2025年高二化學(xué)寒假銜接講練 (人教版)寒假預(yù)習(xí)-第06講 金屬晶體和離子晶體教師版

第06講金屬晶體和離子晶體模塊一思維導(dǎo)圖串知識(shí)模塊二基礎(chǔ)知識(shí)全梳理（吃透教材）模塊三核心考點(diǎn)精準(zhǔn)練模塊四小試牛刀過(guò)關(guān)測(cè)1．能借助金屬晶體和離子晶體等模型認(rèn)識(shí)晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，說(shuō)明晶體中的微粒及其微粒間的相互作用。2．知道介于典型晶體之間的過(guò)渡晶體及混合型晶體是普遍存在的。3．能結(jié)合金屬晶體和離子晶體的實(shí)例描述晶體中微粒排列的周期性規(guī)律?！緦W(xué)習(xí)新知】知識(shí)點(diǎn)一金屬鍵和金屬晶體1．金屬鍵(1)定義：金屬陽(yáng)離子和自由電子之間存在的強(qiáng)烈的相互作用稱為金屬鍵。(2)本質(zhì)：金屬原子脫落下來(lái)的價(jià)電子形成遍布整塊晶體的“電子氣”，被所有原子所共用，從而把所有的金屬原子維系在一起。這一理論稱為“電子氣理論”。(3)成鍵粒子：金屬陽(yáng)離子和自由電子。(4)存在：金屬單質(zhì)或合金。(5)金屬鍵的強(qiáng)弱和對(duì)金屬性質(zhì)的影響①金屬鍵的強(qiáng)弱主要取決于金屬元素的原子半徑和價(jià)電子數(shù)，原子半徑越小，價(jià)電子數(shù)越多，金屬鍵越強(qiáng)；反之，金屬鍵越弱。②金屬鍵越強(qiáng)，金屬的熔、沸點(diǎn)越高，硬度越大。2．金屬晶體(1)概念：金屬陽(yáng)離子與自由電子(“電子氣”)之間通過(guò)金屬鍵形成的晶體叫做金屬晶體。(2)通性：金屬晶體有優(yōu)良的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性和延展性。(3)用“電子氣理論”解釋金屬的性質(zhì)①延展性：當(dāng)金屬收到外力作用時(shí)，晶體中的各原子層就會(huì)發(fā)生相對(duì)滑動(dòng)，但金屬原子的排列方式不變，金屬晶體中的化學(xué)鍵沒(méi)有被破壞，所以金屬有良好的延展性。②導(dǎo)電性：在外加電場(chǎng)的作用下，金屬晶體中的電子氣做定向移動(dòng)形成電流，呈現(xiàn)良好的導(dǎo)電性。③導(dǎo)熱性：電子氣中自由電子在運(yùn)動(dòng)時(shí)會(huì)與金屬離子不斷發(fā)生碰撞，從而引起兩者的能量交換。(4)金屬晶體中，除了純金屬，還有大量的合金。(5)金屬晶體有導(dǎo)電性，但能導(dǎo)電的晶體不一定是金屬。知識(shí)點(diǎn)二離子晶體1．定義：由陽(yáng)離子和陰離子相互作用而形成的晶體。2．結(jié)構(gòu)特點(diǎn)(1)構(gòu)成微粒：陽(yáng)離子和陰離子。(2)微粒間的作用力：離子鍵。3．常見(jiàn)離子晶體的結(jié)構(gòu)類(lèi)型晶體NaClCsCl晶胞結(jié)構(gòu)特點(diǎn)1個(gè)Na＋周?chē)嚯x相等且最近的Cl－有6個(gè)；1個(gè)Cl－周?chē)嚯x相等且最近的Na＋有6個(gè)1個(gè)Cs＋周?chē)嚯x相等且最近的Cl－有8個(gè)；1個(gè)Cl－周?chē)嚯x相等且最近的Cs＋有8個(gè)4．離子晶體的性質(zhì)熔點(diǎn)硬度導(dǎo)電性較高較大不導(dǎo)電，但在熔融狀態(tài)或溶于水時(shí)導(dǎo)電【交流討論】以下是八種物質(zhì)的熔點(diǎn)：序號(hào)①②③④⑤⑥⑦⑧物質(zhì)NaFNaClNaBrNaIMgOCaOSrOBaO熔點(diǎn)/℃9938017476612852261424301918(1)①～④、⑤～⑧中物質(zhì)的熔點(diǎn)為什么會(huì)逐漸降低？提示：①～④均為離子晶體且離子所帶電荷數(shù)相同，從F－→I－隨著離子半徑的增大，離子鍵減弱，熔點(diǎn)逐漸降低。⑤～⑧均為離子晶體且離子所帶電荷數(shù)相同，從Mg2＋→Ba2＋隨著離子半徑的增大，離子鍵減弱，熔點(diǎn)逐漸降低。