點比()高,原因是CH()形成分子內氫鍵,
而形成分子間氫鍵,分子間氫鍵會使沸點升高。
⑵共價晶體
答題模板:同為共價晶體,XXX晶體的鍵長短,鍵能大,熔、沸點高。
例3Si單質比化合物SiC的熔點低,理由是晶體硅與SiC均屬物共價晶體,晶體硅中的Si-Si
比SiC中Si—C的鍵長長,鍵能低,所以熔點低。
(3)離子晶體
答題模板:
①陰、陽離子電荷數相等,則看陰、陽離子半徑:
同為離子晶體,RL(或M"+)半徑小于X"—(或N"+),故XXX晶體晶格能大(或離子鍵強),熔、
沸點ι?。
②陰離子(或陽離子)電荷數不相等,陰離子(或陽離子)半徑不相同:
同為離子晶體,RL(或M"+)半徑小于X"L(或Nra+),RL(或M"+)電荷數大于X"L(或Nm+),
故XXX晶體晶格能大(或離子鍵強),熔、沸點高。
例4(I)Zno和ZnS的晶體結構相似,熔點較高的是Zn0,理由是ZnO和ZnS同屬于離子
晶體,O?半徑小于S?,故Zno晶格能大(或離子鍵強),熔點高。
(2)Fe0的熔點小于Fe2O3的熔點,原因是同為離子晶體,Fe?一半徑比Fe3+大,所帶電荷數也
小于Fe3,Fee)的品格能比Fe2O3小。
L規(guī)范精練
1.FeF3具有較高的熔點(高于IooO°C),其化學鍵類型是,FeBn的相對分子質量大
于FeF3,但其熔點只有200℃,原因是。
答案離子鍵FeF3為離子晶體,FeBn的化學鍵以共價鍵為主,屬于分子晶體
2.已知:K2O的熔點為770℃,Na2O的熔點為1275℃,二者的晶體類型均為,
K2O的熔點低于NazO的原因是O
答案離子晶體K*的半徑大于Na卡,LO的晶格能小于NazO
3.已知氨(NH3,熔點:一77.8℃、沸點:一33.5℃),聯氨(N2H4,熔點:2℃、沸點:113.5℃),
解釋其熔、沸點高低的主要原因:___________________________________________________
答案聯氨分子間形成氫鍵的數目多于氨分子形成的氫鍵
4.已知氮化硼與碎化錢屬于同種晶體類型。則兩種晶體熔點較高的是(填化學式),
其理由是.
答案BN兩種晶體均為共價晶體,N和B原子半徑較小,鍵能較大,熔點較高
5.S位于周期表中第族,該族元素氫化物中,出Te比H2S沸點高的原因是,
H2O比H2Te沸點高的原因是。
答案VIA兩者均為分子晶體且結構相似,1Te相對分子質量比HzS大,分子間作用力更
強兩者均為分子晶體,HzO分子間存在氫鍵
真題演練明確考向
1.(2022?湖北,7)C6o在高溫高壓下可轉變?yōu)榫哂幸欢▽щ娦?、高硬度的非晶態(tài)碳玻璃。下列
關于該碳玻璃的說法錯誤的是()
A.具有自范性
B.與C60互為同素異形體
C.含有sp3雜化的碳原子
D.化學性質與金剛石有差異
答案A
解析自范性是晶體的性質,碳玻璃為非晶態(tài),所以沒有自范性,A錯誤;碳玻璃和C60均
是由碳元素形成的不同的單質,所以互為同素異形體,B正確;金剛石與碳玻璃互為同素異
形體,性質差異主要表現在物理性質上,化學性質上也有差異,D正確。
2.(2021?天津,2)下列各組物質的晶體類型相同的是()
A.SiCh和Sθ3B.b和NaCl
C.CU和AgD.SiC和Mgo
答案C
解析SiCh為共價晶體,SCh為分子晶體,A錯誤;L為分子晶體,NaCl為離子晶體,B錯
誤;CU和Ag都為金屬晶體,C正確;SiC為共價晶體,Mgo為離子晶體,D錯誤。
3.(2021?遼寧,7)單質硫和氫氣在低溫高壓下可形成一種新型超導材料,其晶胞如圖。下列說
法錯誤的是()
5OS
???oH
A.S位于元素周期表P區(qū)
B.該物質的化學式為H3S
C.S位于H構成的八面體空隙中
