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文檔簡介

場效應管放大電路的靜態(tài)分析

場效應管的直流偏置電路

在分析放大電路時，應遵循“先靜態(tài)，后動態(tài)”的原則，首先利用直流通路求解靜態(tài)工作點時，再利用交流通路求解動態(tài)參數。求解靜態(tài)工作點的方法：解析法和圖解法。放大狀態(tài)下的直流偏置電路①保證場效應管工作在恒流區(qū)；②偏置下的工作點在環(huán)境溫度變化時，應力求保持穩(wěn)定，應始終保持在恒流區(qū)。常用的有兩種偏置電路：RDUDDRS(自偏壓電阻)uiRGV自給偏壓式：特點是剛開始工作時，柵源偏置電壓UGS=0。適合JFET和D-MOSFET。電路本身存在負反饋機制，保持電路Q點的恒定。若

IDQ↑UGSQ(=UGQ-USQ)負向↑→USQ(=IDQRS)↑↓→IDQ

↓RDUDDRS(自偏壓電阻)uiRG2(b)RG1(分壓式偏置)混合偏置方式：分壓式偏置。三種場效應管都適合。對于增強型MOSFET，只能采用混合偏置方式。常用的有兩種偏置電路：RG1RG2RG3RDRS20V10k解：畫直流通路。例：設uGSoff=-5V，IDSS=1mA，試估算電路在恒流區(qū)的靜態(tài)工作點。根據輸入回路，列方程：因為iG=0，所以：例：設uGSoff=-5V，IDSS=1mA，試估算電路在恒流區(qū)的靜態(tài)工作點。RG1RG2RG3RDRS20V輸入回路滿足：同時在JFET滿足：例：設uGSoff=-5V，IDSS=1mA，試估算電路在恒流區(qū)的靜態(tài)工作點。RG1RG2RG3RDRS20V聯(lián)立上述兩方程，得到：ID1=0.61mA，ID2=1.64mA得到UGS1=-1.1V，UGS2=-11.4V——（1）——（2）因為UGS2<UGSoff=-5V，所以ID2舍去。例：設uGSoff=-5V，IDSS=1mA，試估算電路在恒流區(qū)的靜態(tài)工作點。則：UDSQ=20-0.61×(10+10)=7.8V。因此：IDQ=0.61mAUGSQ=-1.1V解析法：由電流方程和柵源直流負載線方程聯(lián)立成方程組求解，即可得工作點。RG1RG2RG3RDRS10k

20VRDUDDRSuiRGV(a)問題：對于自偏壓式，如何聯(lián)立方程？RDUDDRS(自偏壓電

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