GB T 775.3-2006絕緣子試驗(yàn)方法第3部分：機(jī)械試驗(yàn)方法

代替GB/T775.3—1987絕緣子試驗(yàn)方法第3部分：機(jī)械試驗(yàn)方法中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布GB/T775.3—2006 12規(guī)范性引用文件 13術(shù)語(yǔ)和定義 14彎曲負(fù)荷試驗(yàn) 14.1試品安裝與負(fù)荷施加方式 14.2試驗(yàn)程序 35拉伸負(fù)荷試驗(yàn) 35.1試品與試品安裝 35.2試驗(yàn)程序 46扭轉(zhuǎn)破壞負(fù)荷試驗(yàn) 46.1試品與試品安裝 46.2試驗(yàn)程序 47壓縮負(fù)荷試驗(yàn) 47.1試品與試品安裝 47.2試驗(yàn)程序 48機(jī)電破壞負(fù)荷試驗(yàn) 48.1試品與試品安裝 48.2試驗(yàn)程序 49內(nèi)壓力試驗(yàn) 49.1試品與試品安裝 49.2試驗(yàn)程序 5IⅢGB/T775.3—2006GB/T775《絕緣子試驗(yàn)方法》分為三個(gè)部分：——第2部分：電氣試驗(yàn)方法；——第3部分：機(jī)械試驗(yàn)方法。本部分是GB/T775的第3部分。本部分代替GB/T775.3—1987《絕緣子試驗(yàn)方法第3部分：機(jī)械試驗(yàn)方法》。本部分與GB/T775.3—1987相比主要變化如下：——結(jié)構(gòu)和編寫規(guī)則按GB/T1.1—2000《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和編寫規(guī)則》;——?jiǎng)h除了針式絕緣子或其單獨(dú)鋼腳在規(guī)定負(fù)荷下偏移的試驗(yàn)方法(1987年版的3.2.1);——增加了交流牽引線路用棒形瓷絕緣子的安裝與試驗(yàn)方法(見4.1.1、5.1);——修改了機(jī)械破壞負(fù)荷試驗(yàn)程序(見4.2.1、5.2.1、6.2、7.2);——?jiǎng)h除了一小時(shí)機(jī)電負(fù)荷試驗(yàn)(1987年版的7.1);——修改了機(jī)電破壞負(fù)荷試驗(yàn)(見8.2)。本部分由中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)提出。本部分由全國(guó)絕緣子標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。本部分起草單位：西安電瓷研究所。本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：——GB775—1965;——GB/T775—1979;1絕緣子試驗(yàn)方法第3部分：機(jī)械試驗(yàn)方法本部分規(guī)定了絕緣子機(jī)械試驗(yàn)的樣品安裝和試驗(yàn)方法。件)的機(jī)械試驗(yàn)。2規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過(guò)GB/T775的本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本部分，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本部分達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本部分。GB/T2900.8—1995電工術(shù)語(yǔ)絕緣子GB/T2900.19—1994電工術(shù)語(yǔ)高電壓試驗(yàn)技術(shù)和絕緣配合3術(shù)語(yǔ)和定義GB/T2900.8—1995和GB/T2900.19—1994確立的術(shù)語(yǔ)和定義適用于GB/T775的本部分。4彎曲負(fù)荷試驗(yàn)4.1試品安裝與負(fù)荷施加方式4.1.1線路絕緣子4.1.1.1試品安裝a)針式絕緣子試品應(yīng)直立地固定在試驗(yàn)機(jī)上(當(dāng)水平安裝時(shí)，應(yīng)考慮試驗(yàn)結(jié)果的等效性)。當(dāng)僅對(duì)絕緣件的彎曲b)線路柱式絕緣子試品應(yīng)帶有安裝用的整套金屬附件，直立地安裝在試驗(yàn)機(jī)上(當(dāng)采用不同安裝角度進(jìn)行安裝時(shí)，應(yīng)考慮試驗(yàn)結(jié)果的等效性),試驗(yàn)機(jī)安裝支承面尺寸應(yīng)不小于試品安裝面尺寸。