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文檔簡介
電子技術(shù)基礎(chǔ)知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋中山大學(xué)緒論單元測試
電路基礎(chǔ)是電學(xué)相關(guān)技術(shù)分析和定量計(jì)算的基礎(chǔ)理論。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)
第一章單元測試
兩個(gè)阻值相同的電阻器串聯(lián)后的等效電阻與并聯(lián)后的等效電阻之比是()。
A:2:1B:l:4C:l:2D:4:1
答案:4:1有一段160Ω的導(dǎo)線,把它們對(duì)折起來作為一條導(dǎo)線用,其電阻是()。
A:169B:320C:80D:40
答案:40電路中兩點(diǎn)間的電壓高,則()。
A:兩點(diǎn)的電位一定為負(fù)B:兩點(diǎn)間的電位差大C:兩點(diǎn)的電位高D:兩點(diǎn)的電位一定為正
答案:兩點(diǎn)間的電位差大圖示電路中,A、B端電壓U=()。
A:-2VB:2VC:-1VD:3V
答案:-2V下圖中電流I為()。
A:1AB:2A.C:-1AD:-2A
答案:1A
圖a)所示電路的戴維南等效電路為圖b)中的()。
A:B:C:D:
答案:3kΩ的電阻中通過2mA的電流,試問電阻兩端的電壓是()。
A:1.5VB:10VC:6VD:6mV
答案:6V
第二章單元測試
一個(gè)電熱器,接在10V的直流電源上,產(chǎn)生的功率為P。把它改接在正弦交流電源上,使其產(chǎn)生的功率為P/2,則正弦交流電源電壓的最大值為()。
A:5VB:10VC:7.07VD:14V
答案:10V我國交流電的周期為()秒。
A:0.212B:0.1C:0.01D:0.02
答案:0.02通過電感L的電流為iL=6√2sin(200t+30°)A,則電源的頻率約等于()。
A:200HzB:628HzC:100HzD:31.8Hz
答案:31.8Hz在電感性負(fù)載兩端并聯(lián)一定值的電容,以提高功率因素,下列說法正確的是()。
A:減少負(fù)載的有功功率B:減少負(fù)載的無功功率C:減少線路的功率損耗D:減少負(fù)載的工作電流
答案:減少線路的功率損耗在三相四線制供電系統(tǒng)中,相電壓為線電壓的()。
A:√2倍B:1/√3倍C:√3倍D:1/√2倍
答案:1/√3倍
第三章單元測試
在一個(gè)由電源、電阻、電感、開關(guān)組成的電路中,在開關(guān)閉合瞬間,電感上最可能出現(xiàn)的現(xiàn)象是()。
A:電感電流非常大B:電感電流為零C:電感電壓非常大D:電感電壓為零
答案:電感電流為零串聯(lián)電源、電容、電阻、開關(guān)的電路,開關(guān)閉合瞬間,下列說法正確的是()。
A:電容上的電壓不變B:電容上的電流不變C:電阻上的電壓不變D:流過電阻的電流不變
答案:電容上的電壓不變下列關(guān)于一階RC電路暫態(tài)響應(yīng)的說法中錯(cuò)誤的為()。
A:己儲(chǔ)能的電容放電過程屬于零輸入響應(yīng)。B:在電源激勵(lì)下電容的放電過程屬于全響應(yīng)。C:對(duì)未儲(chǔ)能的電容充電過程屬于零輸入響應(yīng)。D:對(duì)具有初始儲(chǔ)能的電容充電過程屬于全響應(yīng)。
答案:對(duì)未儲(chǔ)能的電容充電過程屬于零輸入響應(yīng)。對(duì)于一階RL電路,其時(shí)間常數(shù)是()。
A:R/LB:LC:R*LD:L/R
答案:L/R
一階RC電路中,開關(guān)閉合后,則電容電壓的穩(wěn)態(tài)值為()。
A:小于U1B:大于U1C:0D:等于U1
答案:0
第四章單元測試
半導(dǎo)體二極管加正向電壓時(shí),有()。
A:電流大電阻小B:電流小電阻大C:電流大電阻大D:電流小電阻小
答案:電流大電阻小PN結(jié)正向偏置時(shí),其內(nèi)電場被()。
A:不確定B:削弱C:增強(qiáng)D:不變
答案:削弱半導(dǎo)體穩(wěn)壓二極管正常穩(wěn)壓時(shí),應(yīng)當(dāng)工作于()。
A:反向偏置未擊穿狀態(tài)B:反向偏置擊穿狀態(tài)C:正向偏置未導(dǎo)通狀態(tài)D:正向偏置導(dǎo)通狀態(tài)
答案:反向偏置擊穿狀態(tài)在本征半導(dǎo)體中摻入()構(gòu)成P型半導(dǎo)體。
A:6價(jià)元素B:5價(jià)元素C:4價(jià)元素D:3價(jià)元素
