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文檔簡(jiǎn)介
微粒間作用力與物質(zhì)性質(zhì)-2025屆高中化學(xué)一輪復(fù)習(xí)特訓(xùn)
一、單選題
1.已知:N2(g)+3H2(g)^^2NH3(g)AH=-92.4kJ/molo若斷裂ImolH—H、
ImolN-H需要吸收的能量分別為436kJ、391kJ,則斷裂lmolN=N需要吸收的能量為
()
A.431kJB.945.6kJC.649kJD.869kJ
2.X、Y、Z、W、R是原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素。Z、W的常見單質(zhì)是空
氣的主要成分,Y原子的最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的2倍,R和X同主族,RX為
離子化合物。下列說法正確的是()
A.簡(jiǎn)單離子半徑:R>Z>W
B.最簡(jiǎn)單氫化物的穩(wěn)定性:Y>Z>W
C.Y、Z的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性:Y>Z
D.W與R形成的化合物中可能含有共價(jià)鍵
3.鉆QCo)的一種氧化物在納米儲(chǔ)能領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(白球?yàn)?/p>
Co,黑球?yàn)镺)。已知該晶胞的晶胞參數(shù)為apm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列
A.該晶體的化學(xué)式為CoO
B.基態(tài)Co原子核外有3個(gè)未成對(duì)電子
C.與0原子最近且等距離的0原子有8個(gè)
D.該晶體的密度為If-cm-3
4.利用固體表面催化工藝進(jìn)行NO分解的過程如圖所示,下列說法不正確的是()
77777777T小士77777777T—777677廠77777777/77777777T
①②③④
A.NO屬于共價(jià)化合物
B.02含有非極性共價(jià)鍵
C.過程②釋放能量,過程③吸收能量
D.標(biāo)準(zhǔn)狀況下,NO分解生成H.2LN2轉(zhuǎn)移電子數(shù)約為2NA
5.某化合物的分子式為AB2,A屬VIA族元素,B屬VHA族元素,A和B在同一周
期,它們的電負(fù)性值分別為3.44和3.98,已知AB2分子的鍵角為103.3。。下列推斷不
正確的是()
A.AB2分子的空間構(gòu)型為“V”形
B.A-B鍵為極性共價(jià)鍵,AB2分子為非極性分子
C.AB?與H?。相比,AB?的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)比H2。的低
D.AB2分子中無氫原子,分子間不能形成氫鍵,而H2O分子間能形成氫鍵
6.下列說法正確的是:()
A.SO2與CO2的分子立體構(gòu)型均為直線形
B.H2O和NH3中的分子的極性和共價(jià)鍵的極性均相同
C.SiO2的鍵長(zhǎng)大于CO2的鍵長(zhǎng),所以SiO2的熔點(diǎn)比co2高
D.分子晶體中只存在分子間作用力,不含有其它化學(xué)鍵
7.下列圖示結(jié)構(gòu)中,屬于晶胞的是()
8.C。2捕獲和轉(zhuǎn)化可減少CQ排放并實(shí)現(xiàn)資源利用,原理如圖1所示。反應(yīng)①完成之
后,以生為載氣,將恒定組成的乂、CH4混合氣,以恒定流速通入反應(yīng)器,單位時(shí)
間流出氣體各組分的物質(zhì)的量隨反應(yīng)時(shí)間變化如圖2所示。反應(yīng)過程中始終未檢測(cè)到
co2,在催化劑上檢測(cè)到有積炭。下列說法不正確的是()
(
一
.ES
O?
E
E
)
曲
娟
姓
r
催化劑
A.反應(yīng)①為CaO+CO2-CaCC)3;CaCO3+CH,CaO+2CO+2H?
