微電子封裝技術(shù)智慧樹(shù)知到期末考試答案2024年

微電子封裝技術(shù)智慧樹(shù)知到期末考試答案2024年微電子封裝技術(shù)陶瓷封裝屬于氣密性封裝，最經(jīng)常使用的陶瓷材料是（）。

A:氧化鋁B:氮化鋁C:藍(lán)寶石D:碳化硅答案:氮化鋁在高溫共燒型陶瓷基板的制作中，氧化鋁粉末與鈣鎂鋁硅酸玻璃粉末的比例為（）。

A:1:9B:3:1C:1:3D:9:1答案:9：1多種金屬均可用于引線鍵合的材料，其中使用最廣泛的是金屬線是（）。

A:金線B:鋁線C:銅線D:銀線答案:金線開(kāi)封屬于破壞性測(cè)試，去除塑封料的方法包括（）。

A:熱機(jī)械法B:化學(xué)方法C:加熱法D:等離子體刻蝕法答案:化學(xué)雙列直插式封裝的類型包括（）。

A:陶瓷熔封雙列直插封裝B:玻璃熔封雙列直插式封裝C:多層陶瓷雙列直插式封裝D:塑料雙列直插式封裝答案:塑料雙列直插式封裝載帶自動(dòng)焊中制作的芯片凸點(diǎn)，其形狀包括（）。

A:蘑菇狀凸點(diǎn)B:圓形凸點(diǎn)C:柱狀凸點(diǎn)D:錐狀凸點(diǎn)答案:柱狀凸點(diǎn)在多層陶瓷DIP制作中，生瓷片的主要成分為（）。

A:溶劑和增塑劑B:粘合劑C:陶瓷粉末D:玻璃粉末答案:溶劑和增塑劑###玻璃粉末###粘合劑###陶瓷粉末密性封裝可以大大提高電路特別是有源器件的可靠性，能達(dá)到所謂氣密性封裝的材料通常指（）。

A:樹(shù)脂B:金屬C:陶瓷D:玻璃答案:金屬四邊扁平封裝集成電路的封裝種類繁多，按照其封裝體的厚度可以將其分為（）。

A:方形四邊扁平封裝B:小型四邊扁平封裝C:薄型四邊扁平封裝D:普通四邊扁平封裝答案:四邊扁平封裝電子元器件的失效率曲線一般有三類失效組成，包括（）。

A:隨機(jī)失效B:特性失效C:損耗失效D:早期失效答案:早期失效###隨機(jī)失效###損耗失效密封性封裝導(dǎo)致芯片散熱功能降低，因此無(wú)法提供散熱途徑。（）

A:錯(cuò)誤B:正確答案:錯(cuò)誤四邊扁平封裝適合高頻器件封裝使用。（）

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確塑料DIP工藝可實(shí)現(xiàn)高密度引腳封裝且性能優(yōu)異。（）

A:正確B:錯(cuò)誤答案:正確產(chǎn)品鑒定用于證明電子封裝的設(shè)計(jì)符合可靠性要求。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:錯(cuò)封裝材料的化學(xué)性能反映了材料的抗腐蝕性、抗燃性以及不同種類的離子在材料中的運(yùn)動(dòng)性。（）

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確有機(jī)材料中有機(jī)溶劑的功能為：在球磨過(guò)程中促成粉體分離揮發(fā)時(shí)在生胚片中形成微細(xì)的孔洞。（）

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確外界溫度的變化是引起IC芯片破壞的主要原因。（）

A:正確B:錯(cuò)誤答案:錯(cuò)誤在倒裝焊芯片連接技術(shù)中，所有的I/O引腳均是同步焊接的。（）

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確篩選過(guò)程中的兩種主要缺陷為潛在缺陷和顯著缺陷。（）

A:正確B:錯(cuò)誤答案:正確陶瓷硬度大，因此陶瓷封裝的芯片能接受任何外部應(yīng)力。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:對(duì)在引線鍵合和載帶自動(dòng)鍵合互連中，芯片的面均朝上。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:對(duì)引線鍵合技術(shù)可以提供更高的封裝密度、更好的性能、更小的器件占用PCB面積和更薄的封裝外形。（）

