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文檔簡介
BOOST電路手冊筆記
1.1概述
BOOST電路:theboostconverter,或者叫step-upconverter,
是一種開關(guān)直流升壓電路,它可以使輸出電壓比輸入電壓高。
在實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常會涉及到升壓電路的設(shè)計(jì),對于較大的功
率輸出,如70W以上的DC/DC升壓電路,由于專用升壓芯片
內(nèi)部開關(guān)管的限制,難于做到大功率升壓變換,而且芯片的價(jià)格
昂貴,在實(shí)際應(yīng)用時(shí)受到很大限制。考慮到Boost升壓結(jié)構(gòu)外接
開關(guān)管選擇余地很大,選擇合適的控制芯片,便可設(shè)計(jì)出大功輸
出的DC/DC升壓電路。
1.2BOOST電路的基本工作方式
1.2.1BOOST電路的基本框圖,如圖1.1
圖1.1
1.2.2BOOST電路的基本工作方式
如圖1.1,采用恒頻控制方式,占空比可調(diào),Q導(dǎo)通時(shí)間為
TONOMOSFETQ導(dǎo)通時(shí)為電感充電過程,MOSFETQ關(guān)斷時(shí),
為電感放電過程。
①M(fèi)OSFETQ導(dǎo)通時(shí),等效模型如圖1.2o輸入電壓Vdc流
過電感L。二極管D防止電容C對地放電。由于輸入是直流電,
所以電感L上的電流以一定的比率線性增加,這個(gè)比率跟電感大
小有關(guān)。隨著電感電流漕加,電感里儲存了一些能量。
圖1.2
②MOSFETQ關(guān)斷時(shí),等效模型如圖1.3。由于電感L的電
流不能突變的特性,流經(jīng)電感的電流不會馬上變?yōu)?,而是緩慢
由充電完畢時(shí)的值變?yōu)?。而原來的電路已斷開,于是電感只能
通過新電路放電,即電感L開始給電容C充電,電容兩端電壓
升高,此時(shí)電壓已經(jīng)高于輸入電壓了。升壓完畢。
r—----?———r~^
圖1.3
123BOOST電路的波形分析,如圖1.3
注:L大于0,BOOST電路工作于連續(xù)模式,I.等于0,
BOOST電路工作于不連續(xù)模式。BOOST調(diào)整器最好作于不連續(xù)
模式。
MOSFETQ導(dǎo)通時(shí),VD點(diǎn)接地,(假設(shè)MOSFET導(dǎo)通,
壓降為0)電壓為0V,因?yàn)檩斎腚妷汉愣╒A,所以電感兩端承受
的電壓為(Vdc-0)=Vdc為一個(gè)恒定值,因此流經(jīng)電感的電流線性上
升,其斜率為AI/4=vdc〃,L為電感量,此時(shí)電感內(nèi)部的電流變
化如圖1.4(e)所示的上升斜坡,而MOSFET內(nèi)部的電流如圖
1.4(c)所示。
MOSFETQ關(guān)斷時(shí),由于電感電流不能突變的特性,電感
兩端的電壓極性顛倒,看作一個(gè)電源,和輸入電壓VA極性一致,
這樣,電路相當(dāng)于兩個(gè)電源串聯(lián),流經(jīng)二極管D,給電容C充電。
因?yàn)閮蓚€(gè)串聯(lián)電源的總電壓必然高于其中一個(gè)電源輸入電
壓Vdc高,以此輸出電壓便會升高,且高于輸入電壓VA。
二極管的電流變化如圖L4(d),電感電流的變化如圖1.4
(e)
圖1.3
1.2.4BOOST電路的三種工作模式:連續(xù)工作模式,臨界工作
模式和不連續(xù)工作模式。
BOOST電路的工作模式取決于BOOST電路中電感的工
作模式,體現(xiàn)為電感電流II的變化。如圖(a)、(b)、(c)。
v
圖(a)連續(xù)工作模式
圖(b)臨界工作模式
圖(c)不連續(xù)工作模式
圖(a)電感II電流從上一個(gè)周期的關(guān)斷狀態(tài)進(jìn)入下一個(gè)周
