2024車規(guī)級存儲控制芯片

車規(guī)級存儲控制芯片II目 次1范引文件 1語定義 1本求 1術求 3驗法 3驗則 4志包、輸存 511車規(guī)級存儲控制芯片范圍本文件適用于存儲控制芯片的生產制造及檢驗。（GB/T191 GB/T2423.1—2008電工電子產品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗A：低溫GB/T2423.2—2008電工電子產品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗B：高溫GB/T2423.3環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗Cab：恒定濕熱試驗GB/T2423.4電工電子產品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗Db：交變濕熱（12h＋12h循環(huán)）GB/T2423.10環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗Fc:振動（正弦）GB/T2423.56環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗Fh：寬帶隨機振動和導則GB/T4857.5包裝運輸包裝件跌落試驗方法GB/T9254.1信息技術設備、多媒體設備和接收機電磁兼容第1部分：發(fā)射要求GB/T17626.2—2018 AEC-Q100 JESD22-A103 JESD22-A104溫度循環(huán)JESD22-A108 JESD22-A110 JESD22-A113 JESD22-A118 JESD22-B100物理尺寸本文件沒有需要界定的術語和定義。車規(guī)級級別AEC-Q100-Rev-H(Grade2——早期壽命失效率ELFR；——非易失存儲器耐久性，數據保持性和工作壽命EDR；——邦線剪切WBS；——焊球剪切SBS；——應力試驗前后電測試TEST；——靜電放電人體模型HBM；——靜電放電充電器件模型CDM；22——閂鎖效應LU。JESD22-A113JESD22-A110JESD22-A118JESD22-A104JESD22-A103JESD22-A108JESD22-B100SATA接口SATA3.2SATA2.0SATA1.06Gb/sSATANCQ32SATATRIM。S.M.A.R.T。2848LBANAND閃存支持ONFI3.xToggle2.01x/1y/1znm3DMLC/TLCNAND1.8V/3.3VFlash1O4K、8K16K416CE。數據可靠性2KLDPC。DSP。40/KBBCHCRCRAID硬件32RISC64JTAG,UART(RS-232),SPIeFuse334.6.1 (ISP)。包裹144ballTFBGA。RoHS外觀結構存儲芯片應能順利連接具備相應接口卡槽的設備，接口銜接順暢并且無卡住現象。出現非法斷電或誤操作斷開連接的情況下，不會對存儲芯片內已有的數據造成破壞。容量可用容量應達到標稱容量的90%以上。2.35V～3.6V3μA38mA。應符合GB/T17626.2—2018等級3的要求。應符合GB/T9254.1的要求。產品在以下環(huán)境條件下應能正常工作，試驗后產品外觀結構應無明顯變化：85-404093除氣候環(huán)境適應性試驗外，其他試驗在下述標準大氣壓條件下進行，并應符合以下要求：a) 溫度：15℃～3530RH～75RH；86kPa～106kPa。44用目測法和檢測工具進行外觀和結構檢查。通過檢測工具以及目測法進行試驗。按照GB/T17626.2規(guī)定的試驗方法進行。按GB/T9254.1規(guī)定的試驗方法進行。按GB/T2423.1—2008Ae16h2h4093396h，按GB/T2423.3規(guī)定的方法進行。工作狀態(tài)下，在溫度55℃，按GB/T2423.4規(guī)定的方法進行交變濕熱，循環(huán)數為2個循環(huán)。按GB/T2423.2—2008Be16h2h按GB/T2423.10、GB/T2423.56規(guī)定的方法進行。按GB/T4857.5規(guī)定的方法進行。受試樣品須進行初始檢驗。試驗后檢查存儲芯片的損壞情況，并對受試樣品進行外觀和結構的檢查及寫入速度和存儲容量測試。將存儲芯片在適用設備上進行擦寫檢測100000次，試驗后，檢查產品結構是否損壞、產品能否正常讀寫。檢驗分類產品檢驗分為出廠檢驗和型式檢驗。組批以同一工藝、同一原輔材料生產的同一規(guī)格產品為一組批。出廠檢驗552626GB/T2828.1II6.51表1 抽樣案批量范圍樣本大小接收數（Ac）拒收數（Re）26～5081251～90132391～1502034151～2803256281～5005078501～1200801011型式檢驗12標志GB/T191包裝運輸產品在運輸