半導(dǎo)體器件 分立器件 第4部分：微波二極管和晶體管 編制說明

1目是國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會下達(dá)的2023年國家標(biāo)準(zhǔn)計劃項目，計劃項目編號準(zhǔn)化技術(shù)委員會分立器件分標(biāo)委（SAC/TC/78/SC1）歸口，主要承辦單位為中國《半導(dǎo)體器件分立器件第4部分：微波器件》，對微波二極管和晶體管產(chǎn)品以及具有多年標(biāo)準(zhǔn)編制經(jīng)驗的標(biāo)準(zhǔn)化工作人員和標(biāo)準(zhǔn)化專家。編制組對IEC2異和技術(shù)水平對比。最好采用分條分別加以闡述，即：]本標(biāo)準(zhǔn)為GB/T20516-2006《半導(dǎo)體器件分立器件第4部分：微波器件》devices-Discretedevices-Part4:Micr慮中”?，F(xiàn)IEC標(biāo)準(zhǔn)有效版本為IEC60747-4Ed2.1：2017，與Ed1.0相比，微波在IEC60747-4Ed2.1：2017中，微波二極管類別不全，對于目前仍有市場需求的二極管產(chǎn)品，如PIN二極管、檢波二極管、噪聲二級管等，需要對這部分本標(biāo)準(zhǔn)除對IEC60747-4Ed2.1：2017進(jìn)行編輯性修改之外，還對微波二極3極管、混頻二極管、檢波二極管、體效應(yīng)二極管、PIN二極管、噪聲二極管，對2.2確定檢波、PIN和噪聲類二極管12PIN二極管3品詳細(xì)規(guī)范中測試要求和用戶要求，參照IEC標(biāo)準(zhǔn)原文的結(jié)構(gòu)，對各參數(shù)規(guī)定了4規(guī)定了微波應(yīng)用中雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體和定義、基本額定值和特性、測試方法和驗規(guī)定了微波功率晶體管微波參數(shù)的測試方法。本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了雙極型和場效應(yīng)晶體管的術(shù)語和定GJB9150-2017規(guī)定了微波功率晶體管的微波參數(shù)小噪聲系數(shù)、最小噪聲系數(shù)下的源反射因子、等效GJB8125-2013界定的術(shù)語和定義適用于本標(biāo)（GJB8125-2013中的術(shù)語和定義：功率增益、功率增益平坦度、線性功率增益、線性功率增益平坦度、增益壓縮輸出功率、互調(diào)失真、截距點功率、諧波度、雜波抑制度、輸入回波損耗、輸出回波損耗、本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的術(shù)語和定義包含了微波晶體管的直流基本額定值和特性要求/一般要求本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了不同種類微波晶體管在不同應(yīng)用場合應(yīng)該規(guī)定的電特性參數(shù)，包括電學(xué)極限值、直流特性和射頻特性，可以給相關(guān)產(chǎn)品提供統(tǒng)一的參數(shù)指GJB9150-2017偏向于測試環(huán)境及對測試設(shè)備的相5）：集電極-發(fā)射極擊穿電壓、集電極-基極截止電流、發(fā)射極-基極截止電流、集電極-發(fā)射極截止電流、正向-管殼熱阻。射頻參數(shù)注：兩類晶體管大部分參數(shù)相同）輸出功率、1dB增益壓縮點輸出功率、1dB增益壓縮率增益、功率附加效率、噪聲系數(shù)、相關(guān)增益、聲系數(shù)、最小噪聲系數(shù)下的源反射因子、等效輸交調(diào)失真、截距點輸入和輸出功率（對于交調(diào)產(chǎn)功率變化量、相位一致性、雜波抑制度和二次諧波定了射頻特性參數(shù)的測試方法，本標(biāo)準(zhǔn)則規(guī)定了直流參數(shù)和射頻參數(shù)兩類參數(shù)的測試方法。兩類標(biāo)準(zhǔn)6a)文件名稱由《半導(dǎo)體器件分立器件第4部分：微波器件b)對微波二極管的分類進(jìn)行了調(diào)整，增加了PIN二極管、噪聲二極管，刪7半導(dǎo)體器件分立器件第4部分：微波第Ⅱ篇變?nèi)荻O管、階躍二極管第2節(jié)階躍二極管和肖特基二極管3.1概述：修訂了變?nèi)荻O管的用途，修訂前變?nèi)荻O管用途：調(diào)諧、諧波倍頻、開關(guān)（包括限幅）、參量放大；現(xiàn)為：電調(diào)諧、變頻器、3.4測試方法：對反向電流、正向電壓、總電容、品質(zhì)因素、串聯(lián)電阻瞬態(tài)熱阻測試電路、測試方法進(jìn)行了修訂，采用目前通用的測試電路和測試方法，替代原版文件中的測4階躍二極管：將階躍二極管單獨列一節(jié)，刪除了肖特基二極管的相關(guān)描述（混頻二極管和檢波二極管為肖特基勢壘二極管，相關(guān)指標(biāo)、電路圖和測試方法在混頻二極管和檢5混頻二極管：將混頻二極管單獨列為一節(jié)，刪除“雷達(dá)用混頻二極管”和通信用混頻86檢波二極管：新增檢波二極管章節(jié)，規(guī)定了檢波二極管的概述、術(shù)語和定義、文字符6.2術(shù)語和定義：總電容Ct、正向電壓VF、反向電流IR、反向擊穿電無7.4測試方法：新增熱阻和微波輸出功率、頻率、效率、頻譜純98.4測試方法：新增超噪比ENR測試漏極效率、噪聲系數(shù)、最小噪聲系數(shù)下的源反射因子、最高振蕩頻率、特征頻率、電流新增直流特性：漏-源短路的柵極電流、柵-漏擊穿于交調(diào)產(chǎn)物）或交調(diào)失真、漏極效率、負(fù)載失配容限、源失配容限、負(fù)載失配新增射頻參數(shù)測試方法：S參數(shù)、特征頻率、電流傳輸比為1的頻率、最大穩(wěn)態(tài)增益、插新增驗證方法：負(fù)載失配容限、源失配容限、負(fù)載失2接收試驗的判定失效的特性和12.2接收試驗的判定失效的特性和失3可靠性試驗的判定失效的特性12.3可靠性試驗的判定失效的特性和三、試驗驗證的分析、綜述報告，技術(shù)經(jīng)濟論證，預(yù)期的經(jīng)濟效益、社會該標(biāo)準(zhǔn)為微波二極管和晶體管產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，廣泛用于微波二極管和晶體管研靠性直接影響工程質(zhì)量。通過對GB/T20516-2006的修訂，進(jìn)一步完善了微波二20516為產(chǎn)品基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)，可以為微波分立器件類產(chǎn)品提供統(tǒng)一的測試參數(shù)、測試本標(biāo)準(zhǔn)修改采用IEC60747-4Ed2.1：2017《Semiconductordevices-60747-4Ed2.1：2017相比，標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和技術(shù)內(nèi)容對比1波二極管、PIN二極管和2GB/T4587-2023（IEC60747-7:2017）3對二極管重新分類并增注：IEC新版中，微波二極管部分除章條號修改45678PIN二極管9與IEC標(biāo)準(zhǔn)中第7章內(nèi)容與IEC標(biāo)準(zhǔn)中第8章內(nèi)容五、以國際標(biāo)準(zhǔn)為基礎(chǔ)的起草情況，以及是否合規(guī)引用或者采用國際國外本標(biāo)準(zhǔn)修改采用IEC607