A:錯(cuò)誤B:正確答案:錯(cuò)誤在低溫共燒型的陶瓷基板中，氧化鋁粉末與鈣鎂鋁硅酸玻璃粉末的比例為1：3。（）

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確引線變形通常是指塑封料流動(dòng)過(guò)程中引起的引線位移或變形，金線偏移是封裝過(guò)程中最常發(fā)生的問(wèn)題之一。（）

A:正確B:錯(cuò)誤答案:正確塑料封裝中，氣泡不是引起金線偏移的因素。（）

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確在芯片的塑料封裝中，需要在鑄膜材料中添加黑色色素，其目的是（）。

A:提高強(qiáng)度B:增加韌性C:顏色美觀統(tǒng)一D:提高穩(wěn)定性答案:AI參考:在芯片的塑料封裝中，需要在鑄膜材料中添加黑色色素，其目的是顏色美觀統(tǒng)一。塑料封裝是芯片封裝技術(shù)的一種，它使用塑料來(lái)保護(hù)芯片，使其免受環(huán)境中的有害因素的影響。在鑄膜材料中添加黑色色素可以使塑料封裝的顏色統(tǒng)一，提高產(chǎn)品的外觀質(zhì)量，使其看起來(lái)更加美觀。因此，本題的正確答案是C：顏色美觀統(tǒng)一。'材料傳遞熱量的本征能力可用以下哪個(gè)參數(shù)表示（）。

A:熱失配系數(shù)B:熱應(yīng)變系數(shù)C:熱導(dǎo)率D:熱膨脹系數(shù)答案:AI參考:正確答案是C：熱導(dǎo)率。\n材料傳遞熱量的本征能力，指的是材料的導(dǎo)熱能力，熱導(dǎo)率是表征材料導(dǎo)熱能力的參數(shù)，答案為C。其他選項(xiàng)A、B、D分別表示熱失配系數(shù)、熱應(yīng)變系數(shù)、熱膨脹系數(shù)，這些參數(shù)分別反映材料在傳熱過(guò)程中的熱量損失、熱應(yīng)變的性能和熱膨脹性能，與題干要求不符。'MCM-C型封裝的基材為絕緣陶瓷材料，其中的導(dǎo)體電路的制作方式為（）。

A:金屬濺射技術(shù)B:薄膜印制技術(shù)C:厚膜印制技術(shù)D:金屬淀積技術(shù)答案:AI參考:正確答案是B：薄膜印制技術(shù)。\nMCM-C型封裝的基材為絕緣陶瓷材料，其中的導(dǎo)體電路的制作方式為薄膜印制技術(shù)。薄膜印制電路是利用特種金屬箔材或金屬導(dǎo)電聚合物等作為導(dǎo)體，采用圖形轉(zhuǎn)移、腐蝕等工藝技術(shù)制作成電路的一種印制電路。MCM-C型封裝是指多芯片模塊C型基板，適合用于包含CPU用IC、LSI等的特殊用途。金屬濺射技術(shù)、金屬淀積技術(shù)是導(dǎo)體電路的制作方式，但不適用于MCM-C型封裝。厚膜印刷技術(shù)是指以絕緣漿料為介質(zhì)采用絲網(wǎng)印刷機(jī)將漿料印在陶瓷板上形成電路。因此，正確答案是薄膜印制技術(shù)。'根據(jù)引發(fā)薄弱產(chǎn)品失效的失效機(jī)理，應(yīng)力篩選可更進(jìn)一步地分類為磨損篩選和（）。

A:過(guò)應(yīng)力篩選B:溫度篩選C:機(jī)械篩選D:濕度篩選答案:AI參考:答案：A。\n通過(guò)分析可知，應(yīng)力篩選是用于模擬產(chǎn)品的各種應(yīng)力的篩選，以研究在一段時(shí)間的作用下產(chǎn)品的失效模式，包括但不限于機(jī)械、化學(xué)、溫度、濕度等環(huán)境因素等。磨損篩選屬于應(yīng)力篩選的一種，因此更進(jìn)一步可以進(jìn)一步分類為過(guò)應(yīng)力篩選。故選A。'載帶球柵陣列也稱為陣列載帶自動(dòng)鍵合，是一種相對(duì)新穎的BGA形式，以下不能用于載帶球柵陣列中管芯與銅線連接的是（）。

