2022屆高三化學(xué)二輪復(fù)習(xí)-晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)必刷卷

2022屆高三化學(xué)二輪復(fù)習(xí)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)必刷卷一、選擇題（共17題）1．下列有關(guān)晶體的敘述中，錯(cuò)誤的是A．金剛石網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中，由共價(jià)鍵形成的碳原子環(huán)中，最小的環(huán)上有6個(gè)碳原子B．氯化鈉晶體中，每個(gè)Na+周圍距離相等且最近的Na+共有6個(gè)C．金屬晶體中，以“ABCABCABC……”形式的堆積稱為面心立方堆積D．干冰晶體中，每個(gè)CO2分子周圍距離相等且最近的CO2分子共有12個(gè)2．下列物質(zhì)熔化時(shí)破壞分子間作用力的是A．CaO B．CO2 C．SiO2 D．NaCl3．美國《科學(xué)》雜志曾報(bào)道：在40GPa的高壓下，用激光加熱到1800K，人們成功制得了共價(jià)晶體CO2，下列對該物質(zhì)的推斷一定不正確的是A．該共價(jià)晶體中含有極性鍵B．該共價(jià)晶體易汽化，可用作制冷材料C．該共價(jià)晶體有很高的熔沸點(diǎn)D．該共價(jià)晶體的硬度大，可用作耐磨材料4．下列有關(guān)性質(zhì)的比較中，正確的是A．熱穩(wěn)定性：H2S>HCl>HBr>HI B．熔點(diǎn)：Na2O>MgO>CaOC．微粒半徑：F－<Na+<Mg2+ D．還原性：H2S>HCl>HF5．下列物質(zhì)有固定熔沸點(diǎn)的是A．CuSO4溶液 B．石蠟C．玻璃 D．白磷6．下列圖像是從某些離子晶體結(jié)構(gòu)圖中分割出來的部分結(jié)構(gòu)圖，試判斷下列圖像屬于NaCl晶體結(jié)構(gòu)的圖像是A．圖⑴和圖⑶ B．圖⑵和圖⑶ C．只有圖⑴ D．圖⑴和圖⑷7．根據(jù)下表的數(shù)據(jù)，判斷下列說法正確的是：離子化合物離子電荷數(shù)晶格能kJ·mol-1熔點(diǎn)C莫氏硬度NaF19239933.2NaCl17868012.5MgO2379128526.5CaO2340126144.5A．晶格能的大小與正負(fù)離子電荷數(shù)和距離成正比B．NaF晶體比NaCl晶體穩(wěn)定C．表中物質(zhì)CaO的晶體最穩(wěn)定D．晶格能就是正負(fù)離子間的靜電引力，晶格能越大，晶體的熔點(diǎn)越高，硬度越大8．下列變化需克服相同類型作用力的是（）A．碘和干冰的升華 B．二氧化硅和C60的熔化C．氯化氫和氯化銨的溶解 D．溴和汞的氣化9．如圖為離子晶體空間構(gòu)型示意圖，則離子晶體的組成表達(dá)式不正確的是A．XYB．XY2ZC．XY3D．X2Y10．在解釋下列物質(zhì)性質(zhì)的變化規(guī)律與物質(zhì)結(jié)構(gòu)間的因果關(guān)系時(shí)，與氫鍵或化學(xué)鍵的強(qiáng)弱無關(guān)的變化規(guī)律是()A．H2O、H2S、H2Se、H2Te的熱穩(wěn)定性依次減弱B．熔點(diǎn)：Al＞Mg＞Na＞KC．NaF、NaCl、NaBr、NaI的熔點(diǎn)依次降低D．CF4、CCl4、CBr4、CI4的熔、沸點(diǎn)逐漸升高11．Mn和Bi形成的晶體薄膜是一種金屬間化合物晶胞結(jié)構(gòu)如圖，有關(guān)說法正確的（）A．錳價(jià)電子排布為B．Bi是d區(qū)金屬C．該合金堆積方式是簡單立方D．該晶體的化學(xué)式為MnBi12．類比和推理是化學(xué)研究的重要方法。下列類比或推理正確的是A．鹵素單質(zhì)的熔點(diǎn)從F2到I2逐漸升高，則堿金屬單質(zhì)的熔點(diǎn)從Li到Cs逐漸升高B．碳素鋼在潮濕的空氣中容易被腐蝕，則不銹鋼在潮濕的空氣中容易被腐蝕C．合金的硬度一般大于組分金屬，則五角面值的銅合金長城幣的硬度大于純銅D．氮?dú)馀c氧氣不容易化合，則磷單質(zhì)與氧氣不容易化合13．“類推”是常用的學(xué)習(xí)方法，但有時(shí)會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤結(jié)論。