(2)⑤～⑧中物質(zhì)的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于①～④中物質(zhì)的原因是什么？提示：⑤～⑧中物質(zhì)的離子所帶電荷數(shù)高于①～④中的物質(zhì)的離子所帶的電荷數(shù)，離子所帶電荷數(shù)越高，離子鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高。【特別提示】(1)離子晶體中不一定都含有金屬元素，如NH4Cl是離子晶體。(2)離子晶體中除離子鍵外不一定不含其他化學(xué)鍵，如NaOH晶體中還含有極性共價(jià)鍵，Na2O2晶體中還含有非極性共價(jià)鍵。(3)由金屬元素和非金屬元素組成的晶體不一定是離子晶體，如AlCl3是由金屬元素Al和非金屬元素Cl組成的分子晶體。(4)含有金屬離子的晶體不一定是離子晶體，如金屬晶體中含有金屬陽(yáng)離子。知識(shí)點(diǎn)三過(guò)渡晶體和混合晶體1．過(guò)渡晶體(1)四種典型晶體是指分子晶體、共價(jià)晶體、金屬晶體和離子晶體。(2)過(guò)渡晶體：介于典型晶體之間的晶體。2．混合型晶體(石墨晶體)(1)晶體模型(2)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)①同層內(nèi)，碳原子采用sp2雜化，以共價(jià)鍵相結(jié)合形成平面六元并環(huán)結(jié)構(gòu)。所有碳原子的p軌道相互平行且相互重疊，使p軌道中電子可在整個(gè)平面中運(yùn)動(dòng)。②層與層之間以范德華力相結(jié)合。(3)晶體類(lèi)型石墨晶體中，既有共價(jià)鍵，又有范德華力，屬于混合型晶體。核心考點(diǎn)一：金屬鍵和金屬晶體【例1】如圖是金屬晶體內(nèi)部的電子氣理論示意圖。電子氣理論可以用來(lái)解釋金屬的性質(zhì)，其中正確的是()A．金屬能導(dǎo)電是因?yàn)榻饘訇?yáng)離子在外加電場(chǎng)作用下定向移動(dòng)B．金屬能導(dǎo)熱是因?yàn)樽杂呻娮釉跓岬淖饔孟孪嗷ヅ鲎?，從而發(fā)生熱的傳導(dǎo)C．金屬具有延展性是因?yàn)樵谕饬Φ淖饔孟?，金屬中各原子層間會(huì)出現(xiàn)相對(duì)滑動(dòng)，但自由電子可以起到潤(rùn)滑劑的作用，使金屬不會(huì)斷裂D．合金與純金屬相比，由于增加了不同的金屬或非金屬，使電子數(shù)目增多，所以合金的延展性比純金屬?gòu)?qiáng)，硬度比純金屬小答案：C解析：金屬能導(dǎo)電是因?yàn)樽杂呻娮釉谕饧与妶?chǎng)作用下能定向移動(dòng)，A項(xiàng)錯(cuò)誤；金屬能導(dǎo)熱是因?yàn)樽杂呻娮釉跓岬淖饔孟屡c金屬原子碰撞，從而發(fā)生熱的傳導(dǎo)，B項(xiàng)錯(cuò)誤；合金與純金屬相比，由于增加了不同的金屬或非金屬，相當(dāng)于填補(bǔ)了金屬陽(yáng)離子之間的空隙，所以一般情況下合金的延展性比純金屬的延展性弱，硬度比純金屬的硬度大，D項(xiàng)錯(cuò)誤。【歸納小結(jié)】1．金屬鍵(1)金屬鍵的特征金屬鍵無(wú)方向性和飽和性。晶體中的電子不專屬于某一個(gè)或幾個(gè)特定的金屬陽(yáng)離子，而幾乎是均勻地分布在整塊晶體中，因此晶體中存在所有金屬陽(yáng)離子與所有自由電子之間“彌漫”的電性作用，這就是金屬鍵，因此金屬鍵沒(méi)有方向性和飽和性。(2)金屬鍵的強(qiáng)弱比較一般來(lái)說(shuō)，金屬鍵的強(qiáng)弱主要取決于金屬元素原子的半徑和價(jià)電子數(shù)。原子半徑越大，價(jià)電子數(shù)越少，金屬鍵越弱；原子半徑越小，價(jià)電子數(shù)越多，金屬鍵越強(qiáng)。2．金屬晶體的性質(zhì)(1)金屬晶體具有良好的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性和延展性。(2)熔、沸點(diǎn)：金屬鍵越強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)越高。