A:倒裝焊B:引線鍵合C:熱壓焊D:再流焊答案:AI參考:正確答案是B:引線鍵合。\n\n載帶球柵陣列是一種相對(duì)新穎的BGA形式，其中管芯與銅線連接的方式主要有倒裝焊、熱壓焊和再流焊。引線鍵合是一種傳統(tǒng)的連接方式，因此無(wú)法用于載帶球柵陣列中管芯與銅線連接。所以答案為B。'紅外顯微鏡可用于觀察某些不透明物體，其用于成像的紅外光波長(zhǎng)范圍為（）。

A:800nm-20μmB:650nm-750nmC:360nm-390nmD:400nm-600nm答案:AI參考:答案：B。紅外顯微鏡可用于觀察某些不透明物體，其用于成像的紅外光波長(zhǎng)范圍為650nm-750nm。紅外光是指波長(zhǎng)超過(guò)紅色可見(jiàn)光的電磁波，在日常生活中，人們通常所說(shuō)的紅外線就是指紅外光。根據(jù)物體對(duì)紅外光的吸收特性，可以將物體分為反射紅外光的物體和吸收紅外光的物體。對(duì)于不透明物體，其反射和吸收的紅外光波長(zhǎng)范圍為650nm-750nm。因此，紅外顯微鏡可用于觀察某些不透明物體，其成像的紅外光波長(zhǎng)范圍為650nm-750nm。'塑料密封材料的分析測(cè)試包括硬度測(cè)試和（）。

A:原子力顯微鏡分析B:紅外光譜分析C:X射線檢測(cè)D:SAM掃描答案:AI參考:正確答案是B：紅外光譜分析。塑料密封材料的分析測(cè)試包括硬度測(cè)試和紅外光譜分析。硬度測(cè)試可以使用邵氏硬度計(jì)，紅外光譜分析可以用于塑料的成分分析。A項(xiàng)原子力顯微鏡分析和D項(xiàng)SAM掃描是材料表面形貌分析方法，C項(xiàng)X射線檢測(cè)可以用于塑料的內(nèi)部缺陷檢測(cè)，但不是成分分析方法。因此，B項(xiàng)是正確答案。'任何電子產(chǎn)品都具有生命周期，影響生命周期的外界因素是環(huán)境載荷與（）。

A:抗?jié)褫d荷B:耐壓載荷C:耐溫載荷D:應(yīng)力載荷答案:AI參考:正確選項(xiàng)為：C:耐溫載荷。\n\n電子產(chǎn)品生命周期受到外界因素的影響，其中耐溫載荷是影響電子產(chǎn)品生命周期的重要因素之一。電子產(chǎn)品在不同的溫度下工作，其性能、壽命和穩(wěn)定性都會(huì)受到影響。因此，選擇C作為正確答案?？?jié)褫d荷、耐壓載荷和應(yīng)力載荷也是影響電子產(chǎn)品生命周期的因素，但它們不如耐溫載荷重要。'金屬與玻璃之間的黏著性較差，為了使兩者形成穩(wěn)定的粘接，必須控制玻璃在金屬表面的（）。

A:潤(rùn)濕能力B:吸收能力C:摩擦能力D:流動(dòng)能力答案:AI參考:正確選項(xiàng)是【A】潤(rùn)濕能力。\n\n金屬與玻璃之間的黏著性較差，為了使兩者形成穩(wěn)定的粘接，必須控制玻璃在金屬表面的潤(rùn)濕能力。潤(rùn)濕是指固體表面與液體接觸時(shí)，液體分子進(jìn)入到固體表面并填滿固體表面分子的空間，形成一層連續(xù)的液膜，這層液膜能夠提供足夠的黏附力，使粘接更加穩(wěn)定可靠。因此，控制玻璃在金屬表面的潤(rùn)濕能力，能夠提高金屬與玻璃之間的黏著性，進(jìn)而形成穩(wěn)定的粘接。其他選項(xiàng)中，吸收能力、摩擦能力和流動(dòng)能力與金屬與玻璃之間的黏著性沒(méi)有直接關(guān)系。'以下測(cè)試儀器或設(shè)備，不能用于封裝的電學(xué)特性測(cè)試的為（）。