下列類推的結(jié)論中，正確的是A．IVA族元素氫化物沸點(diǎn)順序是GeH4＞SiH4>CH4則VA族元素氫化物沸點(diǎn)順序也是AsH3>PH3＞NH3B．常見的氫化物是分子晶體，則所有氫化物都是分子晶體C．晶體中有陰離子，必有陽離子；則晶體中有陽離子，也必有陰離子D．第二周期元素氫化物穩(wěn)定性順序是HF＞H2O＞NH3,則第三周期元素氫化物穩(wěn)定性順序也是HCl>H2S>PH314．鈦酸鋇的熱穩(wěn)定性好，介電常數(shù)高，在小型變壓器、話筒和擴(kuò)音器中都有應(yīng)用。鈦酸鋇晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，它的化學(xué)式是()A．BaTi8O12 B．BaTi4O6 C．BaTi2O4 D．BaTiO315．是一種無色無味的氣體，結(jié)構(gòu)式如圖，可溶于水生成草酸：。下列說法正確的是A．甲酸與草酸互為同系物B．是非極性分子C．晶體溶點(diǎn)：草酸＞冰＞三氧化二碳＞干冰D．、和分子中碳原子的雜化方式均相同16．下列有關(guān)物質(zhì)性質(zhì)、結(jié)構(gòu)的表述均正確，且存在因果關(guān)系的是（）表述1表述2A鈉的金屬性比鋁強(qiáng)鈉原子核外電子數(shù)比鋁少B金剛石的熔點(diǎn)高于晶體硅原子半徑Si大于C，鍵能Si-Si小于C-CC離子晶體一般硬度較大，難壓縮離子晶體中陰、陽離子排列很有規(guī)律D相同條件下，分別完全燃燒等量的正丁烷和異丁烷，放出的熱量相同正丁烷與異丁烷互為同分異構(gòu)體A．A B．B C．C D．D17．四種不同堆積方式的金屬晶體的晶胞如圖所示，有關(guān)說法正確的是（）A．金屬Zn采用②堆積方式 B．①和③中原子的配位數(shù)分別為：6、8C．對于采用②堆積方式的金屬的晶胞質(zhì)量為g D．金屬鍛壓時(shí)，會(huì)破壞密堆積的排列方式二、綜合題（共6題）18．下表是元素周期表的一部分。表中所列的字母分別代表一種化學(xué)元素。abcdefghijklmnoi單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如下圖甲所示，其晶胞特征如下圖乙所示，原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如下圖丙所示。若已知i的原子半徑為dcm，NA代表阿伏加德羅常數(shù)，i的相對原子質(zhì)量為M，請回答：①晶胞中i原子的配位數(shù)為___________，一個(gè)晶胞中i原子的數(shù)目為___________；②該晶體的密度為___________g/cm3(用字母表示)。19．我國科學(xué)家利用Cs2CO3、XO2（X=Si、Ge）和H3BO3首次合成了組成為CsXB3O7的非線性光學(xué)晶體。回答下列問題：（1）C、O、Si三種元素電負(fù)性由大到小的順序?yàn)開__________；第一電離能I1(Si)___________I1(Ge)（填“>”或“<”）。（2）基態(tài)Ge原子價(jià)電子排布式為___________；SiO2、GeO2具有類似的晶體結(jié)構(gòu)，SiO2熔點(diǎn)較高，其原因是___________（3）如圖為硼酸晶體的片層結(jié)構(gòu)，其中硼原子的雜化方式為___________。該晶體中存在的作用力有___________。A．共價(jià)鍵B．離子鍵C．氫鍵（4）Fe和Cu可分別與氧元素形成低價(jià)態(tài)氧化物FeO和Cu2O。①FeO立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示，則Fe2＋的配位數(shù)為___________。②Cu2O立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，若晶胞邊長為acm，則該晶體的密度為___________g·cm－3。(用含a、NA的代數(shù)式表示，NA代表阿伏加德羅常數(shù))20．