B.^min-^min,〃(凡)比“(CO)多,且生成H2的速率不變,推測(cè)有副反應(yīng)
催化劑
CH4C+2H2
C&min時(shí)刻,副反應(yīng)生成H2的速率大于反應(yīng)②生成H2的速率
D/min之后,生成CO的速率為0,是因?yàn)榉磻?yīng)②不再發(fā)生
9.NCL,和SiC1均可發(fā)生水解反應(yīng),其中NC"的水解機(jī)理示意圖如下:
ClClClH
,III+2H,0I
C—平+?―--C1-N-H與元6H-N-H
C1
°、H。…。、H
下列說法正確的是()
A.NC13和SiCl4均為極性分子B.NC13和NH3中的N均為sp?雜化
C.NC13和SiCl4的水解反應(yīng)機(jī)理相同D.NHC1,和NH3均能與H2O形成氫鍵
10.科學(xué)家合成了一種高溫超導(dǎo)材料,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法錯(cuò)誤的是()
A.晶體最簡(jiǎn)化學(xué)式為KCaB6c6
B.該晶體屬于分子晶體
C.晶體中與Ca最近且等距離的B有12個(gè)
D.晶體中C原子的雜化類型為sd
11.下列事實(shí)可用氫鍵解釋的是()。
A.氯氣易液化B.氨氣極易溶于水
C.HF比HI的酸性弱D.水加熱到很高的溫度都難以分解
12.下列關(guān)于。鍵和口鍵的說法中,錯(cuò)誤的是()
A.。鍵的電子云圖形是軸對(duì)稱的,口鍵的電子云圖形是鏡面對(duì)稱的
B.。鍵是原子軌道以“頭碰頭”方式重疊,n鍵是原子軌道以“肩并肩”方式重疊
C.兩個(gè)p軌道不能形成。鍵,只能形成門鍵
D.H只能形成。鍵,??梢孕纬?。鍵和口鍵
13.下列關(guān)于共價(jià)晶體、分子晶體的敘述中,不正確的是()
A.在Si。2晶體中,1個(gè)硅原子和4個(gè)氧原子形成4個(gè)共價(jià)鍵
B.混合晶體石墨的熔點(diǎn)高于金剛石
C.HI的相對(duì)分子質(zhì)量大于HF,所以HI的沸點(diǎn)高于HF
D.金剛石為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),由共價(jià)鍵形成的碳原子環(huán)中,最小環(huán)上最多4個(gè)碳原子共面
14.科學(xué)家合成了一種高溫超導(dǎo)材料,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,該立方晶胞參數(shù)為
?pmo阿伏伽德羅常數(shù)的值為NA。下列說法錯(cuò)誤的是()
A.晶體最簡(jiǎn)化學(xué)式為KCaB6c6
B.晶體中與K+最近且距離相等的Ca2+有8個(gè)
C.晶胞中B和C原子構(gòu)成的多面體有12個(gè)面
D.晶體的密度為21個(gè)1°32-3
皿
15.離子化合物Na2。?和CaH?與水的反應(yīng)分別為
@2Na2O2+2H2O-4NaOH+02T;②CaH?+2H2(D^Ca(OH)2+2凡T。下列說
法正確的是()
A.Na2O2^CaH2中均有非極性共價(jià)鍵
B.①中水發(fā)生氧化反應(yīng),②中水發(fā)生還原反應(yīng)
C.Na?。?中陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比為1:2,CaH2中陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比為2:1
D.當(dāng)反應(yīng)①和②中轉(zhuǎn)移的電子數(shù)相同時(shí),產(chǎn)生的。2和H2的物質(zhì)的量相同
16.全固態(tài)氟離子電池中的固態(tài)電解質(zhì)晶胞如圖。電池工作時(shí),H發(fā)生遷移。晶胞參
數(shù)越大,可供離子遷移的空間越大,越有利于離子傳輸。F位點(diǎn)空缺也可使離子傳輸
更加高效。下列說法不亞睥的是()
0cs
@Pb
。F
A.晶體中與Cs距離最近且相等的F有12個(gè)
B.該固態(tài)電解質(zhì)的化學(xué)式為CsPbE,
C.在Pb位點(diǎn)摻雜K,F位點(diǎn)將出現(xiàn)空缺
D.隨Pb位點(diǎn)摻雜K含量的增大,離子傳輸效率一定提高
二、多選題
17.下列說法不正確的是()
A.根據(jù)鑲與鋁在周期表中位置推斷,Be能與燒堿溶液反應(yīng)生成氫氣
B.水汽化和水分解兩個(gè)變化過程中都破壞了共價(jià)鍵
C.基態(tài)碳原子核外有三種空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子
D.用X-射線衍射實(shí)驗(yàn)區(qū)別晶體與非晶體