A:X-rayB:TEMC:AFMD:SAM答案:AI參考:正確答案是B:TEM。\nTEM是一種透射電子顯微鏡，主要用于觀察物質(zhì)的超微結(jié)構(gòu)，不能用于封裝的電學(xué)特性測(cè)試。其他選項(xiàng)X-ray、AFM和SAM都可以用于封裝的電學(xué)特性測(cè)試。'芯片的檢測(cè)可能會(huì)導(dǎo)致芯片的損壞，下列哪些檢測(cè)方法不會(huì)導(dǎo)致芯片損壞（）。

A:X射線檢測(cè)B:選擇性剝層C:高電壓擊穿D:熔化塑料答案:AI參考:正確答案是B:選擇性剝層。\n\n芯片的檢測(cè)可能會(huì)引起芯片的損壞，選項(xiàng)A和C都屬于高壓電擊或者瞬間電流擊穿，會(huì)導(dǎo)致芯片損壞；選項(xiàng)D中熔化塑料雖然不是直接的電擊方式，但會(huì)對(duì)芯片表面產(chǎn)生影響，導(dǎo)致芯片損壞。而選項(xiàng)B中的選擇性剝層不會(huì)對(duì)芯片造成損害，因此是正確的選項(xiàng)。'對(duì)材料進(jìn)行熱機(jī)械分析，需要測(cè)量的兩個(gè)重要參數(shù)是熱膨脹系數(shù)和（）。

A:冷卻時(shí)間B:固化時(shí)間C:凝膠時(shí)間D:玻璃化轉(zhuǎn)變溫度答案:AI參考:對(duì)材料進(jìn)行熱機(jī)械分析，需要測(cè)量的兩個(gè)重要參數(shù)是熱膨脹系數(shù)和玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。熱膨脹系數(shù)是材料在受熱時(shí)膨脹的程度，是衡量材料熱穩(wěn)定性的一種指標(biāo)。而玻璃化轉(zhuǎn)變溫度是材料由高分子鏈段無(wú)規(guī)則排列向有序排列轉(zhuǎn)變的一個(gè)溫度點(diǎn)，是材料物理化學(xué)性質(zhì)發(fā)生顯著變化的一個(gè)重要參數(shù)。因此，正確答案是D：玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。'厚膜介質(zhì)材料分為高介電常數(shù)和低介電常數(shù)兩大類，為了減小寄生電容，避免信號(hào)傳輸速度降低，應(yīng)采用（）。

A:對(duì)材料類型無(wú)要求B:導(dǎo)體材料C:高介電常數(shù)材料D:低介電常數(shù)材料答案:AI參考:D.低介電常數(shù)材料\n\n為了減小寄生電容，避免信號(hào)傳輸速度降低，應(yīng)采用低介電常數(shù)材料。低介電常數(shù)材料可以減小介質(zhì)層厚度，從而減小寄生電容的大小。而高介電常數(shù)材料雖然可以提高介電性能，但也會(huì)相應(yīng)地增加寄生電容，不利于減小電容對(duì)信號(hào)傳輸速度的影響。因此，選項(xiàng)D是正確答案。'以下無(wú)法用于球柵陣列封裝焊后質(zhì)量檢測(cè)的是（）。

A:X射線檢測(cè)B:電測(cè)試C:光學(xué)顯微鏡檢測(cè)D:邊界掃描檢測(cè)答案:AI參考:無(wú)法用于球柵陣列封裝焊后質(zhì)量檢測(cè)的是邊界掃描檢測(cè)。邊界掃描檢測(cè)是一種用于測(cè)試集成電路的電氣參數(shù)和質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的方法，但它不適用于球柵陣列封裝。球柵陣列封裝是一種常見(jiàn)的封裝技術(shù)，主要用于電子設(shè)備的連接，如芯片和電路板之間的連接。X射線檢測(cè)、電測(cè)試和光學(xué)顯微鏡檢測(cè)都是常見(jiàn)的球柵陣列封裝焊后質(zhì)量檢測(cè)方法。因此，正確答案是D：邊界掃描檢測(cè)。'塑料雙列直插式封裝因工藝簡(jiǎn)單、適合批量生產(chǎn)而應(yīng)用廣泛，其引腳數(shù)一般不超過(guò)（）。