有A、B、C、D四種元素，其中A元素和B元素的原子都有1個(gè)未成對電子，A＋比B－少一個(gè)電子層，B原子得一個(gè)電子填入3p軌道后，3p軌道已充滿；C原子的p軌道中有3個(gè)未成對電子，其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大；D的最高化合價(jià)和最低化合價(jià)的代數(shù)和為4，其最高價(jià)氧化物中含D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40％，且其核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)。R是由A、D兩元素形成的離子化合物，其中A＋與D2－離子數(shù)之比為2∶1。請回答下列問題：(1)B－的電子排布式為__________，在CB3分子中C元素原子的原子軌道發(fā)生的是__________雜化。(2)C的氫化物的空間構(gòu)型為__________，其氫化物在同族元素所形成的氫化物中沸點(diǎn)最高的原因是__________。(3)B元素的電負(fù)性__________D元素的電負(fù)性(填“＞”、“＜”或“＝”)，用一個(gè)化學(xué)方程式說明B、D兩元素形成的單質(zhì)的氧化性強(qiáng)弱：__________。(4)如圖所示是R形成的晶體的晶胞，設(shè)晶胞的棱長為acm。試計(jì)算R晶體的密度為__________。(阿伏加德羅常數(shù)用NA表示)21．無水AlCl3可用作有機(jī)合成的催化劑、食品膨松劑等。工業(yè)上可由鋁土礦(主要成分是Al2O3和Fe2O3)和焦炭制備。流程如圖所示：已知：AlCl3、FeCl3分別在183℃、315℃時(shí)升華；FeCl2的熔點(diǎn)為672℃。（1）AlCl3屬于______(選填“強(qiáng)”、“弱”)電解質(zhì)，它的晶體類型為______。（2）寫出氯化爐中Al2O3、Cl2和焦炭在高溫下發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式______，制取1molAlCl3，至少要消耗碳______mol。（3）向升華器中加入Al粉，其作用是______。（4）700℃時(shí)，升華器中物質(zhì)經(jīng)充分反應(yīng)后需降溫實(shí)現(xiàn)FeCl3和AlCl3的分離。請選擇合適的溫度范圍______。a.低于183℃b.介于183℃和315℃之間c.高于315℃（5）稱取AlCl3樣品(含少量FeCl3)m克，用重量法方案測定AlCl3含量，流程如圖：m克樣品n克固體氯化鋁的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為______。22．ⅣA族元素及其化合物在材料等方面有重要用途，碳在自然界中存在多種同素異形體，硅、鍺(Ge)及其化合物廣泛應(yīng)用于光電材料領(lǐng)域?；卮鹣铝袉栴}：（1）碳的一種單質(zhì)的晶胞結(jié)構(gòu)如圖(a)所示。該單質(zhì)的晶體類型為___，原子間存在的共價(jià)鍵類型為___(填“σ鍵”、“π鍵”)，碳原子雜化方式為___。（2）基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar]___，有___個(gè)未成對電子。（3）硅和鹵素單質(zhì)反應(yīng)可以得到SiX4，SiX4的沸點(diǎn)和二鹵化鉛PbX2的熔點(diǎn)如圖(b)所示。①0℃時(shí)，SiF4、SiCl4、SiBr4、SiI4呈液態(tài)的是___(填化學(xué)式)，沸點(diǎn)依次升高的原因是___，氣態(tài)分子SiX4的空間構(gòu)型是__。②結(jié)合SiX4的沸點(diǎn)和PbX2的熔點(diǎn)的變化規(guī)律，可推斷：依F、Cl、Br、I的次序，PbX2中的化學(xué)鍵的離子性__、共價(jià)性__。(填“增強(qiáng)”“不變”或“減弱”)（4）立方氮化硼的結(jié)構(gòu)與圖(a)相似，已知晶胞邊長為361.5pm，則立方氮化硼的密度是___g·cm-3。(只要求列算式，不必計(jì)算出數(shù)值，阿伏伽德羅常數(shù)用NA表示)23．N、Cu等元素的化合物在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中有著廣泛的應(yīng)用。（1）下列N元素的電子排布式表示的狀態(tài)中，失去一個(gè)電子所需能量最低的為___。