18.南京理工大學(xué)團(tuán)隊(duì)成功合成了能在室溫下穩(wěn)定存在的五氮陰離子鹽
(N5)6(H3O)3(NH4)4C1,五氮陰離子(NJ是制備全氮類物質(zhì)N;N?的重要中間體。下
列說法正確的是()
A.(N5)6(H3O)3(NH4)4Cl中含有離子鍵,屬于離子化合物
+
B.(N5)6(H3O)3(NH4)4Cl中的H3O與NH;含有的電子數(shù)不同
C.lmolN;N;中含有70mol電子
D.全氮類物質(zhì)N;N5中只含有離子鍵
19.下列敘述正確的是()
A.在Si。?晶體中,1個(gè)硅原子和2個(gè)氧原子形成2個(gè)共價(jià)鍵
B.分子晶體中一定存在共價(jià)鍵
C.Si月和SO;的中心原子均為sp3雜化,Si月分子呈正四面體形,SO:呈三角錐形
D.金剛石為共價(jià)鍵三維骨架結(jié)構(gòu),晶體中的最小環(huán)上有6個(gè)碳原子
20.物質(zhì)W常用作漂白劑和氧化劑,其構(gòu)成元素均為短周期主族元素,各元素原子半
徑與原子序數(shù)的關(guān)系如圖所示,實(shí)驗(yàn)室中常用CS?洗滌殘留在試管壁上的N單質(zhì),且
元素N與Z同主族。下列說法正確的是()
原
子
半
M+徑
W
A.X、Z形成的化合物X-Z-Z-X是非極性分子
B.Z、N與X形成的化合物X?Z、X?N的鍵角X2Z〉X?N
C.化合物W常用作氧化劑,不宜在高溫下使用
D.Z的氫化物的沸點(diǎn)一定大于Y的氫化物的沸點(diǎn)
21.含Cu、Zn、Sn及S的四元半導(dǎo)體化合物的四方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,以晶胞參數(shù)
為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中的原子位置,稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。圖中M原
311
子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(了,了,萬(wàn))。下列說法正確的是()
44o
A.圖中W原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(了1,3:弓5)
B.該半導(dǎo)體化合物的化學(xué)式為CuZnSnSs
C.Zn、Sn均位于S原子組成的八面體空隙中
D.基態(tài)S原子中兩種自旋狀態(tài)的電子數(shù)之比為7:9
三、填空題
22.元素周期表中,第四周期元素單質(zhì)及其化合物在化工生產(chǎn)和研究中有重要的應(yīng)
用。
(1)Ti能形成化合物[TiCl(H2(D)5]C12-旦。,該化合物中Ti3+的配位數(shù)為,
在該化合物中不含(填標(biāo)號(hào))。
A.cr鍵
B.兀鍵
C.配位鍵
D.離子鍵
E.極性鍵
F.非極性鍵
(2)在ZnO催化作用下,吠喃(G5)可與氨反應(yīng),轉(zhuǎn)化為此咯({J5),毗
°H
咯分子中所有原子共平面,已知大兀鍵可以用吃表示,其中機(jī)表示參與形成大兀鍵
的原子數(shù),〃代表大兀鍵中的電子數(shù),則哦咯中大兀鍵可以表示為。吠喃的
熔、沸點(diǎn)此咯(填“高于”或“低于”),原因是。
(3)[CO(DMSO)6](C1C)4)2是一種紫色晶體,其中DMSO為二甲基亞碉,化學(xué)式為
SO(CH3)2OSO(CH3)2中C—S—O鍵角CH3coe也中c—C—O鍵角(填“大
于,,“小于,,或“等于,,)。
(4)硒氧化鈿是一類:全新二維半導(dǎo)體芯片材料,為四方晶系晶胞結(jié)構(gòu)(如圖所
示),可以看成帶正電的[Bi2O2『+層與帶負(fù)電的[S目7層交替堆疊。據(jù)此推斷硒氧化
鈿的化學(xué)式為。晶胞棱邊夾角均為90。,則晶體密度的計(jì)算式為
gym-(NA為阿伏加德羅常數(shù)的值)。
[Se]r
[Se]r
回2?!关?/p>
[Se]r
23.金屬銀及其化合物在工業(yè)、科研等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。回答下列問題:
(1)基態(tài)Ni?+的價(jià)層電子軌道表示式為,與Ni同周期且基態(tài)原子未成對(duì)電
子數(shù)相同的有(填元素符號(hào))。
⑵[Ni(H2(D),(piaH)2]C12是一種重要的配合物,其中“piaH”是吐陡一2—甲酰胺的
縮寫,結(jié)構(gòu)如圖,為雙螯配體。該配合物中Ni?+的配位數(shù)為,在配合物中,
兩個(gè)“piaH”與Ni2+分別螯合形成兩個(gè)五元環(huán),則五元環(huán)中提供孤電子對(duì)的原子可能的