A:一百個(gè)B:一千個(gè)C:五百個(gè)D:八百個(gè)答案:AI參考:正確答案是C：五百個(gè)。\n塑料雙列直插式封裝因工藝簡(jiǎn)單、適合批量生產(chǎn)而應(yīng)用廣泛，其引腳數(shù)一般不超過(guò)五百個(gè)。因此，選項(xiàng)C是正確答案。選項(xiàng)A、B、D都超過(guò)了五百個(gè)，不符合題意。'隨著電子產(chǎn)品功能增加，性能提高，未來(lái)集成電路芯片封裝尺寸將（）。

A:保持不變B:難以增大C:越來(lái)越小D:越來(lái)越大答案:AI參考:隨著電子產(chǎn)品功能增加，性能提高，未來(lái)集成電路芯片封裝尺寸將越來(lái)越小。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，集成電路芯片的封裝尺寸不斷減小，以實(shí)現(xiàn)更小的占用空間和更高的集成度，同時(shí)滿足更高的性能要求。因此，正確答案為C：越來(lái)越小。'芯片的金屬引線容易發(fā)生阻值增加、短路或開(kāi)路、腐蝕等缺陷，以下不屬于金屬引線失效機(jī)理的是（）。

A:電化學(xué)反應(yīng)B:偏壓C:電遷移D:氧化答案:AI參考:正確答案是B:偏壓。\n金屬引線容易發(fā)生阻值增加、短路或開(kāi)路、腐蝕等缺陷，屬于金屬引線失效機(jī)理的電化學(xué)反應(yīng)、電遷移和氧化。偏壓不屬于金屬引線失效機(jī)理。因此，本題答案為B選項(xiàng)。'塑料封裝按照工藝類別可分為（）。

A:軸向噴灑涂膠B:壓制成膜C:轉(zhuǎn)移鑄模D:反應(yīng)射出成型答案:AI參考:正確選項(xiàng)是【壓制成膜，反應(yīng)射出成型】。\n\n塑料封裝主要采用注塑、擠出、吹塑等工藝方法進(jìn)行加工成型。其中，壓制成膜和反應(yīng)射出成型是塑料封裝的兩種常見(jiàn)工藝。軸向噴灑涂膠、轉(zhuǎn)移鑄模是其它工藝方法。因此，選項(xiàng)A、B、D是正確的。'按工藝方法及基板使用材料的不同，MCM封裝可區(qū)分為（）。

A:MCM-DB:MCM-LC:MCM-BD:MCM-C答案:AI參考:正確選項(xiàng)為：A:MCM-DB:MCM-L。\n\n根據(jù)題干中的描述，MCM封裝按工藝方法及基板使用材料的不同，可以分為MCM-D和MCM-L兩種類型。MCM-D是指使用導(dǎo)熱性好的基板材料，采用底部填充法進(jìn)行封裝的MCM，而MCM-L則是指使用玻璃纖維增強(qiáng)材料，采用模壓成型工藝進(jìn)行封裝的MCM。因此，選項(xiàng)A和B是正確的。選項(xiàng)C、D與題干描述不符，因此不正確。'納米技術(shù)與電子器件塑封技術(shù)相關(guān)的一項(xiàng)重要應(yīng)用是納米尺寸填充料的使用，已開(kāi)發(fā)出的納米顆粒填充料的三種主要類型為（）。

A:沸石B:納米二氧化硅顆粒C:熔凝硅石D:膨潤(rùn)土答案:AI參考:已開(kāi)發(fā)出的納米顆粒填充料的三種主要類型為：納米二氧化硅顆粒、納米顆粒填充料和納米尺寸的金屬顆粒。因此，正確選項(xiàng)為B：納米二氧化硅顆粒。其他選項(xiàng)也可能會(huì)成為納米尺寸填充料，但是目前在塑封電子器件中的應(yīng)用還不是很廣泛或常見(jiàn)。因此選擇B：納米二氧化硅顆粒。'影響封裝缺陷和失效的主要因素有（）。

