高二物理競(jìng)賽課件半導(dǎo)體的相干背散射產(chǎn)生的弱定域

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半導(dǎo)體的相干背散射產(chǎn)生的弱定域

半導(dǎo)體的相干背散射產(chǎn)生的弱定域考慮非理想半導(dǎo)體：存在隨機(jī)分布的彈性散射中心.●

T→0時(shí)的費(fèi)米能級(jí)可能高于或低于遷移邊,這取決于摻雜和可能通過(guò)受主補(bǔ)償.若費(fèi)米能級(jí)高于遷移邊，則為金屬，因?yàn)檫@種情況下T→0

，系統(tǒng)具有一定的導(dǎo)電性;若費(fèi)米能級(jí)低于遷移邊，則為絕緣體.隨著摻雜濃度增加，絕緣體躍遷為金屬，這稱為莫特躍遷.②混和半導(dǎo)體并非所有的混晶的x或y的變化范圍都是0-1，另外，具有混溶隙.

它們具有確定的晶格結(jié)構(gòu)（如閃鋅礦或纖鋅礦結(jié)構(gòu)）.●混晶●能隙

其中參數(shù)b描述

對(duì)x線性關(guān)系的偏離,一般很小.但是對(duì)于參數(shù)b很大,因此隨著x增加,混晶的能隙達(dá)到最小值(低于x=0,1能隙).●無(wú)序的產(chǎn)生在微觀尺度上,陰離子在空間分布不均勻,

例如在

中,某處

離子少,而另一處

離子多,因此會(huì)產(chǎn)生價(jià)帶的起伏.同理，陽(yáng)離子在空間分布不均勻,

例如在

中的

會(huì)產(chǎn)生導(dǎo)帶的起伏,這種起伏又導(dǎo)致局域態(tài)的產(chǎn)生.●局域態(tài)局域態(tài)

其中

為尾態(tài)（局域態(tài)）總數(shù),與材料常數(shù)和材料成分有關(guān).

稱為尾參數(shù).越大,則

越大.越大,則

越大.若勢(shì)阱的寬度為R，深度為V，那么局域這表明空穴比電子更易局域.一個(gè)粒子需要滿足其中N為原子密度,

β為對(duì)應(yīng)x值產(chǎn)生帶邊位置的偏離.當(dāng)

由于空穴的有效質(zhì)量大于電子的有效質(zhì)量,因此,另外，易局域（遷移率與有效質(zhì)量成反比）.③低維無(wú)序系統(tǒng)越大,這意味著粒子越若有效質(zhì)量越大,

●混晶加寬.混晶在邊界的內(nèi)擴(kuò)散和偏析效應(yīng).●阱寬起伏.至少在原子或分子層數(shù)量級(jí).載流子局域的范圍大于阱寬.④非晶體半導(dǎo)體●最強(qiáng)的無(wú)序系統(tǒng)：僅存在短程有序.

平移矢量沒(méi)有意義.

●無(wú)序產(chǎn)生的能尾覆蓋整個(gè)能隙.●懸掛鍵在能隙中產(chǎn)生能級(jí)缺陷,可能有兩種狀態(tài)

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