A．1s22s22p2p2p B．1s22s22p2p3s1C．1s22s22p2p D．1s22s22p3s1（2）存在兩種分子內(nèi)氫鍵，若用“…表示其氫鍵”，則其分子結(jié)構(gòu)分別為___；___。（3）基態(tài)Cu2+價(jià)電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有___種。（4）Cu元素與Br元素形成的化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該晶胞沿z軸在平面的投影圖中，Cu原子構(gòu)成的幾何圖形是___，若晶胞的密度為dg·cm-3，則Cu原子與Br原子之間的最短距離為___μm(列出計(jì)算式即可，NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值)。

參考答案1．B【詳解】試題分析：A．金剛石晶體中，每個(gè)碳原子形成四個(gè)共價(jià)鍵，由共價(jià)鍵形成的最小碳環(huán)上有6個(gè)碳原子；B．NaCl晶體中，Na+周圍最近的Na+在小立方體的面對角線上，故有12個(gè)Na+最近且等距離；C．金屬晶體中，以“…ABCABCABC…”形式的堆積，也就是在晶胞的八個(gè)頂點(diǎn)和六個(gè)面心上都各有一個(gè)金屬原子，稱為面心立方堆積；D．干冰晶體中，CO2分子分布在晶胞的八個(gè)頂點(diǎn)和六個(gè)面心上，所以每個(gè)CO2分子周圍距離（即小立方體的面對角線長度）相等且最近的CO2分子共有12個(gè)．解：A．金剛石晶體中，由共價(jià)鍵形成的最小碳環(huán)上有6個(gè)碳原子，每個(gè)碳原子形成四個(gè)共價(jià)鍵，從而形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，故A正確；B．NaCl晶體中，Na+周圍最近的Na+在小立方體的面對角線上，故有12個(gè)Na+最近且等距離，故B錯(cuò)誤；C．金屬晶體中，以“…ABCABCABC…”形式的堆積，也就是在晶胞的八個(gè)頂點(diǎn)和六個(gè)面心上都各有一個(gè)金屬原子，稱為面心立方堆積，C正確；D．干冰晶體中，CO2分子分布在晶胞的八個(gè)頂點(diǎn)和六個(gè)面心上，所以每個(gè)CO2分子周圍距離（即小立方體的面對角線長度）相等且最近的CO2分子共有12個(gè)．故D正確；故選B．2．B【詳解】A、CaO為離子化合物，熔化斷裂離子鍵，故A錯(cuò)誤；B、CO2在固體時(shí)是分子晶體，熔化時(shí)破壞的是分子間作用力，故B錯(cuò)誤；C、SiO2是原子晶體，熔化斷裂的是共價(jià)鍵，故C錯(cuò)誤；D、NaCl為離子化合物，熔化斷裂離子鍵，故D錯(cuò)誤。故選B。3．B【詳解】A、CO2固態(tài)時(shí)由分子晶體變?yōu)楣矁r(jià)晶體，其成鍵情況也發(fā)生了變化，由原來的變?yōu)?，但化學(xué)鍵依然為極性共價(jià)鍵，A項(xiàng)正確;B、CO2由分子晶體變成共價(jià)晶體，熔沸點(diǎn)高，不易汽化，不適合作制冷材料，B不正確;C、CO2由分子晶體變成共價(jià)晶體，共價(jià)晶體有很高的熔沸點(diǎn)，故C正確;D、CO2由分子晶體變成共價(jià)晶體，共價(jià)晶體具有硬度大耐磨等特點(diǎn)，D項(xiàng)正確;答案選Ｂ。4．D【詳解】A.非金屬的非金屬性越強(qiáng)其氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性越強(qiáng)，HCl>H2S，A錯(cuò)誤；B.離子晶體的晶格能越大，熔點(diǎn)越高，熔點(diǎn)：MgO>Na2O，B錯(cuò)誤；C.具有相同核外電子排布的離子，原子序數(shù)越大半徑越小，微粒半徑：Na+<Mg2+<F－，C錯(cuò)誤；D.氫化物的穩(wěn)定性越強(qiáng)，則還原性越弱，還原性：H2S>HCl>HF，D正確；答案為D；5．D【詳解】A.CuSO4溶液是硫酸銅和水的混合物，沒有固定的熔沸點(diǎn)，故A不選；B.石蠟是由多種烷烴和環(huán)烷烴組成的混合物，沒有固定的熔沸點(diǎn)，故B不選；C.