①同周期金屬單質(zhì)，從左到右(如Na、Mg、Al)熔、沸點(diǎn)升高。②同主族金屬單質(zhì)，從上到下(如堿金屬)熔、沸點(diǎn)降低。③合金的熔、沸點(diǎn)一般比其各成分金屬的熔、沸點(diǎn)低。④金屬晶體熔點(diǎn)差別很大，如汞常溫下為液體，熔點(diǎn)很低；而鐵常溫下為固體，熔點(diǎn)很高。(3)硬度：金屬鍵越強(qiáng)，晶體的硬度越大?！咀兪接?xùn)練1】下列有關(guān)金屬鍵的敘述中，錯(cuò)誤的是()A．金屬鍵沒(méi)有飽和性和方向性B．金屬鍵是金屬陽(yáng)離子和自由電子之間存在的強(qiáng)烈的靜電吸引作用C．金屬鍵中的電子屬于整塊金屬D．金屬的性質(zhì)和金屬固體的形成都與金屬鍵有關(guān)答案：B解析：金屬原子脫落下來(lái)的價(jià)電子形成遍布整塊晶體的“電子氣”，被所有原子所共用，從而把所有的金屬原子維系在一起，故金屬鍵無(wú)飽和性和方向性；金屬鍵是金屬陽(yáng)離子和自由電子之間的強(qiáng)烈作用，既包括金屬陽(yáng)離子與自由電子之間的靜電吸引作用，也存在金屬陽(yáng)離子之間及自由電子之間的靜電排斥作用；金屬鍵中的電子屬于整塊金屬；金屬的性質(zhì)及固體的形成都與金屬鍵有關(guān)。【變式訓(xùn)練2】根據(jù)下列晶體的相關(guān)性質(zhì)，判斷可能屬于金屬晶體的是()選項(xiàng)晶體的相關(guān)性質(zhì)A由分子間作用力結(jié)合而成，熔點(diǎn)低B固態(tài)或熔融態(tài)時(shí)易導(dǎo)電，熔點(diǎn)在1000℃左右C由共價(jià)鍵結(jié)合成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，熔點(diǎn)高D固體不導(dǎo)電，但溶于水或熔融后能導(dǎo)電答案：B解析：A項(xiàng)，由分子間作用力結(jié)合而成的晶體屬于分子晶體，不符合題意；B項(xiàng)，金屬晶體中有自由移動(dòng)的電子，能導(dǎo)電，絕大多數(shù)金屬在常溫下為固體，熔點(diǎn)較高，所以固態(tài)或熔融態(tài)時(shí)易導(dǎo)電，熔點(diǎn)在1000℃左右的晶體可能屬于金屬晶體，符合題意；C項(xiàng)，相鄰原子之間通過(guò)共價(jià)鍵結(jié)合形成的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的晶體屬于共價(jià)晶體，不符合題意；D項(xiàng)，固體不導(dǎo)電，說(shuō)明晶體中無(wú)自由移動(dòng)的電子，則不可能為金屬晶體，不符合題意。核心考點(diǎn)二：離子晶體【例2】某離子晶體的晶體結(jié)構(gòu)示意圖如圖，晶體中氧的化合價(jià)可看作部分為0價(jià)，部分為－2價(jià)。則下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A．晶體中與每個(gè)A＋距離最近的A＋有12個(gè)B．晶體中，陰離子與陽(yáng)離子個(gè)數(shù)之比為1∶1C．該離子晶體化學(xué)式為A2O2D．晶體中，0價(jià)氧原子與－2價(jià)氧原子的數(shù)目比為3∶1答案：C解析：根據(jù)圖片知，每個(gè)A＋周?chē)嚯x最近的A＋有12個(gè)，故A正確；根據(jù)圖片知，每個(gè)A＋周?chē)?個(gè)Oeq\o\al(\s\up1(－),\s\do1(2))，每個(gè)Oeq\o\al(\s\up1(－),\s\do1(2))周?chē)?個(gè)A＋，所以該晶體中，陰離子與陽(yáng)離子個(gè)數(shù)之比為1∶1，該離子晶體的化學(xué)式為AO2，故B正確，C錯(cuò)誤；該晶體中0價(jià)氧原子和－2價(jià)氧原子的個(gè)數(shù)比為3∶1，故D正確?！