專題19 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題(解析版)_第1頁(yè)
專題19 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題(解析版)_第2頁(yè)
專題19 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題(解析版)_第3頁(yè)
專題19 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題(解析版)_第4頁(yè)
專題19 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題(解析版)_第5頁(yè)
已閱讀5頁(yè),還剩51頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

2025年高考二輪專題強(qiáng)化訓(xùn)練(非選擇題)專題19物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題【考情分析】穩(wěn)定加創(chuàng)新是本專題的基本特點(diǎn),命題采取結(jié)合新科技,新能源等社會(huì)熱點(diǎn)為背景,命題的形式分為選擇題和填空題,原子的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、分子的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)和晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)是命題的三大要點(diǎn)。從大題的構(gòu)成來(lái)看,給出一定的知識(shí)背景,然后設(shè)置成4—5個(gè)小題,每個(gè)小題考查一個(gè)知識(shí)要點(diǎn)是主要的命題模式,內(nèi)容主要考查基本概念,如電子排布式、軌道式、電離能、電負(fù)性、雜化方式以及空間構(gòu)型等,聯(lián)系數(shù)學(xué)幾何知識(shí)考查晶體的計(jì)算等,一般利用均攤法考查晶胞中的原子個(gè)數(shù),或者考查晶體的化學(xué)式的書寫、晶體類型的判斷等,考查的抽象思維能力、邏輯思維能力;同時(shí)培養(yǎng)學(xué)生的分析和推理能力?!窘忸}策略】晶體結(jié)構(gòu)分析及相關(guān)計(jì)算在高考考查中難度較大,命題時(shí)多以新技術(shù)、新發(fā)明為情景,以化學(xué)式或晶胞中微粒數(shù)確定為基礎(chǔ),考查晶體的密度、相對(duì)原子質(zhì)量、NA等計(jì)算、配位數(shù)確定等。晶體熔、沸點(diǎn)多結(jié)合元素的推斷進(jìn)行考查,題目難度較大。第一步:仔細(xì)審題。閱讀題目獲取對(duì)解題有價(jià)值的信息,排除無(wú)效信息,并作標(biāo)記。第二步:判斷晶胞結(jié)構(gòu)找出晶胞。確定晶胞內(nèi)所有原子或離子的種類和位置。第三步:計(jì)算微粒數(shù)。用“均攤法”計(jì)算晶胞中微粒的數(shù)目,確定晶體的化學(xué)式。第四步:進(jìn)行晶體相關(guān)計(jì)算。根據(jù)選項(xiàng)計(jì)算晶體的密度、空間利用率,確定原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)等。【典例在線】1.(2024·海南·高考真題)鋰電池是新型儲(chǔ)能系統(tǒng)中的核心部件。作為鋰電池中用到的電解質(zhì)材料之一,(陰離子結(jié)構(gòu)見(jiàn)下圖。A)深受關(guān)注?;卮饐?wèn)題:(1)的制備前體(B),可由C的氟化反應(yīng)得到,C中第三周期元素有(填元素符號(hào))。(2)C分子中,兩個(gè)鍵角均為,鍵角為,N的原子軌道雜化類型為。(3)B溶于某溶劑發(fā)生自耦電離(),陽(yáng)離子F的結(jié)構(gòu)式為。(4)B和D水溶液均呈酸性,相同溫度下,值大小關(guān)系:BD(填“>”或“<”);沸點(diǎn)大小關(guān)系:B(170℃)>E(60.8℃),其原因是。(5)研究表明,某有機(jī)溶劑中,相同濃度的G溶液和H溶液,前者電導(dǎo)率顯著低于后者,原因是。(6)在固體離子電導(dǎo)方面具有潛在的應(yīng)用前景。其兩種晶型中,一種取長(zhǎng)方體形晶胞(圖1,長(zhǎng)方體棱長(zhǎng)為a、b、c),另一種取立方體形晶胞(圖2,Cl居于立方體中心,立方體棱長(zhǎng)為d)。圖中氫原子皆己隱去。①立方體形晶胞所代表的晶體中部分鋰離子(●Li)位置上存在缺位現(xiàn)象,鋰離子的總?cè)蔽宦蕿?;該晶型中氯離子周圍緊鄰的鋰離子平均數(shù)目為。②兩種晶型的密度近似相等,則。(以含a、b和d的代數(shù)式表達(dá))【答案】(1)Cl、S(2)(3)或(4)>B分子間存在氫鍵(5)G中正、負(fù)電荷距離更近,G中N原子的配位能力強(qiáng)于H中磺酰基上的O原子,G溶液中陰陽(yáng)離子濃度小于H溶液(6)8【詳解】(1)由圖可知,C中第三周期元素為氯元素和硫元素,故答案為:Cl、S;(2)由鍵角可知,C中氮原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3,原子的雜化方式為sp2雜化,故答案為:sp2;(3)由原子個(gè)數(shù)和電荷總數(shù)守恒可知,陽(yáng)離子F的結(jié)構(gòu)式可能為或,故答案為:或;(4)氟原子是吸電子基,會(huì)使氮?dú)滏I的極性增強(qiáng),電離出氫離子的能力增大,乙基是供電子基,會(huì)使氮?dú)滏I的極性減弱,電離出氫離子的能力減弱,則b的酸性強(qiáng)于D;由圖可知,B分子能形成分子間氫鍵,E分子不能形成分子間氫鍵,所以B的分子間作用力強(qiáng)于B,沸點(diǎn)強(qiáng)于B,故答案為:B分子間存在氫鍵;(5)由圖可知,G中正、負(fù)電荷距離更近,G中N原子的配位能力強(qiáng)于H中磺?;系腛原子,G溶液中陰陽(yáng)離子濃度小于H溶液,所以有機(jī)溶劑中,相同濃度的G溶液和H溶液,前者電導(dǎo)率顯著低于后者,故答案為:G中正、負(fù)電荷距離更近,G中N原子的配位能力強(qiáng)于H中磺?;系腛原子,G溶液中陰陽(yáng)離子濃度小于H溶液;(6)①由晶胞結(jié)構(gòu)可知,晶胞中位于體心的氯離子個(gè)數(shù)為1,位于頂點(diǎn)的氧離子個(gè)數(shù)為8×=1,位于棱上的鋰離子個(gè)數(shù)為12×=3,由化合價(jià)代數(shù)和為0可知,晶胞中鋰離子的個(gè)數(shù)為2,則鋰離子的總?cè)蔽宦蕿?;晶胞中位于體心的氯離子與位于12條棱上的鋰離子距離最近,但離子的缺位率為,則氯離子周圍緊鄰的鋰離子平均數(shù)目為12×=8;故答案為:;8;②設(shè)Li2(OH)Cl的相對(duì)分子質(zhì)量為M,由晶胞結(jié)構(gòu)可知,長(zhǎng)方體形晶胞的密度為,立方體形晶胞,由兩種晶型的密度近似相等可知,c=,故答案為:。2.(2024·北京·高考真題)錫()是現(xiàn)代“五金”之一,廣泛應(yīng)用于合金、半導(dǎo)體工業(yè)等。(1)位于元素周期表的第5周期第IVA族。將的基態(tài)原子最外層軌道表示式補(bǔ)充完整:。(2)和是錫的常見(jiàn)氯化物,可被氧化得到。①分子的模型名稱是。②的鍵是由錫的軌道與氯的軌道重疊形成σ鍵。(3)白錫和灰錫是單質(zhì)的常見(jiàn)同素異形體。二者晶胞如圖:白錫具有體心四方結(jié)構(gòu);灰錫具有立方金剛石結(jié)構(gòu)。①灰錫中每個(gè)原子周圍與它最近且距離相等的原子有個(gè)。②若白錫和灰錫的晶胞體積分別為和,則白錫和灰錫晶體的密度之比是。(4)單質(zhì)的制備:將與焦炭充分混合后,于惰性氣氛中加熱至,由于固體之間反應(yīng)慢,未明顯發(fā)生反應(yīng)。若通入空氣在下,能迅速被還原為單質(zhì),通入空氣的作用是?!敬鸢浮?1)(2)平面三角形雜化(3)4(4)與焦炭在高溫下反應(yīng)生成,將還原為單質(zhì)【詳解】(1)Sn位于元素周期表的第5周期ⅣA族,基態(tài)Sn原子的最外層電子排布式為5s25p2,Sn的基態(tài)原子最外層軌道表示式為;(2)①SnCl2中Sn的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2+×(4-2×1)=3,故SnCl2分子的VSEPR模型名稱是平面三角形;②SnCl4中Sn的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4+×(4-4×1)=4,有4個(gè)σ鍵、無(wú)孤電子對(duì),故Sn采取sp3雜化,則SnCl4的Sn—Cl鍵是由錫的sp3雜化軌道與氯的3p軌道重疊形成σ鍵;(3)①灰錫具有立方金剛石結(jié)構(gòu),金剛石中每個(gè)碳原子以單鍵與其他4個(gè)碳原子相連,此5碳原子在空間構(gòu)成正四面體,且該碳原子在正四面體的體心,所以灰錫中每個(gè)Sn原子周圍與它最近且距離相等的Sn原子有4個(gè);②根據(jù)均攤法,白錫晶胞中含Sn原子數(shù)為8×+1=2,灰錫晶胞中含Sn原子數(shù)為8×+6×+4=8,所以白錫與灰錫的密度之比為∶=;(4)將SnO2與焦炭充分混合后,于惰性氣氛中加熱至800℃,由于固體之間反應(yīng)慢,未發(fā)生明顯反應(yīng);若通入空氣在800℃下,SnO2能迅速被還原為單質(zhì)Sn,通入空氣的作用是:與焦炭在高溫下反應(yīng)生成CO,CO將SnO2還原為單質(zhì)Sn,有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為2C+O22CO、2CO+SnO2Sn+2CO2。3.(2024·浙江·高考真題)氧是構(gòu)建化合物的重要元素。請(qǐng)回答:(1)某化合物的晶胞如圖1,的配位數(shù)(緊鄰的陽(yáng)離子數(shù))為;寫出該化合物的化學(xué)式,寫出該化合物與足量溶液反應(yīng)的化學(xué)方程式。(2)下列有關(guān)單核微粒的描述正確的是_______。A.的基態(tài)原子電子排布方式只有一種B.的第二電離能的第一電離能C.的基態(tài)原子簡(jiǎn)化電子排布式為D.原子變成,優(yōu)先失去軌道上的電子(3)化合物和的結(jié)構(gòu)如圖2。①和中羥基與水均可形成氫鍵(),按照氫鍵由強(qiáng)到弱對(duì)三種酸排序,請(qǐng)說(shuō)明理由。②已知、鈉鹽的堿性,請(qǐng)從結(jié)構(gòu)角度說(shuō)明理由?!敬鸢浮?1)12K3ClOK3ClO+2NH4Cl+H2O=3KCl+2NH3?H2O(2)AB(3)HC>HB>HAO、S、Se的電負(fù)性逐漸減小,鍵的極性:C=O>C=S>C=Se,使得HA、HB、HC中羥基的極性逐漸增大,其中羥基與H2O形成的氫鍵逐漸增強(qiáng)S的原子半徑大于O的原子半徑,S—H鍵的鍵長(zhǎng)大于O—H鍵,S—H鍵的鍵能小于O—H鍵,同時(shí)HC可形成分子間氫鍵,使得HD比HC更易電離出H+,酸性HD>HC,C-的水解能力大于D-,堿性NaC>NaD【詳解】(1)由晶胞結(jié)構(gòu)知,Cl位于8個(gè)頂點(diǎn),O位于體心,K位于面心,1個(gè)晶胞中含Cl:8×=1個(gè)、含O:1個(gè)、含K:6×=3個(gè),該化合物的化學(xué)式為K3ClO;由圖可知,Cl-的配位數(shù)為=12;該化合物可看成KCl?K2O,故該化合物與足量NH4Cl溶液反應(yīng)生成KCl和NH3?H2O,反應(yīng)的化學(xué)方程式為K3ClO+2NH4Cl+H2O=3KCl+2NH3?H2O。(2)A.根據(jù)原子核外電子排布規(guī)律,基態(tài)Ar原子的電子排布方式只有1s22s22p63s23p6一種,A項(xiàng)正確;B.Na的第二電離能指氣態(tài)基態(tài)Na+失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需的最低能量,Na+和Ne具有相同的電子層結(jié)構(gòu),Na+的核電荷數(shù)大于Ne,Na+的原子核對(duì)外層電子的引力大于Ne的,故Na的第二電離能>Ne的第一電離能,B項(xiàng)正確;C.Ge的原子序數(shù)為32,基態(tài)Ge原子的簡(jiǎn)化電子排布式為[Ar]3d104s24p2,C項(xiàng)錯(cuò)誤;D.基態(tài)Fe原子的價(jià)電子排布式為3d64s2,F(xiàn)e原子變成Fe+,優(yōu)先失去4s軌道上的電子,D項(xiàng)錯(cuò)誤;答案選AB。(3)①O、S、Se的電負(fù)性逐漸減小,鍵的極性:C=O>C=S>C=Se,使得HA、HB、HC中羥基的極性逐漸增大,從而其中羥基與水形成的氫鍵由強(qiáng)到弱的順序?yàn)镠C>HB>HA;②HC、HD鈉鹽的堿性NaC>NaD,說(shuō)明酸性HC<HD,原因是:S的原子半徑大于O的原子半徑,S—H鍵的鍵長(zhǎng)大于O—H鍵,S—H鍵的鍵能小于O—H鍵,同時(shí)HC可形成分子間氫鍵,使得HD比HC更易電離出H+,酸性HD>HC,C-的水解能力大于D-,鈉鹽的堿性NaC>NaD。4.(2024·山東·高考真題)錳氧化物具有較大應(yīng)用價(jià)值,回答下列問(wèn)題:(1)在元素周期表中位于第周期族;同周期中,基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)比多的元素是(填元素符號(hào))。(2)如某種氧化物的四方晶胞及其在xy平面的投影如圖所示,該氧化物化學(xué)式為。當(dāng)晶體有O原子脫出時(shí),出現(xiàn)O空位,的化合價(jià)(填“升高”“降低”或“不變”),O空位的產(chǎn)生使晶體具有半導(dǎo)體性質(zhì)。下列氧化物晶體難以通過(guò)該方式獲有半導(dǎo)體性質(zhì)的是(填標(biāo)號(hào))。A.

