集成電路制造工藝原理知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋中山大學(xué)

集成電路制造工藝原理知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋中山大學(xué)第一章單元測試

集成電路產(chǎn)業(yè)包括三大組成部分，分別是（）

A:集成電路封裝B:集成電路設(shè)計C:集成電路制造D:集成電路測試

答案:集成電路封裝；集成電路設(shè)計；集成電路制造衡量集成電路制造工藝先進水平的最主要指標是（）

A:成本B:集成度C:材料D:線寬

答案:線寬集成電路制造產(chǎn)業(yè)的兩大技術(shù)路線是（）

A:高性能化B:等比例縮小C:多樣化定制化D:高產(chǎn)出

答案:等比例縮小；多樣化定制化1946年美國賓州大學(xué)制造的第一臺計算機所采用的開關(guān)器件是（）

A:場效應(yīng)晶體管B:雙極型晶體管C:繼電器D:真空電子管

答案:場效應(yīng)晶體管產(chǎn)業(yè)界采用的晶體管結(jié)構(gòu)類型包括（）

A:叉指型晶體管B:平面型晶體管C:FIN型晶體管D:環(huán)柵型晶體管

答案:平面型晶體管；FIN型晶體管；環(huán)柵型晶體管

第二章單元測試

提高光學(xué)光刻分辨率的方法包括（）

A:增加工藝因子，增加波長，減小數(shù)值孔徑B:減小工藝因子，增加波長，增加數(shù)值孔徑C:減小工藝因子，減小波長，增加數(shù)值孔徑D:增加工藝因子，減小波長，減小數(shù)值孔徑

答案:減小工藝因子，減小波長，增加數(shù)值孔徑浸沒式光刻工藝的采用液體填充透鏡與硅片之間的空間，從而提高分辨率，其主要是改變了哪一個參數(shù)（）

A:數(shù)值孔徑B:光的衍射C:工藝因子D:光波長

答案:數(shù)值孔徑?jīng)Q定電子束光刻分辨率的最關(guān)鍵因素是（）

A:束斑直徑B:電流C:電壓D:電子波長

答案:束斑直徑X射線光刻工藝最大的優(yōu)點是（）

A:設(shè)備成本低B:穿透深度大C:曝光面積大D:分辨率高

答案:穿透深度大下列光刻方式中，哪種方式需要掩膜的是（）

A:步進掃描投影式光學(xué)光刻B:電子束光刻C:X射線光刻D:極深紫外光刻

答案:步進掃描投影式光學(xué)光刻；電子束光刻；極深紫外光刻影響電子束光刻分辨率的主要因素包括（）

A:數(shù)值孔徑B:機械像差C:掩模精度D:色差E:電子像差F:臨近效應(yīng)

答案:機械像差；色差；電子像差；臨近效應(yīng)極深紫外光刻（EUV）技術(shù)中，由于極深紫外光波長極短，導(dǎo)致光學(xué)系統(tǒng)必須重新設(shè)計，與普通紫外光刻技術(shù)相比，以下哪些是極深紫外光刻機特有的技術(shù)（）

A:反射鏡光學(xué)聚焦系統(tǒng)B:真空腔體C:反射型掩模D:準分子激光光源E:移相掩模

答案:反射鏡光學(xué)聚焦系統(tǒng)；真空腔體；反射型掩模極深紫外光刻是現(xiàn)階段分辨率最高的光刻技術(shù)，該技術(shù)在原有深紫外光刻技術(shù)上進一步開發(fā)而成。請問以下技術(shù)能否沿用至極深紫外光刻機上？（）

A:步進掃描曝光技術(shù)B:浸沒式光刻技術(shù)C:高數(shù)值孔徑透鏡組D:移相掩膜技術(shù)

答案:步進掃描曝光技術(shù)；移相掩膜技術(shù)鄰近效應(yīng)存在于電子束光刻和X射線光刻。（）

A:對B:錯

答案:對影響光刻分辨率的三大因素是：波長、數(shù)值孔徑和焦深。（）

A:錯B:對

答案:錯

第三章單元測試

為了提高CF4刻蝕Si對SiO2的選擇比，應(yīng)加入如下哪種比例的氣體（）

A:12%H2B:20%H2C:12%O2D:20%O2

答案:12%O22哪種氣體可以用于刻蝕Si的各向異性干法刻蝕工藝（）

A:H2B:HFC:CF4D:H2O2

答案:CF43干法刻蝕鋁電極應(yīng)選擇哪種氣體？（）

A:CF4B:Cl2C:SF6D:HBr

答案:Cl24下面關(guān)于刻蝕過程的描述正確為（）

A:在刻蝕過程中，不同方向的刻蝕特性明顯相同，稱為各向異性刻蝕。B:在刻蝕過程中，不同方向的刻蝕特性明顯不同，稱為各向同性刻蝕。C:在刻蝕過程中，掩膜和襯底沒有參與反應(yīng),不會被刻蝕D:濕法刻蝕與干法刻蝕的區(qū)別是前者刻蝕劑是溶液，而后者刻蝕劑是氣體。