組合是(用,"邛"'了‘表示)。
(3)NiO晶體為NaCl型結(jié)構(gòu),將它在氧氣中加熱,部分Ni?+被氧化為Ni3+,成為
NixO(x<l)o已知Ni、。的摩爾質(zhì)量為69.1g?mo「,則標(biāo)明Ni價(jià)態(tài)的化學(xué)式為
(示例:Pb;ipb1Vo4),Nix。晶體中銀離子的占有率為O
(4)以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置,稱作原子的
分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。NiAs晶體結(jié)構(gòu)如圖甲所示,其晶胞俯視圖如圖乙所示。A點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐
標(biāo)為則B點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為_______,A、B兩點(diǎn)間距離為
(334J
________pmo
24.氮族元素可以形成多種多樣的化合物,回答下列問題:
(1)基態(tài)As原子的價(jià)電子的軌道表示式是o
(2)疊氮酸(HN3)常用于引爆劑,可用聯(lián)氨(HzN-NH?)制取。比較聯(lián)氨與雙氧
水分子中鍵角大小:ZH-N-N_______ZH-O-O(填或“<”,下同)。疊
*
氮酸結(jié)構(gòu)如圖所示:N?N?N\,*N為sp?雜化,已知參與形成兀鍵的電子越多,
H
鍵長(zhǎng)越短,則鍵長(zhǎng);①②。
(3)乙胺(CH3cH2NH2)和2-羥基乙胺(HOCH2cH2NH2)都可用于染料的合成,
乙胺堿性更強(qiáng),原因是。
(4)磷酸一氫鹽受熱易脫水聚合,生成環(huán)狀的偏磷酸根。環(huán)狀三偏磷酸根的結(jié)構(gòu)如圖
所示,則由〃個(gè)磷氧四面體連接形成的環(huán)狀偏磷酸根的通式是o
(5)碑與金屬鈉、鐵、銅可形成一種絕緣體材料,其晶胞結(jié)構(gòu)圖鈉原子沿z軸投影如
圖所示,已知m原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(Q75,0.25,0.20),晶胞參數(shù)為a=bwc,
a=j3=7=90°o銅周圍距離最近的碑原子的個(gè)數(shù)是,n原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)是
,若阿伏加德羅常數(shù)值為NA,該晶體密度是g.cm-3(用含NA的代數(shù)式
表示)o
四、實(shí)驗(yàn)題
25.石墨烯銅復(fù)合材料的電導(dǎo)率高,韌性好,可用于制備高鐵的“超級(jí)導(dǎo)線”。某化學(xué)
小組用如下組裝裝置測(cè)定其中的碳含量(銅、碳以外的成分不與濃硫酸反應(yīng))。
(1)納米材料之一的石墨烯的同素異形體有多種,寫出其中一種同素異形體的名稱
(2)裝置接口的連接順序?yàn)椤?/p>
(3)A裝置中反應(yīng)容器F的名稱為,裝置B中球形干燥管中堿石灰的作用
為。
(4)實(shí)驗(yàn)前后,各通入一次N2,將裝置中的氣體全部趕入到U型管中,第一次通入
N2的作用是。
(5)碳與濃硫酸反應(yīng)的化學(xué)方程式為。
(6)裝置D中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式0
(7)實(shí)驗(yàn)結(jié)束后,B裝置中U型管增重mg,則碳含量(質(zhì)量分?jǐn)?shù))為
參考答案
1.答案:B
解析:N2(g)+3H2(g)7——k2NH3(g)AH=-92.4kJ/mol,若斷裂ImolH-H和ImolN-H
需要吸收的能量分別為436kJ和391kJ,則斷裂ImolNmN需要吸收的能量為-92.4kJ-
(3x436kJ-6x391kJ)=945.6kJ;
故選B。
2.答案:D
解析:A.核外電子排布相同,核電荷數(shù)越大,半徑越小,簡(jiǎn)單離子半徑:
Na+<O2<N3,A項(xiàng)錯(cuò)誤;
B.非金屬性越強(qiáng),最簡(jiǎn)單氫化物的穩(wěn)定性越大,穩(wěn)定性H2(D>NH3>CH4,B項(xiàng)錯(cuò)誤;
C.非金屬性越強(qiáng),最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性越強(qiáng),故最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物
的酸性:HNO3>H2CO3,C項(xiàng)錯(cuò)誤;
D.W與R形成的化合物有過氧化鈉和氧化鈉,其中過氧化鈉中含有共價(jià)鍵,D項(xiàng)正
