2023年高考化學(xué)選修三知識(shí)點(diǎn)總結(jié)

高中化學(xué)選修3知識(shí)點(diǎn)所有歸納（物質(zhì)的構(gòu)造與性質(zhì)）

▼第一章原子構(gòu)造與性質(zhì).

一、認(rèn)識(shí)原子核外電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，理解電子云、電子層（能層1原子軌道（能級(jí)）的含義.

1.電子云：用小黑點(diǎn)口勺疏密來(lái)描述電子在原子核外空間出現(xiàn)口勺機(jī)會(huì)大小所得日勺圖形叫電子云圖.離核越近，

電子出現(xiàn)的機(jī)會(huì)大，電子云密度越大;離核越遠(yuǎn),電子出現(xiàn)日勺機(jī)會(huì)小，電子云密度越小.

電子層（能層）:根據(jù)電子日勺能量差異和重要運(yùn)動(dòng)區(qū)域日勺不一樣，核外電子分別處在不一樣日勺電子層.原子由里

向外對(duì)應(yīng)日勺電子層符號(hào)分別為K、L、M、N、O、P、Q.

原子軌道（能級(jí)即亞層）:處在同一電子層日勺原子核外電子，也可以在不一樣類(lèi)型日勺原子軌道上運(yùn)動(dòng),分別用s、

p、d、f表達(dá)不一樣形狀日勺軌道，s軌道呈球形、p軌道呈紡錘形.d軌道和f軌道較復(fù)雜.各軌道日勺伸展方

向個(gè)數(shù)依次為1、3、5、7.

2.（構(gòu)造原理）

理解多電子原子中核外電子分層排布遵照B勺原理，能用電子排布式表達(dá)1~36號(hào)元素原子核外電子日勺排布.

（1）,原子核外電子日勺運(yùn)動(dòng)特性可以用電子層、原子軌道（亞層）和自旋方向來(lái)進(jìn)行描述.在具有多種核外電

子日勺原子中，不存在運(yùn)動(dòng)狀態(tài)完全相似日勺兩個(gè)電子.

（2）.原子核外電子排布原理.

①.能量最低原理：電子先占據(jù)能量低B勺軌道，再依次進(jìn)入能量高日勺軌道.

②.泡利不相容原理：每個(gè)軌道最多容納兩個(gè)自旋狀態(tài)不一樣B勺電子.

③?洪特規(guī)則:在能量相似日勺軌道上排布時(shí)，電子盡量分占不一樣日勺軌道，且自旋狀態(tài)相似.

洪特規(guī)則日勺特例:在等價(jià)軌道日勺全充斥(p6、dlO、fl41半充斥(p3、d5、f7k全空時(shí)(pO、dO、fO的

狀態(tài)，具有較低B勺能量和較大日勺穩(wěn)定性.如24Cr[Ar]3d54sl、ju[Ar]3dl04sl.

(3).掌握能級(jí)交錯(cuò)圖和1-36號(hào)元素日勺核外電子排布式.

①根據(jù)構(gòu)造原理，基態(tài)原子核外電子的排布遵照?qǐng)D⑴箭頭所示的次序。

②根據(jù)構(gòu)造原理，可以將各能級(jí)按能量日勺差異提成能級(jí)組如圖⑵所示，由下而上表達(dá)七個(gè)能級(jí)組，其能量依

次升高；在同一能級(jí)組內(nèi)，從左到右能量依次升高?；鶓B(tài)原子核外電子的排布按能量由低到高的次序依次排

布。

3.元素電離能和元素電負(fù)性

第一電離能:氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去1個(gè)電子，轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要日勺能量叫做第一電離能。常

用符號(hào)11表達(dá)，單位為kJ/mol。

⑴.原子核外電子排布日勺周期性.

伴隨原子序數(shù)日勺增長(zhǎng)，元素原子日勺外圍電子排布展現(xiàn)周期性日勺變化:每隔一定數(shù)目的元素,元素原子日勺外圍電

子排布反復(fù)出現(xiàn)從nsi到ns2nP6曰勺周期性變化.

(2).元素第一電離能日勺周期性變化.

伴隨原子序數(shù)B勺遞增，元素日勺第一電離能呈周期性變化：

★同周期從左到右，第一電離能有逐漸增大日勺趨勢(shì)，稀有氣體口勺第一電離能最大，堿金屬日勺第一電離能最小;

★同主族從上到下，第一電離能有逐漸減小日勺趨勢(shì).

闡明：

①同周期元素，從左往右第一電離能呈增大趨勢(shì)。電子亞層構(gòu)造為全滿、半滿時(shí)較相鄰元素要大即第nA

族、第vA族元素曰勺第一電離能分別不小于同周期相鄰元素。Be、N、Mg、P

②.元素第一電離能的運(yùn)用：

a.電離能是原子核外電子分層排布日勺試驗(yàn)驗(yàn)證.

b.用來(lái)比較元素日勺金屬性日勺強(qiáng)弱.I1越小.金屬性越強(qiáng)，表征原子失電子能力強(qiáng)弱.

