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文檔簡介
電子和空穴的統(tǒng)計(jì)分布電子和空穴的統(tǒng)計(jì)分布
完整的半導(dǎo)體中電子的能級(jí)構(gòu)成能帶,有雜質(zhì)和缺陷的半導(dǎo)體在禁帶中存在局域化的能級(jí)—雜質(zhì)能級(jí)和缺陷能級(jí)。實(shí)踐證明:半導(dǎo)體的導(dǎo)電性強(qiáng)烈地隨著溫度及其內(nèi)部雜質(zhì)含量變化,主要是由于半導(dǎo)體中載流子數(shù)目隨著溫度和雜質(zhì)含量在變化。本章討論:
1、熱平衡情況下載流子在各種能級(jí)上的分布;
2、計(jì)算導(dǎo)帶電子和價(jià)帶空穴的數(shù)目,分析它們與半導(dǎo)體中雜質(zhì)含量和溫度的關(guān)系。兩個(gè)重要概念:(VIP)
費(fèi)米能級(jí)(Fermilevel)
電中性條件§4.1狀態(tài)密度由k空間的狀態(tài)密度求出導(dǎo)帶和價(jià)帶的狀態(tài)密度:k空間單位體積中的狀態(tài)數(shù)1.布里淵區(qū)體積=倒原胞體積=:原胞體積.每個(gè)布里淵區(qū)中含N個(gè)狀態(tài)(不考慮自旋).(N:晶體中的原胞數(shù))則:單位體積中的狀態(tài)數(shù)為N/==
(V=晶體體積)
考慮自旋后,倒空間中單位體積的狀態(tài)數(shù)為:2.以能量為尺度的狀態(tài)密度討論具體問題時(shí),經(jīng)常使用的是以能量為尺度的狀態(tài)密度N(E)
N(E)
定義:單位體積的晶體中,單位能量間隔的狀態(tài)數(shù)根據(jù)能量E和波矢k之間的函數(shù)關(guān)系,由k空間的狀態(tài)密度求出導(dǎo)帶和價(jià)帶中的狀態(tài)密度
一、導(dǎo)帶
由于導(dǎo)帶電子一般都集中于導(dǎo)帶底附近的狀態(tài)中,則只需要計(jì)算導(dǎo)帶底附近的狀態(tài)密度。設(shè)導(dǎo)帶底不在布里淵區(qū)中心,有M個(gè)彼此對稱的能谷,k0處的能谷附近電子能量為: 上式表明,K空間的等能面是一個(gè)橢球面.
考慮能量為Ec至E范圍內(nèi)的電子態(tài),其波矢量k一定包含在這個(gè)橢球內(nèi) 波矢的數(shù)目
=
=
每個(gè)能谷中電子態(tài)數(shù)目相同,則所有能谷中的狀態(tài)數(shù)
=
所以單位體積的晶體中,能量為E至E+dE范圍內(nèi)的電子態(tài)數(shù)目:其中NC(E)為導(dǎo)帶的狀態(tài)密度.
令 則NC(E)可表示為
mdn為導(dǎo)帶電子狀態(tài)密度有效質(zhì)量.
對于導(dǎo)帶底在布里淵區(qū)中心的簡單能帶結(jié)構(gòu),M=1,等能面為球面,電子的有效質(zhì)量為一標(biāo)量mn*,此時(shí)mdn=mn*.狀態(tài)密度公式仍然適用。(4.6)狀態(tài)密度與有效質(zhì)量有關(guān),有效質(zhì)量大的能帶,狀態(tài)密度也大。
.E1NC(E)NV(E)2圖4.1狀態(tài)密度與能量的關(guān)系
導(dǎo)帶的狀態(tài)密度隨著電子能量的增加按著拋物線關(guān)系增大,導(dǎo)帶底附近,電子能量越高,狀態(tài)密度越大;如圖4.1所示:二、價(jià)帶
Ge、Si、GaAs等一些主要的半導(dǎo)體材料,價(jià)帶頂都是在布里淵區(qū)的中心,都是簡并的。它們的等能面可近似地用兩個(gè)球面來代替:
上式中,mh和ml分別是重空穴和輕空穴的有效質(zhì)量,EV
為價(jià)帶頂?shù)哪芰?
利用與上面類似的推導(dǎo)方法,得出價(jià)帶的狀態(tài)密度其中為價(jià)帶空穴的狀態(tài)密度有效質(zhì)量.NV(E)與E
的關(guān)系如圖4.1所示.E1NC(E)NV(E)2圖4.1狀態(tài)密度與能量的關(guān)系
價(jià)帶的狀態(tài)密度隨著電子能量的增加同樣按著拋物線關(guān)系增大,價(jià)帶頂附近,空穴能量越高,狀態(tài)密度越大;由圖4.8可知,可以取η=-2(或η=0(費(fèi)米能級(jí)與帶邊重合時(shí))作為發(fā)生簡并化的標(biāo)準(zhǔn).
⒈在一定溫度下,已知載流子濃度.取η=-2,此時(shí):
n≈
0.1Nc
簡并化的標(biāo)準(zhǔn)
n<0.1Nc
非簡并化
n
>0.1Nc或n~Nc
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