確;
答案選D。
3.答案:C
解析:根據(jù)圖示結(jié)構(gòu)結(jié)合幾何關(guān)系可知,與O原子最近且等距離的O原子有12個(gè),C
項(xiàng)錯(cuò)誤。
4.答案:C
解析:A.非金屬元素之間形成共價(jià)鍵,只含有共價(jià)鍵的化合物為共價(jià)化合物,NO屬
于共價(jià)化合物,故A正確;
B.O2為非金屬單質(zhì),其化學(xué)鍵為非極性共價(jià)鍵,故B正確;
C.過程②是破壞化學(xué)鍵的過程,吸收能量;過程③是形成化學(xué)鍵的過程,釋放能量,
故C錯(cuò)誤;
故選:Co
5.答案:B
解析:AB2分子中A原子處于第VIA族,價(jià)電子數(shù)目為6,B處于第VHA族,則該分
子中A的價(jià)電子對(duì)數(shù)為生等=4,VSEPR模型為四面體形,有2對(duì)孤電子對(duì),所以
空間構(gòu)型為V形,A正確;
由電負(fù)性可知,B元素的非金屬性更強(qiáng),A-B鍵為極性共價(jià)鍵,AB?為V形結(jié)構(gòu),
正、負(fù)電荷重心不重合,為極性分子,B錯(cuò)誤;
H?。分子之間存在氫鍵,其溶、沸點(diǎn)高于AB2,C正確。
6.答案:B
解析:A項(xiàng),二氧化碳價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2,因此二氧化碳的分子立體構(gòu)型為直線形,
二氧化硫價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3,二氧化硫的分子立體構(gòu)型為V型,故A項(xiàng)錯(cuò)誤;
B項(xiàng),水屬于極性分子,氨氣也屬于極性分子,其中共價(jià)鍵類型均為極性共價(jià)鍵
(O—H、N—H鍵),故B項(xiàng)正確;
C項(xiàng),CO?是分子晶體,CO2的熔化與C=O鍵能沒有關(guān)系,其熔化只需要克服范德華
力(分子間作用力),Si。?是原子晶體,其熔化要破壞Si-O共價(jià)鍵,共價(jià)鍵的強(qiáng)度
遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于范德華力,所以Si。?的熔點(diǎn)比CO2高,與鍵長(zhǎng)沒有關(guān)系,故C項(xiàng)錯(cuò)誤;
D項(xiàng),分子晶體中存在分子間作用力,有的也存在化學(xué)鍵,如二氧化碳是分子晶體,
碳和氧之間存在極性共價(jià)鍵,故D項(xiàng)錯(cuò)誤;
故答案選B。
7.答案:C
解析:
8.答案:C
解析:根據(jù)圖示知,反應(yīng)①為CaO+CC)2.CaCC)3,結(jié)合質(zhì)量守恒和得失電子守恒可得
催化劑
反應(yīng)②為CaCC)3+CH4^^^=CaO+2co+2H2,A項(xiàng)正確;若只發(fā)生反應(yīng)②,則
n(H2)=n(C0),而;?4min,〃(也)比〃(CO)多,且生成H2的速率不變,結(jié)合反應(yīng)過
程中始終未檢測(cè)到CO2,催化劑上有積炭,可推測(cè)有副反應(yīng),且反應(yīng)②和副反應(yīng)中
CH4和H2的化學(xué)計(jì)量數(shù)之比均為1:2,B項(xiàng)正確;^min時(shí),應(yīng)的流出速率為
2mmol-min-1,CO的流出速率約為l.Smmol.miiT'M5」<2,說明副反應(yīng)生成H2的
v(CO)
速率小于反應(yīng)②生成H2的速率,C項(xiàng)錯(cuò)誤;根據(jù)圖2知,與min后,CO的生成速率為
0,CH4的流出速率逐漸增大,最終恢復(fù)到1mmol.min,凡的生成速率逐漸減小至
0,說明Jmin后反應(yīng)②不再發(fā)生,副反應(yīng)逐漸停止,D項(xiàng)正確。
9.答案:D
解析:NCL的中心原子N的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3+土上」=4,有1個(gè)孤電子對(duì),故
2
NCL的空間構(gòu)型為三角錐形,分子中正、負(fù)電荷中心不重合,為極性分子,SiCl’的
4-4x1
中心原子Si的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4+土”=4,無孤電子對(duì),故Si?4的空間構(gòu)型為正
四面體形,分子中正、負(fù)電荷中心重合,為非極性分子,A錯(cuò)誤;NCL和NH3的中心
原子N的價(jià)層電子對(duì)數(shù)均為3+途」=4,N均為sp3雜化,B錯(cuò)誤;由NCI3的水解