答案:濕法刻蝕與干法刻蝕的區(qū)別是前者刻蝕劑是溶液，而后者刻蝕劑是氣體。5化學(xué)機械拋光工藝用于拋光銅金屬布線層所采用的拋光液是（）

A:H2O2+silicaB:KOH+aluminaC:HNO4+aluminaD:NaOH+silica

答案:HNO4+alumina6鋁具有成熟的鍍膜與刻蝕工藝，是集成電路芯片常見的金屬布線材料，請問用如下哪種氣體可以有效對鋁進行刻蝕？（）

A:SiCl4B:SF6C:CF4;D:Cl2E:BCl3

答案:SiCl4；Cl2；BCl37采用干法刻蝕SiO2的可以選用的氣體選擇（）

A:C4F8B:CHF3C:CF4D:Cl2E:BCl3

答案:C4F8；CHF3；CF48避免刻蝕過程中出現(xiàn)負載效應(yīng)（loadingeffect）的措施可以是：（）

A:增加振動B:提升溶液濃度C:提高溫度D:提高真空度

答案:增加振動；提高溫度；提高真空度9等離子體是用于干法刻蝕工藝的重要載體，請問等離子體里的氣體形態(tài)包括：（）

A:離子B:活性基團C:中性氣體D:電子

答案:離子；活性基團；中性氣體；電子10下列關(guān)于晶格結(jié)構(gòu)的說法中，正確的是（）

A:硅單晶的晶格結(jié)構(gòu)屬于閃鋅礦結(jié)構(gòu)B:硅單晶的<111>晶面具有雙層密排面C:硅單晶的<100>晶面具有雙層密排面D:硅單晶的晶格結(jié)構(gòu)屬于金剛石結(jié)構(gòu)

答案:硅單晶的<111>晶面具有雙層密排面；硅單晶的晶格結(jié)構(gòu)屬于金剛石結(jié)構(gòu)

第四章單元測試

1，以下四種沉積工藝中，臺階覆蓋能力最佳的工藝是（）

A:等離子增強化學(xué)氣相沉積B:常壓化學(xué)氣相沉積C:磁控濺射D:低壓化學(xué)氣相沉積

答案:等離子增強化學(xué)氣相沉積2銅互連導(dǎo)線的大馬士革工藝中，實現(xiàn)銅導(dǎo)線沉積的方法是（）

A:熱蒸發(fā)B:電鍍C:電子束蒸發(fā)D:磁控濺射

答案:電鍍3粒子質(zhì)量選擇器（MassAnalyzing）常用于哪些工藝設(shè)備中？（）

A:電感耦合等離子刻蝕；B:離子注入C:磁控濺射；D:PECVD；E:電子束蒸發(fā)；F:磁過濾真空弧鍍膜；

答案:離子注入；磁過濾真空弧鍍膜；4對于高深寬比的微結(jié)構(gòu)，在鍍膜過程中由于薄膜臺階覆蓋能力不足，普遍存在存在孔洞堵塞問題，請問如下哪些方法可以解決此問題？（）

A:刻蝕-再沉積B:襯底加熱C:準直濺射（加準直柵網(wǎng)）D:高壓坍塌

答案:刻蝕-再沉積；襯底加熱；準直濺射（加準直柵網(wǎng)）；高壓坍塌5濺射法鍍膜是采用高能電子轟擊靶材表面，使靶原子從靶表面飛濺出來沉積在襯底上形成薄膜。（）