答案:3價(jià)元素三極管飽和工作狀態(tài)時(shí),兩個(gè)PN結(jié)的偏置狀態(tài)是()。
A:集電結(jié)反偏,發(fā)射結(jié)反偏B:集電結(jié)正偏,發(fā)射結(jié)反偏C:集電結(jié)正偏,發(fā)射結(jié)正偏D:集電結(jié)反偏,發(fā)射結(jié)正偏
答案:集電結(jié)正偏,發(fā)射結(jié)正偏
第五章單元測試
某放大電路在負(fù)載開路時(shí)的輸出電壓為4V,接入12kΩ的負(fù)載電阻后,輸出電壓降為3V,這說明放大電路的輸出電阻為()。
A:3KΩB:2kΩC:10kΩD:4kΩ
答案:4kΩ測量放大電路中某三極管各電極電位分別為6V、2.7V、2V,(見圖所示)則此三極管為()。
A:NPN型硅三極管B:PNP型鍺三極管C:NPN型鍺三極管D:PNP型硅三極管
答案:NPN型硅三極管畫三極管放大電路的小信號(hào)等效電路時(shí),直流電壓源Vcc應(yīng)當(dāng)()。
A:保留不變B:電流源C:開路D:短路
答案:短路有兩個(gè)放大倍數(shù)相同,輸入電阻和輸出電阻不同的放大電路A和B,對(duì)同一個(gè)具有內(nèi)阻的信號(hào)源電壓進(jìn)行放大。在負(fù)載開路的條件下,測得A放大器的輸出電壓小,這說明A的()。
A:輸入電阻小B:輸入電阻大C:輸出電阻小D:輸出電阻大
答案:輸入電阻小與甲類功率放大方式比較,乙類OCL互補(bǔ)對(duì)稱功放的主要優(yōu)點(diǎn)是()。
A:不用輸出端大電容B:無交越失真C:不用輸出變壓器D:效率高
答案:效率高
第六章單元測試
集成運(yùn)算放大器構(gòu)成的反相比例運(yùn)算電路的一個(gè)重要特點(diǎn)是()。
A:電壓串聯(lián)負(fù)反饋B:輸入電阻大C:電流并聯(lián)負(fù)反饋D:反相輸入端為虛地
答案:反相輸入端為虛地下列對(duì)集成電路運(yùn)算放大器描述正確的是()。
A:是一種低電壓增益、高輸入電阻和低輸出電阻的多級(jí)直接耦合放大電路B:是一種高電壓增益、高輸入電阻和高輸出電阻的多級(jí)直接耦合放大電路C:是一種高電壓增益、高輸入電阻和低輸出電阻的多級(jí)直接耦合放大電路D:是一種高電壓增益、低輸入電阻和低輸出電阻的多級(jí)直接耦合放大電路
答案:是一種高電壓增益、高輸入電阻和低輸出電阻的多級(jí)直接耦合放大電路文氏橋振蕩器中的放大電路電壓放大倍數(shù)()才能滿足起振條件。
A:>3B:為3時(shí)C:為1/3時(shí)D:>1/3
答案:>3LC正弦波振蕩器電路的振蕩頻率為()Hz。
A:B:C:D:
答案:對(duì)于基本積分電路,當(dāng)其輸入為矩形波時(shí),其輸出電壓U_0的波形為()。
A:鋸齒波B:正弦波C:矩形波D:正負(fù)尖脈沖
答案:鋸齒波
第七章單元測試
在單相橋式整流電路中,若有一只整流管接反,則()。
A:輸出電壓約為2UDB:變?yōu)榘氩ㄕ鰿:輸出電壓約為UD/2D:整流管將因電流過大而燒壞
答案:整流管將因電流過大而燒壞直流穩(wěn)壓電源中濾波電路的目的是()。
A:將交流變?yōu)橹绷鰾:將高頻變?yōu)榈皖lC:將交、直流混合量中的交流成分濾掉D:保護(hù)電源
答案:將交、直流混合量中的交流成分濾掉若要組成輸出電壓可調(diào)、最大輸出電流為3A的直流穩(wěn)壓電源,則應(yīng)采用()。
A:電感濾波串聯(lián)型穩(wěn)壓電路B:電容濾波串聯(lián)型穩(wěn)壓電路C:電感濾波穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路D:電容濾波穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路
答案:電感濾波串聯(lián)型穩(wěn)壓電路在脈寬調(diào)制式串聯(lián)型開關(guān)穩(wěn)壓電路中,為使輸出電壓增大,對(duì)調(diào)整管基極控制信號(hào)的要求是()。
A:周期不變,占空比增大B:頻率增大﹐占空比不變C:頻率減小,占空比不變D:周期不變,占空比減小
答案:周期不變,占空比增大穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在()。
A:反向截止B:反向擊穿C:正向?qū)―:正向截至
答案:反向擊穿
第八章單元測試
TTL數(shù)字集成電路與CMOS數(shù)字集成電路相比突出的優(yōu)點(diǎn)是()。
A:微功耗B:高抗干擾能力C:電源范圍寬D:高速度
答案:高速度已知邏輯函數(shù)Y=AB+AC?+B?C,與其相等的函數(shù)為()。
A:AB+B?CB:AB+CC:ABD:AB+AC?