機(jī)理示意圖可知,NCy水解時(shí)H2。中的H與NCL中N上的孤電子對(duì)結(jié)合,O與C1結(jié)
合,而SiC'中Si無孤電子對(duì),故Sid’的水解反應(yīng)機(jī)理與NCL不相同,C錯(cuò)誤;
NHC%和NH3分子中均存在N—H鍵,均能與H2。形成氫鍵,D正確。
10.答案:B
解析:A.根據(jù)“均攤法”,該晶胞中含K(位于頂點(diǎn)):8xl=KCa(位于體心):
8
1、B(位于面上):12x』=6、C(位于面上):12x^=6,則晶體最簡(jiǎn)化學(xué)式為
22
KCaB6c6,A項(xiàng)正確;
B.該晶體是一種高溫超導(dǎo)材料,該晶體不可能屬于分子晶體,B項(xiàng)錯(cuò)誤;
C.由晶胞結(jié)構(gòu)可知,Ca位于體心,B位于面上,晶體中與Ca最近等距離的B有12
個(gè),C項(xiàng)正確;
D.C位于面上,結(jié)合晶胞結(jié)構(gòu)知,C的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,C原子采取sp3雜化,D項(xiàng)
正確;
答案選B。
11.答案:B
解析:氯氣中只存在范德華力,易液化是由于范德華力較大,A錯(cuò)誤;氨氣極易溶于
水,一方面二者都是極性分子,另一方面NH3和H2O分子間能形成氫鍵,B正確;H
一F的鍵長(zhǎng)比H—I短,H—F的鍵能比H—I大,則H—F更穩(wěn)定,更難斷裂,故HF
的酸性比HI的酸性弱,C錯(cuò)誤;水加熱到很高的溫度都難以分解是由于H-O很牢
固,與氫鍵無關(guān),D錯(cuò)誤。
12.答案:C
解析:。鍵的電子云圖形以形成共價(jià)鍵的兩原子核的連線為軸做旋轉(zhuǎn)操作,共價(jià)鍵的
電子云圖形不變,是軸對(duì)稱的,口鍵電子云是鏡面對(duì)稱的,A正確;。鍵原子軌道重
疊程度較大,以“頭碰頭”方式重疊,口鍵原子軌道重疊程度較小,以“肩并肩”方
式重疊,B正確;兩個(gè)p軌道可以以“頭碰頭”方式重疊形成。鍵,也可以以“肩并
肩”方式重疊形成n鍵,C錯(cuò)誤;H原子只有1個(gè)電子,位于1s軌道上,電子云形狀
為球形,和其他原子形成共價(jià)鍵時(shí),只能形成。鍵,。原子2P軌道可以以“頭碰頭”
方式重疊形成。鍵,也可以以“肩并肩”方式重疊形成口鍵,D正確。
13.答案:C
解析:A.在Si。2晶體中,1個(gè)硅原子和4個(gè)氧原子形成4個(gè)共價(jià)鍵,A項(xiàng)正確;
B.石墨中的碳碳鍵的鍵長(zhǎng)小于金剛石中的碳碳鍵的鍵長(zhǎng),且石墨融化時(shí)不僅要克服共
價(jià)鍵,還要破壞分子間作用力,故熔點(diǎn)大于金剛石,B項(xiàng)正確;
C.雖然小的相對(duì)分子質(zhì)量大于HF,但是由于HF分子之間可以形成氫鍵,所以HF的
沸點(diǎn)高于HI,C項(xiàng)錯(cuò)誤;
D.金剛石為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),由共價(jià)鍵形成的碳原子環(huán)中,最小環(huán)上有6個(gè)碳原子,最多4
個(gè)碳原子共面,D項(xiàng)正確;
答案選C。
14.答案:C
解析:A.根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知,其中K個(gè)數(shù):8x1=1,其中Ca個(gè)數(shù):1,其中B個(gè)數(shù):
8
12x1=6,其中C個(gè)數(shù):12XJ_=6,故其最簡(jiǎn)化學(xué)式為KCaB6c6,A正確;B.根據(jù)晶胞
22
結(jié)構(gòu)可知,仁位于晶胞體心,Ca位于定點(diǎn),則晶體中與K+最近且距離相等的Ca?+有
8個(gè),B正確;C.根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知,晶胞中B和C原子構(gòu)成的多面體有14個(gè)面,C
錯(cuò)誤;D.根據(jù)選項(xiàng)A解題思路可知,該晶胞最簡(jiǎn)化學(xué)式為KCaB6c6,則1個(gè)晶胞質(zhì)量
為:孚g,晶胞體積為a?、IO-cn?,則其密度為平四I-3,口正確。
36
NAaNA
15.答案:C
解析:A.Na?。?中有離子鍵和非極性鍵,CaH?中只有離子鍵而不含非極性鍵,A錯(cuò)
誤;
B.①中水的化合價(jià)不發(fā)生變化,不涉及氧化還原反應(yīng),②中水發(fā)生還原反應(yīng),B錯(cuò)
誤;
C.Na?。?由Na+和07組成陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)之比為1:2,CaH?由Ca?+和H一組成,
陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)之比為2:1,C正確;
D.①中每生成1個(gè)氧氣分子轉(zhuǎn)移2個(gè)電子,②中每生成1個(gè)氫氣分子轉(zhuǎn)移1個(gè)電子,
轉(zhuǎn)移電子數(shù)相同時(shí),生成氧氣和氫氣的物質(zhì)的量之比為1:2,D錯(cuò)誤;
故選C。
16.答案:D
解析:A.由晶胞結(jié)構(gòu)可知:與Cs距離最近且相等的F有12個(gè),故A正確;B.根據(jù)晶
胞的結(jié)構(gòu)可知Pb的個(gè)數(shù)為8義』=1,Cs的個(gè)數(shù)為1,F的個(gè)數(shù)為12X」=3,化學(xué)式
84
CsPbF,,故B正確;C.在Pb位點(diǎn)摻雜K,由于晶胞中多了K原子,使得F位點(diǎn)會(huì)出
現(xiàn)空缺,故C正確;D.離子效率與F位點(diǎn)空缺晶胞參數(shù)有關(guān),摻雜K含量的增加不一
定會(huì)使離子傳輸效率提高,故D錯(cuò)誤;故選D。
17.答案:BC
解析:A.根據(jù)鑲與鋁在周期表處于對(duì)角線位置,鉞與鋁的化學(xué)性質(zhì)相似,所以Be能與
燒堿溶液反應(yīng)生成氫氣,A正確;
B.水汽化過程主要破壞了氫鍵,氫鍵不是化學(xué)鍵,水分解過程中破壞了H-0共價(jià)鍵,B
錯(cuò)誤;
C.基態(tài)碳原子的核外電子排布式為Is22s22P2,空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)等于原子軌道數(shù)目,所以
有4種空間運(yùn)動(dòng)不同的電子,C錯(cuò)誤;
D.可以用X-射線衍射實(shí)驗(yàn)區(qū)別晶體與非晶體,D正確;
故選BCO
18.答案:AC
解析:選AC。(N5)6(H3O)3(NH4)4C1為五氮陰離子鹽,含有離子鍵,屬于離子化合物,
A正確;1個(gè)H3O+含有的電子數(shù)為1x3+8—1=10,1個(gè)NH:含有的電子數(shù)為7+1x4
-1=10,二者含有的電子數(shù)相同,B錯(cuò)誤;1mol乩O+中含有電子的物質(zhì)的量為[(7x5)
-1]mol+[(7x5)+l]mol=70mol,C正確;N;N]中既含有離子鍵,又含有共價(jià)鍵,
D錯(cuò)誤。
19.答案:CD
解析:
A.在Si。?晶體中,1個(gè)硅原子和4個(gè)氧原子形成4個(gè)共價(jià)鍵,故A錯(cuò)誤;
B.稀有氣體分子為單原子分子,不存在共價(jià)鍵,故B錯(cuò)誤;
C.Si耳和SO:的中心原子均為sp3雜化,Si耳分子中無孤對(duì)電子呈正四面體形,SO;有
1對(duì)孤對(duì)電子呈三角錐形,故C正確;
D.金剛石為正四面體空間結(jié)構(gòu),因此金剛石為共價(jià)鍵三維骨架結(jié)構(gòu),晶體中的最小環(huán)
上有6個(gè)碳原子,故D正確;
故答案為:CDo
20.答案:BC
A.XA.X、Z形成的化合物H2O2分子構(gòu)型非直線型,正負(fù)電荷中心不重合,為極性分
子,A錯(cuò)誤;
B.Z、N與X形成的化合物X?Z、X?N分別為H2O、H2S,。的原子半徑小,電負(fù)性
強(qiáng),O-H鍵長(zhǎng)要小于S-H鍵長(zhǎng),O-H鍵更靠近O,斥力更大一些,所以H?。的鍵
角大于H?S,B正確;
C.W為Na2c。3-凡。2,分子中含有H2O2具有氧化性高溫下容易分解,C正確;
D.Z的氫化物為H?。、H2O2,Y的氫化物為碳?xì)浠衔餅闊?,碳原子較多的煌為固
態(tài),沸點(diǎn)大于H?。、凡。2的沸點(diǎn),D錯(cuò)誤;
故洗BCo
21.答案:AD
解析:A.根據(jù)M原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo),可知W原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(了13二弓5),故A正
448
確;
B.根據(jù)均攤原則,晶胞中位于面上的Cu原子數(shù)為8x;=4、位于頂點(diǎn)和體心的Zn原
子數(shù)為8義:+1=2、位于棱上和面心的Sn原子數(shù)為4xJ+2x]=2、位于晶胞內(nèi)部的
842
S原子數(shù)為8,則該半導(dǎo)體化合物的化學(xué)式為CLZnSnS4,故B錯(cuò)誤;
C.Zn、Sn均位于S原子組成的四面體空隙中,故C錯(cuò)誤;
D.基態(tài)s原子的電子排布圖為叵1舊]ML把E3EEEL兩種自旋狀態(tài)的電子數(shù)