玻璃是二氧化硅、硅酸鈉和硅酸鈣的混合物，沒有固定的熔沸點(diǎn)，故C不選；D.白磷是純凈物，有固定的熔沸點(diǎn)，故D選。故選D。6．D【詳解】分析：本題考查的是常見晶體的空間構(gòu)型，注意氯化鈉和氯化銫晶體結(jié)構(gòu)的區(qū)別。詳解：由于在氯化鈉晶體中，每個(gè)鈉離子周圍同時(shí)吸引著最近的等距離的6個(gè)氯離子同樣每個(gè)氯離子周圍同時(shí)吸引著最近的等距離的6個(gè)鈉離子，圖⑴符合條件，圖⑷中選取其中一個(gè)離子，然后沿X、Y、Z三軸切割得到6個(gè)等距離的且最近的帶相反電荷的離子，所以其配位數(shù)也是6，符合條件，故選D。7．B【詳解】A．根據(jù)表中的數(shù)據(jù)可知，NaF電荷數(shù)1，MgO電荷數(shù)2，晶格能的大小與正負(fù)離子電荷數(shù)成正比，MgO、CaO中所帶電荷相同，但鎂離子半徑小于鈣離子半徑，鍵長MgO小于CaO，晶格能：MgO＞CaO，所以晶格能的大小與距離成反比，故A錯(cuò)誤；B．NaF晶體與NaCl晶體，兩種化合物所帶離子電荷相同，由于離子半徑：Cl?＞F?，因此晶格能：NaF＞NaCl，NaF晶體比NaCl晶體穩(wěn)定，故B正確；C．MgO、CaO中所帶電荷相同為2，但鎂離子半徑小于鈣離子半徑，NaF晶體與NaCl晶體中陰陽離子所帶電荷都為1，離子半徑：Cl?＞F?，所以NaF、NaCl、MgO、CaO4種離子晶體熔點(diǎn)從高到低的順序是MgO＞CaO＞NaF＞NaCl，晶格能越大，晶體越穩(wěn)定，表中物質(zhì)MgO的晶體最穩(wěn)定，故C錯(cuò)誤；D．離子鍵本質(zhì)是陰、陽離子間的靜電作用，不只是引力，還有斥力等，晶格能越大，即正負(fù)離子間的靜電作用力越強(qiáng)，晶體的熔點(diǎn)就越高，硬度越大，故D錯(cuò)誤；答案選B。8．A【詳解】A．碘和干冰均為分子晶體，升華均為物理變化，破壞分子間作用力，故A正確；B．二氧化硅為原子晶體，熔化破壞共價(jià)鍵，C60為分子晶體，熔化破壞分子間作用力，故B錯(cuò)誤；C．氯化氫為分子晶體，HCl溶于水發(fā)生電離，破壞共價(jià)鍵，氯化銨為離子晶體，溶于水發(fā)生電離破壞離子鍵，故C錯(cuò)誤；D．溴為分子晶體，氣化破壞分子間作用力，汞為金屬單質(zhì)，氣化時(shí)破壞金屬鍵，故D錯(cuò)誤；故答案為A。9．B【解析】試題分析：A、圖中X離子個(gè)數(shù)=4×QUOTE1818=QUOTE1212，Y離子個(gè)數(shù)=4×QUOTE1818=QUOTE1212，個(gè)數(shù)之比為1：1，其化學(xué)式為XY，故A正確；B、圖中X離子個(gè)數(shù)=8×QUOTE1818=1，Y離子個(gè)數(shù)=6×QUOTE1212=3，Y離子個(gè)數(shù)=1，個(gè)數(shù)之比為1：3：1，其化學(xué)式為XY3Z，故B錯(cuò)誤；C、圖中X離子個(gè)數(shù)=4×QUOTE1818+1=1.5，Y離子個(gè)數(shù)=4×QUOTE1818+4×QUOTE1212+2=4.5，個(gè)數(shù)之比為1：3，其化學(xué)式為XY3，故C正確；D、圖中X離子個(gè)數(shù)=1，Y離子個(gè)數(shù)=4×QUOTE1818=0.5，個(gè)數(shù)之比為2：1，其化學(xué)式為X2Y，故D正確；故選B。考點(diǎn)：考查晶胞計(jì)算，側(cè)重考查分析計(jì)算能力，正確判斷離子被幾個(gè)晶胞占有是解本題關(guān)鍵。10．D【解析】【詳解】A.同主族元素的從上至下非金屬性減弱，氫化物的穩(wěn)定性減弱，H2O、H2S、H2Se、H2Te的熱穩(wěn)定性依次減弱，與中心原子和氫形成的共價(jià)鍵強(qiáng)弱有關(guān)，故A不符；B.熔點(diǎn)：Al＞Mg＞Na＞K，與金屬鍵強(qiáng)弱有關(guān)，故B不符；C.NaF、NaCl、NaBr、NaI的熔點(diǎn)依次降低，因?yàn)殡x子鍵從F到I逐漸減弱，故C不符；D.CF4、CCl4、CBr4、CI4的熔、沸點(diǎn)逐漸升高，是由于隨著相對分子質(zhì)量增大范德華力依次增大，與化學(xué)鍵強(qiáng)弱無關(guān)，故D符合；故選D。11．D【詳解】A．