B.

C.

D.(3)(見(jiàn)圖)是晶型轉(zhuǎn)變的誘導(dǎo)劑。的空間構(gòu)型為;中咪唑環(huán)存在大鍵,則N原子采取的軌道雜化方式為。(4)可作轉(zhuǎn)化為的催化劑(見(jiàn)下圖)。的熔點(diǎn)遠(yuǎn)大于,除相對(duì)分子質(zhì)量存在差異外,另一重要原因是?!敬鸢浮?1)四ⅦBCr(2)MnO2降低A(3)正四面體形sp2(4)FDCA形成的分子間氫鍵更多【詳解】(1)Mn的原子序數(shù)為25,位于元素周期表第四周期ⅦB族;基態(tài)Mn的電子排布式為:,未成對(duì)電子數(shù)有5個(gè),同周期中,基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)比Mn多的元素是Cr,基態(tài)Cr的電子排布式為,有6個(gè)未成對(duì)電子;(2)由均攤法得,晶胞中Mn的數(shù)目為,O的數(shù)目為,即該氧化物的化學(xué)式為MnO2;晶體有O原子脫出時(shí),出現(xiàn)O空位,即x減小,的化合價(jià)為+2x,即Mn的化合價(jià)降低;CaO中Ca的化合價(jià)為+2價(jià)、V2O5中V的化合價(jià)為+5價(jià)、Fe2O3中Fe的化合價(jià)為+3、CuO中Cu的化合價(jià)為+2,其中CaO中Ca的化合價(jià)下降只能為0,其余可下降得到比0大的價(jià)態(tài),說(shuō)明CaO不能通過(guò)這種方式獲得半導(dǎo)體性質(zhì);(3)中B形成4個(gè)σ鍵(其中有1個(gè)配位鍵),為sp3雜化,空間構(gòu)型為正四面體形;咪唑環(huán)存在大鍵,N原子形成3個(gè)σ鍵,雜化方式為sp2;(4)由HMF和FDCA的結(jié)構(gòu)可知,HMF和FDCA均能形成分子間氫鍵,但FDCA形成的分子間氫鍵更多,使得FDCA的熔點(diǎn)遠(yuǎn)大于HMF。5.(2024·全國(guó)甲卷·高考真題)ⅣA族元素具有豐富的化學(xué)性質(zhì),其化合物有著廣泛的應(yīng)用。回答下列問(wèn)題:(1)該族元素基態(tài)原子核外未成對(duì)電子數(shù)為,在與其他元素形成化合物時(shí),呈現(xiàn)的最高化合價(jià)為。(2)俗稱電石,該化合物中不存在的化學(xué)鍵類型為(填標(biāo)號(hào))。a.離子鍵

b.極性共價(jià)鍵

c.非極性共價(jià)鍵

d.配位鍵(3)一種光刻膠薄膜成分為聚甲基硅烷,其中電負(fù)性最大的元素是,硅原子的雜化軌道類型為。(4)早在青銅器時(shí)代,人類就認(rèn)識(shí)了錫。錫的鹵化物熔點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表,結(jié)合變化規(guī)律說(shuō)明原因:。物質(zhì)熔點(diǎn)/44229143(5)結(jié)晶型可作為放射性探測(cè)器元件材料,其立方晶胞如圖所示。其中的配位數(shù)為。設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值,則該晶體密度為(列出計(jì)算式)?!敬鸢浮?1)2+4(2)bd(3)C(4)SnF4屬于離子晶體,SnCl4、SnBr4、SnI4屬于分子晶體,離子晶體的熔點(diǎn)比分子晶體的高,分子晶體的相對(duì)分子量越大,分子間作用力越強(qiáng),熔點(diǎn)越高(5)6【詳解】(1)ⅣA族元素基態(tài)原子的價(jià)層電子排布為,其核外未成對(duì)電子數(shù)為2,因最外層電子數(shù)均為4,所以在與其他元素形成化合物時(shí),呈現(xiàn)的最高化合價(jià)為+4;(2)俗稱電石,其為離子化合物,由和構(gòu)成,兩種離子間存在離子鍵,中兩個(gè)C原子之間存在非極性共價(jià)鍵,因此,該化合物中不存在的化學(xué)鍵類型為極性共價(jià)鍵和配位鍵,故選bd;(3)一種光刻膠薄膜成分為聚甲基硅烷,含C、Si、H三種元素,其電負(fù)性大?。篊>H>Si,則電負(fù)性最大的元素是C,硅原子與周圍的4個(gè)原子形成共價(jià)鍵,沒(méi)有孤電子對(duì),價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,則硅原子的雜化軌道類型為;(4)根據(jù)表中數(shù)據(jù)可知,SnF4的熔點(diǎn)均遠(yuǎn)高于其余三種物質(zhì),故SnF4屬于離子晶體,SnCl4、SnBr4、SnI4屬于分子晶體,離子晶體的熔點(diǎn)比分子晶體的高,SnCl4、SnBr4、SnI4三種物質(zhì)的相對(duì)分子質(zhì)量依次增大,分子間作用力依次增強(qiáng),熔點(diǎn)升高,故原因?yàn)椋篠nF4屬于離子晶體,SnCl4、SnBr4、SnI4屬于分子晶體,離子晶體的熔點(diǎn)比分子晶體的高,分子晶體的相對(duì)分子量越大,分子間作用力越強(qiáng),熔點(diǎn)越高;(5)由晶胞結(jié)構(gòu)圖可知,該晶胞中有4個(gè)和4個(gè),距離每個(gè)原子周圍最近的原子數(shù)均為6,因此的配位數(shù)為6。設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值,則個(gè)晶胞的質(zhì)量為,個(gè)晶胞的體積為,因此該晶體密度為。6.(2023·天津·高考真題)銅及其化合物在生產(chǎn)生活中有重要作用。(1)基態(tài)Cu原子的價(jià)層電子排布式是,與相比較,離子半徑較大的是。(2)銅的一種化合物的晶胞如圖所示,其化學(xué)式為。(3)在H2O2作用下,銅與濃鹽酸的反應(yīng)可用于制備,寫出該反應(yīng)化學(xué)方程式:。反應(yīng)中,H2O2實(shí)際消耗量大于理論用量的原因是。H2O2電子式為。(4)上述制備反應(yīng)中,下列物質(zhì)均可替代H2O2作氧化劑,最適合的是是(填序號(hào))。a.硝酸

b.