Is2s2p3s3p
之比為7:9,故D正確;
選AD。
22.答案:(1)6;BF
(2)月;低于;毗咯易形成分子間氫鍵
(3)小于
(4)B12O2Se,"Xi。,。
2
--acNA
解析:(1)Ti能形成化臺(tái)物[TiCl(H2O)5]CUH2。,該化合物中Ti3+的配位數(shù)為6,
該化合物中0-H中存在。鍵和極性共價(jià)鍵,p3+與配體存在配位鍵,內(nèi)屆與外界的氯
離子存在離子鍵,則不存在兀鍵和非極性共價(jià)鍵,B和F符合題意。
(2)毗咯為平面形結(jié)構(gòu),分子中各原子在同一平面內(nèi)可知,N原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)是
3,根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論可判斷N原子的雜化方式為sp?雜化,C原子也為sp2雜
化,則毗咯中大兀鍵是1個(gè)N原子和5個(gè)C原子提供6個(gè)電子形成的,可表示為成。
影響物質(zhì)熔沸點(diǎn)的主要因素為分子間作用力,氫鍵大于分子間作用力,有氫鍵的瞰咯
沸點(diǎn)大于吠喃,毗咯易形成分子間氫鍵,沸點(diǎn)較高,則吠喃沸點(diǎn)低于此咯,毗咯易形
成分子間氫鍵。
(3)SO(CH3)2中S原子為sp3雜化,且有一對(duì)孤對(duì)電子,而CH3coe應(yīng)中默基C原
子為sp2雜化,沒有孤對(duì)電子,故SO(CH3)2中鍵角c-S-O鍵角小于CH3coe凡中
C-C-O鍵角。
(4)根據(jù)電荷守恒知,該晶胞中[Biz。?]:與[Se]:個(gè)數(shù)比為1:1,故該晶體的化學(xué)式
為Bi2(3,Se,該晶胞中含有Se個(gè)數(shù)=8義工+1=2,結(jié)合化學(xué)式知該晶胞中含2個(gè)
8
2x529
Bi,0,Se,故該晶胞的質(zhì)量"2=——g,該晶胞體積
V=?xlOloxaxlO-loxcxlO-locm3=?2cxlO~3°cm3,故該晶體的密度
1058xlO303
。
2g-cm
acNA
23.答案:(1)||||||;Ti、Ge、Se
(2)6;a和Y或者a和p
(3)Ni°NifO10;90%
1232
一,一,一3a2b
33444
解析:(1)Ni元素原子序數(shù)為28,基態(tài)Ni原子價(jià)層電子排布為3d84s2,軌道表示式
,故基態(tài)Ni?+的價(jià)層電子軌道表示式為
,有2個(gè)未成對(duì)電子,同周期也有2個(gè)未成對(duì)電子的元素有鈦
(Ti):3d24s2、錯(cuò)(Ge):4s24p\硒(Se):4s24P)與Ni同周期且基態(tài)原子未
成對(duì)電子數(shù)相同的有Ti、Ge、Se;
(2)兩個(gè)水分子中的。與Ni形成2個(gè)配位鍵,1個(gè)piaH與Ni形成2個(gè)配位鍵,故該
配合物中Ni?+的配位數(shù)為6,“piaH”與Ni2+螯合形成五元環(huán),包括配位原子和Ni2+共
有5個(gè)原子,故五元環(huán)中提供孤電子對(duì)的原子可能是a和丁,由于酰胺基和毗咤之間
的碳碳單鍵可以旋轉(zhuǎn),故五元環(huán)中提供孤電子對(duì)的原子也可能是a和0,則五元環(huán)中
提供孤電子對(duì)的原子可能的組合是a和丁或者a和P;
(3)根據(jù)Ni、O的摩爾質(zhì)量為699g,0尸,59X+16=69.L解得X=0.9,Nio.9?;瘜W(xué)式
可以改寫為NiQm設(shè)其中+2價(jià)Ni為a,則標(biāo)明Ni價(jià)態(tài)的化學(xué)式為NENi*。]。,由
化合價(jià)代數(shù)和為0,2a+3(9-a)=20,解得a=7,故標(biāo)明Ni價(jià)態(tài)的化學(xué)式為
Ni°Ni?O10,NiO晶體為NaCl型結(jié)構(gòu),Ni與。個(gè)數(shù)比為1:1,根據(jù)化學(xué)式NioQ可
知,晶體中鎂離子的占有率為90%;
(4)A、B在底面的投影分別在底面菱形分成的兩個(gè)正三角形中心,A點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)
門23、
坐標(biāo)為根據(jù)對(duì)稱性,A到下底面距離和B到上底面距離相等,故B點(diǎn)原子
的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為,,|梳;底面菱形邊長(zhǎng)為apm,較長(zhǎng)對(duì)角線長(zhǎng)為VJapm,AB水平方
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