答案:AB+C以下表達(dá)式中符合邏輯運(yùn)算法則的是()。
A:0<1B:C:1+1=10D:A+1=1
答案:A+1=1當(dāng)邏輯函數(shù)有n個(gè)變量時(shí),共有()個(gè)變量取值組合。
A:2nB:C:nD:
答案:A+BC=()。
A:A+CB:B+CC:A+BD:(A+B)(A+C)
答案:(A+B)(A+C)
第九章單元測試
請(qǐng)判斷以下哪個(gè)電路是組合邏輯電路()。
A:觸發(fā)器B:寄存器C:計(jì)數(shù)器D:譯碼器
答案:譯碼器下列說法不正確的是()。
A:集電極開路的門稱為0C門B:三態(tài)門輸出端有可能出現(xiàn)三種狀態(tài)(高阻態(tài).高電平.低電平)C:OC門輸出端直接連接可以實(shí)現(xiàn)正邏輯的線或運(yùn)算D:利用三態(tài)門電路可實(shí)現(xiàn)雙向傳輸
答案:OC門輸出端直接連接可以實(shí)現(xiàn)正邏輯的線或運(yùn)算已知74LS138譯碼器的輸入三個(gè)使能端(E1=1,E2A=E2B=0)時(shí),地址碼A2A1A0=011,則輸出Y7~Y0是()。
A:11110111B:11111111C:11111101D:10111111
答案:11111111函數(shù)F=AB+BC,使F=1的輸入ABC組合為()。
A:ABC=000B:ABC=110C:ABC=101D:ABC=010
答案:ABC=110以下說法錯(cuò)誤的是()。
A:實(shí)現(xiàn)兩個(gè)一位二進(jìn)制數(shù)和來自低位的進(jìn)位相加的電路叫全加器B:實(shí)現(xiàn)兩個(gè)一位二進(jìn)制數(shù)相加的電路叫全加器C:編碼器可分為普通全加器和優(yōu)先編碼器D:數(shù)字比較器可以比較數(shù)字大小
答案:實(shí)現(xiàn)兩個(gè)一位二進(jìn)制數(shù)相加的電路叫全加器
第十章單元測試
T觸發(fā)器中,當(dāng)T=1時(shí),觸發(fā)器實(shí)現(xiàn)()功能。
A:保持B:置0C:計(jì)數(shù)D:置1
答案:計(jì)數(shù)指出下列電路中能夠把串行數(shù)據(jù)變成并行數(shù)據(jù)的電路應(yīng)該是()。
A:JK觸發(fā)器B:移位寄存器C:十進(jìn)制計(jì)數(shù)器D:3/8線譯碼器
答案:移位寄存器要將方波脈沖的周期擴(kuò)展10倍,可采用()
A:10位D/A轉(zhuǎn)換器B:10級(jí)施密特觸發(fā)器C:十進(jìn)制計(jì)數(shù)器D:10位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器
答案:十進(jìn)制計(jì)數(shù)器電路如圖所示,Qn+1=A+Qn電路為()。
A:B:C:D:
答案:
TTL主從JK觸發(fā)器電路如下圖所示,初態(tài)為0,已知CP,A,B和SD的波形,請(qǐng)判斷Q的波形,它為(A),(),(C),(D)中的()。
A:B:C:D:
答案:
第十一章單元測試
為構(gòu)成4096×4的ROM,需要多少片1024×1的ROM,并且需要有多少位地
址譯碼以完成尋址操作()。
A:8片,10位B:10片,12位C:16片,14位D:16片,12位
答案:16片,12位一個(gè)6位地址碼、8位輸出的ROM,其存儲(chǔ)矩陣的容量為()位。
A:512B:256C:48D:64
答案:512只能按地址讀出信息,而不能寫入信息的存儲(chǔ)器為()。
A:ROMB:PROMC:RAMD:EPROM
答案:ROM存儲(chǔ)容量為8Kx8位的ROM存儲(chǔ)器,其地線為()條。
A:13B:12C:8D:14
答案:13數(shù)據(jù)最不容易丟失的存儲(chǔ)器是()。
A:ROMB:EPROMC:EEPROMD:FLASH
答案:ROM
第十二章單元測試
下列幾種A/D轉(zhuǎn)換器中,轉(zhuǎn)換速度最快的是()。
A:逐次漸進(jìn)型A/D轉(zhuǎn)換器B:計(jì)數(shù)型A/D轉(zhuǎn)換器C:并行A/D轉(zhuǎn)換器D:雙積分A/D轉(zhuǎn)換器
答案:并行A/D轉(zhuǎn)換器一個(gè)八位D/A轉(zhuǎn)換器的最小電壓增量為0.01V,當(dāng)輸入代碼為10010001時(shí),輸出電壓為()V。
A:1.56B:1.54C:1.45D:1.28
答案
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