Mn為25號(hào)元素，其3d、4s電子為其價(jià)電子，根據(jù)能量最低原理，4s比3d的能量低，故先排4s再排3d能級(jí)上的電子，先排4s能級(jí)上的2個(gè)電子，再排3d能級(jí)上的5個(gè)電子，錳價(jià)電子排布為，故A錯(cuò)誤；B．83號(hào)元素Bi最后排入的電子為p電子，所以Bi位于p區(qū)，故B錯(cuò)誤；C．簡單立方為六面體，根據(jù)圖知，該合金堆積方式不是簡單立方，故C錯(cuò)誤；D．根據(jù)原子半徑知，黑色小球表示Mn原子、白色小球表示Bi原子，Bi原子數(shù)目為6，Mn原子數(shù)目為，故該晶體物質(zhì)的化學(xué)式MnBi，故D正確；答案選D。12．C【詳解】A.鹵素單質(zhì)構(gòu)成的晶體都是分子晶體，從F2到I2，分子間作用力逐漸增大、熔點(diǎn)逐漸升高，堿金屬單質(zhì)的晶體是金屬晶體，從Li到Cs，金屬鍵逐漸減弱、熔點(diǎn)逐漸降低，A錯(cuò)誤；B.碳素鋼在潮濕的空氣中容易發(fā)生電化學(xué)腐蝕，則不銹鋼改變了內(nèi)部結(jié)構(gòu)改變故具有抗腐蝕性能，B錯(cuò)誤；C.合金的硬度一般大于組分金屬，則銅合金長城幣的硬度大于純銅，C正確；D.氮?dú)馀c氧氣不容易化合，則磷單質(zhì)與氧氣相對容易化合，例如白磷在空氣中容易自燃，D錯(cuò)誤；答案選C。

13．D【解析】A.NH3分子間存在氫鍵，使其沸點(diǎn)升高，故A錯(cuò)誤；B.某些金屬的氫化物是離子晶體，如氫化鈉，故B錯(cuò)誤；C.金屬晶體中有陽離子，沒有陰離子，故C錯(cuò)誤；D.元素的非金屬性越強(qiáng)，穩(wěn)定性越大，同周期元素從左到右元素的非金屬性逐漸增強(qiáng)，則對應(yīng)的氫化物的穩(wěn)定性逐漸增強(qiáng)，故D正確。故選D。14．D【詳解】由晶胞結(jié)構(gòu)示意圖可知，Ba在立方體的體心，完全屬于該晶胞，晶胞中含有Ba原子個(gè)數(shù)為1；Ti原子位于立方體的8個(gè)頂點(diǎn)，每個(gè)Ti有屬于該晶胞，晶胞中含有Ti原子個(gè)數(shù)為8×=1；O處于立方體的12條棱的中點(diǎn)，每個(gè)O有屬于該晶胞，晶胞中含有O原子個(gè)數(shù)為12×=3。則晶體中N(Ba)：N(Ti)：N(O)=1：1：3，則鈦酸鋇的化學(xué)式為BaTiO3，故合理選項(xiàng)是D。15．C【詳解】A．同系物是結(jié)構(gòu)相似，分子式相差若干個(gè)CH2的物質(zhì)，甲酸(HCOOH)與草酸(HOOCCOOH)不符合要求，不互為同系物，A錯(cuò)誤；B．由圖可知正負(fù)電中心不重合，是極性分子，B錯(cuò)誤；C．草酸、冰、三氧化二碳、干冰均是分子晶體，草酸分子間和H2O分子間均能形成氫鍵，熔點(diǎn)會(huì)更高，草酸形成的氫鍵數(shù)目更多，熔點(diǎn)在四者中最大，相對分子質(zhì)量比低，熔點(diǎn)也低于，所以四者熔點(diǎn)大小為：草酸＞冰＞三氧化二碳＞干冰，C正確；D．中碳原子的雜化方式為sp雜化，中碳原子的雜化方式為sp2雜化，分子中碳原子的雜化方式為sp2雜化，雜化方式不全部相同，D錯(cuò)誤；答案選C。16．B【分析】A.金屬性的強(qiáng)弱與核外電子的多少無關(guān)；B.共價(jià)鍵的鍵長越大,鍵能越小；

C.離子晶體硬度較大、難于壓縮,原因是離子鍵的鍵能大；D.相同條件下,分別完全燃燒等量的正丁烷和異丁烷,放出的熱量不同。【詳解】A．金屬性的強(qiáng)弱與核外電子的多少無關(guān)，與失電子的難以有關(guān)，故A錯(cuò)誤；B．原子晶體熔沸點(diǎn)高低的影響因素為共價(jià)鍵，共價(jià)鍵的鍵長越大，鍵能越小，則熔點(diǎn)越低，故B正確；C．離子晶體硬度較大、難于壓縮，原因是離子鍵的鍵能大，與排列是否規(guī)律無關(guān)，故C錯(cuò)誤；D．相同條件下，分別完全燃燒等量的正丁烷和異丁烷，放出的熱量不同，故D錯(cuò)誤；故答案為B。17．C【詳解】A.②為體心立方堆積，而金屬Zn采用六方最密堆積，圖中③為六方最密堆積，故A錯(cuò)誤。B.①是簡單立方堆積，原子配位數(shù)為6，③是六方最密堆積，原子配位數(shù)為12，故B錯(cuò)誤。C.②晶胞中原子數(shù)目=，故晶胞質(zhì)量。