期的導(dǎo)通時(shí),電感電流并未下降為0V,為連續(xù)工作模式;
圖(b)電感II電流從上一個(gè)周期的關(guān)斷狀態(tài)進(jìn)入下一個(gè)周
期的導(dǎo)通時(shí),電感電流哈好下降為0V,為臨界工作模式;
圖(c)電感II電流從上一個(gè)周期的關(guān)斷狀態(tài)進(jìn)入下一個(gè)周
期的導(dǎo)通之前,電感電流已經(jīng)下降為0V,為不連續(xù)工作模式。
1.3BOOST電路的仿真測試
1.3.1BOOST電路的仿真測試(使用軟件PSIM)
①BOOST電路(連續(xù)工作模式)的仿真測試
1、BOOST電路(連續(xù)工作模式)仿真原理圖如圖1.5
圖1.5
2、BOOST(連續(xù)工作模式)仿真電路波形如圖1.6
圖1.6
②BOOST電路(臨界工作模式)的仿真測試
1、BOOST電路(臨界工作模式)原理圖如圖1.7
舊l?l,I'閶川?僮?小|)|,中,|/QIO際川卬川口1??—Aliiy|I
Id
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wimubtiocControlioo?aiiiiiiiiiiii
圖1.7
2、BOOST電路(臨界工作模式)波形如圖L8
|5->10三仁小Xrmm
Ready
圖1.8
③BOOST電路(不連續(xù)工作模式)的仿真測試
1、BOOST電路(不連續(xù)工作模式)仿真原理圖如圖1.9
3PSIM-(CAUsers\8t&Bl£\De$ktop\BOO$T4?irmch-)-
ISdEdhVUwSubdrcuhEkwwtsSimul"OptiomVrtftdowhWpx
□修0?1〃x|01MH/QI詆aiaalDlA|Q“illK
圖1.9
\T->V4JtAZUV?XmaixiIpSno
fU峙
圖1.10
1.4BOOST電路(不連續(xù)模式)的實(shí)物設(shè)計(jì)
1.4.1設(shè)計(jì)要點(diǎn):
1、變壓器電感的計(jì)算;
2、MOSFET的選取;
3、二極管的選?。?/p>
4、輸出電容的選?。?/p>
5、PWM波的發(fā)生和電流放大電路;
6、反饋閉環(huán)的設(shè)計(jì)。
1.4.2參數(shù)具體計(jì)算
輸入電壓VA,輸出電壓匕,最大輸出功率P(或者負(fù)載最大
電流/?),恒頻模式f,紋波電壓V”已知。
1、變壓器電感的計(jì)算;
由前面分析,已知BOOST電路要工作于不連續(xù)模式,必須
在一個(gè)周期結(jié)束前電感電流%減小到0,可是設(shè)計(jì)電路時(shí)為了避
免負(fù)載的波動進(jìn)入連續(xù)模式,我們一般提前20%T的時(shí)間讓電感
電流%減小到0.如圖1.11,均有20%的死區(qū)裕度。死區(qū)時(shí)間為驍
(deadtime)
圖1.11
當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時(shí),電感的電流線性上升,其斜率為
AI/4=Vdc/L,L為電感量,單位為H。W/c?單位V,AZ單位A
峰值為A/二苧心(1.1)
電感儲能為E=(1.2)
既然在一個(gè)周期結(jié)束前電感電流IQ減小到0,一個(gè)周期內(nèi)那
么電感將儲存的所有能量都供給了負(fù)載,那么電感傳輸?shù)哪芰繛?/p>
電感的功率=E=1L*AZ2*1(1.3)
當(dāng)MOSFET關(guān)斷時(shí),由圖1.3等效模型可知,在關(guān)斷期
間(7-心),輸入電壓VA流經(jīng)電感L和二極管D,以同樣的電
流及(等于電感電流的有效值)給負(fù)載提供能量,
根據(jù)等面積法,電感電流的有效值為(有20%的死區(qū)裕度)
2008
/£,皿*=1—%^」*“^^(1.4)
2T-TON2T-TON
電(1.5)
那么輸送到負(fù)載的總功率為尸=電,+2
