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少數(shù)載流子的注入

和歐姆接觸

少數(shù)載流子的注入和歐姆接觸1·少數(shù)載流子的注入

N型半導(dǎo)體的勢(shì)壘和阻擋層都是對(duì)電子而言，由于空穴所帶電荷與電子電荷符號(hào)相反，電子的阻擋層就是空穴的積累層。空穴的濃度在表面最大

空穴電流的大小，首先決定于阻擋層中的空穴濃度。只要?jiǎng)輭咀銐蚋?，靠近接觸面的空穴濃度就可以很高?？昭ㄗ员砻嫦騼?nèi)部擴(kuò)散。正偏時(shí)，勢(shì)壘降低，空穴擴(kuò)散占優(yōu)勢(shì)，形成的電流與電子電流同向。Ec(0)Ev(0)EcEFEvN型反型層中的載流子濃度如果在接觸面附近，費(fèi)米能級(jí)和價(jià)帶頂?shù)木嚯x則p(0)值應(yīng)和n0

值相近，n(0)也近似等于p0qΔΦqΦns(EF)m0無鏡象力有鏡象力xm鏡象勢(shì)能平衡時(shí)鏡象力對(duì)勢(shì)壘的影響x電勢(shì)能在xm處出現(xiàn)極大值，這個(gè)極大值發(fā)生在作用于電子上的鏡象力和電場(chǎng)力相平衡的地方，即若,從上式得到勢(shì)壘頂向內(nèi)移動(dòng)，并且引起勢(shì)壘的降低q

。勢(shì)能的極大值小于qΦns。這說明，鏡象力使平衡時(shí)，q

很小，可忽略外加電壓非平衡時(shí)，勢(shì)壘極大值所對(duì)應(yīng)的x值當(dāng)反向電壓較高時(shí)，勢(shì)壘的降低變得明顯，鏡象力的影響顯得重要。勢(shì)壘的降低量鏡象力所引起的勢(shì)壘降低量隨反向電壓的增加而緩慢地增大不考慮鏡像力的影響時(shí)考慮鏡像力的影響時(shí)JsD中的變?yōu)閂,JsD

（2）隧道效應(yīng)的影響能量低于勢(shì)壘頂?shù)碾娮佑幸欢ǜ怕蚀┻^勢(shì)壘，穿透的概率與電子能量和勢(shì)壘厚度有關(guān)隧道效應(yīng)的簡(jiǎn)化模型對(duì)于一定能量的電子，存在一個(gè)臨界勢(shì)壘厚度xc,若xd>xc,則電子完全不能穿過勢(shì)壘；若xd<xc,則勢(shì)壘對(duì)于電子完全透明，即勢(shì)壘降低了.金屬一邊的有效勢(shì)壘高度為-qV(x),若xc<<xd隧道效應(yīng)引起的勢(shì)壘降低為反向電壓較高時(shí)，勢(shì)壘的降低才明顯鏡像力和隧道效應(yīng)對(duì)反向特性影響顯著?引起勢(shì)壘高度的降低，使反向電流增加?反向電壓越大，勢(shì)壘降低越顯著，反向電流越大4.肖特基勢(shì)壘二極管肖特基勢(shì)壘二極管的正向電流，主要是由半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子進(jìn)入金屬形成的，此二極管將有較

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