故C正確。D.金屬晶體具有延展性，當(dāng)金屬受到外力作用時(shí)，密堆積層的陽離子容易發(fā)生相對滑動(dòng)，但不會(huì)破壞密堆積的排列方式，也不會(huì)破壞金屬鍵，故D錯(cuò)誤。18．124【分析】由各元素在周期表中的相對位置可知，a為H元素、b為Li元素、c為C元素、d為N元素、e為O元素、f為F元素、g為Na元素、h為Mg元素、i為Al元素、j為Si元素、k為S元素、l為Cl元素、n為K元素、o為Fe元素?！驹斀狻竣賗為Al元素，由晶胞結(jié)構(gòu)可知，鋁單質(zhì)為面心立方最密堆積，鋁原子的配位數(shù)為3××8=12；晶胞中位于頂點(diǎn)和面心的鋁原子的個(gè)數(shù)為8×+6×=4，故答案為：12；4；②設(shè)晶胞棱長為x，由Al原子的原子半徑為dcm可得：2x2=(4d)2，解得x=d，則立方體的體積為cm3，設(shè)晶胞的密度為ρg/cm3，由晶胞的質(zhì)量公式可得：ρ=，解得ρ==，故答案為：。19．：O＞C＞Si＞1s22s22p63s23p63d104s24p2(或[Ar]3d104s24p2)；SiO2、GeO2均為原子晶體，Ge原子半徑大于Si，Si-O鍵長小于Ge-O鍵長，SiO2鍵能更大，熔點(diǎn)更高sp2AC6【分析】（1）電負(fù)性的變化規(guī)律：同周期從左向右逐漸增大，同主族由上至下逐漸減?。坏谝浑婋x能的變化規(guī)律：同族元素由上至下逐漸減?。唬?）Ge原子位于第四周期IVA族，結(jié)合構(gòu)造原理書寫原子核外電子排布式；SiO2、GeO2均為原子晶體，原子半徑越小，鍵長越短，鍵能越大，原子晶體的熔點(diǎn)越高；（3）B原子最外層有3個(gè)電子，與3個(gè)-OH形成3個(gè)共價(jià)鍵；（4）①距離Fe2+最近的O2-個(gè)數(shù)為6；與O2-緊鄰的所有Fe2+構(gòu)成的幾何構(gòu)型為正八面體；

②若晶胞邊長為acm，晶胞體積=a3cm3，該晶胞中O2-個(gè)數(shù)=1+8×=2、Cu+個(gè)數(shù)=4，該晶體的密度為=。【詳解】（1）電負(fù)性的變化規(guī)律為同周期從左向右逐漸增大，同主族由上至下逐漸減小，所以電負(fù)性O(shè)＞C＞Si；第一電離能的變化規(guī)律為同族元素由上至下逐漸減小，因此I1(Si)＞I1(Ge)，故答案為：O＞C＞Si；＞；（2）Ge原子位于第四周期IVA族，因此原子核外電子排布式為：1s22s22p63s23p63d104s24p2(或[Ar]3d104s24p2)；SiO2、GeO2均為原子晶體，Ge原子半徑大于Si，Si-O鍵長小于Ge-O鍵長，SiO2鍵能更大，熔點(diǎn)更高，故答案為：1s22s22p63s23p63d104s24p2(或[Ar]3d104s24p2)；SiO2、GeO2均為原子晶體，Ge原子半徑大于Si，Si-O鍵長小于Ge-O鍵長，SiO2鍵能更大，熔點(diǎn)更高；（3）B原子最外層有3個(gè)電子，與3個(gè)-OH形成3個(gè)共價(jià)鍵，因此為sp2雜化；該晶體中含有O-H之間，B-O之間的共價(jià)鍵以及分子間氫鍵，故答案為：sp2；AC；（3）①離子的配位數(shù)是指距離最近的且距離相等的帶相反電荷的離子數(shù)目，距離Fe2+最近的O2-個(gè)數(shù)為6，所以其配位數(shù)是6，故答案為：6；②若晶胞邊長為acm，晶胞體積=a3cm3，該晶胞中O2-個(gè)數(shù)=1+8×=2、Cu+個(gè)數(shù)=4，該晶體的密度為=g/cm3，故答案為：。20．ls22s22p63s23p6或者[Ne]3s23p6sp3三角錐形氨分子間形成氫鍵，所以氨氣比同族其它元素形成的氫化物沸點(diǎn)高>Cl2+Na2S=2NaCl+S↓g·【分析】B原子得一個(gè)電子填入3p軌道后，3p軌道已充滿，B為Cl元素；B-離子為Cl-離子，A+比B-少一個(gè)電子層，A+為Na+離子；C原子的p軌道中有3個(gè)未成對電子，C原子的外圍電子排布為ns2np3，是第ⅤA族元素，其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大，所以為N元素；D的最高化合價(jià)和最低化合價(jià)的代數(shù)和為4，為第ⅥA族元素，最高價(jià)氧化物中含D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%，可推知D的相對原子質(zhì)量為32，其核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)，所以質(zhì)子數(shù)為16，D為S元素，A+是Na+離子，D2-離子是S2-離子，R是由Na+離子與S2-離子以2：1形成的離子化合物，R是硫化鈉。