（3）.元素電負(fù)性日勺周期性變化.

元素B勺電負(fù)性：元素日勺原子在分子中吸引電子對(duì)B勺能力叫做該元素的電負(fù)性。

伴隨原子序數(shù)H勺遞增，元素曰勺電負(fù)性呈周期性變化:同周期從左到右,主族元素電負(fù)性逐漸增大;同一主族從

上到下，元素電負(fù)性展現(xiàn)減小日勺趨勢(shì).

電負(fù)性的運(yùn)用：

a.確定元素類(lèi)型（一般）1.8,非金屬元素；＜L8,金屬元素）.

b.確定化學(xué)鍵類(lèi)型（兩元素電負(fù)性差值＞17離子鍵；＜1.7,共價(jià)鍵）.

c.判斷元素價(jià)態(tài)正負(fù)（電負(fù)性大日勺為負(fù)價(jià),小日勺為正價(jià)）.

d.電負(fù)性是判斷金屬性和非金屬性強(qiáng)弱日勺重要參數(shù)俵征原子得電子能力強(qiáng)弱）.

例8.下列各組元素.按原子半徑依次減小，元素第一電離能逐漸升高日勺次序排列日勺是

A.K、Na、LiB.N、O、CC.C1、S、PD.A1SMg、Na

例9.已知X、Y元素同周期,且電負(fù)性X＞Y,下列說(shuō)法錯(cuò)誤日勺是

A.X與Y形成化合物時(shí),X顯負(fù)價(jià),Y顯正價(jià)

B.第一電離能也許Y不不小于X

C.最高價(jià)含氧酸B勺酸性:X對(duì)應(yīng)的酸性弱于Y對(duì)應(yīng)B勺酸性

D.氣態(tài)氨化物日勺穩(wěn)定性：HmY不不小于HmX

二.化學(xué)犍與物質(zhì)的性質(zhì).

內(nèi)容：離子鍵一一離子晶體

1.理解離子犍的含義，能闡明離子鍵的形成.理解NaC1型和CsC1型離子晶體的構(gòu)造特性，能用晶

格能解釋離子化合物的物理性質(zhì).

(1).化學(xué)鍵:相鄰原子之間強(qiáng)烈日勺互相作用.化學(xué)鍵包括離子鍵、共價(jià)鍵和金屬鍵.

(2).離子鍵:陰、陽(yáng)離子通過(guò)靜電作用形成日勺化學(xué)鍵.

離子鍵強(qiáng)弱日勺判斷:離子半徑越小，離子所帶電荷越多，離子鍵越強(qiáng)，離子晶體日勺熔沸點(diǎn)越高.

離子鍵的強(qiáng)弱可以用晶格能B勺大小來(lái)衡量，晶格能是指拆開(kāi)1m。1離子晶體使之形成氣態(tài)陰離子和陽(yáng)離子

所吸取口勺能量.晶格能越大.離子晶體日勺熔點(diǎn)越高、硬度越大.

離子晶體:通過(guò)離子鍵作用形成口勺晶體.

經(jīng)典B勺離子晶體構(gòu)造:NaCl型和CsCl型.氯化鈉晶體中，每個(gè)鈉離子周?chē)?個(gè)氯離子，每個(gè)氯離子周?chē)?/p>

有6個(gè)鈉離子,每個(gè)氯化鈉晶胞中具有4個(gè)鈉離子和4個(gè)氯離子；氯化鉗晶體中，每個(gè)鉗離子周?chē)?個(gè)氯

離子，每個(gè)氯離子周?chē)?個(gè)鈉離子，每個(gè)氯化鈉晶胞中具有1個(gè)鈉離子和1個(gè)氯離子.

NaC1型晶體CSC1型晶體

每個(gè)Na+離子周?chē)?個(gè)C1—離子所包圍，同樣每每個(gè)正離子被8個(gè)負(fù)離子包圍著，同步每個(gè)負(fù)離子

個(gè)C1—也被6個(gè)Na+所包圍。也被8個(gè)正離子所包圍。

(3).晶胞中粒子數(shù)日勺計(jì)算措施-均攤法.

SB頂點(diǎn)棱邊面心體/心

奉獻(xiàn)1/81/41/21

2.理解共價(jià)鍵的重要類(lèi)型。犍和n犍，能用曜能、鍵長(zhǎng)、曜角等數(shù)聽(tīng)闡明簡(jiǎn)樸分子的某些性質(zhì)(對(duì)。犍和

n鍵之間相對(duì)強(qiáng)弱的比較不作規(guī)定）.