A:對B:錯

答案:錯6,磁控濺射工藝中，入射能量處在什么范圍時濺射產(chǎn)額出現(xiàn)飽和現(xiàn)象。（）

A:能量低：打出二次電子B:能量很低，反射C:能量中等，打出原子D:能量高，離子注入

答案:能量高，離子注入

第五章單元測試

1下列哪種沉積方法最適用于鎢W金屬鍍膜工藝（）

A:電子束蒸發(fā)B:熱蒸發(fā)C:等離子增強化學(xué)氣相沉積D:磁控濺射

答案:等離子增強化學(xué)氣相沉積2，以下哪幾種鍍膜工藝必須在真空下進行（）

A:熱蒸發(fā)B:熱化學(xué)氣相沉積C:原子層沉積D:磁控濺射E:等離子增強化學(xué)氣相沉積

答案:熱蒸發(fā)；原子層沉積；磁控濺射；等離子增強化學(xué)氣相沉積3以下哪幾種材料可以采用化學(xué)氣相沉積工藝制備（）

A:Al鋁B:PolySi多晶硅C:Graphene石墨烯D:W鎢E:SiO2二氧化硅

答案:PolySi多晶硅；Graphene石墨烯；W鎢；SiO2二氧化硅4，化學(xué)氣相沉積的薄膜沉積速率主要由質(zhì)量傳輸限制沉積階段和反應(yīng)速度限制沉積階段決定，其中，化學(xué)反應(yīng)只發(fā)生在反應(yīng)速度限制沉積階段。（）

A:錯B:對

答案:錯5，低溫沉積SiO2的生長溫度低，制備方便，但是膜致密性差，耐潮和抗離子轟擊能力較差。（）

A:對B:錯

答案:對6,采用CVD方法沉積Si3N4過程中發(fā)現(xiàn)薄膜的沉積速率過慢，請問為了提高沉積速率，可通過控制哪些參數(shù)以實現(xiàn)調(diào)控？（）