【詳解】(1)B?離子為Cl?離子，電子排布式為ls22s22p63s23p6或者[Ne]3s23p6；CB3分子為NCl3分子，N原子有一對孤對電子，與Cl原子成3個(gè)δ鍵，雜化軌道數(shù)為1+3=4，所以為sp3雜化。故答案為：ls22s22p63s23p6或者[Ne]3s23p6；sp3。(2)C的氫化物為NH3，N原子采取sp3雜化，N原子有一對孤對電子，所以NH3為三角錐形，N原子電負(fù)性很強(qiáng)，氨分子間形成氫鍵，所以氨氣比同族其它元素形成的氫化物沸點(diǎn)高。故答案為：三角錐形；氨分子間形成氫鍵，所以氨氣比同族其它元素形成的氫化物沸點(diǎn)高。(4)B為Cl元素，D為S元素，同周期，自左而右，電負(fù)性增強(qiáng)，所以電負(fù)性Cl>S.利用“在氧化還原反應(yīng)中，氧化劑氧化性大于氧化產(chǎn)物”原理，一般來說電負(fù)性越強(qiáng)，元素的非金屬性越強(qiáng)，對應(yīng)的單質(zhì)的氧化性越強(qiáng)，如在Cl2+Na2S=2NaCl+S↓反應(yīng)中，Cl2的氧化性大于O2的氧化性。故答案為：>；Cl2+Na2S=2NaCl+S↓；(5)A+是Na+離子，D2?離子是S2?離子，根據(jù)均攤法計(jì)算，晶胞含有S2?離子個(gè)數(shù)8×+6×=4，含有A+是Na+離子8個(gè)，即一個(gè)晶胞含有4個(gè)硫化鈉分子，所以密度為=g·。21．（1）強(qiáng)分子晶體（2）Al2O3+3Cl2+3C2AlCl3+3CO1.5（3）通過Al與FeCl3反應(yīng)，將易升華的FeCl3還原為熔點(diǎn)較高的Fe和FeCl2，避免FeCl3升華，使得到的AlCl3更純（4）b（5）【分析】由題給流程可知，鋁土礦中的氧化鐵和焦炭在高溫下反應(yīng)得到氧化鋁和鐵的固態(tài)混合物；氧化鋁、鐵、焦炭和氯氣在氯化爐中發(fā)生的反應(yīng)為鐵與氯氣反應(yīng)生成氯化鐵，氧化鋁、焦炭和氯氣在高溫下反應(yīng)生成氯化鋁和一氧化碳，反應(yīng)得到氯化鋁和氯化鐵的混合物；升華器中發(fā)生的反應(yīng)為鋁與氯化鐵反應(yīng)生成鐵或氯化亞鐵和氯化鋁，升華器中物質(zhì)充分反應(yīng)后降溫得到氯化鋁蒸汽，冷卻蒸汽得到氯化鋁固體。（1）氯化鋁在溶液中能完全電離，屬于強(qiáng)電解質(zhì)；由氯化鋁加熱到183℃時(shí)升華可知，氯化鋁屬于分子晶體，故答案為：強(qiáng)；分子晶體；（2）由分析可知，氯化爐中氧化鋁、焦炭和氯氣在高溫下反應(yīng)生成氯化鋁和一氧化碳，反應(yīng)的化學(xué)方程式為Al2O3+3Cl2+3C2AlCl3+3CO，由方程式可知，生成1mol氯化鋁消耗焦炭的物質(zhì)的量為1mol×=1.5mol，故答案為：Al2O3+3Cl2+3C2AlCl3+3CO；1.5；（3）由分析可知，向升華器中加入鋁粉的目的是鋁與易升華的氯化鐵反應(yīng)生成熔點(diǎn)較高的鐵或氯化亞鐵，避免氯化鐵升華，得到純凈的氯化鋁，故答案為：通過Al與FeCl3反應(yīng)，將易升華的FeCl3還原為熔點(diǎn)較高的Fe和FeCl2，避免FeCl3升華，使得到的AlCl3更純；（4）為避免制得的氯化鋁中混有氯化鐵，降溫的溫度應(yīng)控制在介于183℃和315℃之間，使氯化鐵轉(zhuǎn)化為固態(tài)，而氯化鋁不轉(zhuǎn)化為固態(tài)，收集氯化鋁蒸汽后，再冷卻得到氯化鋁固體，故答案為：b；（5）由鋁原子個(gè)數(shù)守恒可得：2AlCl3—Al2O3，由氧化鋁的質(zhì)量為ng可知，氯化鋁的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為=，故答案為：。22．（1）原子晶體(共價(jià)晶體)σ鍵sp3（2）3d104s24p22（3）SiCl4SiX4為分子晶體，范德華力隨著相