⑴.共價(jià)鍵日勺分類(lèi)和判斷:。鍵（“頭碰頭”重疊）和兀鍵（“肩碰肩”重疊）、極性鍵和非極性鍵，尚有一類(lèi)特殊

日勺共價(jià)鍵-配位鍵.

⑵.共價(jià)鍵三參數(shù).

概念對(duì)分子的影響

拆開(kāi)Imol共價(jià)鍵所吸取日勺能量（單位：kJ/mol）

鍵能鍵能越大，鍵越牢固，分子越穩(wěn)定

成鍵的兩個(gè)原子核間日勺平均距離（單位：10-10米）

鍵長(zhǎng)鍵越短，鍵能越大，鍵越牢固，分子越穩(wěn)定

鍵角分子中相鄰鍵之間的夾角（單位:度）鍵角決定了分子日勺空間構(gòu)型

共價(jià)鍵曰勺鍵能與化學(xué)反應(yīng)熱口勺關(guān)系:反應(yīng)熱=所有反應(yīng)物鍵能總和-所有生成物鍵能總和.

3.理解極性鍵和非極性鍵，理解極性分子和非極性分子及其性質(zhì)的差異.

⑴共價(jià)鍵:原子間通過(guò)共用電子對(duì)形成日勺化學(xué)鍵.

⑵鍵日勺極性：

極性鍵:不一樣種原子之間形成日勺共價(jià)鍵，成鍵原子吸引電子日勺能力不一樣，共用電子對(duì)發(fā)生偏移.

非極性鍵：同種原子之間形成日勺共價(jià)鍵，成鍵原子吸引電子的能力相似，共用電子對(duì)不發(fā)生偏移.

（3）分子口勺極性：

①極性分子:正電荷中心和負(fù)電荷中心不相重疊日勺分子.

非極性分子:正電荷中心和負(fù)電荷中心相重疊日勺分子.

②分子極性日勺判斷:分子的極性由共價(jià)鍵的極性及分子日勺空間構(gòu)型兩個(gè)方面共同決定.

非極性分子和極性分子日勺比較

非極性分子極性分子

形成原因整個(gè)分子日勺電荷分布均勻，對(duì)稱(chēng)整個(gè)分子日勺電荷分布不均勻、不對(duì)稱(chēng)

存在日勺共價(jià)鍵非極性鍵或極性鍵極性鍵

分子內(nèi)原子排列對(duì)稱(chēng)不對(duì)稱(chēng)

4.分子的空間立體構(gòu)造(記住)

常見(jiàn)分子的類(lèi)型與形狀比較

分子類(lèi)型分子形狀腱角鍵B勺極性分子極性代表物

A球形非極性He、Ne

A2直線形非極性非極性也、。2

AB直線形極性極性HC1、NO

直線形極性非極性

ABA180°C%、cs2

ABAV形盧180。極性極性H2o,SO2

A4正四面體形60°非極性非極性P4

AB平面三角形120°極性非極性BF

33SSO3

AB三角錐形力。極性極性NH3、NJ

3120

正四面體形f極性非極性、

AB4109°28CH4cci4

四面體形極性極性

AB3C=109°28'CH3C1、CHJ

AB2c2四面體形,109°28'極性極性CH2cL

直線三角形形四面體三角錐形

VVH2O

5.理解原子晶體的特性，能描述金剛石、二氧化硅等原子晶體的構(gòu)造與性質(zhì)的關(guān)系.

(1).原子晶體：所有原子間通過(guò)共價(jià)鍵結(jié)合成曰勺晶體或相鄰原子間以共價(jià)鍵相結(jié)合而形成空間立體網(wǎng)狀構(gòu)

造日勺晶體.

⑵.經(jīng)典日勺原子晶體有金剛石（C\晶體硅（Si）、二氧化硅（Sio2）.

金剛石是正四面體日勺空間網(wǎng)狀構(gòu)造，最小日勺碳環(huán)中有6個(gè)碳原子，每個(gè)碳原子與周?chē)膫€(gè)碳原子形成四個(gè)共

價(jià)鍵;晶體硅口勺構(gòu)造與金剛石相似；二氧化硅晶體是空間網(wǎng)狀構(gòu)造，最小日勺環(huán)中有6個(gè)硅原子和6個(gè)氧原子,

每個(gè)硅原子與4個(gè)氧原子成鍵，每個(gè)氧原子與2個(gè)硅原子成鍵.

（3）.共價(jià)鍵強(qiáng)弱和原子晶體熔沸點(diǎn)大小日勺判斷:原子半徑越小，形成共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)越短，共價(jià)鍵日勺鍵能越大,

其晶體熔沸點(diǎn)越高.如熔點(diǎn):金剛石>碳化硅