c.(5)Cu2+和I-的反應(yīng)可用于Cu含量的定量分析。向CuCl2溶液中滴入KI溶液,生成一種碘化物白色沉淀,且上層溶液可使淀粉溶液變藍(lán)。該白色沉淀的化學(xué)式為。反應(yīng)中KI的作用為?!敬鸢浮?1)3d104s1Cu+(2)CuCl(3)Cu+H2O2+2HCl=CuCl2+2H2O反應(yīng)生成Cu2+能夠催化H2O2分解為H2O和O2(4)b(5)CuI還原劑、沉淀劑【詳解】(1)已知Cu是29號(hào)元素,則銅的價(jià)層電子排布式是3d104s1,根據(jù)同一元素的微?;蟽r(jià)越高,核外電子數(shù)越少,半徑越小,故Cu+與Cu2+中半徑較大的是Cu+,故答案為:3d104s1;Cu+;(2)由題干銅的一種化合物的晶胞圖所示可知,一個(gè)晶胞中含有Cu+為4個(gè),含有Cl-個(gè)數(shù)為:=4個(gè),故其化學(xué)式為CuCl,故答案為:CuCl;(3)在H2O2作用下,銅與濃鹽酸的反應(yīng)可用于制備CuCl2,根據(jù)氧化還原反應(yīng)配平可得,該反應(yīng)化學(xué)方程式為:Cu+H2O2+2HCl=CuCl2+2H2O,由于反應(yīng)生成Cu2+能夠催化H2O2分解為H2O和O2,導(dǎo)致反應(yīng)中,H2O2實(shí)際消耗量總是大于理論,H2O2為共價(jià)化合物,故其電子式為:,故答案為:Cu+H2O2+2HCl=CuCl2+2H2O;反應(yīng)生成Cu2+能夠催化H2O2分解為H2O和O2;;(4)HNO3被還原生成NO有毒,會(huì)污染環(huán)境,Cl2本身有毒也會(huì)污染環(huán)境,故上述制備反應(yīng)中,下列物質(zhì)均可替代H2O2作氧化劑,最適合的是是O2,故答案為:b;(5)Cu2+和I-的反應(yīng)可用于Cu含量的定量分析,向CuCl2溶液中滴入KI溶液,生成一種碘化物白色沉淀,且上層溶液可使淀粉溶液變藍(lán),說(shuō)明反應(yīng)生成了I2,根據(jù)化合價(jià)有升必有降的原理可知,反應(yīng)中Cu的化合價(jià)降低到+1價(jià),故反應(yīng)的離子方程式為:2Cu2++4I-═2CuI↓+I2,即該白色沉淀的化學(xué)式為CuI,反應(yīng)中KI的作用為將Cu2+充分還原為CuI,故答案為:CuI;將Cu2+充分還原為CuI。7.(2023·海南·高考真題)我國(guó)科學(xué)家發(fā)現(xiàn)一種釩配合物Ⅰ可以充當(dāng)固氮反應(yīng)的催化劑,反應(yīng)過(guò)程中經(jīng)歷的中間體包括Ⅱ和Ⅲ。

(代表單鍵、雙鍵或叁鍵)回答問(wèn)題:(1)配合物Ⅰ中釩的配位原子有4種,它們是。(2)配合物Ⅰ中,R′代表芳基,空間結(jié)構(gòu)呈角形,原因是。(3)配合物Ⅱ中,第一電離能最大的配位原子是。(4)配合物Ⅱ和Ⅲ中,釩的化合價(jià)分別為和,配合物Ⅱ、Ⅲ和三者中,兩個(gè)氮原子間鍵長(zhǎng)最長(zhǎng)的是。(5)近年來(lái),研究人員發(fā)現(xiàn)含釩的銻化物在超導(dǎo)方面表現(xiàn)出潛在的應(yīng)用前景。晶胞如圖1所示,晶體中包含由V和Sb組成的二維平面(見(jiàn)圖2)。①晶胞中有4個(gè)面的面心由釩原子占據(jù),這些釩原子各自周圍緊鄰的銻原子數(shù)為。銻和磷同族,銻原子基態(tài)的價(jià)層電子排布式為。②晶體中少部分釩原子被其它元素(包括Ti、Nb、Cr、Sn)原子取代,可得到改性材料。下列有關(guān)替代原子說(shuō)法正確的是。a.有或價(jià)態(tài)形式

b.均屬于第四周期元素c.均屬于過(guò)渡元素

d.替代原子與原離子的離子半徑相近【答案】(1)C、O、P、Cl(2)根據(jù)VSEPR模型,氧原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,其中孤電子對(duì)數(shù)為2,成鍵電子對(duì)之間呈角形(3)N(4)配合物Ⅱ(5)6ad【詳解】(1)根據(jù)題干配合物Ⅰ的結(jié)構(gòu)圖,中心原子釩的配位原子有C、O、P、Cl;(2)根據(jù)VSEPR模型,中心原子氧原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,其中孤電子對(duì)數(shù)為2,空間結(jié)構(gòu)呈角形;(3)配合物Ⅱ中,第一電離能最大的配位原子是N;(4)結(jié)合題干所給配合物Ⅱ和Ⅲ的結(jié)構(gòu),釩的化合價(jià)分別為和,配合物Ⅱ中氮原子間是氮氮單鍵,配合物Ⅲ中為氮氮雙鍵,中為氮氮三鍵,故配合物Ⅱ中兩個(gè)氮原子間鍵長(zhǎng)最長(zhǎng);(5)①晶胞中有4個(gè)面的面心由釩原子占據(jù),這些釩原子填充在銻原子構(gòu)成的八面體空隙中,周圍緊鄰的銻原子數(shù)為6;銻和磷同族,銻原子位于第五周期VA,其基態(tài)的價(jià)層電子排布式;②a.中Cs為+1價(jià),Sb為-3價(jià),V的總化合價(jià)為+14,平均價(jià)態(tài)介于4-5之間,故替代后,化合價(jià)可能為或價(jià)態(tài)形式,故a正確;b.Ti、Cr、Sn屬于第四周期元素,Nb屬于第五周期,故b錯(cuò)誤;c.Sn是IVA族元素,不屬于過(guò)渡元素,故c錯(cuò)誤;

d.釩原子填充在銻原子形成的八面體空隙中,替代原子與原離子的離子半徑相近,才能填充進(jìn)去,故d正確;答案為:ad。8.(2023·北京·高考真題)硫代硫酸鹽是一類具有應(yīng)用前景的浸金試劑。硫代硫酸根可看作是中的一個(gè)原子被原子取代的產(chǎn)物。(1)基態(tài)原子價(jià)層電子排布式是。(2)比較原子和原子的第一電離能大小,從原子結(jié)構(gòu)的角度說(shuō)明理由:。(3)的空間結(jié)構(gòu)是。(4)同位素示蹤實(shí)驗(yàn)可證實(shí)中兩個(gè)原子的化學(xué)環(huán)境不同,實(shí)驗(yàn)過(guò)程為。過(guò)程ⅱ中,斷裂的只有硫硫鍵,若過(guò)程ⅰ所用試劑是和,過(guò)程ⅱ含硫產(chǎn)物是。(5)的晶胞形狀為長(zhǎng)方體,邊長(zhǎng)分別為、,結(jié)構(gòu)如圖所示。

晶胞中的個(gè)數(shù)為。已知的摩爾質(zhì)量是,阿伏加德羅常數(shù)為,該晶體的密度為。(6)浸金時(shí),作為配體可提供孤電子對(duì)與形成。分別判斷中的中心原子和端基原子能否做配位原子并說(shuō)明理由:?!敬鸢浮?1)(2),氧原子半徑小,原子核對(duì)最外層電子的吸引力大,不易失去一個(gè)電子(3)四面體形(4)和(5)4(6)中的中心原子S的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,無(wú)孤電子對(duì),不能做配位原子;端基S原子含有孤電子對(duì),能做配位原子【詳解】(1)S是第三周期ⅥA族元素,基態(tài)S原子價(jià)層電子排布式為。答案為;(2)S和O為同主族元素,O原子核外有2個(gè)電子層,S原子核外有3個(gè)電子層,O原子半徑小,原子核對(duì)最外層電子的吸引力大,不易失去1個(gè)電子,即O的第一電離能大于S的第一電離能。答案為I1(O)>I1(S),氧原子半徑小,原子核對(duì)最外層電子的吸引力大,不易失去一個(gè)電子;(3)的中心原子S的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,無(wú)孤電子對(duì),空間構(gòu)型為四面體形,可看作是中1個(gè)O原子被S原子取代,則的空間構(gòu)型為四面體形。答案為四面體形;(4)過(guò)程Ⅱ中斷裂的只有硫硫鍵,根據(jù)反應(yīng)機(jī)理可知,整個(gè)過(guò)程中最終轉(zhuǎn)化為,S最終轉(zhuǎn)化為。若過(guò)程ⅰ所用的試劑為和,過(guò)程Ⅱ的含硫產(chǎn)物是和。答案為和;(5)由晶胞結(jié)構(gòu)可知,1個(gè)晶胞中含有個(gè),含有4個(gè);該晶體的密度。答案為4;;(6)具有孤電子對(duì)的原子就可以給個(gè)中心原子提供電子配位。中的中心原子S的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,無(wú)孤電子對(duì),不能做配位原子;端基S原子含有孤電子對(duì),能做配位原子。9.(2023·浙江·高考真題)氮的化合物種類繁多,應(yīng)用廣泛。

請(qǐng)回答:(1)基態(tài)N原子的價(jià)層電子排布式是。(2)與碳?xì)浠衔镱愃疲琋、H兩元素之間也可以形成氮烷、氮烯。①下列說(shuō)法不正確的是。A.能量最低的激發(fā)態(tài)N原子的電子排布式:B.化學(xué)鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù):C.最簡(jiǎn)單的氮烯分子式:D.氮烷中N原子的雜化方式都是②氮和氫形成的無(wú)環(huán)氮多烯,設(shè)分子中氮原子數(shù)為n,雙鍵數(shù)為m,其分子式通式為。③給出的能力:(填“>”或“<”),理由是。(3)某含氮化合物晶胞如圖,其化學(xué)式為,每個(gè)陰離子團(tuán)的配位數(shù)(緊鄰的陽(yáng)離子數(shù))為?!敬鸢浮?1)2s22p3(2)ANnHn+2?2m(,m為正整數(shù))<形成配位鍵后,由于Cu對(duì)電子的吸引,使得電子云向銅偏移,進(jìn)一步使氮?dú)滏I的極性變大,故其更易斷裂(3)CaCN26【詳解】(1)N核電荷數(shù)為7,核外有7個(gè)電子,基態(tài)N原子電子排布式為1s22s22p3,則基態(tài)N原子的價(jià)層電子排布式是2s22p3;故答案為:2s22p3。(2)①A.能量最低的激發(fā)態(tài)N原子應(yīng)該是2s能級(jí)上一個(gè)電子躍遷到2p能級(jí),其電子排布式:,故A錯(cuò)誤;B.鈣的金屬性比鎂的金屬性強(qiáng),則化學(xué)鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù):,故B正確;C.氮有三個(gè)價(jià)鍵,最簡(jiǎn)單的氮烯即含一個(gè)氮氮雙鍵,另一個(gè)價(jià)鍵與氫結(jié)合,則其分子式:,故C正確;D.氮烷中N原子有一對(duì)孤對(duì)電子,有三個(gè)價(jià)鍵,則氮原子的雜化方式都是,故D正確;綜上所述,答案為:A。②氮和氫形成的無(wú)環(huán)氮多烯,一個(gè)氮的氮烷為NH3,兩個(gè)氮的氮烷為N2H4,三個(gè)氮的氮烷為N3H5,四個(gè)氮的氮烷為N4H6,設(shè)分子中氮原子數(shù)為n,其氮烷分子式通式為NnHn+2,根據(jù)又一個(gè)氮氮雙鍵,則少2個(gè)氫原子,因此當(dāng)雙鍵數(shù)為m,其分子式通式為NnHn+2?2m(,m為正整數(shù));故答案為:NnHn+2?2m(,m為正整數(shù))。③形成配位鍵后,由于Cu對(duì)電子的吸引,使得電子云向銅偏移,進(jìn)一步使氮?dú)滏I的極性變大,故其更易斷裂,因此給出的能力:<(填“>”或“<”);故答案為:<;形成配位鍵后,由于Cu對(duì)電子的吸引,使得電子云向銅偏移,進(jìn)一步使氮?dú)滏I的極性變大,故其更易斷裂。(3)鈣個(gè)數(shù)為,個(gè)數(shù)為,則其化學(xué)式為CaCN2;根據(jù)六方最密堆積圖

