《晶體硅產(chǎn)品碳足跡評價技術(shù)要求》編制說明

《晶體硅產(chǎn)品碳足跡評價技術(shù)要求》團體標準

征求意見稿編制說明

一、任務(wù)來源

光伏發(fā)電利用的是可再生的太陽能,這是新能源領(lǐng)域的一個主導技術(shù),隨著光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，晶

硅光伏組件制造業(yè)的硅料需求也不斷增長,我國是全球最大的晶硅光伏組件生產(chǎn)國,但國內(nèi)優(yōu)質(zhì)的石英

資源不足,近年來其他國家提出了晶體硅產(chǎn)品的碳足跡認證，晶體硅產(chǎn)品的歐洲“綠色”門檻逐漸形成。

在晶體硅產(chǎn)品的生產(chǎn)、運輸和組裝以及報廢組件和系統(tǒng)配件的回收和最終處置的全過程中,碳排放

和能耗情況是光伏行業(yè)的一個重點管控的方面。由于晶體硅產(chǎn)品的硅砂等原材料的采購、制造加工、安

裝、使用、退役拆卸和回收處置中的每個階段都需要材料和能源的投入,目前行業(yè)仍處于針對于某系列

或某批次晶體硅產(chǎn)品的碳足跡報告的計算探索階段,而針對晶體硅產(chǎn)品批量生產(chǎn)的碳足跡系統(tǒng)化的分析

管理體系尚不完善。

隨著電池片和晶體硅光伏組件加工工藝的技術(shù)迭代和規(guī)范化，晶體硅產(chǎn)品的碳排放量大部分來自于

硅砂及提純硅料的生產(chǎn)耗能,面對晶體硅產(chǎn)品國際市場的越來越嚴格的碳排放要求,晶硅光伏制造企業(yè)

主要在上游硅砂和硅料的生產(chǎn)環(huán)節(jié)探索碳排放的控制方式,其決定因素是提純工藝的能耗和生產(chǎn)地的區(qū)

域電網(wǎng)排放因子。在硅料方面，國內(nèi)外晶硅光伏制造企業(yè)逐漸淘汰高污染的四氯化硅鎂/鋁還原法,同時

積極開發(fā)電化學沉積法和歧化法等硅料提純工藝。目前主要通過組合使用不同的主流生產(chǎn)技術(shù)、生立國

和廠商制造的硅料來尋求碳排放和生產(chǎn)成本之間的平衡,比如在改良西門子硅料內(nèi)加入一定比例的低能

耗、污染少的冶金物理法硅料、硅烷流化床法顆粒硅料等。但冶金法硅料僅能達到最低太陽能級硅料純

度標準,易引發(fā)強光照下電池片嚴重衰減,此種硅料占比不宜超過10%，而硅烷流化床法仍有熱壁沉積和

硅粉制備等技術(shù)難關(guān),未實現(xiàn)大規(guī)模的工業(yè)化,市場占有率較小。高純硅料在提純方面的控排方式主要集

中在技術(shù)領(lǐng)域的革新當前短期內(nèi)減排量難有較大突破,但由于我國國內(nèi)硅砂資源的品質(zhì)不高,晶硅光伏

組件制造使用的優(yōu)質(zhì)硅砂主要依賴進口,硅料前端的硅砂采購鏈較為復雜多樣,有必要搭建分析管理體

系,實現(xiàn)其生產(chǎn)工藝的合理控排、硅砂供應鏈管理的多元化和低碳化,以在原料端減少晶硅光伏組件的碳

足跡。

開展晶體硅產(chǎn)品碳足跡核查勢在必行，是提前在國際布局的重要舉措，產(chǎn)品碳足跡評價以LCA方法

為基礎(chǔ)可以綜合分析晶體硅產(chǎn)品在整個生命周期過程中的溫室氣體相關(guān)環(huán)境負荷現(xiàn)狀，制定產(chǎn)品碳足跡

品種類規(guī)則可以規(guī)范晶體硅產(chǎn)品碳足跡評價統(tǒng)一的基本規(guī)則和要求，為支撐晶體硅產(chǎn)品的生態(tài)設(shè)計、綠

色工廠等相關(guān)認證工作提供可操作的方法。目前還尚未有晶體硅產(chǎn)品碳足跡的評價標準，制定此產(chǎn)品碳

足跡標準勢在必行。

二、起草單位和主要工作成員及其所作工作

1、起草單位

本標準由中國國際科技促進會標準化工作委員會提出，由中國國際科技促進會歸口。本標準由中國

恩菲工程技術(shù)有限公司、江蘇美科太陽能科技股份有限公司、青海黃河上游水電開發(fā)有限責任公司西寧

分公司、國家電力投資集團黃河公司海南分公司、北京通標華信標準技術(shù)服務(wù)有限公司共同起草。

2、主要工作成員及其所作工作

本文件主要起草人及工作職責見表1。

表1主要起草人及工作職責

起草人工作職責

中國恩菲工程技術(shù)有限公司項目主編單位主編人員，負責標準制定的統(tǒng)籌規(guī)劃與安

排，標準內(nèi)容和試驗方案編制與確定，標準水平的把握

及標準編制運行的組織協(xié)調(diào)。人員中包括了晶體硅行業(yè)

