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晶體類型與性質(zhì)高三化學(xué)總復(fù)習(xí)第1頁(yè)晶體知識(shí)回顧:離子晶體原子晶體金屬晶體分子晶體第2頁(yè)晶體類型組成微粒離子晶體原子晶體分子晶體金屬晶體陰、陽(yáng)離子原子分子金屬陽(yáng)離子、自由電子離子鍵共價(jià)鍵分子間作用力金屬鍵一、四種晶體類型比較微粒間作用一定有離子鍵,可能有共價(jià)鍵含有極性鍵或非極性鍵含共價(jià)鍵或不含任何化學(xué)鍵金屬鍵含化學(xué)鍵情況第3頁(yè)晶體類型離子晶體原子晶體分子晶體金屬晶體熔沸點(diǎn)硬度晶體不導(dǎo)電(熔融時(shí)導(dǎo)電)除半導(dǎo)體外不導(dǎo)電晶體不導(dǎo)電,水溶液可能導(dǎo)電導(dǎo)電導(dǎo)電性較高高較低有較高、有較低硬而脆大小有大有小一、四種晶體類型比較思索題:離子晶體熔融時(shí)能導(dǎo)電,熔融時(shí)能導(dǎo)電晶體一定是離子晶體嗎?第4頁(yè)常見(jiàn)晶體離子晶體原子晶體分子晶體金屬晶體大多數(shù)鹽強(qiáng)堿一些金屬氧化物金剛石、晶體硅、B、Ge、SiO2、SiC、Si3N4
、BN等金屬單質(zhì)、合金部分非金屬單質(zhì)部分非金屬氧化物非金屬氫化物酸絕大多數(shù)有機(jī)物混合型晶體(過(guò)渡型晶體):石墨等共價(jià)化合物或單質(zhì)離子化合物金屬單質(zhì)或合金第5頁(yè)二、晶體類型判斷普通方法1、依據(jù)組成微粒判斷2、依據(jù)物理性質(zhì)判斷比如:硬度、導(dǎo)電性、熔沸點(diǎn)等第6頁(yè)金剛石>SiC>晶體硅三、晶體熔、沸點(diǎn)比較(普通而言)晶體中微粒間作用越強(qiáng),晶體熔沸點(diǎn)越高晶體熔化是破壞微粒間相互作用2、離子晶體:晶格能越大,熔沸點(diǎn)越高離子電荷數(shù)越多,離子半徑越小,3、金屬晶體:金屬鍵越強(qiáng),熔沸點(diǎn)越高金屬陽(yáng)離子電荷數(shù)越多,離子半徑越小,1、原子晶體:共價(jià)鍵越強(qiáng),熔沸點(diǎn)越高原子半徑越小,4、分子晶體:分子組成與結(jié)構(gòu)相同,相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力越大,熔沸點(diǎn)越高;假如分子間存在氫鍵,因?yàn)槠渥饔帽确肿娱g作用力強(qiáng),故熔沸點(diǎn)更高。第7頁(yè)四、常見(jiàn)晶體微觀結(jié)構(gòu)(1)NaCl晶體(1)鈉離子和氯離子位置:鈉離子:體心和棱中點(diǎn);氯離子:面心和頂點(diǎn),或者反之。(2)每個(gè)晶胞含鈉離子、氯離子個(gè)數(shù)計(jì)算方法:頂點(diǎn)占1/8;棱占1/4;面心占1/2;體心占1氯離子:鈉離子:
(3)與Na+等距離且最近Na+、Cl-各有幾個(gè)?與Na+等距離且最近Na+
有:12個(gè)與Na+等距離且最近Cl-有:6個(gè)第8頁(yè)氯化鈉晶體中與Na+等距離且最近Cl
-有
6個(gè),它們組成是
體。235461正八面
第9頁(yè)(1)銫離子和氯離子位置:(2)每個(gè)晶胞含銫離子、氯離子個(gè)數(shù)(2)CsCl晶體銫離子:體心氯離子:頂點(diǎn);或者反之。銫離子:1個(gè);(3)與銫離子等距離且最近氯離子、銫離子各有幾個(gè)?銫離子:6個(gè)氯離子:8個(gè);氯離子:1個(gè)第10頁(yè)8個(gè)頂點(diǎn)六個(gè)面心是鈣原子,共4個(gè)鈣原子;內(nèi)部1/8晶胞體心處為氟,共8個(gè)氟原子;氟配位數(shù)為4,鈣配位數(shù)為8(3)、CaF2晶體第11頁(yè)(4)干冰晶體(1)二氧化碳分子位置:二氧化碳分子位于:體心和棱中點(diǎn)(面心和頂點(diǎn))(2)每個(gè)晶胞含二氧化碳分子個(gè)數(shù)二氧化碳分子個(gè)數(shù):4個(gè)(3)與每個(gè)二氧化碳分子等距離且最近二氧化碳分子有幾個(gè)?
12個(gè)第12頁(yè)(5)金剛石(晶體硅)與石墨石墨金剛石晶體構(gòu)型鍵角正四面體、空間網(wǎng)狀原子晶體平面正六邊形、層狀混合晶體109
o28′120
o
第13頁(yè)下列圖是石墨晶體結(jié)構(gòu)俯視圖(1)圖中平均每個(gè)六元環(huán)含有_____個(gè)碳原子,含有_____個(gè)C—C鍵。(2)右圖七個(gè)環(huán)碳原子數(shù)為
個(gè),其計(jì)算式為:
_______。
231427
第14頁(yè)(6)二氧化硅晶體二氧化硅中Si-O鍵夾角為109☉28‘,思索:1、硅原子與跟它相連4個(gè)氧原子組成空間構(gòu)型是
。2、Si-O鍵與Si原子個(gè)數(shù)比為
。3、最小環(huán)由
個(gè)原子圍成。正四面體形4
:112第15頁(yè)
在二氧化硅晶胞中有8個(gè)硅原子位于立方晶胞8個(gè)頂角,有6個(gè)硅原子位于晶胞6個(gè)面心,還有4個(gè)硅原子與16個(gè)氧原子在晶胞內(nèi)組成4個(gè)硅氧四面體,它們均勻錯(cuò)開(kāi)排列于晶胞內(nèi)。二氧化硅晶胞圖第16頁(yè)六、金屬晶體原子在二維平面上兩種放置方式-非密置層和密置層非密置層配位數(shù)為4密置層配位數(shù)為6第17頁(yè)三維堆積——四種方式金屬晶體原子堆積模型簡(jiǎn)單立方堆積鉀型(體心立方)由非密置層一層一層堆積而成第18頁(yè)ABACBA鎂型銅型金屬晶體兩種最密堆積方式金屬晶體原子堆積模型第19頁(yè)金屬晶體四種堆積模型對(duì)比堆積模型經(jīng)
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