,以上面的面心分析下面紅色的有3個(gè),同理上面也應(yīng)該有3個(gè),本體中分析得到

,以這個(gè)進(jìn)行分析,其俯視圖為

,因此距離最近的鈣離子個(gè)數(shù)為6,其配位數(shù)為6;故答案為:CaCN2;6。10.(2023·山東·高考真題)鹵素可形成許多結(jié)構(gòu)和性質(zhì)特殊的化合物。回答下列問(wèn)題:(1)時(shí),與冰反應(yīng)生成和。常溫常壓下,為無(wú)色氣體,固態(tài)的晶體類型為,水解反應(yīng)的產(chǎn)物為(填化學(xué)式)。(2)中心原子為,中心原子為,二者均為形結(jié)構(gòu),但中存在大鍵。中原子的軌道雜化方式;為鍵角鍵角(填“>”“<”或“=”)。比較與中鍵的鍵長(zhǎng)并說(shuō)明原因。(3)一定條件下,和反應(yīng)生成和化合物。已知屬于四方晶系,晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(晶胞參數(shù)),其中化合價(jià)為。上述反應(yīng)的化學(xué)方程式為。若阿伏伽德羅常數(shù)的值為,化合物的密度(用含的代數(shù)式表示)。

【答案】(1)分子晶體HF、(2)>分子中鍵的鍵長(zhǎng)小于中鍵的鍵長(zhǎng),其原因是:分子中既存在σ鍵,又存在大鍵,原子軌道重疊的程度較大,因此其中鍵的鍵長(zhǎng)較小,而只存在普通的σ鍵。(3)【詳解】(1)常溫常壓下,為無(wú)色氣體,則的沸點(diǎn)較低,因此,固態(tài)HOF的晶體類型為分子晶體。分子中F顯-1價(jià),其水解時(shí)結(jié)合電離的生成HF,則結(jié)合電離的,兩者反應(yīng)生成,因此,水解反應(yīng)的產(chǎn)物為HF、。(2)中心原子為,中心原子為,二者均為V形結(jié)構(gòu),但中存在大鍵()。由中存在可以推斷,其中原子只能提供1對(duì)電子,有一個(gè)原子提供1個(gè)電子,另一個(gè)原子提供1對(duì)電子,這5個(gè)電子處于互相平行的軌道中形成大鍵,提供孤電子對(duì)與其中一個(gè)形成配位鍵,與另一個(gè)形成的是普通的共價(jià)鍵(σ鍵,這個(gè)只提供了一個(gè)電子參與形成大鍵),的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3,則原子的軌道雜化方式為;中心原子為,根據(jù)價(jià)層電子對(duì)的計(jì)算公式可知,因此,的雜化方式為;根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論可知,時(shí),價(jià)電子對(duì)的幾何構(gòu)型為正四面體,時(shí),價(jià)電子對(duì)的幾何構(gòu)型平面正三角形,雜化的鍵角一定大于的,因此,雖然和均為形結(jié)構(gòu),但鍵角大于鍵角,孤電子對(duì)對(duì)成鍵電子對(duì)的排斥作用也改變不了這個(gè)結(jié)論。分子中鍵的鍵長(zhǎng)小于中鍵的鍵長(zhǎng),其原因是:分子中既存在σ鍵,又存在大鍵,原子軌道重疊的程度較大,因此其中鍵的鍵長(zhǎng)較小,而只存在普通的σ鍵。(3)一定條件下,、和反應(yīng)生成和化合物X。已知X屬于四方晶系,其中Cu化合價(jià)為+2。由晶胞結(jié)構(gòu)圖可知,該晶胞中含有黑球的個(gè)數(shù)為、白球的個(gè)數(shù)為、灰色球的個(gè)數(shù)為,則X中含有3種元素,其個(gè)數(shù)比為1:2:4,由于其中Cu化合價(jià)為+2、的化合價(jià)為-1、K的化合價(jià)為+1,根據(jù)化合價(jià)代數(shù)和為0,可以推斷X為,上述反應(yīng)的化學(xué)方程式為。若阿伏加德羅常數(shù)的值為,晶胞的質(zhì)量為,晶胞的體積為,化合物X的密度。11.(2023·全國(guó)乙卷·高考真題)中國(guó)第一輛火星車“祝融號(hào)”成功登陸火星。探測(cè)發(fā)現(xiàn)火星上存在大量橄欖石礦物()?;卮鹣铝袉?wèn)題:(1)基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為。橄欖石中,各元素電負(fù)性大小順序?yàn)椋F的化合價(jià)為。(2)已知一些物質(zhì)的熔點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表:物質(zhì)熔點(diǎn)/℃800.7與均為第三周期元素,熔點(diǎn)明顯高于,原因是。分析同族元素的氯化物、、熔點(diǎn)變化趨勢(shì)及其原因。的空間結(jié)構(gòu)為,其中的軌道雜化形式為。(3)一種硼鎂化合物具有超導(dǎo)性能,晶體結(jié)構(gòu)屬于六方晶系,其晶體結(jié)構(gòu)、晶胞沿c軸的投影圖如下所示,晶胞中含有個(gè)。該物質(zhì)化學(xué)式為,B-B最近距離為。