練w納小結(jié)】常見(jiàn)離子晶體的晶胞結(jié)構(gòu)晶體晶胞晶胞詳解NaCl①在NaCl晶體中，Na＋的配位數(shù)為6，Cl－的配位數(shù)為6②與Na＋(Cl－)等距離且最近的Na＋(Cl－)有12個(gè)③每個(gè)晶胞中有4個(gè)Na＋和4個(gè)Cl－④每個(gè)Cl－周?chē)腘a＋構(gòu)成正八面體形結(jié)構(gòu)CsCl①在CsCl晶體中，Cs＋的配位數(shù)為8，Cl－的配位數(shù)為8②每個(gè)Cs＋與6個(gè)Cs＋等距離且最近，每個(gè)Cs＋與8個(gè)Cl－等距離且最近【變式訓(xùn)練1】下列有關(guān)離子晶體的數(shù)據(jù)大小比較不正確的是()A．離子鍵：NaF>NaCl＞NaBrB．硬度：MgO>CaO>BaOC．熔點(diǎn)：NaF＞MgF2>AlF3D．1個(gè)陰離子周?chē)染嚯x且最近的陽(yáng)離子數(shù)：CsCl>NaCl>CaF2答案：C解析：離子半徑：Br－＞Cl－＞F－，離子半徑越小，所帶電荷數(shù)越大，離子鍵越強(qiáng)，故A正確；離子半徑：Ba2＋>Ca2＋>Mg2＋，離子半徑越大，離子鍵越弱，硬度越小，故B正確；離子半徑：Na＋>Mg2＋>Al3＋，離子半徑越小，電荷數(shù)越多，則熔點(diǎn)越高，故C錯(cuò)誤；CsCl晶胞中1個(gè)Cl－周?chē)?個(gè)Cs＋，NaCl晶胞中1個(gè)Cl－周?chē)?個(gè)Na＋，CaF2晶胞中1個(gè)F－周?chē)?個(gè)Ca2＋，故D正確?！咀兪接?xùn)練2】有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說(shuō)法中正確的是()A．在NaCl晶體中，距Na＋最近的Cl－有8個(gè)B．在CaF2晶體中，每個(gè)晶胞平均占有6個(gè)Ca2＋C．在金剛石晶體中，碳原子與碳碳鍵的個(gè)數(shù)比為1∶2D．該氣態(tài)團(tuán)簇分子的分子式為EF或FE答案：C解析：在NaCl晶體中，距Na＋最近的Cl－有6個(gè)，故A錯(cuò)誤；在CaF2晶體中，Ca2＋位于晶胞的頂角和面心，晶胞中含有Ca2＋的個(gè)數(shù)為8×eq\f(1,8)＋6×eq\f(1,2)＝4，故B錯(cuò)誤；在金剛石晶體中，每個(gè)碳原子形成4個(gè)共價(jià)鍵，每?jī)蓚€(gè)碳原子共用一個(gè)共價(jià)鍵，則每個(gè)碳原子形成的共價(jià)鍵平均為4×eq\f(1,2)＝2，所以在金剛石晶體中，碳原子與碳碳鍵的個(gè)數(shù)比為1∶2，故C正確；氣態(tài)團(tuán)簇分子不同于晶胞，氣態(tài)團(tuán)簇分子中含有4個(gè)E原子，4個(gè)F原子，則分子式為E4F4或F4E4，故D錯(cuò)誤核心考點(diǎn)三：過(guò)渡晶體和混合晶體【例3】下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A．Na2O中離子鍵的百分?jǐn)?shù)為62%，則Na2O不是純粹的離子晶體，是離子晶體與共價(jià)晶體之間的過(guò)渡晶體B．Na2O通常當(dāng)作離子晶體來(lái)處理，因?yàn)镹a2O是偏向離子晶體的過(guò)渡晶體，在許多性質(zhì)上與純粹的離子晶體接近C．Al2O3是偏向離子晶體的過(guò)渡晶體，當(dāng)作離子晶體來(lái)處理；SiO2是偏向共價(jià)晶體的過(guò)渡晶體，當(dāng)作共價(jià)晶體來(lái)處理D．分子晶體、共價(jià)晶體、金屬晶體和離子晶體都有過(guò)渡型答案：C解析：Al2O3、SiO2均是偏向共價(jià)晶體的過(guò)渡晶體，當(dāng)作共價(jià)晶體處理，C項(xiàng)錯(cuò)誤?！練w納小結(jié)】石墨晶體的結(jié)構(gòu)(1)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)——層狀結(jié)構(gòu)①同層內(nèi)碳原子采取sp2雜化，以共價(jià)鍵(σ鍵)結(jié)合，形成平面六元并環(huán)結(jié)構(gòu)。②層與層之間靠范德華力維系。③石墨的二維平面結(jié)構(gòu)內(nèi)，每個(gè)碳原子的配位數(shù)為3，有一個(gè)未參與雜化的2p電子，它的原子軌道垂直于碳原子平面。