A:封裝設(shè)計(jì)B:環(huán)境條件C:工藝參數(shù)D:材料成分和屬性答案:AI參考:影響封裝缺陷和失效的主要因素有：A、B、C、D選項(xiàng)。封裝設(shè)計(jì)、環(huán)境條件、工藝參數(shù)、材料成分和屬性都會(huì)影響封裝缺陷和失效。封裝設(shè)計(jì)不合理可能導(dǎo)致電路性能下降，環(huán)境條件（如溫度、濕度、機(jī)械應(yīng)力等）變化會(huì)加速元件老化或改變電學(xué)性能，工藝參數(shù)如果不合適會(huì)導(dǎo)致封裝的焊接不良、密封不良等問(wèn)題，材料成分和屬性不合適也可能導(dǎo)致封裝失敗。'在電子產(chǎn)品鑒定過(guò)程中，與濕度相關(guān)的加速試驗(yàn)包括（）。

A:高加速應(yīng)力試驗(yàn)B:溫濕度偏置試驗(yàn)C:溫濕度電壓循環(huán)試驗(yàn)D:高壓蒸煮試驗(yàn)答案:AI參考:在電子產(chǎn)品鑒定過(guò)程中，與濕度相關(guān)的加速試驗(yàn)包括（B溫濕度偏置試驗(yàn)）。\n\n溫濕度偏置試驗(yàn)是針對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行一系列的溫度和濕度變化，以此來(lái)模擬在實(shí)際使用過(guò)程中可能遇到的各種環(huán)境條件。它可以對(duì)產(chǎn)品的材料、結(jié)構(gòu)和電氣性能進(jìn)行測(cè)試，以便在產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造和質(zhì)量控制過(guò)程中做出相應(yīng)的調(diào)整。\n\n因此，溫濕度偏置試驗(yàn)主要涉及到溫度和濕度的變化，與濕度相關(guān)。其他選項(xiàng)中，高壓蒸煮試驗(yàn)是一種高溫高濕度的環(huán)境條件，可以加速產(chǎn)品材料的老化過(guò)程，但它主要關(guān)注的是材料耐久性方面的測(cè)試；高加速應(yīng)力試驗(yàn)是一種特殊的測(cè)試方法，主要關(guān)注的是產(chǎn)品在高應(yīng)力條件下的性能表現(xiàn)；溫濕度電壓循環(huán)試驗(yàn)則是針對(duì)產(chǎn)品在溫度和電壓變化下的性能進(jìn)行測(cè)試，但并未直接涉及到濕度條件。因此，這些選項(xiàng)都不是與濕度相關(guān)的加速試驗(yàn)。\n\n所以正確選項(xiàng)為（B）溫濕度偏置試驗(yàn)。'掃描聲光顯微鏡可用于進(jìn)行無(wú)損探測(cè)，可探測(cè)的缺陷包括（）。

A:芯片與底座之間的界面分層B:芯片傾斜C:芯片粘結(jié)分層D:金線偏移答案:AI參考:正確選項(xiàng)為A、B、C。掃描聲光顯微鏡可用于進(jìn)行無(wú)損探測(cè)，可探測(cè)的缺陷包括芯片與底座之間的界面分層、芯片傾斜、芯片粘結(jié)分層等。它通過(guò)聲光調(diào)制技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品表面的無(wú)損探測(cè)，可以觀察和分析微納尺度下的結(jié)構(gòu)信息。而對(duì)于選項(xiàng)D，金線偏移，掃描電子顯微鏡是更好的選擇。'塑料鑄膜材料必須添加多種有機(jī)與無(wú)機(jī)材料，其中添加無(wú)機(jī)填充劑的目的是（）。