D.該晶體屬于分子晶體
答案D
4.[2021?浙江6月選考,26(1)]已知3種共價晶體的熔點數據如下表:
金剛石碳化硅晶體硅
熔點/℃>355026001415
金剛石熔點比晶體硅熔點高的原因是____________________________________________
答案共價晶體中,原子半徑越小,共價鍵鍵能越大,熔點越高,原子半徑:C<Si(或鍵長:
C-C<Si-Si),鍵能:C-OSi-Si
課時精練
I.下列關于物質聚集狀態(tài)的敘述錯誤的是()
A.在電場存在的情況下,液晶分子沿著電場方向有序排列
B.非晶體的內部原子或分子的排列雜亂無章
C.物質的聚集狀態(tài)除了晶態(tài)、非晶態(tài)還有塑晶態(tài)、液晶態(tài)等
D.等離子體是指由電子、陽離子組成的帶有一定電荷的物質聚集體
答案D
解析液晶分子間的相互作用容易受溫度、壓力、電場的影響,在電場存在的情況下,液晶
分子沿著電場方向有序排列,A正確;內部原子或分子的排列呈現雜亂無章的分布狀態(tài)的固
體物質稱為非晶體,B正確;物質的聚集狀態(tài)有晶態(tài)、非晶態(tài)還有塑晶態(tài)、液晶態(tài)等,C正
確;等離子體由電子、陽離子和中性粒子組成,正、負電荷大致相等,整體上呈電中性,D
錯誤。
2.下列關于晶體的敘述不正確的是()
A.晶體的自范性指的是在適宜條件下晶體能夠自發(fā)地呈現規(guī)則的多面體外形的性質
B.固體粉末一定不具有晶體的性質
C.晶體的對稱性是微觀粒子按一定規(guī)律做周期性有序排列的必然結果
D.晶體的各向異性直接取決于微觀粒子的排列具有特定的方向性
答案B
解析晶體的自范性是指在適宜條件下,晶體能夠自發(fā)地呈現規(guī)則的多面體外形的性質,故
A不選;許多固體粉末仍是晶體,具有晶體的性質,故B選;構成晶體的粒子在微觀空間里
呈現周期性有序排列,則晶體的對稱性是微觀粒子按一定規(guī)律做周期性有序排列的必然結果,
故C不選;晶體在不同方向上物質微粒的排列情況不同,即為各向異性,具有特定的方向性,
故D不選。
3.下列說法錯誤的是()
A.只含分子的晶體一定是分子晶體
B.碘晶體升華時破壞了共價鍵
C.幾乎所有的酸都屬于分子晶體
D.稀有氣體中只含原子,但稀有氣體的晶體屬于分子晶體
答案B
解析分子晶體是分子通過相鄰分子間的作用力形成的,只含分子的晶體一定是分子晶體,
故A正確:碘晶體屬于分子晶體,升華時破壞了分子間作用力,故B錯誤;幾乎所有的酸都
是由分子構成的,故幾乎所有的酸都屬于分子晶體,故C正確:稀有氣體是由原子直接構成
的,只含原子,故稀有氣體的晶體屬于分子晶體,故D正確。
4.如圖是金屬晶體內部的電子氣理論示意圖。電子氣理論可以用來解釋金屬的性質,其中正
確的是()
二
+
「
+∈
。
t
二+
θ
一
A.金屬能導電是因為金屬陽離子在外加電場作用下定向移動
B.金屬能導熱是因為自由電子在熱的作用下相互碰撞,從而發(fā)生熱的傳導
C.金屬具有延展性是因為在外力的作用下,金屬中各原子層間會出現相對滑動,但自由電
子可以起到潤滑劑的作用,使金屬不會斷裂
D.合金與純金屬相比,由于增加了不同的金屬或非金屬,使電子數目增多,所以合金的延
展性比純金屬強,硬度比純金屬小
答案C
解析金屬能導電是因為自由電子在外加電場作用下定向移動,A錯誤;自由電子在熱的作
用下與金屬陽離子發(fā)生碰撞,實現熱的傳導,B錯誤;在外力的作用下,金屬中各原子層間
會出現相對滑動,而自由電子與金屬陽離子之間的電性作用仍然存在,使得金屬不會斷裂,
C正確;合金與純金屬相比,由于增加了不同的金屬或非金屬,相當于填補了金屬陽離子之