(2)晶體類(lèi)型：石墨晶體中，既有共價(jià)鍵，又有金屬鍵和范德華力，屬于混合型晶體。(3)性質(zhì)：熔點(diǎn)很高、質(zhì)軟、易導(dǎo)電等。(4)石墨的典型物理性質(zhì)是導(dǎo)電性、潤(rùn)滑性和高熔、沸點(diǎn)，其熔點(diǎn)比金剛石的還高。(5)石墨晶體中C原子數(shù)與C—C數(shù)之比為2∶3，即12g石墨晶體中含1.5NA個(gè)C—C共價(jià)鍵?！咀兪接?xùn)練】航天飛機(jī)表層的防熱瓦曾成為航天飛機(jī)能否安全著陸的制約因素，防熱瓦是以石墨材料為主要成分的十分疏松的泡沫陶瓷。下列有關(guān)說(shuō)法合理的是()A．石墨成為該泡沫陶瓷主要成分的主要原因是石墨是共價(jià)晶體B．石墨成為該泡沫陶瓷主要成分的主要原因是石墨熔點(diǎn)很高C．石墨中碳碳鍵之間的夾角是109°28′D．C60也可代替石墨用作航天飛機(jī)表層的防熱瓦材料答案：B解析：石墨為混合晶體，鍵角為120°，熔點(diǎn)高，可用作防熱瓦材料；C60為分子晶體，熔點(diǎn)低，不能用作防熱瓦材料核心考點(diǎn)四：四種典型晶體比較【例4】(1)MgCl2在工業(yè)上應(yīng)用廣泛，可由MgO制備。①M(fèi)gO的熔點(diǎn)比BaO的熔點(diǎn)________(填“高”或“低”)。②SiO2的晶體類(lèi)型為_(kāi)_______________。(2)對(duì)于鈉的鹵化物(NaX)和硅的鹵化物(SiX4)，下列敘述正確的是________(填字母)。A．SiX4難水解B．SiX4是共價(jià)化合物C．NaX都易水解D．NaX的熔點(diǎn)一般高于SiX4答案：(1)①高②共價(jià)晶體(2)BD解析：(1)①M(fèi)g、Ba同主族，Mg2＋的半徑小于Ba2＋，MgO的離子鍵比BaO強(qiáng)，故MgO的熔點(diǎn)比BaO高。②SiO2為空間立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，其熔、沸點(diǎn)很高，屬于共價(jià)晶體。(2)A項(xiàng)，硅的鹵化物(SiX4)的水解比較強(qiáng)烈，如SiCl4＋3H2O===H2SiO3↓＋4HCl、SiF4＋3H2O===H2SiO3↓＋4HF，錯(cuò)誤；B項(xiàng)，硅的鹵化物(SiX4)全部由非金屬元素構(gòu)成，屬于共價(jià)化合物，正確；C項(xiàng)，鈉的鹵化物(NaX)除NaF外均屬于強(qiáng)酸強(qiáng)堿鹽，不發(fā)生水解，錯(cuò)誤；D項(xiàng)，鈉的鹵化物(NaX)是由離子鍵構(gòu)成的，屬于離子晶體，SiX4屬于分子晶體，所以NaX的熔點(diǎn)一般高于SiX4，正確?！練w納小結(jié)】1．四種晶體類(lèi)型的比較

類(lèi)型比較分子晶體共價(jià)晶體金屬晶體離子晶體構(gòu)成粒子分子原子金屬陽(yáng)離子和自由電子陰、陽(yáng)離子粒子間的相互作用力分子間作用力共價(jià)鍵金屬鍵離子鍵硬度較小很大有的很大，有的很小較大熔、沸點(diǎn)較低很高有的很高，有的很低較高溶解性相似相溶難溶于任何溶劑常見(jiàn)溶劑難溶大多易溶于水等極性溶劑導(dǎo)電、傳熱性一般不導(dǎo)電，溶于水后有的導(dǎo)電一般不具有導(dǎo)電性電和熱的良導(dǎo)體晶體不導(dǎo)電，水溶液或熔融態(tài)導(dǎo)電2．晶體熔、沸點(diǎn)高低的比較方法(1)不同類(lèi)型晶體的熔、沸點(diǎn)不同類(lèi)型的晶體的熔、沸點(diǎn)高低，取決于組成晶體的微粒間的作用力大小，粒子間的作用力越大，晶體的熔、沸點(diǎn)越高；粒子間的作用力越小，晶體的熔、沸點(diǎn)越低。一般共價(jià)晶體的熔、沸點(diǎn)最高，分子晶體的熔、沸點(diǎn)最低。離子晶體和金屬晶體要根據(jù)物質(zhì)構(gòu)成粒子間的作用力大小判斷，但一般介于上述兩者之間。如SiO2>NaCl>干冰。有的離子晶體熔點(diǎn)很高，如MgO。