A:提高熱震波阻抗性B:提高熱導(dǎo)率C:鑄膜材料的基底強(qiáng)化D:降低熱膨脹系數(shù)答案:AI參考:正確答案是：A:提高熱震波阻抗性；C:鑄膜材料的基底強(qiáng)化。\n塑料鑄膜材料必須添加多種有機(jī)與無(wú)機(jī)材料，其中添加無(wú)機(jī)填充劑的目的是提高熱震波阻抗性和鑄膜材料的基底強(qiáng)化。因此，答案為A和C。B選項(xiàng)提高熱導(dǎo)率、D選項(xiàng)降低熱膨脹系數(shù)通常由塑料材料本身的特性決定，與添加無(wú)機(jī)填充劑無(wú)關(guān)。因此，本題選擇A和C選項(xiàng)。'CDIP工藝流程中用到的三種材料為（）。

A:框架B:引線架C:底座D:蓋板答案:AI參考:正確選項(xiàng)為：A:框架、B:引線架、C:底座。\n\nCDIP工藝流程中需要用到框架、引線架和底座三種材料?？蚣苁怯脕?lái)支撐整個(gè)電路板的結(jié)構(gòu)，引線架用于連接電路板上的電子元件，底座則是用來(lái)固定電路板并使其與外部設(shè)備連接的部件。因此，這三個(gè)選項(xiàng)都是CDIP工藝流程中必不可少的材料。而蓋板并不是CDIP工藝流程中常用的材料，因此選項(xiàng)D不正確。'常見(jiàn)的CSP分類方式是根據(jù)封裝外殼本身的結(jié)構(gòu)來(lái)分的，它分為（）。

A:柔性CSPB:引線架CSPC:硅片級(jí)封裝D:剛性CSP答案:AI參考:答案是D，剛性CSP。\n\n常見(jiàn)的CSP分類方式是根據(jù)封裝外殼本身的結(jié)構(gòu)來(lái)分的，它分為剛性CSP和柔性CSP。其中，剛性CSP是指封裝外殼是硬質(zhì)的塑料材料，具有較高的機(jī)械強(qiáng)度和穩(wěn)定性，適用于高頻率、高功率的電子器件。而柔性CSP則是指封裝外殼是柔性電路板，具有較高的柔性和可彎曲性，適用于小型化、輕量化的電子器件。其他選項(xiàng)如引線架CSP和硅片級(jí)封裝不是根據(jù)封裝外殼本身的結(jié)構(gòu)來(lái)分類的，因此不符合題意。'引起金線偏移的因素包括（）。

A:氣泡的移動(dòng)B:過(guò)保壓/遲滯保壓C:樹(shù)脂流動(dòng)產(chǎn)生的拖曳力D:引線架變形答案:AI參考:引起金線偏移的因素主要包括樹(shù)脂流動(dòng)產(chǎn)生的拖曳力和引線架變形，選項(xiàng)C和D準(zhǔn)確地描述了這個(gè)現(xiàn)象。具體來(lái)說(shuō)，由于樹(shù)脂流動(dòng)的特性，其會(huì)在材料上產(chǎn)生拖曳力，這會(huì)影響到金線的位置。另外，引線架的變形也會(huì)直接影響到金線的位置，導(dǎo)致金線偏移。因此，選項(xiàng)C和D是正確答案。選項(xiàng)A和B雖然可能間接影響金線的位置，但不是主要的直接原因。因此，正確選項(xiàng)為C和D。'BGA的基板具有的功能為（）。

A:進(jìn)行導(dǎo)熱并與電路板的熱膨脹系數(shù)相匹配B:提供散熱途徑C:完成信號(hào)與功率分配D:提供支撐與保護(hù)答案:AI參考:正確選項(xiàng)為：BGA的基板應(yīng)具有的功能包括：提供散熱途徑和提供支撐與保護(hù)。\n\nBGA（球柵柱式封裝）是一種芯片封裝技術(shù)，其芯片和基板間具有較大的熱阻值，因此基板需要提供良好的散熱途徑，以降低芯片的溫度。同時(shí)，由于BGA芯片需要承受較大的功率，因此基板需要提供足夠的支撐和保護(hù)，以防止芯片在工作中受到損傷。因此，選項(xiàng)B和D都是BGA基板的正確功能。而選項(xiàng)A和C雖然也是BGA基板的功能，但它們