化簡得:?=0.4*%*T°N(1.6)
L
又因?yàn)樾?用竺*o.8r(留有20%的死區(qū)裕度)(1.7)
Vo
因?yàn)镻,Vdc,Vo,T(f)已知,所以電感值為
Ydc~
L=0.^—(1.8)
2、MOSFET的選取;
主要參數(shù):(1)最大漏極源極電壓(Drain-SourceVoltage)
(2)連續(xù)漏極電流(ContinuousDrainCurrent)
(3)導(dǎo)通內(nèi)阻RDS{0N)(StaticDrain-SourceOn-State
Resistance)盡可能小,減少損耗。
(1)最大漏極源極電壓由BOOST電路的輸出電壓外決定的;
(2)連續(xù)漏極電流由MOSFET的工作峰值電流決定。由式(1.1)
可知△/=苧G
(3)導(dǎo)通內(nèi)阻時(shí)s(g是取決于選取的MOSFET本身,與BOOST
電路無關(guān),可以通過查找芯片手冊datasheet中的%“叫。
3、二極管的選取;
主要參數(shù):(1)反向重復(fù)峰值電壓Vrrm(Repetitivepeakreverse
voltage);
(2)最大整流電流(平均值)/。(Maximumaverage
forwardrectifiedcurrent)
(3)反向恢復(fù)時(shí)間TIT(ReverseRecoveryTime)
(1)反向重復(fù)峰值電壓Vrrm由BOOST電路的輸出電壓
歷決定的;
(2)最大整流電流(平均值)由續(xù)流二極管的工作峰
值電流決定,由圖1.4(c)(d)可知,續(xù)流二極管的峰值電流
和MOSFET的工作峰值電流一致,計(jì)算方法一致,為△1苧分
(3)反向恢復(fù)時(shí)間Trr由續(xù)流二極管的工作頻率f決定。
4、輸出電容的選取;
主要參數(shù):(1)耐壓值;(2)容值。
(1)耐壓值由BOOST電路的輸出電壓歷決定的;
(2)容值根據(jù)設(shè)計(jì)要求的紋波電壓07?來確定。原理在BUCK
中已詳細(xì)分析。由式(1.1)可知△/=苧小,再根據(jù)式(1.9)、
(1.10)就可以計(jì)算出電解電容的C。
R0=也(1.9)
°A7
再由q二竿小(1.10)
5、波的發(fā)生和電流放大電路以及反饋閉環(huán)的電路,比較繁多,
可以通過硬件和軟件來實(shí)現(xiàn),請參考BUCK電路,不再詳述。
1.4.3設(shè)計(jì):輸入電壓Vdc=12V,設(shè)定輸入頻率f=25KHz,輸出電
壓Vo=48V,額定負(fù)載電流ION=2A,工作于不連續(xù)工作模式下,
且要求負(fù)載為10%額定負(fù)載時(shí),紋波電壓小于250mV。
解:
1、變壓器電感的計(jì)算;
P=Vo^ION=96W
由式(1.7)"=*08T得三=2.4*10%
Vo
由式(1.8)L=0.4*—^TON得L=14.4〃H
2、MOSFET的選??;
MOSFET的工作峰值電流由式(1.1)M-T
LON
可得AZ=20A,
輸出電壓V0=48V,
因此選擇MOSFET管75NF75,
MOSFET管75NF75參數(shù):最大漏極源極電壓為
75V>V0=48V
連續(xù)漏極電流為80A>20A,
75NF75MOSFET的內(nèi)阻即“由=95”。,因此功耗非常小。
3、二極管的選取;
續(xù)流二極管的工作峰值電流和MOSFET的工作峰值電流一
致,得:A/=20Ao
反向重復(fù)峰值電壓Vrrm由BOOST電路的輸出電壓%決定
的輸出電壓V0=48V,
開關(guān)頻率為f=25KHz.
因此選取兩個(gè)MBR20100肖特基二極管并聯(lián)。
MBR20100肖特基二極管參數(shù):最大整流電流(平均值)I。為
20A,2*20A=40A>AZ=20A
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