有的金屬晶體的熔點(diǎn)很高，如W、Cr等，有的金屬晶體的熔點(diǎn)很低，如汞、Na、K等。(2)同類(lèi)晶體的熔沸點(diǎn)比較方法①離子晶體：一般地，化學(xué)組成、結(jié)構(gòu)相似的晶體，離子所帶電荷越多、半徑越小，離子鍵越強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)越高。如KF>KCl>KI；CaCl2>KCl。②共價(jià)晶體：共價(jià)晶體結(jié)構(gòu)相似時(shí)，原子半徑越小，鍵長(zhǎng)越短，鍵能越大，熔、沸點(diǎn)越高。如金剛石>碳化硅>晶體硅。③金屬晶體：金屬晶體的核電荷數(shù)越多，原子半徑越小，價(jià)電子數(shù)越多，則金屬鍵越強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)越高。如Al>Mg>Na>K。一般合金的熔、沸點(diǎn)比其各成分金屬的熔、沸點(diǎn)低。④分子晶體：a．分子晶體的熔沸點(diǎn)高、低由分子間作用力（氫鍵、范德華力）的強(qiáng)弱決定。比較分子晶體的熔、沸點(diǎn)，要先看是否有氫鍵形成，若形成分子間氫鍵，熔、沸點(diǎn)升高，若形成分子內(nèi)氫鍵，則熔、沸點(diǎn)降低。b．對(duì)于分子晶體，組成和結(jié)構(gòu)相似的分子，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，晶體的熔、沸點(diǎn)越高。如CI4>CBr4>CCl4>CF4。c．組成相似且相對(duì)分子質(zhì)量相近的物質(zhì)，分子的電荷分布越不均勻，范德華力越大，其熔、沸點(diǎn)就越高，如熔、沸點(diǎn)：CO>N2。d．在同分異構(gòu)體中，一般來(lái)說(shuō)，支鏈越多，熔、沸點(diǎn)就越低，如沸點(diǎn)：正戊烷>異戊烷>新戊烷。【變式訓(xùn)練1】下表給出幾種化合物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)：物質(zhì)NaClMgCl2AlCl3CCl4熔點(diǎn)/℃801714190－22.9沸點(diǎn)/℃1465141217876.8關(guān)于表中4種化合物有下列說(shuō)法，其中正確的是()①AlCl3在加熱時(shí)可升華②CCl4屬于分子晶體③1500℃時(shí)NaCl可形成氣體分子④AlCl3是典型的離子晶體A．①②④B．③④C．①②③ D．①②③④答案：C解析：根據(jù)各物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)判斷，AlCl3和CCl4為分子晶體；AlCl3的沸點(diǎn)低于熔點(diǎn)，所以可升華；NaCl為離子晶體，但1500℃高于其沸點(diǎn)，故1500℃時(shí)以分子形式存在?！咀兪接?xùn)練2】下列物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低順序中，正確的是()A．金剛石＞晶體硅＞二氧化硅＞碳化硅C．MgO＞H2O＞O2＞Br2D．金剛石＞生鐵＞純鐵＞鈉答案：B解析：A項(xiàng)，同屬于共價(jià)晶體，熔、沸點(diǎn)高低主要看共價(jià)鍵的強(qiáng)弱，顯然對(duì)鍵能而言，晶體硅＜碳化硅＜二氧化硅，錯(cuò)誤；B項(xiàng)，形成分子間氫鍵的物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)要大于形成分子內(nèi)氫鍵的物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)，正確；C項(xiàng)，對(duì)于不同類(lèi)型的晶體，其熔、沸點(diǎn)高低一般為共價(jià)晶體＞離子晶體＞分子晶體，MgO＞H2O＞Br2＞O2，錯(cuò)誤；D項(xiàng)，生鐵為鐵合金，熔點(diǎn)要低于純鐵，錯(cuò)誤。【基礎(chǔ)練】1．金屬晶體的形成是因?yàn)榫w中存在()。A．金屬離子間的相互作用 B．金屬原子間的相互作用C．