專業(yè)人員，晶體硅行業(yè)管理人員。

北京政企聯(lián)創(chuàng)信息咨詢有限公司、北京通標華標準化協(xié)調(diào)機構(gòu)，負責協(xié)調(diào)標準制定過程中出現(xiàn)了各類

信標準技術(shù)服務(wù)有限公司問題，提供國外的技術(shù)信息等。

江蘇美科太陽能科技股份有限公司、青海黃河實際生產(chǎn)單位、負責匯報企業(yè)晶體硅生產(chǎn)數(shù)據(jù)、試驗方

上游水電開發(fā)有限責任公司西寧分公司、國家法，參與標準編制。

電力投資集團黃河公司海南分公司

三、標準的編制原則

標準起草小組在編制標準過程中，以國家、行業(yè)現(xiàn)有的標準為制訂基礎(chǔ)，結(jié)合我國目前的機械行業(yè)

現(xiàn)狀，按照GB/T1.1—2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定及相關(guān)

要求編制。

四、標準編制過程

2022年6月26日，中國國際科技促進會正式批準《晶體硅產(chǎn)品碳足跡評價技術(shù)要求》立項。

2023年7月14日，《晶體硅產(chǎn)品碳足跡評價技術(shù)要求》團體標準啟動會正式召開，中國國際科技促

進會標準化工作委員會質(zhì)量強國工作組主持了本次會議召開，中國國際科技促進會相關(guān)領(lǐng)導出席會議，

本次會議成立了編制組，編制組單位為中國恩菲工程技術(shù)有限公司、江蘇美科太陽能科技股份有限公司、

青海黃河上游水電開發(fā)有限責任公司西寧分公司、國家電力投資集團黃河公司海南分公司、北京通標華

信標準技術(shù)服務(wù)有限公司。

對草案稿進行了討論，編制組根據(jù)討論會意見形成了征求意見稿。

2024年1月8日，《晶體硅產(chǎn)品碳足跡評價技術(shù)要求》團體標準申請開始征求意見。

五、標準主要內(nèi)容

1范圍

本文件規(guī)定了晶體硅產(chǎn)品碳足跡評價的目標、核算范圍、功能單位、系統(tǒng)邊界、數(shù)據(jù)收集與處理、

核算、報告等內(nèi)容。

本文件適用于晶體硅產(chǎn)品碳足跡核算活動。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對應的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB/T24040環(huán)境管理生命周期評價原則與框架

GB/T24044環(huán)境管理生命周期評價要求與指南

GB/T32150工業(yè)企業(yè)溫室氣體排放核算和報告通則

ISO14064-1溫室氣體-第一部分：在組織層面溫室氣體排放和移除的量化和報告指南性規(guī)范

（Greenhousegases-Part1:Specificationwithguidanceattheorganizationlevelfor

quantificationandreportingofgreenhousegasemissionsandremovals）

3術(shù)語和定義

GB/T24040、GB/T24044、GB/T32150界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。

3.1

產(chǎn)品碳足跡productcarbonfootprint；PCF

主要為量化商品或服務(wù)（統(tǒng)稱為產(chǎn)品）生命周期中，因直接及間接活動累積于商品或服務(wù)的溫室氣

體排放量?；谏芷谠u價方法，產(chǎn)品生命周期內(nèi)各階段的溫室氣體排放量，主要涉及的溫室氣體包

括京都議定書規(guī)定的六種氣體二氧化碳(CO2)、甲烷(CH4)、氧化亞氮(N2O)、六氟化硫(SF6)、全氟碳化

物(PFCs)以及氫氟碳化物(HFCs)。

[來源：ISO14064-1]

3.2

功能單位functionalunit

用來作為基準單位的量化的產(chǎn)品系統(tǒng)性能。

[來源：GB/T24044-2008，3.20]

3.3

單元過程unitprocess

進行生命周期清單分析時為量化輸入和輸出數(shù)據(jù)而確定的最基本部分。

[來源：GB/T24044-2008，3.34]

4評價目標

4.1評價目標

通過量化多晶硅、單晶硅等晶體硅產(chǎn)品生命周期內(nèi)所有顯著的碳排放，來計算該產(chǎn)品對全球暖化的

潛在貢獻（以二氧化碳當量表示）。

4.2評價內(nèi)容

產(chǎn)品碳足跡評價內(nèi)容應與評價目標相一致。在確定評價內(nèi)容時應考慮并清晰描述以下項目:

1)核算范圍

2)功能單位；

3)系統(tǒng)邊界，包括產(chǎn)品系統(tǒng)的地理范圍；

4)數(shù)據(jù)與數(shù)據(jù)質(zhì)量要求；

5)分配原則；

6)計算。

5核算范圍

在確定產(chǎn)品碳足跡核算范圍過程中，應考慮并描述包括但不限于下列各項：

——產(chǎn)品（系統(tǒng)）范圍：明確產(chǎn)品名稱、型號、功能、功能單位（第6章）和系統(tǒng)邊界（第7章）；

——時間范圍：選擇核算碳足跡有代表性的時間段；

注：與產(chǎn)品生命周期中具體單元過程相關(guān)的溫室氣體排放和清除隨時間變化，選擇的時間范圍應可

以確定產(chǎn)品生命周期中溫室氣體排放和清除的平均值，如：季節(jié)性生產(chǎn)的產(chǎn)品應覆蓋產(chǎn)品生產(chǎn)

的整個時間周期，不能僅使用部分時間段的數(shù)據(jù)進行核算。

——溫室氣體范圍：二氧化碳(CO2)、甲烷(CH4)、氧化亞氮(N2O)、氫氟碳化合物(HFCs)、全氟碳

化合物(PFCs)、六氟化硫(SF6)和三氟化氮（NF3）。

6功能單位

核算產(chǎn)品碳足跡應確定功能單位。功能單位的表述中應包含影響碳足跡核算的產(chǎn)品系統(tǒng)的主要功能。

示例：1千克高純多晶硅。

7系統(tǒng)邊界

按照本文件核算產(chǎn)品碳足跡應主要核算產(chǎn)品在原材料獲取、制造階段的溫室氣體排放。

8數(shù)據(jù)收集與處理

8.1數(shù)據(jù)質(zhì)量要求

數(shù)據(jù)收集與處理過程中，相關(guān)數(shù)據(jù)應滿足以下數(shù)據(jù)質(zhì)量要求：

——技術(shù)代表性：數(shù)據(jù)反映實際生產(chǎn)技術(shù)情況，即體現(xiàn)實際工藝流程、技術(shù)和設(shè)備類型、原料與能

耗類型、生產(chǎn)規(guī)模等因素的影響；

——時間代表性：數(shù)據(jù)反應單元過程的實際時間；

——地理代表性：排放因子等相關(guān)參數(shù)的選擇考慮單元過程所處的地理位置；

——數(shù)據(jù)完整性：按照數(shù)據(jù)取舍準則，判斷是否已收集各生產(chǎn)過程的主要消耗和排放數(shù)據(jù)，盡可能

避免數(shù)據(jù)缺失，缺失的數(shù)據(jù)需在報告中說明；

——數(shù)據(jù)準確性：原料、輔料、能耗、包裝等數(shù)據(jù)需采用企業(yè)實際生產(chǎn)統(tǒng)計記錄，環(huán)境排放數(shù)據(jù)優(yōu)

先采用環(huán)境監(jiān)測報告；所有數(shù)據(jù)均有相關(guān)的數(shù)據(jù)來源和數(shù)據(jù)處理算法；估算或引用文獻的數(shù)據(jù)

需在報告中說明；

——數(shù)據(jù)一致性：每個過程的消耗與排放數(shù)據(jù)需保持一致的統(tǒng)計標準，即基于相同產(chǎn)品產(chǎn)出、相同

過程邊界、相同數(shù)據(jù)統(tǒng)計期；存在不一致情況時需在報告中說明。

——數(shù)據(jù)收集原則：活動水平數(shù)據(jù)優(yōu)先采用直接計量、測量獲得的原始數(shù)據(jù)，其次采用通過原始數(shù)

據(jù)折算獲得的二次數(shù)據(jù)，以上數(shù)據(jù)均不可獲得時可采用來自相似單元過程的替代數(shù)據(jù)。使用階

段可使用統(tǒng)計數(shù)據(jù)、設(shè)計數(shù)據(jù)或估算數(shù)據(jù)。

8.2分配原則

在邊界設(shè)置或數(shù)據(jù)收集時，應盡量避免進行數(shù)據(jù)分配。若發(fā)現(xiàn)至少有一個過程的輸入和輸出包含多

個產(chǎn)品，則總排放量需要在產(chǎn)品生命周期內(nèi)進行分配。分配的原則如下：

——優(yōu)先使用物理關(guān)系參數(shù)（包括但不限于生產(chǎn)量、生產(chǎn)工時等）進行分配；

——無法找到物理關(guān)系時，則依經(jīng)濟價值進行分配；

——若使用其他分配方法，須提供所使用參數(shù)的基礎(chǔ)及計算說明。

8.3數(shù)據(jù)取舍準則

在產(chǎn)品碳足跡核算過程中，可規(guī)定一套數(shù)據(jù)取舍準則，舍棄產(chǎn)品碳足跡影響較小的因素，簡化數(shù)據(jù)

收集過程。小于產(chǎn)品重量1％的原輔料引起的排放可舍棄，同類物料應按合計重量判斷，但總共舍棄的

重量不宜超過產(chǎn)品重量的5％。產(chǎn)品生產(chǎn)過程中人員產(chǎn)生的溫室氣體排放可舍棄。

9產(chǎn)品碳足跡核算要求

9.1產(chǎn)品碳足跡

晶體硅產(chǎn)品碳足跡的核算見公式（1）：

燃燒外購電外購熱過程····························(1)

式中：

CFP=