c)瓷橫擔(dān)絕緣子試品按使用狀態(tài)固定在試驗(yàn)機(jī)上(當(dāng)水平安裝時(shí)，應(yīng)考慮試驗(yàn)結(jié)果的等效性),試驗(yàn)機(jī)安裝支承面尺寸應(yīng)不小于試品安裝面尺寸，全瓷式橫擔(dān)絕緣子應(yīng)在安裝面兩側(cè)面墊以厚1mm～2mm的軟性緩沖墊d)蝶式和線軸式絕緣子試品按近似正常使用的情況安裝在試驗(yàn)機(jī)上，安裝試品用的加強(qiáng)穿釘應(yīng)有足夠的剛度，使在試驗(yàn)中不發(fā)生明顯的彎曲變形。e)交流牽引線路用棒形瓷絕緣子試品的安裝按圖1所示，將上帽孔套在試驗(yàn)夾具的芯棒上，并用U形卡箍壓板固定。4.1.1.2負(fù)荷施加方式2GB/T775.3—2006A,交流牽引線路用棒形瓷絕緣干的安離對(duì)e)類絕緣子，在試品下們角耳孔內(nèi)穿銷釘，團(tuán)鋼絲繩套在銷氧上，施如彎曲負(fù)荷，施加負(fù)荷方向4.1.2支柱絕緣子/試品應(yīng)直立地周定存試驗(yàn)機(jī)上(當(dāng)試品自重可以忽略不計(jì)時(shí)，允許水長(zhǎng)安裝。水平安裝使用的試尺寸。當(dāng)試品安表面有二個(gè)或二個(gè)以上的安裝孔時(shí)，安裝時(shí)應(yīng)使真中兩個(gè)相鄰安器孔軸線所組成的面元件裝上相應(yīng)均度局剛性延伸件進(jìn)行試驗(yàn)(如圖2)使其受到相應(yīng)的最大應(yīng)力用是伸件的試驗(yàn)方法，也適用于試品力升高試驗(yàn)。力臂升高處的彎曲負(fù)荷按下式計(jì)算： h—試品高展3用適當(dāng)直徑的鋼索或拉桿緊貼在試品自由端安裝面上(鋼索直徑或拉桿厚度應(yīng)不超過(guò)10mm),并應(yīng)使施加的負(fù)荷通過(guò)試品軸線，且與其垂直。4.1.3套管試品一般應(yīng)直立安裝，將法蘭固定在試驗(yàn)機(jī)上，當(dāng)試品法蘭有二個(gè)或二個(gè)以上的安裝孔時(shí)，安裝時(shí)應(yīng)使其中兩個(gè)相鄰安裝孔軸線所組成的面垂直于力的方向(在特殊情況下，可按實(shí)際使用時(shí)的受力方向)。用適當(dāng)直徑的鋼索或拉桿緊貼在試品長(zhǎng)端端蓋上或?qū)щ娕?桿)的側(cè)面上，并應(yīng)使施加的負(fù)荷通過(guò)4.1.4其他類型的絕緣子根據(jù)絕緣子的使用狀態(tài)安裝試品，試品受力狀態(tài)應(yīng)與正常使用情況相同。絕緣套可以參照4.1.2條的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)。4.2試驗(yàn)程序4.2.1彎曲破壞負(fù)荷試驗(yàn)程序試驗(yàn)時(shí)，在規(guī)定的彎曲破壞負(fù)荷的%以前，應(yīng)平穩(wěn)面無(wú)沖擊地增加負(fù)荷，其后以每分鐘為規(guī)定彎曲破壞負(fù)荷的35%～100%的速率升高至試品破環(huán)(能觀察得到明顯破壞現(xiàn)象或試驗(yàn)機(jī)負(fù)荷指示值不再升高)為止，此時(shí)的負(fù)荷值內(nèi)式品的彎曲破壞負(fù)荷。對(duì)于支柱絕緣子，在規(guī)定的彎曲破壞負(fù)荷的50%以前，應(yīng)平穩(wěn)而無(wú)沖擊地增加負(fù)荷，其后以每分鐘為規(guī)定彎曲破壞負(fù)荷的35%～100%的速率升高至試品破壞(能觀察得到明顯破壞現(xiàn)象，或試驗(yàn)機(jī)負(fù)荷指示值不再升高)為山時(shí)的負(fù)荷值為試品的彎曲破壞負(fù)荷。如果僅要求進(jìn)待耐受負(fù)荷試驗(yàn)，則負(fù)荷升高至標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)負(fù)荷，在此負(fù)荷下知試品不破壞，則4.2.2逐個(gè)彎曲象硫試驗(yàn)程序試驗(yàn)時(shí)，應(yīng)均制品呢沖擊地升高負(fù)荷至規(guī)定的逐個(gè)彎曲負(fù)荷值，并在此負(fù)荷一保拇10s,試品不應(yīng)有破壞、膠合劑開裂(不包括膠合劑與金屬附件仰的微小縫隙)或金屬附件產(chǎn)生明顯的暴久變形以及各部位間的明顯的位移現(xiàn)象。當(dāng)采用四向(或多向)彎曲負(fù)荷試驗(yàn)時(shí)，試驗(yàn)負(fù)荷加到既定試驗(yàn)負(fù)荷值后，立即卸基負(fù)荷(或按具體產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)停留時(shí)間川品不應(yīng)有破壞、膠合劑開裂(木包括膠合別與金屬附件間的微小縫隙),或金屬附件上產(chǎn)生明顯的永久性變展以及各部位間的明顯的位移現(xiàn)象。每試驗(yàn)一個(gè)方用，試品應(yīng)旋轉(zhuǎn)90°角(或按其試驗(yàn)方向數(shù)計(jì)算而得的角度)。