金屬離子與自由電子間的相互作用 D．自由電子間的相互作用答案：C2．金屬能導(dǎo)電的原因是()。A．金屬晶體中金屬陽(yáng)離子與自由電子間的作用較弱B．金屬晶體中的自由電子在外加電場(chǎng)作用下可發(fā)生定向移動(dòng)C．金屬晶體中的金屬陽(yáng)離子在外加電場(chǎng)作用下可發(fā)生定向移動(dòng)D．金屬晶體在外加電場(chǎng)作用下可失去電子答案：B解析：金屬晶體由金屬陽(yáng)離子和自由電子構(gòu)成，在外加電場(chǎng)作用下，自由電子可發(fā)生定向移動(dòng)而導(dǎo)電。3．關(guān)于晶體的下列說(shuō)法中，正確的是()。A．共價(jià)晶體中可能含有離子鍵B．離子晶體中可能含有共價(jià)鍵C．離子晶體中只含有離子鍵，不含有共價(jià)鍵D．任何晶體中，若含有陽(yáng)離子就一定有陰離子答案：B解析：共價(jià)晶體是原子通過(guò)共價(jià)鍵相結(jié)合形成的，不存在離子鍵，A錯(cuò)誤；離子晶體中一定含離子鍵，可能含有共價(jià)鍵，如NaOH晶體等，B正確，C錯(cuò)誤；晶體中含有陽(yáng)離子，但不一定含有陰離子，如金屬晶體中含金屬陽(yáng)離子和自由電子，不含陰離子，D錯(cuò)誤。4．下列物質(zhì)中，含有極性共價(jià)鍵的離子晶體是()。A．NaCl B． C． D．NaOH答案：D解析：NaCl、只含離子鍵，A、B錯(cuò)誤；晶體由和構(gòu)成，含有離子鍵和非極性共價(jià)鍵，C錯(cuò)誤；NaOH晶體由和構(gòu)成，含有離子鍵和極性共價(jià)鍵，D正確。5．下列各物質(zhì)的晶體中，晶體類(lèi)型相同的是()。A．和 B．NaCl和HClC．和 D．和答案：C解析：晶體是分子晶體，晶體是共價(jià)晶體；NaCl晶體是離子晶體，HCl的晶體是分子晶體；和的晶體都是分子晶體；的晶體是分子晶體，的晶體是離子晶體。6．下列性質(zhì)中，能充分說(shuō)明某晶體是離子晶體的是()A．具有較高的熔點(diǎn) B．固態(tài)不導(dǎo)電，水溶液能導(dǎo)電C．可溶于水 D．固態(tài)不導(dǎo)電，熔融狀態(tài)能導(dǎo)電答案：D解析：具有較高熔點(diǎn)的晶體不一定是離子晶體，共價(jià)晶體也具有較高的熔點(diǎn)，故A錯(cuò)誤；固態(tài)不導(dǎo)電，水溶液能導(dǎo)電的不一定是離子晶體，如等分子晶體固態(tài)不導(dǎo)電，水溶液能導(dǎo)電，故B錯(cuò)誤；晶體類(lèi)型與溶解性無(wú)直接關(guān)系，故C錯(cuò)誤；離子晶體固態(tài)時(shí)離子不能自由移動(dòng)，所以不能導(dǎo)電，而熔融狀態(tài)下可以電離出自由移動(dòng)的離子，可以導(dǎo)電，故D正確。7．如圖所示，在氯化鈉晶胞中，與每個(gè)等距離且最近的幾個(gè)所圍成的空間結(jié)構(gòu)為()A．正八面體 B．十二面體 C．正六面體 D．正四面體答案：A解析：取晶胞體心的鈉離子為參考，由題圖可知與該鈉離子等距離且最近的氯離子分別位于立方體晶胞的6個(gè)面心，所以鈉離子的配位數(shù)是6，將6個(gè)氯離子連接后所圍成的空間結(jié)構(gòu)是正八面體，A正確。8．下列各組中的固態(tài)物質(zhì)熔化（或升華）時(shí)，克服的微粒間相互作用力屬于同種類(lèi)型的是（）A．碘和碘化鈉B．金剛石和重晶石C．冰醋酸和硬脂酸甘油酯D．干冰和二氧化硅答案：C解析：A選項(xiàng)，碘是分子晶體，升華時(shí)克服分子間作用力，碘化鉀是離子晶體，熔化時(shí)克服離子鍵；B選項(xiàng)，金剛石是共價(jià)晶體，熔化時(shí)克服共價(jià)鍵，重晶石（BaSO4）是離子晶體，熔化時(shí)克服離子鍵；C選項(xiàng)，冰醋酸和硬脂酸甘油酯都是分子晶體，熔化時(shí)克服分子間作用力；D選項(xiàng)，干冰是分子晶體，克服分子間作用力，二氧化硅是共價(jià)晶體，熔化時(shí)克服共價(jià)鍵。故選C。9．下列說(shuō)法中正確的是()A．C60汽化和I2升華克服的作用力相同B．