【答案】(1)O>Si>Fe>Mg+2(2)鈉的電負(fù)性小于硅,氯化鈉為離子晶體,而為分子晶體隨著同族元素的電子層數(shù)的增多,其熔點(diǎn)依次升高,其原因是:、、均形成分子晶體,分子晶體的熔點(diǎn)由分子間作用力決定,分子間作用力越大則其熔點(diǎn)越高;隨著其相對(duì)分子質(zhì)量增大,其分子間作用力依次增大正四面體(3)1【詳解】(1)為26號(hào)元素,基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為。元素的金屬性越強(qiáng),其電負(fù)性越小,元素的非金屬性越強(qiáng)則其電負(fù)性越大,因此,橄欖石()中,各元素電負(fù)性大小順序?yàn)镺>Si>Fe>Mg;因?yàn)橹?、、的化合價(jià)分別為+2、+4和-2,x+2-x=2,根據(jù)化合物中各元素的化合價(jià)的代數(shù)和為0,可以確定鐵的化合價(jià)為+2。(2)與均為第三周期元素,熔點(diǎn)明顯高于,原因是:鈉的電負(fù)性小于硅,氯化鈉為離子晶體,其熔點(diǎn)較高;而為分子晶體,其熔點(diǎn)較低。由表中的數(shù)據(jù)可知,、、熔點(diǎn)變化趨勢(shì)為:隨著同族元素的電子層數(shù)的增多,其熔點(diǎn)依次升高,其原因是:、、均形成分子晶體,分子晶體的熔點(diǎn)由分子間作用力決定,分子間作用力越大則其熔點(diǎn)越高;隨著其相對(duì)分子質(zhì)量增大,其分子間作用力依次增大。的空間結(jié)構(gòu)為正四面體,其中的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,因此的軌道雜化形式為。(3)由硼鎂化合物的晶體結(jié)構(gòu)可知位于正六棱柱的頂點(diǎn)和面心,由均攤法可以求出正六棱柱中含有個(gè),由晶胞沿c軸的投影圖可知本題所給晶體結(jié)構(gòu)包含三個(gè)晶胞,則晶胞中Mg的個(gè)數(shù)為1;晶體結(jié)構(gòu)中在正六棱柱體內(nèi)共6個(gè),則該物質(zhì)的化學(xué)式為;由晶胞沿c軸的投影圖可知,B原子在圖中兩個(gè)正三角形的重心,該點(diǎn)到頂點(diǎn)的距離是該點(diǎn)到對(duì)邊中點(diǎn)距離的2倍,頂點(diǎn)到對(duì)邊的垂線長(zhǎng)度為,因此B-B最近距離為。12.(2023·全國(guó)甲卷·高考真題)將酞菁—鈷鈦菁—三氯化鋁復(fù)合嵌接在碳納米管上,制得一種高效催化還原二氧化碳的催化劑。回答下列問(wèn)題:(1)圖1所示的幾種碳單質(zhì),它們互為,其中屬于原子晶體的是,間的作用力是。(2)酞菁和鈷酞菁的分子結(jié)構(gòu)如圖2所示。酞菁分子中所有原子共平面,其中軌道能提供一對(duì)電子的原子是(填圖2酞菁中原子的標(biāo)號(hào))。鈷酞菁分子中,鈷離子的化合價(jià)為,氮原子提供孤對(duì)電子與鈷離子形成鍵。(3)氣態(tài)通常以二聚體的形式存在,其空間結(jié)構(gòu)如圖3a所示,二聚體中的軌道雜化類型為。的熔點(diǎn)為,遠(yuǎn)高于的,由此可以判斷鋁氟之間的化學(xué)鍵為鍵。結(jié)構(gòu)屬立方晶系,晶胞如圖3b所示,的配位數(shù)為。若晶胞參數(shù)為,晶體密度(列出計(jì)算式,阿伏加德羅常數(shù)的值為)?!敬鸢浮?1)同素異形體金剛石范德華力(2)③+2配位(3)離子2【詳解】(1)同一元素形成的不同單質(zhì)之間互為同素異形體。圖1所示的幾種碳單質(zhì),它們的組成元素均為碳元素,因此,它們互為同素異形體;其中金剛石屬于原子晶體,石墨屬于混合型晶體,屬于分子晶體,碳納米管不屬于原子晶體;間的作用力是范德華力;(2)已知酞菁分子中所有原子共平面,則其分子中所有的C原子和所有的N原子均為雜化,且分子中存在大π鍵,其中標(biāo)號(hào)為①和②的N原子均有一對(duì)電子占據(jù)了一個(gè)雜化軌道,其p軌道只能提供1個(gè)電子參與形成大π鍵,標(biāo)號(hào)為③的N原子的p軌道能提供一對(duì)電子參與形成大π鍵,因此標(biāo)號(hào)為③的N原子形成的N—H鍵易斷裂從而電離出;鈷酞菁分子中,失去了2個(gè)的酞菁離子與鈷離子通過(guò)配位鍵結(jié)合成分子,因此,鈷離子的化合價(jià)為+2,氮原子提供孤對(duì)電子與鈷離子形成配位鍵。(3)由的空間結(jié)構(gòu)結(jié)合相關(guān)元素的原子結(jié)構(gòu)可知,Al原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)是4,其與其周圍的4個(gè)氯原子形成四面體結(jié)構(gòu),因此,二聚體中A1的軌道雜化類型為。AlF3的熔點(diǎn)為1090℃,遠(yuǎn)高于AlCl3的192℃,由于F的電負(fù)性最大,其吸引電子的能力最強(qiáng),因此,可以判斷鋁氟之間的化學(xué)鍵為離子鍵。由AlF3的晶胞結(jié)構(gòu)可知,其中含灰色球的個(gè)數(shù)為,藍(lán)色球的個(gè)數(shù)為,則灰色的球?yàn)椋嘧罱业染嗟挠?個(gè),則的配位數(shù)為2。若晶胞參數(shù)為apm,則晶胞的體積為,晶胞的質(zhì)量為,則其晶體密度。13.(2022·重慶·高考真題)配位化合物X由配體L2-(如圖)和具有正四面體結(jié)構(gòu)的[Zn4O]6+構(gòu)成。(1)基態(tài)Zn2+的電子排布式為。(2)L2-所含元素中,電負(fù)性最大的原子處于基態(tài)時(shí)電子占據(jù)最高能級(jí)的電子云輪廓圖為形;每個(gè)L2-中采取sp2雜化的C原子數(shù)目為個(gè),C與O之間形成σ鍵的數(shù)目為個(gè)。(3)X晶體內(nèi)部空腔可吸附小分子,要增強(qiáng)X與H2O的吸附作用,可在L2-上引入。(假設(shè)X晶胞形狀不變)。A.-Cl B.-OH C.-NH2 D.-CH3(4)X晶體具有面心立方結(jié)構(gòu),其晶胞由8個(gè)結(jié)構(gòu)相似的組成單元(如圖)構(gòu)成。①晶胞中與同一配體相連的兩個(gè)[Zn4O]6+的不同之處在于。②X晶體中Zn2+的配位數(shù)為。③已知ZnO鍵長(zhǎng)為dnm,理論上圖中A、B兩個(gè)Zn2+之間的最短距離的計(jì)算式為nm。④已知晶胞參數(shù)為2anm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,L2-與[Zn4O]6+的相對(duì)分子質(zhì)量分別為M1和M2,則X的晶體密度為g?cm-3(列出化簡(jiǎn)的計(jì)算式)?!敬鸢浮?1)[Ar]3d10(2)啞鈴88(3)BC(4)與Zn2+相連的雙鍵氧原子不在對(duì)稱軸的同側(cè)4a-2d【詳解】(1)鋅元素的原子序數(shù)為30,基態(tài)鋅離子的電子排布式為[Ar]3d10,故答案為:[Ar]3d10;(2)配體L2-所含元素中氧元素的電負(fù)性最大,氧原子處于基態(tài)時(shí),電子云輪廓圖為啞鈴形的2p能級(jí)的電子占據(jù)最高能級(jí);由結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式可知,配體中苯環(huán)碳原子和雙鍵碳原子雜化方式為sp2雜化,共有8個(gè);配體中碳原子與氧原子之間的單鍵為σ鍵、雙鍵中含有1個(gè)σ鍵,共有8個(gè),故答案為:?jiǎn)♀徯危?;8;(3)若在L2-上引入能與水分子形成氫鍵的羥基和氨基,有利于增強(qiáng)X與水分子的吸附作用,若在L2-上引入不能與水分子形成氫鍵的氯原子、甲基,不能增強(qiáng)X與水分子的吸附作用,故選BC;(4)①由X晶胞的組成單元的對(duì)角面可知,晶胞中與同一配體相連的兩個(gè)[Zn4O]6+的不同之處在于與Zn2+相連的雙鍵氧原子不在對(duì)稱軸的同側(cè),故答案為:與Zn2+相連的雙鍵氧原子不在對(duì)稱軸的同側(cè);②1個(gè)[Zn4O]6+上、下、左、右、前、后共有6個(gè)L2-,每個(gè)L2-與[Zn4O]6+形成2個(gè)Zn←O配位鍵,1個(gè)[Zn4O]6+含有4個(gè)Zn←O配位鍵,1個(gè)[Zn4O]6+中Zn2+形成的配位鍵數(shù)目為6×2+4=16,1個(gè)Zn2+的配位數(shù)為4;③由X晶胞的組成單元結(jié)構(gòu)可知,[Zn4O]6+中兩個(gè)處于體對(duì)角線的氧離子距離、邊長(zhǎng)和面對(duì)角線構(gòu)成直角三角形,氧離子距離為單元結(jié)構(gòu)的體對(duì)角線,設(shè)A、B兩個(gè)鋅離子之間的最短距離為xnm,由體對(duì)角線的長(zhǎng)度可得:x+2d=,解得x=a—2d,故答案為:a—2d;④由X晶胞的組成單元結(jié)構(gòu)可知,單元結(jié)構(gòu)中位于頂點(diǎn)的[Zn4O]6+的個(gè)數(shù)為8×=1,位于棱上的L2-的個(gè)數(shù)為12×=3,設(shè)晶體的密度為dg/cm3,由X晶體具有面心立方結(jié)構(gòu),其晶胞由8個(gè)結(jié)構(gòu)相似的組成單元構(gòu)成可得:=(2a×10—7)3d,解得d=,故答案為:。14.(2022·福建·高考真題)1962年首個(gè)稀有氣體化合物問(wèn)世,目前已知的稀有氣體化合物中,含氙(54Xe)的最多,氪(36Kr)次之,氬(18Ar)化合物極少。是與分子形成的加合物,其晶胞如下圖所示?;卮鹣铝袉?wèn)題:(1)基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為。(2)原子的活潑性依序增強(qiáng),原因是。(3)晶體熔點(diǎn):(填“>”“<”或“=”),判斷依據(jù)是。(4)的中心原子的雜化軌道類型為。(5)加合物中,晶體中的微粒間作用力有(填標(biāo)號(hào))。a.氫鍵

b.離子鍵

c.極性共價(jià)鍵

d.非極性共價(jià)鍵【答案】(1)(2)同族元素,從上而下原子半徑逐漸增大,原子核對(duì)外層電子的有效吸引逐漸減弱,失電子能力逐漸增強(qiáng)(3)<二者為同構(gòu)型的分子晶體,相對(duì)分子質(zhì)量大,范德華力大,熔點(diǎn)高(4)(5)2bc【詳解】(1)位于元素周期表中第四周期VA族,原子序數(shù)為33,由構(gòu)造原理寫出其價(jià)電子排布式為。(2)同族元素,從上而下原子半徑逐漸增大,原子核對(duì)外層電子的有效吸引逐漸減弱,失電子能力逐漸增強(qiáng),故原子的活潑性依序增強(qiáng)。(3)和是同構(gòu)型的分子晶體,相對(duì)分子質(zhì)量大,范德華力大,熔點(diǎn)高,晶體熔點(diǎn):<。(4)的中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為:3+=4,雜化軌道類型為。(5)由晶胞結(jié)構(gòu)可知,其中含有8個(gè)、4個(gè)、4個(gè),則加合物中2,晶體中的微粒間作用力有離子鍵、極性共價(jià)鍵,故選bc。15.(2022·河北·高考真題)含Cu、Zn、Sn及S的四元半導(dǎo)體化合物(簡(jiǎn)寫為CZTS),是一種低價(jià)、無(wú)污染的綠色環(huán)保型光伏材料,可應(yīng)用于薄膜太陽(yáng)能電池領(lǐng)域?;卮鹣铝袉?wèn)題:(1)基態(tài)S原子的價(jià)電子中,兩種自旋狀態(tài)的電子數(shù)之比為。(2)Cu與Zn相比,第二電離能與第一電離能差值更大的是,原因是。(3)SnCl的幾何構(gòu)型為,其中心離子雜化方式為。(4)將含有未成對(duì)電子的物質(zhì)置于外磁場(chǎng)中,會(huì)使磁場(chǎng)強(qiáng)度增大,稱其為順磁性物質(zhì)。下列物質(zhì)中,屬于順磁性物質(zhì)的是(填標(biāo)號(hào))。A.[Cu(NH3)2]Cl B.[Cu(NH3)4]SO4 C.[Zn(NH3)4]SO4 D.Na2[Zn(OH)4](5)如圖是硫的四種含氧酸根的結(jié)構(gòu):A.B.C.