間的空隙,所以一般情況下合金的延展性比純金屬弱,硬度比純金屬大,D錯誤。
5.根據下表中給出的有關數據,判斷下列說法錯誤的是()
晶體硼金剛石晶體硅
AICl3SiCl4
熔點/℃190-682300>35501415
沸點/℃17857255048272355
A.SiCh是分子晶體
B.晶體硼是共價晶體
C.AICl3是分子晶體,加熱能升華
D.金剛石中的C-C比晶體硅中的Si-Si弱
答案D
解析SiCl4、AICI3的熔、沸點低,都是分子晶體,AlCl3的沸點低于其熔點,即在低于熔化
的溫度下就能氣化,故AlCl3加熱能升華,A、C正確;晶體硼的熔、沸點很高,所以晶體硼
是共價晶體,B正確;由金剛石與晶體硅的熔、沸點相對高低可知,金剛石中的C-C比晶
體硅中的Si-Si強,D錯誤。
6.領在氧氣中燃燒時得到一種釧的氧化物晶體,其結構如圖所示,下列有關說法正確的是
A.該晶體屬于分子晶體
B.晶體的化學式為Ba2O2
C.該晶體晶胞結構與CSCI相似
D.與Ba”距離相等且最近的Ba?+共有12個
答案D
解析該晶胞是由金屬陽離子鎖離子和陰離子過氧根離子構成的,屬于離子晶體,A錯誤;
該晶胞中Ba?+個數為8X1+6xJ=4,O1個數為1+12X4=4,則領離子和過氧根離子個數
oZ4
之比為1:1,其化學式為Bao2,B錯誤;該晶胞中領離子配位數是6,過氧根離子配位數是
6,氯化鈍晶體中離子配位數是8,C錯誤。
7.(2022?吉林高三模擬)下列說法正確的是()
A.基態(tài)鈣原子核外有2個未成對電子
B.CaTiO3晶體中與每個Ti,+最鄰近的O?-有12個(如圖是其晶胞結構模型)
C.分子晶體中都存在共價鍵
D.金屬晶體的熔點都比分子晶體的熔點高
答案B
解析基態(tài)鈣原子核外電子排布式為1s22s?ρ63s23ρ64s2,均為成對電子,故A錯誤;由該晶
胞可知,每個Ti4+最鄰近的0?一有12個,故B正確;分子晶體中不一定都存在共價鍵,如稀
有氣體為單原子分子,其分子晶體中只有分子間作用力,故C錯誤。
8.CaC2晶體的晶胞結構與NaCl晶體的相似(如圖所示),但CaCz晶體中由于啞鈴形的G存
在,使晶胞沿一個方向拉長。下列關于CaCz晶體的說法正確的是()
A.1個Ca?+周圍距離最近且等距離的Cf數目為6
B.1個CaC2晶體的晶胞平均含有1個Ca?+和1個Cf
C.6.4gCaC2晶體中含陰離子0.1mol
D.與每個Ca?,距離相等且最近的Ca?,共有12個
答案C
解析A項,依據晶胞示意圖可以看出,晶胞的一個平面的長與寬不相等,再由圖中體心可
知,1個Ca?+周圍距離最近且相等的C廠有4個,錯誤;C項,6.4gCaC2為0』mol,則含陰
離子0.1mol,正確;D項,與每個Ca?+距離相等且最近的Ca?+有4個,錯誤。
9.如圖是從NaCl或CSel晶體結構圖中分割出來的部分結構圖,其中屬于從NaCl晶體中分
割出來的結構圖是(
A,圖①和圖③B.圖②和圖③
C.圖①和圖④D.只有圖④
答案C
10.石英晶體的平面示意圖如圖,它實際上是立體的網狀結構(可以看作是晶體硅中的每個
Si—Si中插入一個O),其中硅、氧原子數比是〃?:〃,下列有關敘述正確的是()
—
—
-O-Si-O-
si—
si—
oo
—
—
O—Si—
—
—l
OOo
——
—l
.
S—o—
Si—si
—l
-2
A./?
B.6g該晶體中含有0.1NA個分子
O
I
[()—Si—o1一
I
C.原硅酸根離子(SiOT)的結構為。,則二聚原硅酸根離子Si2θ丁中的x=7
D.石英晶體中由硅、氧原子構成的最小的環(huán)上含有的Si、0
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