甲酸甲酯和乙酸的分子式相同，它們的熔點(diǎn)相近C．NaCl和HCl溶于水時(shí)，破壞的化學(xué)鍵都是離子鍵D．常溫下TiCl4是無(wú)色透明液體，熔點(diǎn)-23.2℃，沸點(diǎn)136.2℃，所以TiCl4屬于離子晶體答案：A解析：A中，C60、I2均為分子晶體，汽化或升華時(shí)均克服范德華力，B中乙酸分子可形成氫鍵，其熔、沸點(diǎn)比甲酸甲酯高；C中HCl溶于水時(shí)破壞的是共價(jià)鍵；D中TiCl4屬于分子晶體。10．表是第三周期部分元素氧化物和氟化物的熔點(diǎn)和摩氏硬度：化合物NaFMgF2MgOSiF4SiO2熔點(diǎn)/K1266153431251831983摩氏硬度3.26.06.57（1）兩種氧化物MgO和SiO2的晶體類(lèi)型分別是、。（2）表格中幾種氟化物熔點(diǎn)差異的主要原因是______________________________________。（3）1molSiO2中含有molSi﹣O鍵，Si和O原子配位數(shù)之比為。（4）NaF、MgF2、MgO、SiF4、SiO2中化學(xué)鍵能夠代表分子真實(shí)組成的是。答案：（1）離子晶體、原子晶體（2）NaF與MgF2為離子晶體，SiF4為分子晶體，故SiF4的熔點(diǎn)低；Mg2+的半徑比Na+的半徑小，Mg2+帶2個(gè)單位正電荷數(shù)比Na+多，故MgF2的熔點(diǎn)比NaF高；（3）42：1（4）SiF4【提升練】1．金晶體的晶胞如圖所示。設(shè)金原子的直徑為d，用NA表示阿伏加德羅常數(shù)，在立方體的各個(gè)面的對(duì)角線上，3個(gè)金原子彼此兩兩相切，M表示金的摩爾質(zhì)量。則下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是()A．金晶體每個(gè)晶胞中含有4個(gè)金原子B．金屬鍵無(wú)方向性，金屬原子盡可能采取密堆積C．一個(gè)晶胞的體積是16eq\r(2)d3D．金晶體的密度是eq\f(\r(2)M,d3NA)答案：C解析：金原子處于頂角與面心上，晶胞中含有的金原子數(shù)目為8×eq\f(1,8)＋6×eq\f(1,2)＝4，故A正確；金屬晶體中，金屬鍵無(wú)方向性，金屬原子采取密堆積，故B正確；在立方體的各個(gè)面的對(duì)角線上3個(gè)金原子彼此兩兩相切，金原子的直徑為d，故面對(duì)角線長(zhǎng)度為2d，棱長(zhǎng)為eq\r(2)d，故晶胞的體積為(eq\r(2)d)3＝2eq\r(2)d3，故C錯(cuò)誤；晶胞中含有4個(gè)原子，故晶胞質(zhì)量為eq\f(4M,NA)，晶胞的體積為2eq\r(2)d3，故晶胞密度為eq\f(\f(4M,NA),2\r(2)d3)＝eq\f(\r(2)M,d3NA)，故D正確。2．下列數(shù)據(jù)是對(duì)應(yīng)物質(zhì)的熔點(diǎn)，有關(guān)的判斷錯(cuò)誤的是()Na2ONaAlF3AlCl3Al2O3BCl3CO2SiO2920℃97.8℃1291℃190℃2073℃－107℃－57℃1723℃A．含有金屬陽(yáng)離子的晶體不一定是離子晶體B．同族元素的氧化物可形成不同類(lèi)型的晶體C．活潑金屬元素與活潑非金屬元素一定能形成離子化合物D．金屬晶體的熔點(diǎn)不一定比分子晶體的高答案：C解析：金屬單質(zhì)含有金屬陽(yáng)離子是金屬晶體，不是離子晶體，所以含有金屬陽(yáng)離子的晶體不一定是離子晶體，故A正確；C和Si同主族，但氧化物的晶體類(lèi)型不同，分別屬于分子晶體和共價(jià)晶體，故B正確；活潑金屬Al與活潑非金屬Cl形成的AlCl3屬于共價(jià)化合物，所以活潑金屬元素與活潑非金屬元素能形成共價(jià)化合物，故C錯(cuò)誤；Na的熔點(diǎn)比AlCl3低，所以金屬晶體的熔點(diǎn)不一定比分子晶體的高，故D正確。3．澤維爾研究發(fā)現(xiàn)，當(dāng)用激光脈沖照射N(xiāo)aI，使Na＋和I－兩核間距為1.0～1.5nm時(shí)，呈離子鍵；當(dāng)兩核靠近約距0.28nm時(shí)，呈共價(jià)鍵。