D.根據(jù)組成和結(jié)構(gòu)推斷,能在酸性溶液中將Mn2+轉(zhuǎn)化為MnO的是(填標(biāo)號(hào)),理由是。(6)如圖是CZTS四元半導(dǎo)體化合物的四方晶胞。①該物質(zhì)的化學(xué)式為。②以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置,稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo),例如圖中A原子的坐標(biāo)為(,,),則B原子的坐標(biāo)為。【答案】(1)1:2或2:1(2)CuCu的第二電離能失去的是3d10的電子,第一電離能失去的是4s1電子,Zn的第二電離能失去的是4s1的電子,第一電離能失去的是4s2電子,3d10電子處于全充滿狀態(tài),其與4s1電子能量差值更大(3)三角錐形sp3雜化(4)B(5)DD中含有—1價(jià)的O元素,具有強(qiáng)氧化性,能將Mn2+轉(zhuǎn)化為MnO(6)Cu2ZnSnS4(,,)【詳解】(1)基態(tài)S的價(jià)電子排布是3s23p4,根據(jù)基態(tài)原子電子排布規(guī)則,兩種自旋狀態(tài)的電子數(shù)之比為1:2或2:1,故答案為:1:2或2:1;(2)銅元素的第二電離能失去的是3d10的電子,第一電離能失去的是4s1電子,鋅元素的第二電離能失去的是4s1的電子,第一電離能失去的是4s2電子,3d10電子處于全充滿狀態(tài),其與4s1電子能量差值更大,所以銅與鋅相比,第二電離能與第一電離能差值更大的是銅元素,故答案為:Cu;Cu的第二電離能失去的是3d10的電子,第一電離能失去的是4s1電子,Zn的第二電離能失去的是4s1的電子,第一電離能失去的是4s2電子,3d10電子處于全充滿狀態(tài),其與4s1電子能量差值更大;(3)三氯化錫離子在錫離子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4、孤對(duì)電子對(duì)數(shù)為1,所以錫離子雜化方式為sp3雜化,離子的空間構(gòu)型為三角錐形,故答案為:三角錐形;sp3雜化;(4)根據(jù)題意,具有順磁性物質(zhì)含有未成對(duì)電子;A.[Cu(NH3)2]Cl中亞銅離子外圍電子排布是3d10,離子中電子均已成對(duì),該配合物不具有順磁性,故不符合題意;B.[Cu(NH3)4]SO4中銅離子外圍電子排布是3d9,離子中有未成對(duì)電子,該配合物具有順磁性,故符合題意;C.[Zn(NH3)4]SO4中鋅離子外圍電子排布是3d10,離子中電子均已成對(duì),該配合物不具有順磁性,故不符合題意;D.Na2[Zn(OH)4]中鋅離子外圍電子排布是3d10,離子中電子均已成對(duì),該配合物不具有順磁性,故不符合題意;故選B;(5)由四種含氧酸根的結(jié)構(gòu)式可知,只有過(guò)二硫酸根離子中含有過(guò)氧鏈,離子中—1價(jià)的氧元素具有強(qiáng)氧化性,則只有過(guò)二硫酸根離子能在酸性溶液中將錳離子氧化為高錳酸根離子,故選D;(6)①由晶胞結(jié)構(gòu)可知,位于頂點(diǎn)和體心的鋅原子個(gè)數(shù)為8×+1=2,位于面上的銅原子個(gè)數(shù)為8×=4,位于面心和棱上的錫原子個(gè)數(shù)為2×+4×=2,位于體內(nèi)的硫原子個(gè)數(shù)為8,則該物質(zhì)的化學(xué)式為ZnSnCu2S4,故答案為:ZnSnCu2S4;②若將晶胞先分為上下兩個(gè)相等的正方體后再將每個(gè)正方體繼續(xù)分為8個(gè)相等的小正方體,則B原子位于上面的正方體分割成的8個(gè)小立方體中位于右下后方的小立方體的體心,由A原子的坐標(biāo)為(,,)可知,B原子的坐標(biāo)為(,,),故答案為:(,,)。16.(2022·海南·高考真題)以、ZnO等半導(dǎo)體材料制作的傳感器和芯片具有能耗低、效率高的優(yōu)勢(shì)?;卮饐?wèn)題:(1)基態(tài)O原子的電子排布式,其中未成對(duì)電子有個(gè)。(2)Cu、Zn等金屬具有良好的導(dǎo)電性,從金屬鍵的理論看,原因是。(3)酞菁的銅、鋅配合物在光電傳感器方面有著重要的應(yīng)用價(jià)值。酞菁分子結(jié)構(gòu)如下圖,分子中所有原子共平面,所有N原子的雜化軌道類型相同,均采取雜化。鄰苯二甲酸酐()和鄰苯二甲酰亞胺()都是合成酞菁的原料,后者熔點(diǎn)高于前者,主要原因是。(4)金屬Zn能溶于氨水,生成以氨為配體,配位數(shù)為4的配離子,Zn與氨水反應(yīng)的離子方程式為。(5)ZnO晶體中部分O原子被N原子替代后可以改善半導(dǎo)體的性能,Zn-N鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)小于Zn-O鍵,原因是。(6)下圖為某ZnO晶胞示意圖,下圖是若干晶胞無(wú)隙并置而成的底面O原子排列局部平面圖。為所取晶胞的下底面,為銳角等于60°的菱形,以此為參考,用給出的字母表示出與所取晶胞相鄰的兩個(gè)晶胞的底面、?!敬鸢浮?1)1s22s22p4或[He]2s22p42(2)自由電子在外加電場(chǎng)中作定向移動(dòng)(3)sp2兩者均為分子晶體,后者能形成分子間氫鍵,使分子間作用力增大,熔點(diǎn)更高(4)Zn+4NH3+2H2O=[Zn(NH3)4]2++2OH-+H2↑(5)電負(fù)性O(shè)>N,O對(duì)電子的吸引能力更強(qiáng),Zn和O更易形成離子鍵(6)?cdhi?bcfe【詳解】(1)O為8號(hào)元素,其基態(tài)O原子核外有8個(gè)電子,因此基態(tài)O原子的電子排布式為1s22s22p4或[He]2s22p4,其2p軌道有2個(gè)未成對(duì)電子,即O原子有2個(gè)未成對(duì)電子;(2)由于金屬的自由電子可在外加電場(chǎng)中作定向移動(dòng),因此Cu、Zn等金屬具有良好的導(dǎo)電性;(3)根據(jù)結(jié)構(gòu)式可知,N原子以雙鍵或以NH三鍵的形式存在,故N原子的雜化方式均為sp2,由于鄰苯二甲酸酐和鄰苯二甲酰亞胺均為分子晶體,而后者能形成分子間氫鍵,使分子間作用力增大,因此熔點(diǎn)更高;(4)金屬Zn與氨水反應(yīng)可生成[Zn(NH3)4](OH)2和H2,反應(yīng)的離子方程式為Zn+4NH3+2H2O=[Zn(NH3)4]2++2OH-+H2↑;(5)由于電負(fù)性O(shè)>N,O對(duì)電子的吸引能力更強(qiáng),Zn和O更易形成離子鍵,因此Zn—N鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)小于Zn—O鍵;(6)根據(jù)晶胞示意圖,一個(gè)晶胞中8個(gè)O原子位于晶胞的頂點(diǎn),1個(gè)O原子位于晶胞體內(nèi),4個(gè)Zn原子位于晶胞的棱上,1個(gè)Zn原子位于晶胞體內(nèi),棱上的3個(gè)Zn原子和體內(nèi)的Zn原子、O原子形成四面體結(jié)構(gòu),從底面O原子排列圖看,能平移且與abcd共邊的只有二個(gè)四邊形,為cdhi和bcfe。17.(2022·北京·高考真題)失水后可轉(zhuǎn)為,與可聯(lián)合制備鐵粉精和。I.結(jié)構(gòu)如圖所示。(1)價(jià)層電子排布式為。(2)比較和分子中的鍵角大小并給出相應(yīng)解釋:。(3)與和的作用分別為。II.晶胞為立方體,邊長(zhǎng)為,如圖所示。(4)①與緊鄰的陰離子個(gè)數(shù)為。②晶胞的密度為。(5)以為燃料,配合可以制備鐵粉精和。結(jié)合圖示解釋可充分實(shí)現(xiàn)能源和資源有效利用的原因?yàn)椤!敬鸢浮?1)3d6(2)SO的鍵角大于H2O,SO中S原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4、孤對(duì)電子對(duì)數(shù)為0,離子的空間構(gòu)型為正四面體形,H2O分子中O原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4、孤對(duì)電子對(duì)數(shù)為2,分子的空間構(gòu)型為V形(3)配位鍵、氫鍵(4)6×1021(5)由圖可知,F(xiàn)eS2與O2生成FexOy的反應(yīng)為放熱反應(yīng),F(xiàn)eSO4·H2O分解生成FexOy的反應(yīng)為吸熱反應(yīng),放熱反應(yīng)放出的熱量有利于吸熱反應(yīng)的進(jìn)行,有利于反應(yīng)生成的SO3與H2O反應(yīng)生成H2SO4【詳解】(1)鐵元素的原子序數(shù)為26,基態(tài)亞鐵離子的價(jià)電子排布式為3d6,故答案為:3d6;(2)硫酸根離子中硫原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4、孤對(duì)電子對(duì)數(shù)為0,離子的空間構(gòu)型為正四面體形,水分子中氧原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4、孤對(duì)電子對(duì)數(shù)為2,分子的空間構(gòu)型為V形,所以硫酸根離子的鍵角大于水分子,故答案為:SO的鍵角大于H2O,SO中S原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4、孤對(duì)電子對(duì)數(shù)為0,離子的空間構(gòu)型為正四面體形,H2O分子中O原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4、孤對(duì)電子對(duì)數(shù)為2,分子的空間構(gòu)型為V形;(3)由圖可知,具有空軌道的亞鐵離子與水分子中具有孤對(duì)電子的氧原子形成配位鍵,硫酸根離子與水分子間形成氫鍵,故答案為:配位鍵;氫鍵;(4)①由晶胞結(jié)構(gòu)可知,晶胞中位于頂點(diǎn)的亞鐵離子與位于棱上的陰離子S離子間的距離最近,則亞鐵離子緊鄰的陰離子個(gè)數(shù)為6,故答案為:6;②由晶胞結(jié)構(gòu)可知,晶胞中位于頂點(diǎn)和面心的亞鐵離子個(gè)數(shù)為8×+6×=4,位于棱上和體心的S離子個(gè)數(shù)為12×+1=4,設(shè)晶體的密度為dg/cm3,由晶胞的質(zhì)量公式可得:==10—21a3d,解得d=×1021,故答案為:×1021;(5)由圖可知,F(xiàn)eS2與O2生成FexOy的反應(yīng)為放熱反應(yīng),F(xiàn)eSO4·H2O分解生成FexOy的反應(yīng)為吸熱反應(yīng),放熱反應(yīng)放出的熱量有利于吸熱反應(yīng)的進(jìn)行,有利于反應(yīng)生成的SO3與H2O反應(yīng)生成H2SO4,所以以FeS2為燃料,配合FeSO4·H2O可以制備鐵粉精和H2SO4可充分實(shí)現(xiàn)能源和資源有效利用,故答案為:由圖可知,F(xiàn)eS2與O2生成FexOy的反應(yīng)為放熱反應(yīng),F(xiàn)eSO4·H2O分解生成FexOy的反應(yīng)為吸熱反應(yīng),放熱反應(yīng)放出的熱量有利于吸熱反應(yīng)的進(jìn)行,有利于反應(yīng)生成的SO3與H2O反應(yīng)生成H2SO4。18.(2022·河北·高考真題)含及S的四元半導(dǎo)體化合物(簡(jiǎn)寫為),是一種低價(jià)、無(wú)污染的綠色環(huán)保型光伏材料,可應(yīng)用于薄膜太陽(yáng)能電池領(lǐng)域?;卮鹣铝袉?wèn)題:(1)基態(tài)S原子的價(jià)電子中,兩種自旋狀態(tài)的電子數(shù)之比為。(2)Cu與Zn相比,第二電離能與第一電離能差值更大的是,原因是。(3)的幾何構(gòu)型為,其中心離子雜化方式為。(4)將含有未成對(duì)電子的物質(zhì)置于外磁場(chǎng)中,會(huì)使磁場(chǎng)強(qiáng)度增大,稱其為順磁性物質(zhì),下列物質(zhì)中,屬于順磁性物質(zhì)的是_______(填標(biāo)號(hào))。A. B. C. D.(5)如圖是硫的四種含氧酸根的結(jié)構(gòu):根據(jù)組成和結(jié)構(gòu)推斷,能在酸性溶液中將轉(zhuǎn)化為的是(填標(biāo)號(hào))。理由是?!敬鸢浮?1)1:2/2:1(2)CuCu的第二電離能失去的是3d10的電子,第一電離能失去的是4s1電子,Zn的第二電離能失去的是4s1的電子,第一電離能失去的是4s2電子,3d10電子處于全充滿狀態(tài),其與4s1電子能量差值更大(3)三角錐形sp3雜化(4)B(5)DD中含有-1價(jià)的O,易被還原,具有強(qiáng)氧化性,能將Mn2+轉(zhuǎn)化為MnO【詳解】(1)基態(tài)S的價(jià)電子排布是3s23p4,根據(jù)基態(tài)原子電子排布規(guī)則,兩種自旋狀態(tài)的電子數(shù)之比為:1:2或2:1;(2)Cu的第二電離能失去的是3d10的電子,第一電離能失去的是4s1電子,Zn的第二電離能失去的是4s1的電子,第一電離能失去的是4s2電子,3d10電子處于全充滿狀態(tài),其與4s1電子能量差值更大;(3)Sn是ⅣA族元素,SnCl的中心離子Sn2+價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3+,有1對(duì)孤電子對(duì),中心離子是sp3雜化,SnCl的幾何構(gòu)型是三角錐形;(4)根據(jù)題意,具有順磁性物質(zhì)含有未成對(duì)電子。A.[Cu(NH3)2]Cl各原子核外電子均已成對(duì),不符合題意;B.[Cu(NH3)4]SO4中的Cu2+外圍電子排布是3d9,有未成對(duì)電子,符合題意;C.[Zn(NH3)4]SO4各原子核外電子均已成對(duì),不符合題意;D.Na2[Zn(OH)]各原子核外電子均已成對(duì),不符合題意;故答案選B。(5)Mn2+轉(zhuǎn)化為MnO需要氧化劑,且氧化性比MnO的強(qiáng),由SO2使KMnO4溶液褪色可知H2SO4的氧化性弱于MnO,故A不符合;B、C中的S化合價(jià)比H2SO4低,氧化性更弱,故B、C均不符合;D中含有-1價(jià)的O,易被還原,具有強(qiáng)氧化性,能將Mn2+轉(zhuǎn)化為MnO,故D符合。19.(2022·山東·高考真題)研究籠形包合物結(jié)構(gòu)和性質(zhì)具有重要意義。化學(xué)式為的籠形包合物四方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(H原子未畫出),每個(gè)苯環(huán)只有一半屬于該晶胞。晶胞參數(shù)為。回答下列問(wèn)題:

(1)基態(tài)Ni原子的價(jià)電子排布式為,在元素周期表中位置為。(2)晶胞中N原子均參與形成配位鍵,Ni2+與Zn2+的配位數(shù)之比為;;晶胞中有d軌道參與雜化的金屬離子是。(3)吡啶(

)替代苯也可形成類似的籠形包合物。已知吡啶中含有與苯類似的大鍵、則吡啶中N原子的價(jià)層孤電子對(duì)占據(jù)_______(填標(biāo)號(hào))。A.2s軌道 B.2p軌道 C.sp雜化軌道 D.sp2雜化軌道(4)在水中的溶解度,吡啶遠(yuǎn)大于苯,主要原因是①,②。(5)

、

、

的堿性隨N原子電子云密度的增大而增強(qiáng),其中堿性最弱的是。【答案】(1)3d84s2第4周期第VIII族(2)2:32:1:1Zn2+、Ni2+(3)D(4)吡啶能與H2O分子形成分子間氫鍵吡啶和H2O均為極性分子相似相溶,而苯為非極性分子(5)

【詳解】(1)已知Ni是28號(hào)元素,故基態(tài)Ni原子的價(jià)電子排布式為:3d84s2,在周期表中第四橫行第10縱列即位于第4周期第VIII族。答案為:3d84s2;第4周期第VIII族;(2)由題干晶胞示意圖可知,

,Ni2+周圍連接四個(gè)原子團(tuán),形成的配位鍵數(shù)目為4,空間結(jié)構(gòu)為正方形,VESPR模型為平面四邊形,采用dsp2雜化;Zn2+周圍形成的配位鍵數(shù)目為6,VESPR模型為正八面體,采用sp3d2雜化,所以Ni2+與Zn2+的配位數(shù)之比為4:6=2:3;含有CN-(小黑球N+小白球C)為:=4,含有NH3(棱上小黑球)個(gè)數(shù)為:=2,晶胞中苯環(huán)在四個(gè)側(cè)面且每個(gè)苯環(huán)只有一半屬于該晶胞,所以苯環(huán)個(gè)數(shù)為:=2,則該晶胞的化學(xué)式為:,即4:2:2=2:1:1。答案為:2:3;2:1:1;Zn2+、Ni2+;(3)吡啶(

)替代苯也可形成類似的籠形包合物。已知吡啶中含有與苯類似的大π鍵,則說(shuō)明吡啶中N原子也是采用sp2雜化,雜化軌道只用于形成σ鍵和存在孤電子對(duì),則吡啶中N原子的價(jià)層孤電子對(duì)占據(jù)sp2雜化軌道,故選D。答案為D;(4)已知苯分子為非極性分子,H2O分子為極性分子,且吡啶中N原子上含有孤電子對(duì)能與H2O分子形成分子間氫鍵,從而導(dǎo)致在水中的溶解度,吡啶遠(yuǎn)大于苯。答案為:吡啶能與H2O分子形成分子間氫鍵;吡啶和H2O均為極性分子相似相溶,而苯為非極性分子;(5)已知-CH3為推電子基團(tuán),-Cl是吸電子基團(tuán),則導(dǎo)致N原子電子云密度大小順序?yàn)椋海?/p>

,題干信息顯示:堿性隨N原子電子云密度的增大而增強(qiáng),則堿性最弱的為:

。答案為:

?!军c(diǎn)睛】N原子的電子云密度越大,含N物質(zhì)的堿性越強(qiáng)。20.(2022·湖南·高考真題)鐵和硒()都是人體所必需的微量元素,且在醫(yī)藥、催化、材料等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用,回答下列問(wèn)題:(1)乙烷硒啉(Ethaselen)是一種抗癌新藥,其結(jié)構(gòu)式如下:①基態(tài)原子的核外電子排布式為;②該新藥分子中有種不同化學(xué)環(huán)境的C原子;③比較鍵角大?。簹鈶B(tài)分子離子(填“>”“<”或“=”),原因是。(2)富馬酸亞鐵是一種補(bǔ)鐵劑。富馬酸分子的結(jié)構(gòu)模型如圖所示:①富馬酸分子中鍵與鍵的數(shù)目比為;②富馬酸亞鐵中各元素的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)椤?3)科學(xué)家近期合成了一種固氮酶模型配合物,該物質(zhì)可以在溫和條件下直接活化,將轉(zhuǎn)化為,反應(yīng)過(guò)程如圖所示:①產(chǎn)物中N原子的雜化軌道類型為;②與互為等電子體的一種分子為(填化學(xué)式)。(4)鉀、鐵、硒可以形成一種超導(dǎo)材料,其晶胞在xz、yz和xy平面投影分別如圖所示:①該超導(dǎo)材料的最簡(jiǎn)化學(xué)式為;②Fe原子的配位數(shù)為;③該晶胞參數(shù)、。阿伏加德羅常數(shù)的值為,則該晶體的密度為(列出計(jì)算式)?!敬鸢浮?1)3d104s24p48>SeO3的空間構(gòu)型為平面三角形,SeO的空間構(gòu)型為三角錐形(2)11:3O>C>H>Fe(3)sp3雜化H2O(4)KFe2Se24/abc×10—21【詳解】(1)①硒元素的原子序數(shù)為34,基態(tài)原子的電子排布式為[Ar]3d104s24p4,故答案為:3d104s24p4;②由結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式可知,乙烷硒啉的分子結(jié)構(gòu)對(duì)稱,分子中含有8種化學(xué)環(huán)境不同的碳原子,故答案為:8;③三氧化硒分子中硒原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3,孤對(duì)電子對(duì)數(shù)為0,分子的空間構(gòu)型為平面三角形,鍵角為120°,亞硒酸根離子中硒原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,孤對(duì)電子對(duì)數(shù)為1,離子的空間構(gòu)型為三角錐形,鍵角小于120°,故答案為:>;SeO3的空間構(gòu)型為平面三角形,SeO的空間構(gòu)型為三角錐形;(2)①由球棍模型可知,富馬酸的結(jié)構(gòu)式為HOOCCH=CHCOOH,分子中的單鍵為σ鍵,雙鍵中含有1個(gè)σ鍵和1個(gè)π鍵,則分子中σ鍵和π鍵的數(shù)目比為11:3,故答案為:11:3;②金屬元素的電負(fù)性小于非金屬元素,則鐵元素的電負(fù)性最小,非金屬元素的非金屬性越強(qiáng),電負(fù)性越大,氫碳氧的非金屬性依次增強(qiáng),則電負(fù)性依次增大,所以富馬酸亞鐵中四種元素的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)镺>C>H>Fe,故答案為:O>C>H>Fe;(3)①由結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式可知,產(chǎn)物中氮原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,原子的雜化方式為sp3雜化,故答案為:sp3雜化;②水分子和氨基陰離子的原子個(gè)數(shù)都為3、價(jià)電子數(shù)都為8,互為等電子體,故答案為:H2O;(4)①由平面投影圖可知,晶胞中位于頂點(diǎn)和體心的鉀原子個(gè)數(shù)為8×+1=2,鐵原子位于面上,原子個(gè)數(shù)為8×=4,位于棱上和體內(nèi)的硒原子的個(gè)數(shù)為8×+2=4,則超導(dǎo)材料最簡(jiǎn)化學(xué)式為KFe2Se2,故答案為:KFe2Se2;②由平面投影圖可知,位于面上的鐵原子與位于棱上和體內(nèi)的硒原子的距離最近,所以鐵原子的配位數(shù)為4,故答案為:4;③設(shè)晶體的密度為dg/cm3,由晶胞的質(zhì)量公式可得:=abc×10—21×d,解得d=/abc×10—21,故答案為:/abc×10—21。21.(2025·上海金山·一模)氮化硼(BN)是一種重要的功能陶瓷材料。以天然硼砂為原料,經(jīng)過(guò)一系列反應(yīng)可以得到BN,如圖所示:(1)硼元素原子的電子排布式為,這些電子有種不同的能量。與硼元素在同一周期,其基態(tài)原子的最外層有2個(gè)未成對(duì)電子的元素有。(填元素符號(hào))(2)寫出上述由B2O3制備BN的化學(xué)方程式。(3)BN的兩種晶型:六方晶型(類似于石墨)及立方晶型(類似于金剛石),結(jié)構(gòu)如下圖。下列說(shuō)法正確的是。A.六方氮化硼晶體層間存在化學(xué)鍵B.六方氮化硼結(jié)構(gòu)與石墨相似,能導(dǎo)電C.兩種晶體中的B和N之間的化學(xué)鍵均為極性共價(jià)鍵D.立方氮化硼含有σ鍵和π鍵,屬于共價(jià)晶體,所以硬度大立方相氮化硼晶體中,氮的配位數(shù)是,其晶胞參數(shù)為apm,則用含a的代數(shù)式表示硼和氮的最短距離d=pm。常溫常壓下硼酸(H3BO3)晶體結(jié)構(gòu)為層狀,其二維平面結(jié)構(gòu)如圖所示。(4)硼酸晶體中存在的作用力有。A.離子鍵