A:溫度B:生長時間C:氣體流量D:氣壓

答案:溫度；生長時間；氣體流量；氣壓

第六章單元測試

1，硅片基于熱氧化工藝生成較厚的SiO2的厚度隨時間的變化滿足（）關(guān)系

A:線性B:指數(shù)C:拋物線

答案:拋物線2，熱氧化工藝中對氧化速率產(chǎn)生影響的因素（）

A:初始氧化層厚度B:溫度C:摻雜濃度D:硅片晶向

答案:初始氧化層厚度；溫度；摻雜濃度；硅片晶向3熱氧化工藝是高溫工藝對溫度敏感，以下參數(shù)會隨溫度升高而增加的是（）

A:氧化劑的質(zhì)量輸運系數(shù)B:雜質(zhì)缺陷的數(shù)量C:氧化劑的擴散系數(shù)D:硅和氧的反應(yīng)速率

答案:氧化劑的質(zhì)量輸運系數(shù)；氧化劑的擴散系數(shù)；硅和氧的反應(yīng)速率4濕法氧化工藝中通入H2O的工藝方法包括（）

A:氫氣氧氣反應(yīng)生成H2OB:爐中放置水容器C:蒸發(fā)水蒸氣法D:鼓泡法

答案:氫氣氧氣反應(yīng)生成H2O；鼓泡法5硅片表面氧化生成SiO2后，整個硅片的厚度會變厚。（）

A:錯B:對

答案:對6干法氧化的氧化速率比濕法氧化更快。（）

A:錯B:對

答案:錯

第七章單元測試

1、預(yù)沉積擴散階段的雜質(zhì)濃度分布呈現(xiàn)（）分布

A:高斯B:指數(shù)C:余誤差

答案:余誤差2推進擴散階段的雜質(zhì)濃度分布呈現(xiàn)（）分布

A:指數(shù)B:高斯C:余誤差

答案:高斯高溫擴散工藝經(jīng)過了推進步驟后，硅片中的雜質(zhì)總量（），表面雜質(zhì)濃度（），結(jié)深（）。

A:增加B:都不是C:不變D:減少

答案:增加；不變；減少4離子注入工藝中，為了避免溝道效應(yīng)的出現(xiàn)，常采取的方法包括（）

A:非晶化硅片表面B:傾斜硅片角度C:硅片表面氧化SiO2薄層D:熱退火

答案:非晶化硅片表面；傾斜硅片角度；硅片表面氧化SiO2薄層5高溫擴散工藝中，推進擴散后硅片表面的雜質(zhì)濃度下降，雜質(zhì)總劑量不變。（）

A:對B:錯

答案:對6高溫擴散工藝中，預(yù)沉積擴散后硅片表面的雜質(zhì)濃度不變，雜質(zhì)總劑量增加。（）

A:對B:錯

答案:對7高溫擴散工藝中，空位交換模式是替位雜質(zhì)的主要擴散機制。（）

A:對B:錯

答案:對8采用離子注入技術(shù)，晶格損傷與注入的能量、質(zhì)量、靶溫、劑量率及靶材料等有著密切的關(guān)系。（）

A:錯B:對

答案:對9離子注入過程中，大量離子注入硅片，容易在硅片表面形成電荷堆積，其解決方法是（）

A:使入射離子中和成中性原子B:高溫?zé)嵬嘶餋:在硅片附近增加電子中和器，D:硅原子重新結(jié)晶

答案:使入射離子中和成中性原子；在硅片附近增加電子中和器，10離子注入過程中，大量高能離子注入硅片，容易導(dǎo)致硅片表面晶格損傷，其解決方法是（）

A:在硅片附近增加電子中和器，B:高溫?zé)嵬嘶餋:硅原子重新結(jié)晶D:使入射離子中和成中性原子

答案:高溫?zé)嵬嘶?；硅原子重新結(jié)晶

第八章單元測試

1，器件隔離LOCOS工藝中，鳥嘴效應(yīng)的危害是（）

A:氧原子的側(cè)向氧化擴散B:侵蝕有源區(qū)C:雜質(zhì)再分布D:工藝難度增加

答案:氧原子的側(cè)向氧化擴散；侵蝕有源區(qū)；雜質(zhì)再分布在LOCOS局域氧化隔離工藝中，氧化過程中的氧氣橫向擴散導(dǎo)致了以下哪種效應(yīng)的出現(xiàn)（）

A:短溝效應(yīng)B:鳥嘴效應(yīng)C:白帶效應(yīng)D:熱載流子效應(yīng)

答案:鳥嘴效應(yīng)為了避免出現(xiàn)寄生晶體管觸發(fā)的情況，在器件PN結(jié)隔離工藝時常采取的措施是（）

A:減小氧化層厚度B:降低隔離區(qū)摻雜濃度C:增加氧化層厚度D:提高隔離區(qū)摻雜濃度

答案:增加氧化層厚度；提高隔離區(qū)摻雜濃度4淺溝槽隔離（STI）工藝中的氧化隔離層的制備方法是（）

A:化學(xué)氣相沉積B:原子層沉積C:熱氧化D:物理氣相沉積

答案:化學(xué)氣相沉積5深溝道隔離（DTI）的溝道深度的范圍（）

A:1-100mmB:1-100nmC:1-100μmD:1-100cm

答案:1-100μm6以下可以用于制作SOI硅片的工藝技術(shù)包括（）

A:Silicon-On-Sapphire(SOS，陽極焊接)B:Smart-Cut(智能切割)C:SeparationbyImplantedOxygen(SIMOX，氧離子注入隔離)D:Dielectricisolation(DI，絕緣隔離)

答案:Silicon-On-Sapphire(SOS，陽極焊接)；Smart-Cut(智能切割)；SeparationbyImplantedOxygen(SIMOX，氧離子注入隔離)；Dielectricisolation(DI，絕緣隔離)7STI淺溝道隔離工藝中，增加CMP工藝后可以減少一次光刻和刻蝕工藝。（）

A:錯B:對

答案:對

第九章單元測試

1，金屬布線按比例縮小會引起的互連延遲問題，避免該問題的方法可以是（）

A:減小電容B:增加電容C:減小電阻D:增加電阻

答案:減小電容；減小電阻2，金屬布線按比例縮小會引起的互連延遲問題，為了避免該問題的惡化而提出的解決方案是（）

A:采用高K介質(zhì)提高絕緣能力B:采用鎢降低電阻C:采用銅降低電阻D:采用低K介質(zhì)減低電容

答案:采用銅降低電阻；采用低K介質(zhì)減低電容3，在器件尺寸等比例縮小的制造技術(shù)升級過程中，出現(xiàn)了低K絕緣介質(zhì)層材料，其主要作用是（）

A:降低金屬層間電容B:減低柵極寄生電容C:降低金屬線間電容D:提高柵極絕緣能力

答案:降低金屬層間電容；降低金屬線間電容3，低k介質(zhì)用于層間介質(zhì)以降低層間電容；高k介質(zhì)用在替代柵氧化層以提高絕緣性能。（）

A:對B:錯

答案:對4，為了形成歐姆接觸，要對Al互連線和Si襯底進行高溫處理，該過程容易出現(xiàn)鋁元素溶入硅襯底，導(dǎo)致出現(xiàn)鋁釘現(xiàn)象，破壞器件結(jié)構(gòu)。（）

A:對B:錯

答案:錯5，金的功函數(shù)是5.47eV，N型硅的功函數(shù)是4.85eV，他們之間形成的金半接觸是肖特基接觸。（）

A:對B:錯

答案:對6如果N型半導(dǎo)體具有比金屬更高的功函數(shù)，則其金半接觸一定是歐姆接觸。（）

A:錯B:對

答案:對7歐姆接觸要求N型半導(dǎo)體必須具有比金屬更高的功函數(shù)。（）

A:對B:錯

答案:錯8如果N型半導(dǎo)體的功函數(shù)比金屬更低，則其金半接觸一定不是歐姆接觸。（）

A:錯B:對

答案:錯9.實現(xiàn)肖特