4.2.3負(fù)荷下偏移試驗(yàn)程序完整的支柱絕緣子安表分剛性支架上，在試品自由端施加彎曲負(fù)荷，在機(jī)械破壞負(fù)荷的20%、50%、70%的各點(diǎn)上測(cè)量各負(fù)行度上的偏移量。5拉伸負(fù)荷試驗(yàn)5.1試品與試品安裝試品按近似正常使用情況(連接金具的連接尺寸應(yīng)符合標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定)安裝在試驗(yàn)機(jī)上(盤形懸式絕緣子可以串接成由多個(gè)絕緣子組成的絕緣子串),并應(yīng)使試品在試驗(yàn)時(shí)受純粹的拉伸負(fù)荷。試驗(yàn)沿試品軸線方向施加拉伸負(fù)荷。對(duì)于交流牽引線路用棒形絕緣子，將腕臂支撐式絕緣子鐵帽插孔套在相應(yīng)直徑的芯棒上，芯棒應(yīng)加工有適當(dāng)尺寸的孔，緊固好U形卡箍(凸壓板的銷釘應(yīng)插在芯棒孔內(nèi))。然后在下鐵帽單耳上配合適當(dāng)?shù)脑囼?yàn)夾具，沿絕緣子軸線方向施加拉伸負(fù)荷。如果絕緣子是由多個(gè)元件組成，可用單個(gè)元件進(jìn)行試驗(yàn)。如果組成的元件不同，則可在強(qiáng)度最低的元件上進(jìn)行試驗(yàn)。45.2.1拉伸破壞負(fù)荷試驗(yàn)試驗(yàn)時(shí)，在規(guī)定的拉伸破壞負(fù)荷的75%以前，應(yīng)平穩(wěn)而無(wú)沖擊地增加負(fù)荷，其后以每分鐘為規(guī)定拉伸破壞負(fù)荷的35%～100%的速率升高至試品破壞(能觀察得到明顯破壞現(xiàn)象，或試驗(yàn)機(jī)負(fù)荷指示值不再升高)為止。此時(shí)的負(fù)荷值為試品的拉伸破壞負(fù)荷。通過(guò)本試驗(yàn)。5.2.2逐個(gè)拉伸負(fù)荷試驗(yàn)程序試驗(yàn)時(shí)，應(yīng)均勻而無(wú)沖擊地升高負(fù)荷至規(guī)定逐個(gè)拉伸負(fù)荷，并在此負(fù)荷下保持10s,試品不應(yīng)有破壞、膠合劑開裂或金屬附件產(chǎn)生明顯的永久變形，以及各部件間明顯的位移現(xiàn)象。串接成絕緣子串進(jìn)行6.1試品與試品安裝試品按近似正常使用情況安裝在試驗(yàn)機(jī)上，并應(yīng)使試品在試驗(yàn)時(shí)受純粹的扭力而無(wú)彎矩。如果試品是由多個(gè)元件組成，可在單個(gè)元件上進(jìn)行。如果是由多種型式元件組成，則可用強(qiáng)度最低的元件進(jìn)行試驗(yàn)。6.2試驗(yàn)程序試驗(yàn)按4.2.1規(guī)定的試驗(yàn)程序進(jìn)行。7.1試品與試品安裝試品應(yīng)直立安裝，沿軸線方向施加壓縮負(fù)荷。當(dāng)試品是由多個(gè)元件組成，可在單個(gè)元件上進(jìn)行，如果是由多種型式元件組成，則可用強(qiáng)度最低的元件進(jìn)行試驗(yàn)。7.2試驗(yàn)程序試驗(yàn)按4.2.1規(guī)定的試驗(yàn)程序進(jìn)行。8機(jī)電破壞負(fù)荷試驗(yàn)8.1試品與試品安裝試品應(yīng)潔凈而干燥，安裝(連接金具的連接結(jié)構(gòu)尺寸應(yīng)符合標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定)在試驗(yàn)機(jī)上，為便于施加電壓，應(yīng)采用加強(qiáng)的懸式絕緣子與試品串聯(lián)，高壓施加在加強(qiáng)的絕緣子與試品中間連接處，為易于鑒別試品是否已破壞(擊穿),串聯(lián)一個(gè)7mm～12mm的火花間隙，而試品與試驗(yàn)機(jī)連接的一端接地。8.2試驗(yàn)程序絕緣子串元件應(yīng)逐個(gè)施加工頻電壓，并同時(shí)在金屬附件之間施加拉伸負(fù)荷。在整個(gè)試驗(yàn)中保持該電壓。施加的電壓應(yīng)等于標(biāo)準(zhǔn)短串規(guī)定的工頻濕耐受電壓值除以標(biāo)準(zhǔn)短串元件數(shù)。拉伸負(fù)荷應(yīng)平穩(wěn)、迅速地從零增加到約為規(guī)定機(jī)械破壞負(fù)荷的75%,然后以每分鐘35%～100%規(guī)定機(jī)械破壞負(fù)荷速度(相當(dāng)于在15s～45s時(shí)間內(nèi)達(dá)到規(guī)定的機(jī)電破壞負(fù)荷)逐步增加至試品破壞(能觀察得到明顯破壞現(xiàn)象、擊穿或試驗(yàn)機(jī)負(fù)荷指示值不再升高)為止，此時(shí)的負(fù)荷值為試品的機(jī)電破壞負(fù)荷。9.1試品與試品安裝試品兩端應(yīng)按近似正常使用的情況進(jìn)行密封，使其各部件受力狀態(tài)與正常使用情況相同。試品內(nèi)GB/T775.3