B.共價(jià)鍵

C.配位鍵

D.范德華力1mol該晶體中含有mol氫鍵。解釋硼酸在冷水中的溶解度小而加熱時(shí)溶解度增大的原因。(5)硼酸可由三鹵化硼(BX3)水解而成,機(jī)理如下圖。從結(jié)構(gòu)的角度解釋CCl4水解反應(yīng)很難進(jìn)行的原因。【答案】(1)1s22s22p13C、O(2)B2O3+2NH32BN+3H2O(3)C4(4)BD3加熱促進(jìn)H3BO3分子間氫鍵的斷裂,有利于H3BO3分子與水分子間形成氫鍵(5)碳原子價(jià)層無(wú)空軌道,不能接受水的進(jìn)攻【詳解】(1)硼為5號(hào)元素,則硼元素原子的電子排布式為,有三個(gè)原子軌道,則這些電子有3種不同的能量;與硼元素在同一周期,其基態(tài)原子的最外層有2個(gè)未成對(duì)電子,排布式可以為,對(duì)應(yīng)的元素是;(2)根據(jù)給出的制備路徑可知,由制備BN的化學(xué)方程式為:;(3)A.六方晶型(類似于石墨),石墨層間是通過(guò)范德華力結(jié)合的,范德華力不屬于化學(xué)鍵,A錯(cuò)誤;B.石墨導(dǎo)電是因?yàn)橛须x域的π電子,而六方BN中,雖然結(jié)構(gòu)類似,B和N的電負(fù)性差異較大,電子可能被束縛,不能自由移動(dòng),不導(dǎo)電,B錯(cuò)誤;C.無(wú)論是六方還是立方BN,B和N之間都是不同原子形成的共價(jià)鍵,均為極性共價(jià)鍵,C正確;D.立方BN結(jié)構(gòu)類似于金剛石,金剛石中只有σ鍵,沒(méi)有π鍵,立方BN是共價(jià)晶體,硬度大,D錯(cuò)誤;答案選C。在金剛石結(jié)構(gòu)中,每個(gè)C原子連接4個(gè)其他C原子,形成四面體結(jié)構(gòu)。立方BN結(jié)構(gòu)類似,所以每個(gè)N原子應(yīng)連接4個(gè)B原子,配位數(shù)為4;其晶胞參數(shù)為apm,金剛石結(jié)構(gòu)中,原子間的最近距離是體對(duì)角線的,即,在立方BN的晶胞中,B和N位于交替的四面體位置,最近距離也應(yīng)該是立方體對(duì)角線的四分之一,即;(4)A.根據(jù)其二維平面結(jié)構(gòu)可知,硼酸是一種共價(jià)化合物,不存在離子鍵,A錯(cuò)誤;B.原子間,原子間存在極性共價(jià)鍵,B正確;C.根據(jù)其二維平面結(jié)構(gòu)可知,硼酸晶體中不含配位鍵,其結(jié)構(gòu)主要由共價(jià)鍵和氫鍵組成,C錯(cuò)誤;D.硼酸晶體結(jié)構(gòu)為層狀,層間存在分子間作用力,即范德華力,D正確;答案選BD。由晶體結(jié)構(gòu)可知,每個(gè)硼酸分子可通過(guò)氫鍵與周圍的分子形成穩(wěn)定的層狀結(jié)構(gòu),一個(gè)硼酸分子可以形成6個(gè)氫鍵,但只有3個(gè)氫鍵屬于硼酸分子,則1mol該晶體中含有3mol氫鍵;冷水中溶解度較小的原因:硼酸主要依靠氫鍵維持層狀結(jié)構(gòu),水分子難以迅速破壞氫鍵,因此溶解度較??;加熱后溶解度增大的原因:升溫破壞氫鍵,使得層狀結(jié)構(gòu)松散,有利于H3BO3分子與水分子間形成氫鍵,從而提高溶解度。(5)根據(jù)機(jī)理圖可知,水分子進(jìn)攻B原子,破壞B-X鍵,最終生成H3BO3。中C原子外層電子已滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),沒(méi)有空的軌道來(lái)接受水分子的孤對(duì)電子,因此水分子無(wú)法進(jìn)攻C原子。22.(2025·上海崇明·一模)黃銅礦(主要成分為CuFeS2)可用于冶煉Cu2O,主要物質(zhì)轉(zhuǎn)化過(guò)程如下:(1)基態(tài)Cu原子的價(jià)層電子排布式為。(2)SO2的分子空間構(gòu)型是形,鍵角120°(填“大于”“等于”或“小于”),請(qǐng)用價(jià)層電子對(duì)互斥理論解釋原因:。(3)下圖中,表示Cu2O晶胞的是(填“圖1”或“圖2”)。(4)CuFeS2的晶胞如圖3所示。①圖4所示結(jié)構(gòu)單元不能作為CuFeS2晶胞的原因是。②阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,CuFeS2晶體的密度是(用計(jì)算式表示;1cm=1010pm;CuFeS2的摩爾質(zhì)量為)。(5)Cu2O和CuCl都屬于離子化合物,其中熔點(diǎn)較高,原因是。【答案】(1)3d104s1(2)角小于根據(jù)VSEPR原則,中心S原子的價(jià)電子層有三對(duì)電子,空間構(gòu)型為平面三角形,其中有一對(duì)是孤電子對(duì),對(duì)成鍵電子對(duì)產(chǎn)生排斥作用(3)圖1(4)圖4對(duì)應(yīng)結(jié)構(gòu)單元無(wú)法進(jìn)行無(wú)隙并置(5)Cu2OO2-所帶電荷數(shù)較多并且離子半徑比Cl-小,與Cu+形成的離子鍵作用力更強(qiáng)【分析】由題干流程圖可知,Cu2S與O2共熱制備Cu2O的同時(shí)還生成SO2,方程式為2Cu2S+3O22Cu2O+2SO2。【詳解】(1)Cu為29號(hào)元素,基態(tài)Cu原子的價(jià)層電子排布式為:;(2)SO2中心原子S周圍的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為:2+=3,根據(jù)雜化軌道理論可知,硫原子的雜化方式是sp2,VSEPR模型是平面三角形,存在1對(duì)孤對(duì)電子,空間構(gòu)型為平面三角形,孤對(duì)電子對(duì)成鍵電子對(duì)產(chǎn)生排斥作用,因此鍵角小于120°;(3)根據(jù)晶胞中均攤法可知,圖1所示晶胞中含有Cu個(gè)數(shù)為:4個(gè),O原子個(gè)數(shù)為:,故其化學(xué)式為:Cu2O,圖2所示晶胞中含有Cu個(gè)數(shù)為:個(gè),O原子個(gè)數(shù)為:,故其化學(xué)式為:CuO;(4)①比較題干圖3和圖4可知,圖4所示結(jié)構(gòu)單元并不能采用“無(wú)隙并置”地在晶體中重復(fù)出現(xiàn),故不能作為CuFeS2晶胞;②由題干圖3所示晶胞可知,一個(gè)晶胞中含有:Cu原子個(gè)數(shù)為,F(xiàn)e個(gè)數(shù)為:,含有S個(gè)數(shù)為8,故一個(gè)晶胞的質(zhì)量為:,晶胞的體積是,CuFeS2晶體的密度是g/cm3;(5)Cu2O和CuCl都屬于離子化合物,Cu2O的熔點(diǎn)較高,原因是:O2-所帶電荷數(shù)較多并且離子半徑比Cl-小,與Cu+形成的離子鍵作用力更強(qiáng),熔沸點(diǎn)更高。23.(2025·浙江杭州·模擬預(yù)測(cè))氧族元素及其化合物有著廣泛應(yīng)用價(jià)值。(1)請(qǐng)寫出基態(tài)原子簡(jiǎn)化電子排布式,常溫下硒單質(zhì)是(氣體、液體、固體),同周期的元素中含有最多未成對(duì)電子的元素是(請(qǐng)寫元素符號(hào))。(2)下列說(shuō)法正確的是。A.按照核外電子排布,可把元素周期表劃分為4個(gè)區(qū),位于元素周期表P區(qū)B.的第二電離能小于(砷)的第二電離能C.硒的兩種含氧酸的酸性強(qiáng)弱為大于D.不穩(wěn)定,因?yàn)槠滏I長(zhǎng)較長(zhǎng),鍵重疊較弱E.已知某含硒化合物的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式為,不能使溴的四氯化碳溶液褪色,的雜化方式為(3)人體代謝甲硒醇()后可增加抗癌活性,下表中有機(jī)物沸點(diǎn)不同的原因。有機(jī)物甲醇甲硫醇()甲硒醇沸點(diǎn)/℃64.75.9525.05(4)一種銅銦硒晶體(化學(xué)式為)的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞中和未標(biāo)明,用A或者B代替。推斷是(填“A”或“B”),晶體中一個(gè)周圍與它最近且等距離的A粒子的個(gè)數(shù)為。(5)魔酸由()與等物質(zhì)的量化合生成,寫出其中陰離子的結(jié)構(gòu)式:?!敬鸢浮?1)固體Cr(2)CD(3)三種物質(zhì)都是分子晶體,甲硫醇、甲硒醇結(jié)構(gòu)相似,相對(duì)分子質(zhì)量越大,沸點(diǎn)越高,甲醇分子間存在氫鍵所以沸點(diǎn)最高(4)A8(5)【詳解】(1)Se原子序數(shù)34,原子簡(jiǎn)化電子排布式[Ar]3d104s24p4;常溫下硒單質(zhì)是固體,為第四周期VIA族非金屬元素,第四周期的元素中含有最多未成對(duì)電子的元素是Cr,電子排布式為[Ar]3d54s1,未成對(duì)電子數(shù)為6;故答案為:[Ar]3d104s24p4;固體;Cr;(2)A.按照核外電子排布,可把元素周期表劃分為s、p、d、f、ds,5個(gè)區(qū),A錯(cuò)誤;B.失去1個(gè)電子后的電子排布式為[Ar]3d104s24p3,失去1個(gè)電子后的電子排布式為[Ar]3d104s24p2,Se的p能級(jí)為半滿穩(wěn)定結(jié)構(gòu),則第二電離能Se>As,B錯(cuò)誤;C.同種元素的含氧酸,非羥

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論